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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur ultrahochaufgelösten Modifikation, insbesondere zur physischen Materialabtragung oder internen Materialänderung, eines Werkstücks.
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Zum Hintergrund und besseren Verständnis der Erfindung sind verschiedene bekannte Verfahren zur ultrahochaufgelösten Modifikation von Werkstücken zu erörtern. Unter „Modifikation“ soll dabei zum einen die Zerstörung oder Abtragung von Material des Werkstückes in mikroskopisch kleinen Zonen bis in den Nanometer-Bereich, zum anderen eine Materialänderung in dieser Größenordnung in Form einer Änderung der Chemie, Kristallstruktur, Benutzungsfähigkeit, Bandstruktur usw. des WerkstückMaterials selbst verstanden werden.
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Die Lasermaterialbearbeitung insbesondere mit ultrakurzen Laserpulsen bietet einige Vorteile wie z.B. eine hohe Bearbeitungsgenauigkeit kombiniert mit geringem Wärmeeinfluss sowie einer geringen Oberflächenkontamination. Zusätzlich können neben einem Materialabtrag auch Oberflächen- und Materialmodifikationen durchgeführt werden. So kann ein ultrakurzer Laserpuls mit geringer Fluenz zu einer lokalen Änderung des Brechungsindex führen oder die chemischen Bindungen des Zielmaterials soweit stören, dass eine Selektivität beispielsweise für Ätzprozesse erzielt werden kann.
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Es kann eine breite Palette an Lasern mit unterschiedlichsten Wellenlängen, Pulsdauern und -energien zum Einsatz kommen, was ein breites Anwendungsfeld erlaubt. Über eine Strahlformung kann die Beugungsgrenze des verwendeten Lichts in einem gewissen Maße unterschritten werden.
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Während die Lasermaterialbearbeitung problemlos für Mikrostrukturierungen eingesetzt werden kann, ist die Beugungsgrenze des Lichts ein Hindernis, welches eine Materialbearbeitung im Submikrometerbereich stark erschwert. Die Auflösung der Laserbearbeitung ist nämlich abhängig von der Wellenlänge des Lichts und der verfügbaren Laserquellen. Die meisten Laserarten arbeiten in einem Wellenlängenbereich bis knapp unterhalb 200 nm. Laser mit deutlich kürzeren Wellenlängen sind extrem aufwendig in Herstellung und Betrieb, wodurch für das Erzeugen von Strukturgrößen weit unterhalb 200 nm typischerweise im Folgenden noch näher erläuterten, alternativen Techniken zum Einsatz kommen.
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Mit modernsten Photolithographietechniken können zusammenfassend zwar Strukturgrößen im unteren Nanometerbereich erzielt werden, solche Techniken sind allerdings höchst komplex und verlangen eine höchst aufwendige Systemtechnik und kostenintensive Lichtquellen.
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Eine solche andere, vorstehend angesprochene Alternativ-Methode zur Erzielung höchster Auflösungen ist die Elektronenstrahllithographie sowie die Ionenstrahlbearbeitung. In diesen Verfahren ist die Beugungsgrenze der verwendeten Teilchen/Wellen so klein, dass problemlos Auflösungen im Bereich weniger Nanometer erreicht werden können. Dennoch sind diese Verfahren nicht ohne Schwierigkeiten einsetzbar, da zumeist lange Prozessdauern und im Falle der Ionenstrahlbearbeitung oftmals eine Kontamination der Probenoberfläche erfolgt.
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Ein für die vorliegende Erfindung ebenfalls wichtiger, bekannter Mechanismus der Laser-Material-Interaktion von ultrakurzen Laserpulsen und Dielektrika ist die Erzeugung von freien Elektronen über beispielsweise Multiphotonenionisation sowie der Erzeugung weiterer freier Elektronen durch Lawinenionisation. Der Laserpuls erzeugt so eine initiale Anzahl an freien Ladungsträgern, die dann durch Lawinenionisation vervielfacht werden, bis sie eine kritische Dichte erreichen, bei der eine Materialänderung eintritt.
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Nachfolgend soll der Vollständigkeit halber der grundsätzliche Stand der Technik zur Oberflächenstrukturierung im Submikrometerbereich kurz abgehandelt.
