JP2917900B2 - Iii −v族化合物半導体基板の表面処理方法 - Google Patents
Iii −v族化合物半導体基板の表面処理方法Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はIII-V族化合物半導
体デバイス用基板の表面処理方法に関し、特に薄膜成長
用基板の前処理方法に関するものである。
体デバイス用基板の表面処理方法に関し、特に薄膜成長
用基板の前処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】GaAs等のIII-V族半導体基板上に形
成された電界効果型トランジスタは、良好な高周波特性
が得られており、近年低雑音のマイクロ波用、高速デジ
タル通信用の基本素子として広く採用されている。この
トランジスタは、半導体基板上に成長した薄膜をキャリ
アが走行する構造を有しているため、デバイス特性を向
上させるには、薄膜の結晶性の向上とともに、薄膜と基
板の間の界面における構造の乱れやキャリアを捕獲する
原因とする不純物を減らす必要がある。特に、界面での
炭素や酸素、シリコンを除去することが重要である。
成された電界効果型トランジスタは、良好な高周波特性
が得られており、近年低雑音のマイクロ波用、高速デジ
タル通信用の基本素子として広く採用されている。この
トランジスタは、半導体基板上に成長した薄膜をキャリ
アが走行する構造を有しているため、デバイス特性を向
上させるには、薄膜の結晶性の向上とともに、薄膜と基
板の間の界面における構造の乱れやキャリアを捕獲する
原因とする不純物を減らす必要がある。特に、界面での
炭素や酸素、シリコンを除去することが重要である。
【0003】従来、薄膜と基板の間の界面や表面の清浄
化方法として、硫酸系エッチャントや塩酸、リン酸等に
よるウエット処理後に、成長装置内でV族元素雰囲気中
で昇温により酸化膜を除去する方法や、水素プラズマ処
理などを行う方法(1994年、ジャパニ−ズ・ジャ−
ナル・オブ・アプライド・フィジクス、第33巻L91
ペ−ジ、〔N.Kondo et al.,Japanese Journal of Appli
ed Physics,33,L91(1994) 〕が知られている。また、水
素プラズマ処理後に、塩素ガスエッチングを併用する方
法も提案されている。例えば、特開平6−232100
号公報、特開昭62−317954号公報。
化方法として、硫酸系エッチャントや塩酸、リン酸等に
よるウエット処理後に、成長装置内でV族元素雰囲気中
で昇温により酸化膜を除去する方法や、水素プラズマ処
理などを行う方法(1994年、ジャパニ−ズ・ジャ−
ナル・オブ・アプライド・フィジクス、第33巻L91
ペ−ジ、〔N.Kondo et al.,Japanese Journal of Appli
ed Physics,33,L91(1994) 〕が知られている。また、水
素プラズマ処理後に、塩素ガスエッチングを併用する方
法も提案されている。例えば、特開平6−232100
号公報、特開昭62−317954号公報。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
塩酸等のウエット処理のみを用いた方法では、不純物で
ある炭素の除去にはほとんど効果がない。また、水素プ
ラズマ処理のみでは、炭素の除去には効果があるが、酸
素、シリコンを除去することができず、また基板表面の
平坦性が悪化する。水素プラズマと塩素ガスエッチング
を併用する方法では、不純物除去には効果があるが、塩
素ガスによりGaAs基板がエッチングされるため、プ
ロセス上の制約を受けるとともに、危険な反応性ガスを
用いなければならないという問題がある。
塩酸等のウエット処理のみを用いた方法では、不純物で
ある炭素の除去にはほとんど効果がない。また、水素プ
ラズマ処理のみでは、炭素の除去には効果があるが、酸
素、シリコンを除去することができず、また基板表面の
平坦性が悪化する。水素プラズマと塩素ガスエッチング
を併用する方法では、不純物除去には効果があるが、塩
素ガスによりGaAs基板がエッチングされるため、プ
ロセス上の制約を受けるとともに、危険な反応性ガスを
用いなければならないという問題がある。
【0005】本発明の目的は、ガスエッチングを併用し
ない、GaAs基板に吸着した不純物を完全に除去で
き、しかも処理表面の平坦化を可能にした表面処理方法
を提供することである。
ない、GaAs基板に吸着した不純物を完全に除去で
き、しかも処理表面の平坦化を可能にした表面処理方法
を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の表面処理方法
