JP3430552B2 - ダイヤモンド半導体の製造方法 - Google Patents
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- H01L21/041—Making n- or p-doped regions
Description
製造方法に関し、特に、ダイヤモンド半導体へのドーピ
ング方法に関するものである。
イヤモンドを人工的に合成しようとする試みは古くから
行なわれて来ているが、1960年代に入り、低圧下で
も合成に成功しだし始め、現在では真空下に近い圧力で
その薄膜が作成できるようになってきた。これに伴い、
ダイヤモンドの薄膜を使って、半導体デバイスを作ろう
とする動きが盛んになってきた。
い。
く、シリコンより圧倒的に高い700℃でも壊れず動作
する。
で問題となるα線によるソフトエラーが少ない。
い宇宙空間や原子炉周り等の使用環境の厳しい所での使
用が期待されている。
しなければならないいくつかの問題点もある。
法がまだない。
技術がまだ確立していない。
致命的と言ってよく、今後のダイヤモンド半導体の実用
化上、重要な課題である。
モンド自体、半導体材料として用いるにはドープの効率
が極めて悪いことである。例えば、p型の半導体に関し
ても、1000ppmの硼素のドーピングによって、1
0E16cm-3程度のキャリア濃度しか得られていな
い。また、n型のドーピングに対しては、ダイヤモンド
の構成元素が炭素であり、シリコンなどに比べると、そ
の原子半径が小さいことから、シリコンプロセスで用い
られている、燐などは用いることは出来ず、原子半径が
炭素に近い窒素を用いることになるが、窒素を用いると
つぎに述べるような問題があった。
子に強く束縛されており、これを解放するには、約1.
7eVと大きな電子エネルギーが必要で、室温では極く
僅かの電子しか、結晶内を移動できないので(逆に言え
ば、高温では動作すると言うことになるが…)、有効に
デバイスが作用しなくなる。したがって、窒素原子をド
ーパントとして、用いる場合、結晶構造を破壊すること
なく、高濃度でドーピングする必要があった。
案されたものであり、ダイヤモンド構造を破壊せず、高
濃度のドーピングができる技術を提供せんとするもので
ある。
窒素を高濃度でドーピングするために、活性な窒素原子
を高密度で生成させる技術が必要で、そのためにはEC
Rプラズマドーピングなどを使用することを創案した。
分とし、窒素原子を含有したダイヤモンド半導体の製造
方法において、前記窒素原子を窒素系ガス雰囲気で10
11〜10 14 cmー3のパルス状高密度プラズマを用いて
ドーピングし、前記ドーピングの前に、ダイヤモンド表
面を窒素系ガス雰囲気でドライクリーニングする工程を
含み、該ドライクリーニングする工程はECRプラズマ
を用いるとともに、前記ドーピングと同じ装置を用いる
ことを、解決手段としている。また、請求項2記載の発
明は前記高密度プラズマがECRプラズマであり、マイ
クロ波がパルス状に供給されることを特徴とするもので
ある。さらに、請求項3記載の発明は、ドライクリーニ
ング工程で用いるエッチングガスとドーピング工程で用
いるドーピングガスに同じものを用いたことを特徴とす
るものである。
マとしてECR放電を用いた場合、所謂電子サイクロト
ロン共鳴を用いることで、1011〜1014cm-3程度の
高密度プラズマを形成できる。このため、活性な窒素原
子を高密度で生成できる。しかも、イオンエネルギーは
小さいので結晶構造を破壊することはない。
ラズマへパルス状にマイクロ波を供給すると、高電離度
のプラズマを装置に負担をかけずに、得ることができ
る。例えば、イオン密度にして1014cm-3以上の高温
プラズマを得るためには、マイクロ波の出力は104w
/cm2以上でなければならないが、このような大電力
のマイクロ波を連続波としてチャンバーに供給すると、
チャンバーと導波管の間の窓材やチャンバの内壁に大き
なダメージを与えてしまうことになる。そこで、前述の
ようにマイクロ波をパルス状に供給してやれば、高密度
プラズマが得られ、窒素ガスの解離も進み、活性な窒素
原子を高密度で生成できる作用を奏する。
グを行っておくことにより、ダイヤモンド表面でのドー
ピングが良好となる。
先立ち、まず、本発明を実施するために使用した有磁場
マイクロ波(ECR)プラズマドーピング装置について
図2を参照しながら説明する。
クロ波プラズマドーピング装置である。この装置につい
て略述すると、マグネトロン1で発生されたマイクロ波
2を、図示しないパルス発生器でパルス状にして、導波
管3を通じて、石英ベルジャー4にて囲まれた反応室5
に移送する。この反応室5を囲む形で設置されているソ
レノイドコイル6にて、マイクロ波の周波数(2.45
GHz))といわゆるECR放電をおこす磁場(8.7
5E−2T)を発生させる。それにより、図中に示すよ