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In der Photolithographie wird grundlegend über verschiedene Belichtungsmethoden lokal ein lichtsensitiver Lack belichtet und entwickelt, sodass eine Maske auf der zu bearbeitenden Oberfläche entsteht. Mit einem nachfolgenden Ätzprozess wird die Oberfläche dann selektiv abgetragen.
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Nachteilig dabei ist, dass das Auflösungsvermögen durch die Beugungsgrenze der verwendeten Lichtwellenlänge begrenzt ist. Um die in der heutigen Halbleitertechnik benötigten extrem kleinen Strukturen im Bereich < 20 nm auflösen zu können, müssen extrem aufwändige Lichtquellen im EUV-Wellenlängenbereich zum Einsatz kommen. Zudem sind die Belichtungs- und Ätzprozesse extrem aufwändig und empfindlich, sodass die gesamte Systemtechnik aufgrund der notwendigen Höchstreinraumbedingungen äußerst kompliziert und kostspielig ist.
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Ähnlich wie in der Photolithographie wird in der Elektronenstrahllithographie ein Resist entwickelt, um eine Maske für einen Ätzprozess zu erzeugen. Statt Licht kommt hier ein fokussierter Elektronenstrahl zum Einsatz, der viel kleinere Auflösungen ermöglicht als Licht.
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Die Entwicklung mittels Elektronenstrahl ist allerdings sehr zeitintensiv und erlaubt keine Massenproduktion. Zudem ist der Prozessaufwand bezüglich der Reinheit ähnlich groß wie in der Photolithographie.
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Das sogenannte „Focused Ion Beam Structuring“ - FIBS - verwendet ähnlich der Elektronenstrahlithographie einen Strahl aus beschleunigten Ionen. Bei FIBS wird aber die zu bearbeitende Oberfläche direkt durch das Ionenbombardement abgetragen. Dadurch wird eine sehr genaue Bearbeitung möglich.
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Auch hier ist allerdings die Bearbeitungsdauer wieder sehr lang. Zudem kann es zu einer Oberflächenverunreinigung kommen, da die Oberfläche durchgehend von schnellen Ionen - meist Gallium - beschossen wird. Dadurch ist diese Methode nicht uneingeschränkt in der Halbleitertechnik oder in der Massenfertigung verwendbar.
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In der
US 6 818 908 A ist eine Strukturiermethode beschrieben, die durch Erzeugung von Exzitonen im Zielmaterial mittels Röntgen- oder UV-Strahlung eine lokalisierte Absorption von Laserlicht erzielt. Dabei wird Röntgenstrahlung auf ein transparentes, anorganisches Material fokussiert, sodass die Photonen Exzitonen im Zielmaterial erzeugen, die lokalisiert bleiben und Licht absorbieren. Ein gleichzeitiger Laserstrahl mit ausreichender Leistung, aber wesentlich höherem Spotdurchmesser als die Röntgenstrahlung wird auf die Probe gerichtet und lokal durch die freien Elektronen absorbiert. Dadurch wird theoretisch ein lokalisierter Abtrag bei hoher Auflösungen bis 10 nm bei Verwendung von Röntgenstrahlung ermöglicht, jedoch ist noch keine praktische Umsetzung dieses Verfahrens geläufig.
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Darüber hinaus eignet sich das in dieser
US 6 818 908 A beschriebene Verfahren nur sehr bedingt für einen scannenden Einsatz in einem sogenannten Remote-Betrieb. Der Grund ist die Schwierigkeit, die Röntgenstrahlung bzw. die kurzwellige UV-Strahlung mittels Spiegeln abzulenken und mittels refraktiver Optiken abzubilden. Reflektive Abbildungsoptiken haben den Nachteil, dass sich beim Fokussieren eines Strahls, der unter einem Winkel auftrifft - wie bei einem scannenden Betrieb - es zu Abbildungsfehlern kommt.
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Aus der
US 8 168 961 A ist eine Methode zur Nanostrukturierung bekannt, die eine Kombination aus Laserstrahlung und Elektronen- bzw. Ionenstrahlen verwendet. Dabei wird eine Maske auf dem Werkstück erzeugt, die verhindert, dass das Werkstück unter der Maske durch den Laserstrahl modifiziert wird. Die Bestandteile der Maske werden entweder direkt als ein Ionenstrahl auf das Werkstück deponiert oder es wird ein Gas über das Werkstück geleitet, das bei Anwesenheit des Teilchenstroms mit den Ionen bzw. Elektronen wechselwirkt und sich auf das Werkstück abscheidet. Die nicht maskierten Bereiche des Werkstücks werden anschließend mit dem Laser bearbeitet. Eine Entfernung des Maskenmaterials ist dabei nicht vorgesehen. Der Hauptnachteil dieses Verfahrens liegt darin, dass durch die Auftragung des zusätzlichen Maskenmaterials auf das Werkstück letzteres kontaminiert werden kann.