は、図1にプロセス工程図を示すように、図1(a)の
III 族原子面を基板表面に出す第1工程と、図1(b)
のその表面に対し水素プラズマを照射する第2工程を含
んでいる。例えば、GaAs(100)基板表面を大気
中にさらすと、基板表面に炭素C、シリコンSi、酸素
O等の不純物が吸着し、これらが結合したGaAs層が
表面近傍に形成される。そこで、本発明では、III 族原
子であるGaの原子面(Ga安定化面)を出して、この
表面に対して水素プラズマを照射する。
は、図1にプロセス工程図を示すように、図1(a)の
III 族原子面を基板表面に出す第1工程と、図1(b)
のその表面に対し水素プラズマを照射する第2工程を含
んでいる。例えば、GaAs(100)基板表面を大気
中にさらすと、基板表面に炭素C、シリコンSi、酸素
O等の不純物が吸着し、これらが結合したGaAs層が
表面近傍に形成される。そこで、本発明では、III 族原
子であるGaの原子面(Ga安定化面)を出して、この
表面に対して水素プラズマを照射する。
【0007】この場合、第1工程としては、V族原子雰
囲気の無い状態で化合物半導体の基板温度を450℃以
上に加熱する工程が、第2工程として、電子サイクロト
ロン共鳴(ECR)、もしくは高周波による水素プラズ
マを用いる工程が採用される。また、前記第1工程を行
いながら第2工程を行うことも可能である。
囲気の無い状態で化合物半導体の基板温度を450℃以
上に加熱する工程が、第2工程として、電子サイクロト
ロン共鳴(ECR)、もしくは高周波による水素プラズ
マを用いる工程が採用される。また、前記第1工程を行
いながら第2工程を行うことも可能である。
【0008】III 族安定化面を出す第1工程により、V
族原子およびこれと結合した不純物が除去され、基板表
面にIII 族およびこれと結合した不純物が残される。こ
の第1工程はV族原子と比較しIII 族原子は不純物、特
に炭素との結合力が強く、III 族原子と結合した不純物
の除去は困難であるため、この不純物を基板最表層に集
めることで、水素プラズマ処理で除去され易いようにす
るためである。この表面に対し水素プラズマを照射する
第2工程により、III 族原子と結びついた除去が困難な
不純物と水素プラズマとの接触頻度が高くなり、この不
純物は効果的に水素化合物になり、基板表面から除去さ
れる。さらに、処理後はIII 族安定化面のため平坦な表
面が得られる。
族原子およびこれと結合した不純物が除去され、基板表
面にIII 族およびこれと結合した不純物が残される。こ
の第1工程はV族原子と比較しIII 族原子は不純物、特
に炭素との結合力が強く、III 族原子と結合した不純物
の除去は困難であるため、この不純物を基板最表層に集
めることで、水素プラズマ処理で除去され易いようにす
るためである。この表面に対し水素プラズマを照射する
第2工程により、III 族原子と結びついた除去が困難な
不純物と水素プラズマとの接触頻度が高くなり、この不
純物は効果的に水素化合物になり、基板表面から除去さ
れる。さらに、処理後はIII 族安定化面のため平坦な表
面が得られる。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。なお、以下の説明はIII-V族
化合物半導体のうち、GaAsの場合について説明す
る。図2は本実施形態の工程を模式的に示す図である。
GaAs(100)基板1の表面を大気中にさらすと、
図2(a)のように、基板表面に炭素C、シリコンS
i、酸素O等の不純物、ここでは炭素Cが吸着し、これ
らが結合したGaAs層2が表面近傍に形成される。
(100)基板では、As原子面とGa原子面が格子定
数の1/4の間隔で並び最表層はAs原子面で終端して
おり、基板表面はV族原子で覆われている。そこで、II
I 族原子であるGaの原子面(Ga安定化面)、すなわ
ちIII 族安定化面を出すために、真空チャンバ内で基板
を450℃以上に加熱する。ここでは、RHEED像が
(4×4)から(2×4)に変わる温度を550℃とし
て温度校正を行った。これにより、図2(b)のよう
に、炭素Cの吸着したGaAs層2からAs原子を脱離
させたGa面3が形成される。
図面を参照して説明する。なお、以下の説明はIII-V族
化合物半導体のうち、GaAsの場合について説明す
る。図2は本実施形態の工程を模式的に示す図である。
GaAs(100)基板1の表面を大気中にさらすと、
図2(a)のように、基板表面に炭素C、シリコンS
i、酸素O等の不純物、ここでは炭素Cが吸着し、これ
らが結合したGaAs層2が表面近傍に形成される。
(100)基板では、As原子面とGa原子面が格子定
数の1/4の間隔で並び最表層はAs原子面で終端して