うな位置にガスプラズマ7を生じる。基板8は、サセプ
タ9上に設置されるように、図示しない搬送手段で搬送
される。設置されるサセプタ9は、図示しないヒータか
ら、加熱管10を通じて加熱され、これにより基板8も
加熱される。ガスは、ガス導入管11を通じて導入さ
れ、図示しない排気系で排気管12より排気される。
へのドーピングに用いた例を図1を用いて示す。先ず、
図1(A)に示すように基板11上にダイヤモンド半導
体膜12を低圧合成で形成し、次に、その上のSiO2
膜13を通常のプラズマCVDで膜厚200nmに形成
し、レジストパターン14を形成した後、エッチングを
行い、開口部を形成した。次に、ダイヤモンド半導体膜
12の露出部15に、以下の条件で図2の装置を用い
て、ドーピングを行い拡散層16を形成した。
度(1014cm-3程度)のプラズマが発生し、図1
(B)に示す拡散層16には高密度に窒素原子がドープ
された。本実施例では、ドーピングに際してパルス状に
マイクロ波を供給したことにより、装置の窓材やチャン
バ内壁にダメージを与えることなく高密度なプラズマが
得られる。なお、本実施例では、このようにマイクロ波
をパルス状に供給したが、マイクロ波の出力を下げて連
続的に供給することも可能である。
ーピングとを組み合わせた例である。以下、同じく、本
発明を実際のダイヤモンド半導体へのドーピングに用い
た例を図1を用いて示す。
上にダイヤモンド半導体膜12を低圧合成で形成し、そ
の上にSiO2膜13を通常のプラズマCVDで200
nm形成し、次いでレジストパターン14を形成した
後、エッチングにより開口部を形成した。次に、ダイヤ
モンド半導体膜12の露出部15に、以下の条件で図2
の装置を用いて、表面をドライクリーニングした。この
時、RFバイアスを印加してやれば、エッチングも行な
うことができるのはいうまでもなく、本実施例はその原
理を利用したものである。なお、基板温度は30℃とし
た。また、マイクロ波は常時オンとした。ここで用いた
N2Oは、ダイヤモンドのエッチングガスとして知られ
ている。
の条件で同じく図2の装置を用いて、ドーピングを行な
い拡散層16を形成した。このドーピングの条件は以下
に示す通り実施例1と同じにした。
あるので高密度(1014cm-3程度)のプラズマが発生
し、高密度に窒素原子がドープされた。本実施例では、
同じ装置内でドライクリーニングとドーピングとが行な
えるため、スループットが向上する。また、ドーピング
時の温度も比較的低くてすむため、レジストパターン1
4への悪影響は生じない。
グとドーピングを同じ窒素系のガスを用いて行なってい
るので、プロセス間のクロスコンタミが少なくてすむ利
点である。
が、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明
の主旨を逸脱しない範囲内で構造、条件等は適宜変更可
能である。
プラズマリースとしてECRプラズマを用いたが、この
他に、ヘリコン波を用いたヘリカル共振器,ヘリコン波
プラズマ,ICP(Inductive Couple
d Plasma),TCP(Transformer
Coupled Plasma)などを用いることが
できる。
1〜3記載の発明によれば、従来困難とされていたn型
のドーピングができるので、生産性良く、且つ安価に高
性能のダイヤモンド半導体を製造することが出来る効果
がある。又、パルス状の高密度プラズマによりドーピン
グしているので、装置の窓材やチャンバの内壁等に損傷
を与えることはない。また、ドライクリーニングとドー
ピングを同一若しくは同じ窒素系ガスを用いて行ってお
り、プロセス間のクロスコンタミを少なくすることがで
き、しかもドライクリーニングとドーピングを同じ装置
で行うので、良好なスループットでプロセスのクリーン
化が図れる効果がある。
す断面図
ズマドーピング装置の説明図
Claims (3)
- 【請求項1】 炭素を主成分とし、窒素原子を含有する
ダイヤモンド半導体の製造方法において、前記窒素原子
を窒素系ガス雰囲気で1011〜1014cmー3のパルス
状高密度プラズマを用いてドーピングし、前記ドーピン
グの前に、ダイヤモンド表面を窒素系ガス雰囲気でドラ
イクリーニングする工程を含み、該ドライクリーニング
する工程はECRプラズマを用いるとともに、前記ドー
ピングと同じ装置を用いることを特徴とするダイヤモン
ド半導体の製造方法。 - 【請求項2】 前記高密度プラズマは、ECRプラズマ
であり、マイクロ波がパルス状に供給される請求項1記
載のダイヤモンド半導体の製造方法。 - 【請求項3】 ドライクリーニング工程で用いるエッチ
ングガスとドーピング工程で用いるドーピングガスに同
じものを用いたことを特徴とする請求項1又は2記載の
ダイヤモンド半導体の製造方法。
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