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Ausgehend von den geschilderten Problemen des Standes der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur ultrahochaufgelösten Modifikation eines Werkstückes anzugeben, das eine schnelle, berührungslose Materialbearbeitung mit extrem hoher Auflösung insbesondere im Nanometerbereich ohne zusätzliche Maskenprozesse oder Ätzvorgänge und unter Vermeidung einer Kontamination des Werkstücks ermöglicht.
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Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den im Kennzeichnungsteil des Anspruchs 1 angegebenen Schritten wie folgt gelöst:
- - Beaufschlagen einer Werkstückzone, insbesondere -oberfläche, mit einem fokussierten Elektronenstrahl mit derart definierter Beschleunigungsspannung, Fokusdurchmesser und/oder Elektronenstrom, dass im Werkstück eine lokalisierte Verteilungszone freier Elektronen mit einer Elektronendichte induziert wird, die unterhalb einer Modifikationsschwelle für das Werkstück-Material liegt, und
- - Bestrahlen der Werkstückzone, insbesondere -oberfläche im Fokus des Elektronenstrahls mit einem Laserstrahl einer so eingestellten Fluenz, dass
- = das Werkstückmaterial außerhalb der Verteilungszone der freien Elektronen keiner signifikanten Modifikation unterzogen wird und
- = die durch den Elektronenstrahl erzeugten, lokalisierten, freien Elektronen eine Lawinenionisation mit einer solchen Zunahme der Dichte der freien Elektronen in Gang setzen, dass die gewünschte Modifikation des Werkstückes erreicht wird.
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Das erfindungsgemäße Verfahren ist also dadurch charakterisiert, dass ein fokussierter Elektronenstrahl verwendet wird, um das Material an der Stelle, an der die Modifikation erfolgen soll, zu bestrahlen. Die Fokussierung des Elektronenstrahls wird entsprechend der Größe der gewünschten Struktur eingestellt. Weiterhin wird die Beschleunigungsspannung des Elektronenstrahls so eingestellt, dass die eindringenden Elektronen des Strahls im Material möglichst viele Sekundärelektronen mittels Stoßionisation erzeugen. Dies bewirkt einen stark lokalisierten Anstieg der Dichte der freien Ladungsträger.
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Nun wird das Material mit einem Laserpuls bestrahlt. Seine Wellenlänge, Pulsdauer und -energie sowie Fokussierung werden so gewählt, dass es beim Bestrahlen des Materials ohne die Beteiligung des Elektronenstrahls zu keinen nennenswerten Absorptionsprozessen (wie z.B. Multiphotonionisation, Tunneleffekt etc.) kommen würde. Die eingestellte Laserfluenz ist also geringer, als sie für eine Materialmodifikation notwendig wäre. Wenn jedoch die Ladungsträgerdichte durch den Elektronenstrahl erhöht wird, erfolgt bei den gewählten Laserpulsparametern eine Lawinenionisation durch das elektromagnetische Feld des Laserpulses, so dass es durch den Laserpuls innerhalb der vom Elektronenstrahl bestrahlten Zone zu einer gewünschten Materialmodifikation, also einer Materialumwandlung oder einem Materialabtrag kommt. Die Laserfluenz ist also größer als die Initialfluenz für eine laserinduzierte Lawinenionisation.
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Die hierfür geeigneten Werkstoffe oder Materialien verfügen über eine Bandlücke, deren Energieintervall unterhalb der verwendeten Photonenenergie der Laserstrahlung beginnt und oberhalb der Photonenenergie der Laserstrahlung endet. Unter einer Bandlücke versteht man in der Regel den energetischen Abstand zwischen dem Valenzband, in dem die Ladungsträger (wie z.B. Elektronen oder Elektronenfehlstellen) gebunden und damit unbeweglich vorliegen, und dem Leitungsband, in dem sich die Ladungsträger frei bewegen können. Weiterhin ist die Dichte der freien Ladungsträger bei diesen Materialien so niedrig, dass Absorptionseffekte (z.B. durch Joule-Heating, inverse Bremsstrahlung oder Avalanche Ionisation) vernachlässigbar sind. Beispiele für solche Materialien sind z.B. Dielektrika, wie Glas mit Laserstrahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich, Halbleiter wie Silizium mit einer Bandlücke im Infrarot mit Laserwellenlängen oberhalb 1200 nm oder Metamaterialien, die aufgrund ihrer inneren Struktur eine Bandlücke für Licht einer bestimmten Wellenlänge aufweisen.
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Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens bestehen unter anderem darin, dass durch die inhärente Fokussierbarkeit des Elektronenstrahls eine stark lokalisierte Absorption der Laserenergie erzielt werden kann, was eine Materialmodifikation mit extrem hoher Auflösung im Bereich <20 nm ermöglicht. Dabei umfasst die Materialmodifikation das volle Spektrum der Laserbearbeitung. Durch Einstellung der verwendeten Laserfluenz im Zusammenhang mit der induzierten Elektronendichte kann die Materialmodifikation z.B. eine nicht-destruktive Brechungsindexänderung sein, bei höherer Fluenz kann das Material aber auch lokal ablatiert werden. Der Durchmesser des Laserstrahls auf dem Werkstück kann dabei um Größenordnungen größer sein als der Fokusdurchmesser des Elektronenstrahls. Insoweit wird also die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erreichbare Auflösung durch die hohe Elektronenstrahl-Auflösung, nicht jedoch durch die Beugungsgrenze des Laserlichts begrenzt.
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In den abhängigen Ansprüchen sind bevorzugte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens angegeben. So kann der Fokussierort des Elektronenstrahls mithilfe einer gängigen Steuer- und Ablenkungseinrichtung so variiert werden, dass ein definiertes, insbesondere ultrahochaufgelöstes Modifikations-Muster auf oder unter der Oberfläche des Werkstücks erzeugt wird.
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Bevorzugtermaßen ist der Elektronenstrahl ablenkbar, so dass man mit dem Elektronenstrahl eine scannende Bearbeitung realisieren werden kann.
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Weiterhin kann durch eine geeignete Wahl der Beschleunigungsspannung die Eindringtiefe des Elektronenstrahls eingestellt werden und so die Elektronendichte tiefenabhängig verändert werden.
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Aufgrund der dem Verfahren zugrunde liegenden physikalischen Prozesse ist das Verfahren gleichermaßen für opake wie lasertransparente Werkstück-Materialien einsetzbar. Bei einem opaken Werkstück-Material kann die zu modifizierende Werkstück-Zone von derselben Seite her mit dem Elektronenstrahl und dem Laserstrahl beaufschlagt werden, bei einem lasertransparenten Werkstück-Material kann der Laserstrahl auch durch das Werkstück hindurch in die vom Fokus des Elektronenstrahls beaufschlagte Werkstückzone eingekoppelt werden.
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Bei Verwendung mehrerer Elektronenstrahlen kann durch einen Überlapp dieser Strahlen Elektronenstrahlen eine lokalisierte Erhöhung der Elektronendichte innerhalb des Materials erzielt werden, wodurch eine dreidimensionale Bearbeitung möglich wird.
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Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren für die Laserbestrahlung ein gepulster Laserstrahl mit definierter Pulsenergie, Pulsdauer, Pulsform und/oder Verlauf der Momentanfrequenz des Pulses verwendet werden, dessen Pulsparameter insbesondere abhängig sind von der Schmelztemperatur des Materials des Werkstücks, der Art der zu erreichenden Materialmodifikation. und/oder der Größe der Bandlücke.
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So werden im Zusammenhang mit der Schmelztemperatur des Materials kürzere Pulse bei einem niedrigeren Schmelzpunkt bevorzugt. Bezüglich der Art der zu erreichenden Materialmodifikation ist festzuhalten, dass für einen Material-Abtrag Pulse höherer Energie gegenüber einer nur internen Materialumwandlung benötigt werden.
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Im Hinblick auf die Abhängigkeit der Laser-Pulsparameter von der Größe der Bandlücke ist gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform vorgesehen, die Momentanfrequenz der Laser-Pulse in einem sogenannten „Upchirp“ während der Bestrahlung zu höheren Frequenzen hin zu verschieben. Dies begünstigt die Erzeugung der Lawinenionisation gegenüber einer Multiphotonenionisation. Spektral langwellige Komponenten steigern die Elektronendichte zunächst über Lawinenionisation. Durch die Zunahme der Elektronendichte wird jedoch die Absorptivität des erzeugten Plasmas größer, was zur Folge hat, dass das Licht dieser Wellenlänge zunehmend schlechter in die Tiefe einkoppelt. Licht mit kürzerer Wellenlänge penetriert tiefer in das Plasma, da der Lawinenionisationsprozess etwas weniger effizient ist. Durch einen zeitlichen Shift der Momentanfrequenz des Pulses zu kürzeren Wellenlängen - also zu höheren Frequenzen („Upchirp“) - hin kann so die Eindringtiefe vom Anfang bis Ende des Pulses im ursprünglichen Wechselwirkungsvolumen gehalten werden.
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Weiterhin können der oder die Elektronenstrahlen gepulst und synchronisiert zum Laserpuls betrieben werden. Zweck der Puls-Auslegung des oder der Elektronenstrahlen ist dabei die lokalisierte Einbringung von freien Elektronen in die zu modifizierende Werkstückzone bei gleichzeitiger Kontrolle der eingebrachten Elektronendichte, der Lokalisierung der Elektronen sowie des Aufladungszustandes des Werkstückes.
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Durch die zeitliche Synchronisierung des oder der Elektronenstrahlen mit den Laserpulsen insbesondere mit einer negativen oder positiven Zeitverschiebung zueinander kann ein für den jeweiligen Modifikationszweck idealer Zustand der freien Ladungsträger in der zu modifizierenden Werkstück-Zone erreicht werden.
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Weiterhin kann bevorzugtermaßen an die Probe ein vorzugsweise homogenes, negatives konstantes elektrisch es Potenzial angelegt werden, welches die die Probe anfliegenden Elektronen verlangsamt. Dadurch wird eine geringere Eindringtiefe der Elektronen in das zu modifizierende Werkstück bewirkt, wodurch die Lokalisation und damit die Präzision der laserinduzierten Materialmodifikation verbessert werden kann.
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In einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens können mehrere Elektronenstrahlen mit verschiedenen Anstellwinkeln zur Werkstückoberfläche zeitgleich verwendet werden, so dass sie sich in einer Position unterhalb der Werkstückoberfläche überlappen. Dadurch wird eine lokalisierte erhöhte Elektronendichte im Inneren des Werkstückmaterials erzeugt, so dass eine unterhalb der Werkstückoberfläche lokalisierte Modifikation stattfinden kann und komplexe dreidimensionale Strukturen erzeugt werden können.
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Schließlich kann bei der Bearbeitung eines Werkstückes aus einem Halbleitermaterial eine Vorspannung so angelegt werden, dass es zu einer globalen Ladungsträgerverarmung im Probenmaterial kommt. Der Elektronenstrahl bewirkt damit effektiv eine örtlich begrenzte Erhöhung der Elektronendichten, so dass die Materialbearbeitung mit nochmals verbesserter Definiertheit ablaufen kann.
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Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der beigefügten Zeichnung. Diese 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Werkstück-Bearbeitungsvorrichtung zur Umsetzung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
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Wie aus 1 hervorgeht, weist die Bearbeitungsvorrichtung eine in einer Vakuumkammer 1 untergebrachte Werkstückaufnahme 2 für ein zu modifizierendes Werkstück 3 auf. Die Werkstückaufnahme 2 kann beispielsweise durch einen in x-y-Richtung verschiebbaren Tisch gebildet sein. In der Vakuumkammer 1 ist ferner eine Elektronenstrahlquelle 4 mit einer Fokussiereinrichtung 5 angeordnet, mit deren Hilfe ein auf das Werkstück 3 fokussierbarer Elektronenstrahl 6 mit einem Fokus F erzeugt wird. Mittels einer Scannereinrichtung 7 kann der Elektronenstrahl 6 ferner entsprechend der gewünschten Strukturierung der in das Werkstück 3 einzubringenden Materialmodifikation mikroskopisch gesteuert über die Oberfläche 8 des Werkstücks 3 geführt werden.