おり、基板表面はV族原子で覆われている。そこで、II
I 族原子であるGaの原子面(Ga安定化面)、すなわ
ちIII 族安定化面を出すために、真空チャンバ内で基板
を450℃以上に加熱する。ここでは、RHEED像が
(4×4)から(2×4)に変わる温度を550℃とし
て温度校正を行った。これにより、図2(b)のよう
に、炭素Cの吸着したGaAs層2からAs原子を脱離
させたGa面3が形成される。
【0010】しかる上で、図2(c)のように、この状
態で水素を流しECRによる水素プラズマを基板表面に
照射する。水素流量は5sccmでマイクロ波出力20
0W、チャンバ内真空度は1×10-3Torr、水素プ
ラズマ照射時間は20分である。これにより炭素Cは水
素化合物CHとなり、基板1の表面から除去される。な
お、水素プラズマ処理により少しづつではあるが基板表
面のGa原子はGaH3分子となり除去される。そこ
で、水素プラズマ処理中もGa安定化面に保つために基
板温度を450℃以上に保持した。
態で水素を流しECRによる水素プラズマを基板表面に
照射する。水素流量は5sccmでマイクロ波出力20
0W、チャンバ内真空度は1×10-3Torr、水素プ
ラズマ照射時間は20分である。これにより炭素Cは水
素化合物CHとなり、基板1の表面から除去される。な
お、水素プラズマ処理により少しづつではあるが基板表
面のGa原子はGaH3分子となり除去される。そこ
で、水素プラズマ処理中もGa安定化面に保つために基
板温度を450℃以上に保持した。
【0011】ここで、不純物の除去効果を評価するため
に、これら処理表面に対し、真空中で分子線エピタキシ
(MBE)によりGaAsを約0.34μm再成長し
た。図3はこの条件で処理した本発明の場合、図4は従
来例であるGa安定化面を出さずに水素プラズマ処理を
行った場合の2次イオン質量スペクトロスコピ−(SI
MS)測定結果である。図4の従来例では、基板表面の
As原子の脱離を防いでAs安定面を保つために基板温
度を400℃にし、処理時間は20分間とした。なお、
水素プラズマ発生のための条件は、本発明の時に用いた
条件と同一とした。なお、図3及び図4の深さ1μmに
は、無処理の場合の再成長界面が存在している。
に、これら処理表面に対し、真空中で分子線エピタキシ
(MBE)によりGaAsを約0.34μm再成長し
た。図3はこの条件で処理した本発明の場合、図4は従
来例であるGa安定化面を出さずに水素プラズマ処理を
行った場合の2次イオン質量スペクトロスコピ−(SI
MS)測定結果である。図4の従来例では、基板表面の
As原子の脱離を防いでAs安定面を保つために基板温
度を400℃にし、処理時間は20分間とした。なお、
水素プラズマ発生のための条件は、本発明の時に用いた
条件と同一とした。なお、図3及び図4の深さ1μmに
は、無処理の場合の再成長界面が存在している。
【0012】これらの図から分かるように、再成長界面
における不純物量は、無処理の従来例では1×1018cm
-3以上、また従来例では2〜5×1017cm-3のピ−クを
持つが、本発明ではSIMSの検出限界まで除去されて
いるのが分かる。これは、本発明では、V族原子よりも
不純物との結合力の強いIII 族原子を図2(b)に示す
工程で基板表面に出し、図2(c)に示す工程の水素プ
ラズマがIII 族原子と結びついている不純物原子と容易
に反応し、CHx(X:1〜4)やH2 O,SiHx
(X:1〜4)等の気体分子となり容易に除去されるた
めである。
における不純物量は、無処理の従来例では1×1018cm
-3以上、また従来例では2〜5×1017cm-3のピ−クを
持つが、本発明ではSIMSの検出限界まで除去されて
いるのが分かる。これは、本発明では、V族原子よりも
不純物との結合力の強いIII 族原子を図2(b)に示す
工程で基板表面に出し、図2(c)に示す工程の水素プ
ラズマがIII 族原子と結びついている不純物原子と容易
に反応し、CHx(X:1〜4)やH2 O,SiHx
(X:1〜4)等の気体分子となり容易に除去されるた
めである。
【0013】次に本発明の第2の実施形態を示す。水素
プラズマ照射条件、すなわち図2(c)の工程は第1の
実施形態と同じにした上で、図2(b)の工程の条件と
して処理温度を480℃以上550℃以下に限定する。
この条件を用いることにより、水素プラズマ処理後の反
射型高エネルギ電子線回折(RHEED)像は、室温の
状態でストリークなC(4×4)構造が見られており、
原子オーダでも平坦な表面が得られることが分かった。
なお、処理温度が550℃を越えると逆に平坦性が悪く
なるが、これは、基板表面ばかりでなくかなり内側から
もAsが抜けだすためである。
プラズマ照射条件、すなわち図2(c)の工程は第1の