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An geeigneter Stelle weist die Vakuumkammer 1 eine lasertransparentes Fenster 9 auf, durch das ein von einer Laserquelle 10 erzeugter Laserstrahl 11 auf das Werkstück 3 in der Vakuumkammer 1 eingestrahlt werden kann.
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Das Material des Werkstücks 3 kann beispielsweise ein Dielektrikum, wie Quarzglas sein. Die Beschleunigungsspannung des Elektronenstrahls 6 kann 1 kV und der Elektronenstrom 20 nA betragen. Damit wird in der Modifikationszone 12 unterhalb der Oberfläche 8 des Werkstücks 3 eine Zone erhöhter Elektronendichte erzeugt.
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Der zu verwendende Laser hat eine Wellenlänge im nahen Infrarotbereich (1064 nm), eine Pulsdauer von 10 ps, eine Pulsenergie von 0,2 - 0,3 µJ bei einem 1/e2-Fokusradius von 3,4 µm auf der Probe. Die mittels Multi-Photonen-Ionisation initiierte Abtragsschwelle würde - ohne den Elektronenstrahl -bei diesem Lasertyp und Material oberhalb einer Pulsenergie von 0,5 - 0,7 µJ liegen. Die Angabe von Energieintervallen dient in diesem Zusammenhang dazu, einen realistischen Bereich zu definieren, wie er in der Praxis beobachtet werden kann, damit Reinheitsschwankungen des Glases, Messunsicherheiten bei der Laserleistung etc. einbezogen werden können - vgl. den Fachartikel von Miyamoto I, Okamoto Y, Tanabe R, Ito Y, Cvecek K, Schmidt, „Mechanism of dynamic plasma motion in internal modification of glass by fs-laser pulses at high pulse repetition rate", Opt. Express 24: 25718-31 (2016).
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Ein einzelnes Elektron des Elektronenstrahls induziert nun Sekundärelektronen im Modifikationszone 12 derart, dass die Elektronendichte dort kurzzeitig (t < 1 ns) auf über 2×1018/cm3 ansteigt - vgl. den Fachartikel von B. Raftari et. al. „Self-consistent drift-diffusion-reaction model for the electron beam interaction with dielectric samples" Journal of Applied Physics 118, 204101 (2015).
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Durch die zeitsynchronisierte Steuerung der Laserpulse mit dem Elektronenstrahl trifft der Laserpuls zum Zeitpunkt maximaler Elektronendichte an der vom Elektronenstrahl bestrahlten Oberfläche 8 des Werkstücks 3 ein. Mit den obengenannten Laserparametern setzt die Lawinenionisation bereits ab einer vom Elektronenstrahl hervorgerufenen Elektronendichte von 1×1018/cm3 im Material ein. Ein so erzeugtes Plasma erreicht während der Bestrahlung mit dem Laserpuls Elektronendichten von über 1020 /cm3. In der Folge wird eine Temperatur von über 2000 °C in den ionisierten Bereichen erzielt, was zur direkten Materialmodifikation beispielsweise in Form einer Ablation und damit Erzeugung einer Nano-Struktur in diesem Bereich führt.
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In Ergänzung zu der Elektronenstrahlquelle 4 mit dem entsprechenden Elektronenstrahl 6 können weitere Elektronenstrahlquellen 4', 4" eingesetzt werden, um sich im Fokus F überlappende Elektronenstrahlen 6, 6', 6" zu erzeugen.
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Wie in 1 noch angedeutet ist, kann an das Werkstück 3 ein homogenes, negatives, konstantes elektrisches Potenzial U angelegt werden. In ähnlicher Weise kann bei der Bearbeitung eines Halbleitermaterials eine Vorspannung so angelegt werden, dass es zu einer globalen Ladungsträgerverarmung im zu modifizierenden Werkstückmaterial und insbesondere der Modifikationszone 12 kommt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- US 6818908 A [0016, 0017]
- US 8168961 A [0018]
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- Miyamoto I, Okamoto Y, Tanabe R, Ito Y, Cvecek K, Schmidt, „Mechanism of dynamic plasma motion in internal modification of glass by fs-laser pulses at high pulse repetition rate“, Opt. Express 24: 25718-31 (2016) [0042]
- B. Raftari et. al. „Self-consistent drift-diffusion-reaction model for the electron beam interaction with dielectric samples“ Journal of Applied Physics 118, 204101 (2015) [0043]