実施形態と同じにした上で、図2(b)の工程の条件と
して処理温度を480℃以上550℃以下に限定する。
この条件を用いることにより、水素プラズマ処理後の反
射型高エネルギ電子線回折(RHEED)像は、室温の
状態でストリークなC(4×4)構造が見られており、
原子オーダでも平坦な表面が得られることが分かった。
なお、処理温度が550℃を越えると逆に平坦性が悪く
なるが、これは、基板表面ばかりでなくかなり内側から
もAsが抜けだすためである。
【0014】本発明の第3の実施形態を示す。図2
(b)の工程は第2の実施形態と同じくした上で、図2
(c)の水素プラズマ照射条件を次のように設定する。
マイクロ波出力を200W以下にし、水素圧力を水素プ
ラズマの放電が起きる最低限度まで下げる。本装置で
は、水素流量が5sccmのとき6.8×10-4Tor
rである。他の水素プラズマ照射条件は第1の実施形態
と同じである。さらに、水素プラズマ照射時、基板の表
面法線方向を水素プラズマ発生源方向に対し、90度か
ら180度の範囲にして、プラズマ源から見て基板表面
が直接見えない位置に基板を設置する。このようにする
ことで、本発明における、Ga原子の水素プラズマによ
る脱離を減らしGa安定化面を保ちやすくすると同時
に、ECRによるダメージ、及びチャンバ内壁のスパッ
タリングによる重金属汚染を防ぐことができるので、さ
らに効果的である。
(b)の工程は第2の実施形態と同じくした上で、図2
(c)の水素プラズマ照射条件を次のように設定する。
マイクロ波出力を200W以下にし、水素圧力を水素プ
ラズマの放電が起きる最低限度まで下げる。本装置で
は、水素流量が5sccmのとき6.8×10-4Tor
rである。他の水素プラズマ照射条件は第1の実施形態
と同じである。さらに、水素プラズマ照射時、基板の表
面法線方向を水素プラズマ発生源方向に対し、90度か
ら180度の範囲にして、プラズマ源から見て基板表面
が直接見えない位置に基板を設置する。このようにする
ことで、本発明における、Ga原子の水素プラズマによ
る脱離を減らしGa安定化面を保ちやすくすると同時
に、ECRによるダメージ、及びチャンバ内壁のスパッ
タリングによる重金属汚染を防ぐことができるので、さ
らに効果的である。
【0015】図5はC−V測定によるキャリア濃度プロ
ファイルを示している。図から分かるように、水素プラ
ズマ処理のみを行った従来例では再成長界面でキャリア
の枯渇が見られるが、本発明ではほとんどキャリアの枯
渇は見られない。
ファイルを示している。図から分かるように、水素プラ
ズマ処理のみを行った従来例では再成長界面でキャリア
の枯渇が見られるが、本発明ではほとんどキャリアの枯
渇は見られない。
【0016】なお、前記各実施形態では、水素プラズマ
の発生方法として,ECRを例に取ったが、水素プラズ
マが発生可能であれば種類を問わない。また、前記の説
明ではIII-V族化合物半導体のうち、GaAsの場合に
ついて説明したが、本発明はInPその他の半導体でも
同様に適用可能である。
の発生方法として,ECRを例に取ったが、水素プラズ
マが発生可能であれば種類を問わない。また、前記の説
明ではIII-V族化合物半導体のうち、GaAsの場合に
ついて説明したが、本発明はInPその他の半導体でも
同様に適用可能である。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面処理
方法は、III 族原子安定面を基板表面に出した状態で水
素プラズマを照射することにより、III-V族化合物の表
面を効果的に清浄化することができる。本発明における
III 族原子安定化面を出す方法として、450℃以上の
基板加熱を採用し、プラズマ照射と同時に行うようにす
れば、本発明では基本的に1工程だけで処理がすむため
処理時間も短くまた、非常に簡便に行うことができると
いう利点がある。
方法は、III 族原子安定面を基板表面に出した状態で水
素プラズマを照射することにより、III-V族化合物の表
面を効果的に清浄化することができる。本発明における
III 族原子安定化面を出す方法として、450℃以上の
基板加熱を採用し、プラズマ照射と同時に行うようにす
れば、本発明では基本的に1工程だけで処理がすむため
処理時間も短くまた、非常に簡便に行うことができると
いう利点がある。
【図1】本発明のプロセス工程図である。
【図2】本発明の第1実施形態の工程を模式的に示す図
である。
である。
【図3】本発明方法と従来方法における炭素濃度分布を
示す図である。
示す図である。
【図4】本発明の効果を示すためのSIMSプロファイ
ルである。
ルである。
【図5】本発明方法と従来方法のC−Vプロファイルで
ある。
ある。
1 GaAs(100)基板 2 GaAs表面近傍の炭素の吸着層 3 Asの脱離により形成されるGa面 4 水素プラズマと反応した炭素を含む気体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−144738(JP,A) 特開 平7−94411(JP,A) Z.Lu et al.,Journ al of Vacuum Scien ce and Technology A.(US),American Va cuum Societry,1998,V ol.16,No.5,p.1040−1044 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/3065 H01L 21/306 H01L 21/205 H01L 21/304 H01L 21/203 JICSTファイル(JOIS)
Claims (4)
- 【請求項1】 III-V族化合物半導体の基板において、
III 族原子面を前記基板表面に出す第1工程と、前記基
板表面に対し水素プラズマを照射する第2工程を含むこ
とを特徴とするIII-V族化合物半導体の表面処理方法。 - 【請求項2】 前記第1工程として、V族原子雰囲気の
無い状態で前記化合物半導体の基板温度を450℃以上
に加熱する請求項1記載のIII-V族化合物半導体の表面
処理方法。 - 【請求項3】 前記第2工程として、電子サイクロトロ
ン共鳴(ECR)、もしくは高周波による水素プラズマ
を用いる請求項1または2記載のIII-V族化合物半導体
の表面処理方法。 - 【請求項4】 III-V族化合物半導体の基板において、
V族原子雰囲気の無い状態で前記化合物半導体の基板温
度を450℃以上に加熱したまま、電子サイクロトロン
共鳴、もしくは高周波による水素プラズマを前記基板表
面に照射することを特徴とするIII-V族化合物半導体の
表面処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7692096A JP2917900B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Iii −v族化合物半導体基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7692096A JP2917900B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Iii −v族化合物半導体基板の表面処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09270415A JPH09270415A (ja) | 1997-10-14 |
JP2917900B2 true JP2917900B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=13619148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7692096A Expired - Fee Related JP2917900B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Iii −v族化合物半導体基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2917900B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3778432B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2006-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および装置、半導体装置の製造装置 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7692096A patent/JP2917900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Z.Lu et al.,Journal of Vacuum Science and Technology A.(US),American Vacuum Societry,1998,Vol.16,No.5,p.1040−1044 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09270415A (ja) | 1997-10-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |