JPS6380525A - 被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6380525A JPS6380525A JP61226445A JP22644586A JPS6380525A JP S6380525 A JPS6380525 A JP S6380525A JP 61226445 A JP61226445 A JP 61226445A JP 22644586 A JP22644586 A JP 22644586A JP S6380525 A JPS6380525 A JP S6380525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film
- substrate
- activated
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- NRQNMMBQPIGPTB-UHFFFAOYSA-N methylaluminum Chemical compound [CH3].[Al] NRQNMMBQPIGPTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005445 natural material Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は、薄膜の被形成面を光化学反応を用いて光クリ
ーニング(紫外光を用いるためUvクリーニングまたは
フォトクリーニングという)するとともに、その同じ反
応系内にて、このクリーニングの後または同時に電磁エ
ネルギ例えばサイクロトロン共鳴反応を用いることによ
り被膜形成を行い、被形成面と形成された薄膜との界面
に異物の存在を除去し、形成された被膜の被形成面上で
の重管性の向上を得さしめる気相反応(CVD)方法に
関する。
ーニング(紫外光を用いるためUvクリーニングまたは
フォトクリーニングという)するとともに、その同じ反
応系内にて、このクリーニングの後または同時に電磁エ
ネルギ例えばサイクロトロン共鳴反応を用いることによ
り被膜形成を行い、被形成面と形成された薄膜との界面
に異物の存在を除去し、形成された被膜の被形成面上で
の重管性の向上を得さしめる気相反応(CVD)方法に
関する。
「従来技術」
気相反応による薄膜形成技術として、光エネルギにより
反応性気体を活性にさせる光CVD (気相化学的被膜
作製)法が知られている。この方法は従来の熱CVD法
またはプラズマCVD法に比べ、低温での被膜形成が可
能であるに加えて、被形成面に損傷を与えないという点
で優れたものである。
反応性気体を活性にさせる光CVD (気相化学的被膜
作製)法が知られている。この方法は従来の熱CVD法
またはプラズマCVD法に比べ、低温での被膜形成が可
能であるに加えて、被形成面に損傷を与えないという点
で優れたものである。
さらに紫外光を大気中にさらすことにより、被形成面上
の炭化物(ハイドロカーボン)等を除去し、表面をクリ
ーニングするいわゆるUVクリーニング方法が知られて
いる。
の炭化物(ハイドロカーボン)等を除去し、表面をクリ
ーニングするいわゆるUVクリーニング方法が知られて
いる。
しかし、かかる光CVDおよびUVクリーニング方法は
それぞれが単独に用いられ、特に他のプラズマを用いる
被膜形成方法と一体化し、その間に相乗効果を求める試
みはなかった。
それぞれが単独に用いられ、特に他のプラズマを用いる
被膜形成方法と一体化し、その間に相乗効果を求める試
みはなかった。
薄膜形成技術として、さらに電磁エネルギ特にマイクロ
波を用いた、例えばサイクロトロン共鳴CVD法(EC
RCVD法ともいう)が知られている。この方法は50
00人〜10μもの厚い膜厚の被膜形成を10〜100
人/秒と高速度で行い得るが、被膜作製時に被形成面上
に不本意に吸着したオイル、汚物等、またナチュラル・
オキサイド等の自然発生膜をスパッタして、いわゆる被
形成面上に新たな被膜を作製することができない。
波を用いた、例えばサイクロトロン共鳴CVD法(EC
RCVD法ともいう)が知られている。この方法は50
00人〜10μもの厚い膜厚の被膜形成を10〜100
人/秒と高速度で行い得るが、被膜作製時に被形成面上
に不本意に吸着したオイル、汚物等、またナチュラル・
オキサイド等の自然発生膜をスパッタして、いわゆる被
形成面上に新たな被膜を作製することができない。
このため、このECRCVD法に形成された被膜は基板
より被膜がはがれやすくなり、前処理の重要性が指摘さ
れていた。
より被膜がはがれやすくなり、前処理の重要性が指摘さ
れていた。
r問題を解決すべき手段」
本発明は、これらの問題を解決するため、被形成面に紫
外光を用いてUVクリーニング(紫外光を用いたクリー
ニング)、紫外光CVD法またはこれと同時およびその
後にマイクロ波励起方弐を用いたCVD法を同一反応系
で行わせんとするものである。特に同一反応系とした1
つの反応装置内に紫外光発光手段と、マイクロ被励起C
VO手段とを有する。さらにまたは大気に触れさせるこ
となく、複数の反応装置を連続し、その間を基板を移設
させるマルチチャンバ方式等の双方の手段を基板上の被
形成面に処理せしめる手段を有する。CVD法における
反応性気体の活性化はサイクロトロン共鳴を用いて行う
。このため、電子または活性化気体による反応性気体の
活性化をきわめて効率よく行うことができる。さらに本
発明においては、紫外光を被膜作製中も実行せしめ、こ
の活性状態の気体を紫外光が照射されている雰囲気に導
き、電磁エネルギの共鳴がなくなった後も活性状態を持
続するように光エネルギを与える。さらにこの活性状態
の反応性気体を被形成面に導き、この反応性気体が被形
成面上を「表面泳動」して被膜形成がされるようにさせ
得る。
外光を用いてUVクリーニング(紫外光を用いたクリー
ニング)、紫外光CVD法またはこれと同時およびその
後にマイクロ波励起方弐を用いたCVD法を同一反応系
で行わせんとするものである。特に同一反応系とした1
つの反応装置内に紫外光発光手段と、マイクロ被励起C
VO手段とを有する。さらにまたは大気に触れさせるこ
となく、複数の反応装置を連続し、その間を基板を移設
させるマルチチャンバ方式等の双方の手段を基板上の被
形成面に処理せしめる手段を有する。CVD法における
反応性気体の活性化はサイクロトロン共鳴を用いて行う
。このため、電子または活性化気体による反応性気体の
活性化をきわめて効率よく行うことができる。さらに本
発明においては、紫外光を被膜作製中も実行せしめ、こ
の活性状態の気体を紫外光が照射されている雰囲気に導
き、電磁エネルギの共鳴がなくなった後も活性状態を持
続するように光エネルギを与える。さらにこの活性状態
の反応性気体を被形成面に導き、この反応性気体が被形
成面上を「表面泳動」して被膜形成がされるようにさせ
得る。
「作用」
するとこの光励起の技術により、被形成面上のナチュラ
ル・オキサイドを除去し、さらに真空ポンプからのオイ
ル蒸気の逆流したハイドロカーボンの被形成面への吸着
を防ぐことができる。加えて、このUVクリーニングの
際、基板の被形成面が酸素を特に嫌う材料、例えばGa
As等I−V化合物にあっては、アンモニア、水素等還
元雰囲気用気体の紫外光励起またはこれにマイクロ波励
起を併用して行う。また被形成面がポリイミド、酸化珪
素等の絶縁膜の場合は、酸素を導入し、これを活性化し
て被形成面のオイル等と反応させて除去する。重要なこ
とは真空系を用いる限り、必ず10″3〜10− ”
torrの背圧のオイル蒸気が反応室に残存し、被形成
面に吸着し、界面物性を劣化させ得ることである。この
ため、スパッタ効果を同時に有さなイCvD法におイテ
は、IN 5ITU(同時的)ニUVクリーニングはき
わめて重要である。
ル・オキサイドを除去し、さらに真空ポンプからのオイ
ル蒸気の逆流したハイドロカーボンの被形成面への吸着
を防ぐことができる。加えて、このUVクリーニングの
際、基板の被形成面が酸素を特に嫌う材料、例えばGa
As等I−V化合物にあっては、アンモニア、水素等還
元雰囲気用気体の紫外光励起またはこれにマイクロ波励
起を併用して行う。また被形成面がポリイミド、酸化珪
素等の絶縁膜の場合は、酸素を導入し、これを活性化し
て被形成面のオイル等と反応させて除去する。重要なこ
とは真空系を用いる限り、必ず10″3〜10− ”
torrの背圧のオイル蒸気が反応室に残存し、被形成
面に吸着し、界面物性を劣化させ得ることである。この
ため、スパッタ効果を同時に有さなイCvD法におイテ
は、IN 5ITU(同時的)ニUVクリーニングはき
わめて重要である。
本発明においては紫外光源とした。低圧水銀灯を用いて
185nmの波長の光(強度は好ましくは5mW/cm
2以上)を放射せしめることにより励起した反応性気体
の励起状態を持続できる。
185nmの波長の光(強度は好ましくは5mW/cm
2以上)を放射せしめることにより励起した反応性気体
の励起状態を持続できる。
UVクリーニングはその反応炉内を大気圧または減圧下
とする。°還元雰囲気で行う場合、アンモニアを主とし
て用いた。するとこのアンモニアは、185nmの紫外
光で分解し、活性水素を容易に放出しナチュラル・オキ
サイド例えば SiO□ + 4H−Si+ 2H20↑CnH
2,+z +mH→n’cII4↑として表面をクリ
ーニングできるからである。また酸化雰囲気でUVクリ
ーニングを行う場合、酸素を用いた。すると CnHzn+z + no → n’cO2
+ n”HzO↑で気化除去ができる。
とする。°還元雰囲気で行う場合、アンモニアを主とし
て用いた。するとこのアンモニアは、185nmの紫外
光で分解し、活性水素を容易に放出しナチュラル・オキ
サイド例えば SiO□ + 4H−Si+ 2H20↑CnH
2,+z +mH→n’cII4↑として表面をクリ
ーニングできるからである。また酸化雰囲気でUVクリ
ーニングを行う場合、酸素を用いた。すると CnHzn+z + no → n’cO2
+ n”HzO↑で気化除去ができる。
さらにサイクロトロン共鳴は不活性気体または非生成物
気体(分解または反応をしてもそれ自体は気体しか生じ
ない気体)を用いる。不活性気体としてはアルゴンが代
表的なものである。しかしヘリューム、ネオン、クリプ
トンを用いてもよい。
気体(分解または反応をしてもそれ自体は気体しか生じ
ない気体)を用いる。不活性気体としてはアルゴンが代
表的なものである。しかしヘリューム、ネオン、クリプ
トンを用いてもよい。
非生成物気体としては酸化物気体の場合は酸素、酸化窒
素(NzO,No、 N02) 、 酸化炭素(GO
,Co□)、水(H,0)又窒化物気体としては窒素(
Nz)、アンモニア(NH3)、ヒドラジン(NZ)1
4.)、弗化炭素(NF3.NzFJまたはこれらにキ
ャリアガスまたは水素(H2)を混合した気体が代表的
なものである。
素(NzO,No、 N02) 、 酸化炭素(GO
,Co□)、水(H,0)又窒化物気体としては窒素(
Nz)、アンモニア(NH3)、ヒドラジン(NZ)1
4.)、弗化炭素(NF3.NzFJまたはこれらにキ
ャリアガスまたは水素(H2)を混合した気体が代表的
なものである。
また反応性気体としては生成物気体(分解または反応を
して固体を生成する気体)を用いる。この生成物気体と
しては、珪化物は5inHz+s。z (n≧1)、5
iFn(n≧2)、SiHnF4−n (1≦n≦4)
、5inC1z、1−z(n−1〜3)、ゲルマニュー
ム化物はGet14.GeF、。
して固体を生成する気体)を用いる。この生成物気体と
しては、珪化物は5inHz+s。z (n≧1)、5
iFn(n≧2)、SiHnF4−n (1≦n≦4)
、5inC1z、1−z(n−1〜3)、ゲルマニュー
ム化物はGet14.GeF、。
GeHnF4−.1(n=1.2.3)、Get+nc
1.−11(n=1.2,3.4)、アルミニューム化
物はAI(CTo)3.At(CzHs)+、AlCl
+。
1.−11(n=1.2,3.4)、アルミニューム化
物はAI(CTo)3.At(CzHs)+、AlCl
+。
ガリューム化物はGa(Cth):+、Ga(Czll
s)iがその代表的なものである。更に添加物として生
成物気体に他の生成物気体であるBzHb、 BF3.
P!I:+、 ASH3等のドーピング用気体を加え
ることも有効である。
s)iがその代表的なものである。更に添加物として生
成物気体に他の生成物気体であるBzHb、 BF3.
P!I:+、 ASH3等のドーピング用気体を加え
ることも有効である。
これらの非生成物気体をサイクロトロン共鳴させて活性
化せしめ、この共鳴領域より外部の反応空間で生成物気
体と混合し、励起エネルギを生成物気体に移す。すると
生成物気体はきわめて大きい電磁エネルギを受けるため
、生成物気体をほぼ100χ活性化させることができる
。この反応室より波長185nm (300nm以下の
波長の紫外光)の紫外光を照射し、反応室全体に生成物
気体を広げる。さらに室温〜500℃の温度で基板を加
熱することにより、この基板の被形成面上に被膜を形成
させることができる。
化せしめ、この共鳴領域より外部の反応空間で生成物気
体と混合し、励起エネルギを生成物気体に移す。すると
生成物気体はきわめて大きい電磁エネルギを受けるため
、生成物気体をほぼ100χ活性化させることができる
。この反応室より波長185nm (300nm以下の
波長の紫外光)の紫外光を照射し、反応室全体に生成物
気体を広げる。さらに室温〜500℃の温度で基板を加
熱することにより、この基板の被形成面上に被膜を形成
させることができる。
以下に実施例に従い本発明を示す。
実施例1
第1図は本発明のUVクリーニング型マイクロ波励起光
CVD、サイクロトロン共鳴型CVD装置の概要を示す
。
CVD、サイクロトロン共鳴型CVD装置の概要を示す
。
図面において、ステンレス容器(1゛)内に反応空間(
1)を構成させている。この容器は、基板(10)の取
り出し口(1”)を有し、下部に基板(10)を基板ホ
ルダ(10’)に設け、その裏側にはハロゲンランプヒ
ータ(7)を設け、加熱している。他方、容器(1゛)
の上部には、渦巻き型を有し中央部に合成石英窓(20
)を有する低圧水銀灯(6)により185nmを有する
紫外光を基板上に5mW/cm”以上(好ましくは10
〜100mW/cm”)の強度となるように照射してい
る。
1)を構成させている。この容器は、基板(10)の取
り出し口(1”)を有し、下部に基板(10)を基板ホ
ルダ(10’)に設け、その裏側にはハロゲンランプヒ
ータ(7)を設け、加熱している。他方、容器(1゛)
の上部には、渦巻き型を有し中央部に合成石英窓(20
)を有する低圧水銀灯(6)により185nmを有する
紫外光を基板上に5mW/cm”以上(好ましくは10
〜100mW/cm”)の強度となるように照射してい
る。
また非生成物気体をドーピング系(13)より(18)
を経てステンレス(2°)で作られた共鳴空間(2)に
供給する。するとこの気体にマイクロ波を供給すること
のない場合でも共鳴空間(2)を経て反応空間(1)に
到り、ここで紫外光源(6)よりの照射を受け、活性化
、励起する。そしてこの活性化した気体が基板(10)
の被形成面上に触れ、その表面をUVクリーニングする
。同時にここに吸着した汚物は紫外光に直接照射され、
光化学反応をし、併せてUVクリーニングが行われる。
を経てステンレス(2°)で作られた共鳴空間(2)に
供給する。するとこの気体にマイクロ波を供給すること
のない場合でも共鳴空間(2)を経て反応空間(1)に
到り、ここで紫外光源(6)よりの照射を受け、活性化
、励起する。そしてこの活性化した気体が基板(10)
の被形成面上に触れ、その表面をUVクリーニングする
。同時にここに吸着した汚物は紫外光に直接照射され、
光化学反応をし、併せてUVクリーニングが行われる。
次にこのUVクリーニングの後の電磁エネルギを用いた
被膜形成につき記す。
被膜形成につき記す。
この共鳴空間はその外側を水冷(8)(注水(8’)。
排気(8”)よりなる)している。さらにその外側に一
対の空心コイル(5) 、 (5’)により磁場を共鳴
空間の気体に加える。同時にマイクロ波発振器(3)に
よりアナライザー(4)3石英窓(18)を経て例えば
2、45GHzのマイクロ波が共鳴空間に供給される。
対の空心コイル(5) 、 (5’)により磁場を共鳴
空間の気体に加える。同時にマイクロ波発振器(3)に
よりアナライザー(4)3石英窓(18)を経て例えば
2、45GHzのマイクロ波が共鳴空間に供給される。
この空間では共鳴を起こすべく非生成物気体、例えばア
ルゴンの質量、周波数により決められた磁場(例えば8
75ガウス)が空心コイルにより加えられる。
ルゴンの質量、周波数により決められた磁場(例えば8
75ガウス)が空心コイルにより加えられる。
このため、アルゴンガスが励起して磁場によりピンチン
グすると同時に共鳴し、十分励起した後に反応空間(1
)へ放出(21)される。この空間の出口には生成物気
体がドーピング系(13)の系(16)を経てリング状
ノズル(17)により放出される。その結果、生成物気
体は非生成物気体により励起されて活性化する。加えて
紫外光(6)による光励起が同時に観察される。
グすると同時に共鳴し、十分励起した後に反応空間(1
)へ放出(21)される。この空間の出口には生成物気
体がドーピング系(13)の系(16)を経てリング状
ノズル(17)により放出される。その結果、生成物気
体は非生成物気体により励起されて活性化する。加えて
紫外光(6)による光励起が同時に観察される。
その結果、共鳴空間(2)より十分離しても(−般的に
は5〜20cm)励起状態を持続させることができる。
は5〜20cm)励起状態を持続させることができる。
(サイクロトロン共鳴のみを用いる場合は基板と共鳴空
間端部との距離が1〜4cmと短く、不均一性を誘発す
る) また反応性気体を十分反応室で広げ、かつサイクロトロ
ンをさせるため、反応空間(1)、共鳴空間(2)の圧
力を1〜10−’torr例えば0.03〜0.001
jQrrとした。この圧力は排気系(11)のコントロ
ールパルプ(14)によりターボポンプを併用して真空
ポンプ(9)の排気量を調整して行った。
間端部との距離が1〜4cmと短く、不均一性を誘発す
る) また反応性気体を十分反応室で広げ、かつサイクロトロ
ンをさせるため、反応空間(1)、共鳴空間(2)の圧
力を1〜10−’torr例えば0.03〜0.001
jQrrとした。この圧力は排気系(11)のコントロ
ールパルプ(14)によりターボポンプを併用して真空
ポンプ(9)の排気量を調整して行った。
実験例1
この実験例は実施例1を用い、アモルファスシリコン膜
を形成させたものである。
を形成させたものである。
水素を導入した。この水素は紫外光のみでは分解しない
ため紫外光とマイクロ波とを加えて活性化させ、uvク
リーニングを行った。
ため紫外光とマイクロ波とを加えて活性化させ、uvク
リーニングを行った。
紫外光(6)は低圧水銀灯を用い、185μmの光を放
出させた。マイクロ波は2.45GHzの周波数を有し
、30〜500−の出力例えば200Wで調整した。磁
場(5)、(5’)の共!i%強度は875ガウスとし
た。
出させた。マイクロ波は2.45GHzの周波数を有し
、30〜500−の出力例えば200Wで調整した。磁
場(5)、(5’)の共!i%強度は875ガウスとし
た。
即ち反応空間の圧力0.002torr 、非生成物気
体として(18)よりアルゴンを50cc/分で供給し
た。
体として(18)よりアルゴンを50cc/分で供給し
た。
加えて、モノシランを(16)より20cc/分で供給
した。
した。
基板(10)はガラス基板上に透明導電膜が形成された
ものを用いた。この被形成面上に非単結晶半導体例えば
アモルファスシリコン半導体を形成し、不要気体を排気
系(11)より放出した。すると基板温度が250℃に
おいて被膜形成速度13人/秒を得ることができた。
ものを用いた。この被形成面上に非単結晶半導体例えば
アモルファスシリコン半導体を形成し、不要気体を排気
系(11)より放出した。すると基板温度が250℃に
おいて被膜形成速度13人/秒を得ることができた。
これはサイクロトロン共鳴のみを用いた場合まった(で
きない特性であった。このアモルファスシリコン膜の電
気特性として喧伝導度3X10−”(Scm−’) 、
光伝導層(AMI (100mW/cm”)の条件下6
×10−5(Scm−’ )を得ることができた。この
値はこれまで知られているプラズマCVD法におけるア
モルファスシリコン膜と同様の特性であり、PIN接合
を有する光電変換装置としても同様の高い変換効率を得
ることができ得る。
きない特性であった。このアモルファスシリコン膜の電
気特性として喧伝導度3X10−”(Scm−’) 、
光伝導層(AMI (100mW/cm”)の条件下6
×10−5(Scm−’ )を得ることができた。この
値はこれまで知られているプラズマCVD法におけるア
モルファスシリコン膜と同様の特性であり、PIN接合
を有する光電変換装置としても同様の高い変換効率を得
ることができ得る。
この実験例では、半導体膜を1μ形成した。これまで作
られたECRCVD法のみによって被膜を形成すると、
その膜中には0.1〜0.01μの大きさのピンホール
が多数具られ、プラズマCVD法の被膜ではプロセスの
ばらつきが観察されてしまった。
られたECRCVD法のみによって被膜を形成すると、
その膜中には0.1〜0.01μの大きさのピンホール
が多数具られ、プラズマCVD法の被膜ではプロセスの
ばらつきが観察されてしまった。
しかし、本発明のサイクロトロン共鳴型光CVD方決で
は被形成面を基板に配設し、真空引きをしている間を含
め紫外光で照射し、Uvクリーニングを10〜30分間
も続ける。さらにその後、この紫外光用窓が反応生成物
で曇ってしまうまで光CVDをECRCVDと同時に行
うことにより、被形成および汚物を除去できる。この結
果、この被形成面には汚物が予め除去されているため、
形成された被膜中でのピンホール数は約1710以下に
減少(X100の暗視野にて平均0〜2ケ/視野)させ
ることができた。
は被形成面を基板に配設し、真空引きをしている間を含
め紫外光で照射し、Uvクリーニングを10〜30分間
も続ける。さらにその後、この紫外光用窓が反応生成物
で曇ってしまうまで光CVDをECRCVDと同時に行
うことにより、被形成および汚物を除去できる。この結
果、この被形成面には汚物が予め除去されているため、
形成された被膜中でのピンホール数は約1710以下に
減少(X100の暗視野にて平均0〜2ケ/視野)させ
ることができた。
生成物気体をモノシランでなく 5inH2n、z(n
≧2)例えばジシラン5inC1□□z(n≧2)例え
ばヘキサクロールシランとすると、さらに被膜成長速度
の向上を期待できる。
≧2)例えばジシラン5inC1□□z(n≧2)例え
ばヘキサクロールシランとすると、さらに被膜成長速度
の向上を期待できる。
実験例2
この実験は実施例1の装置を用いて窒化珪素膜を作製し
た例である。即ちこの場合は基板例えばGaAs等のI
II−V化合物半導体基板を反応炉に配設した後、紫外
光を真空引きをする際も含めてアンモニアを導入して3
0分照射し続けた。さらにその間、実験例1に示した珪
化物気体の導入に加え、被生成物気体であるアンモニア
を(18)または(16)よりシランの5倍の量加えた
。
た例である。即ちこの場合は基板例えばGaAs等のI
II−V化合物半導体基板を反応炉に配設した後、紫外
光を真空引きをする際も含めてアンモニアを導入して3
0分照射し続けた。さらにその間、実験例1に示した珪
化物気体の導入に加え、被生成物気体であるアンモニア
を(18)または(16)よりシランの5倍の量加えた
。
(18)より加える場合はこのアンモニアを共鳴気体と
する方法または同時に混合するアルゴンを共鳴気体とす
る方法がある。実用上よりアルゴンを共鳴気体とする場
合が適当である。するとこのアルゴンが励起し、この励
起したアルゴンが同じ共鳴空間(2)中でアンニモアと
衝突し、このアンモニアを十分に活性化させる。
する方法または同時に混合するアルゴンを共鳴気体とす
る方法がある。実用上よりアルゴンを共鳴気体とする場
合が適当である。するとこのアルゴンが励起し、この励
起したアルゴンが同じ共鳴空間(2)中でアンニモアと
衝突し、このアンモニアを十分に活性化させる。
このため、シランまたはジシランとアンモニアまたはハ
ロゲン化珪素と窒素と水素との混合気体を完全に活性化
させることができる。更に(16)より生成物気体とし
てモノシラン(SiH*)、弗化珪素(SizFb)、
塩化珪素(SizCl、)、又はジシラン(SizHb
)を導入した。それらの量その他は実施例1と同様であ
る。すると被形成面上に窒化珪素をそれぞれ8人/秒、
12人/秒、18人/秒の成長速度で被膜形成させるこ
とができた。これを光CVD法のみとすると、0.3人
/秒しか得られず、10倍以上の成長速度を得た。また
、珪化物半導体としての界面は界面近傍の結晶性が損傷
を受けずきわめて好ましいものであった。
ロゲン化珪素と窒素と水素との混合気体を完全に活性化
させることができる。更に(16)より生成物気体とし
てモノシラン(SiH*)、弗化珪素(SizFb)、
塩化珪素(SizCl、)、又はジシラン(SizHb
)を導入した。それらの量その他は実施例1と同様であ
る。すると被形成面上に窒化珪素をそれぞれ8人/秒、
12人/秒、18人/秒の成長速度で被膜形成させるこ
とができた。これを光CVD法のみとすると、0.3人
/秒しか得られず、10倍以上の成長速度を得た。また
、珪化物半導体としての界面は界面近傍の結晶性が損傷
を受けずきわめて好ましいものであった。
基板としてシリコン基板(N型4 X 10 ” cm
−3)を用いた場合、界面準位として、それぞれ2X1
0”Cm−2+ 2.5 ×10” cm−”+ 2−
5 ×10” cm−”を得た。これは光CVD法のみ
の場合の5 XIOIocm−”に比べ4倍程度悪いが
、従来より公知のプラズマCVD法のみの場合の1.5
XIO”cm−’に比べ1/7に減少しており、サイ
クロトロン共鳴のみを用いて作製した時の8 xlO”
cm−’に比べても1/4と少ない。これは同時に光C
VD法の効果が働いているものと推定される。
−3)を用いた場合、界面準位として、それぞれ2X1
0”Cm−2+ 2.5 ×10” cm−”+ 2−
5 ×10” cm−”を得た。これは光CVD法のみ
の場合の5 XIOIocm−”に比べ4倍程度悪いが
、従来より公知のプラズマCVD法のみの場合の1.5
XIO”cm−’に比べ1/7に減少しており、サイ
クロトロン共鳴のみを用いて作製した時の8 xlO”
cm−’に比べても1/4と少ない。これは同時に光C
VD法の効果が働いているものと推定される。
界面単位をより少な(するには予めUVクリーニング法
およびそれに続(光CVD法で被形成面をクリーニング
し、更にこの後光CVD法と同時に共鳴室(2)にマイ
クロ波を加えてサイクロトロン共腸型光CvDを行う二
段被膜形成方法としてもよい。
およびそれに続(光CVD法で被形成面をクリーニング
し、更にこの後光CVD法と同時に共鳴室(2)にマイ
クロ波を加えてサイクロトロン共腸型光CvDを行う二
段被膜形成方法としてもよい。
特に巾1.5μ深さ4μの凹部に窒化珪素膜を作ること
を試みた。すると、凹部の上表面上に0.4μの窒化珪
素膜を作らんとした時、その凹部の底部でも0.3μの
厚さの窒化珪素膜を作ることが光CVD法が併設してい
るためできた。
を試みた。すると、凹部の上表面上に0.4μの窒化珪
素膜を作らんとした時、その凹部の底部でも0.3μの
厚さの窒化珪素膜を作ることが光CVD法が併設してい
るためできた。
従来より公知のサイクロトロン共鳴のみの方法ではこの
凹部内にはほとんど被膜形成がなされない。この事実と
比較すると、本発明の効果はきわめて著しいものである
ことがわかる。
凹部内にはほとんど被膜形成がなされない。この事実と
比較すると、本発明の効果はきわめて著しいものである
ことがわかる。
実験例3
この実験例は酸化珪素膜の作製例である。実験例におい
てアンモニアのかわりに酸素を窒素で希釈して導入し、
被形成面のUVクリーニングを行った。さらにこれに引
き続き紫外光を照射しつつ、反応空間の圧力をI X
1O−3torrと酸化の程度を押さえるためより低く
した。生成物気体としてはモノシラン、クロールシラン
(SiHzClz) lflいた。
てアンモニアのかわりに酸素を窒素で希釈して導入し、
被形成面のUVクリーニングを行った。さらにこれに引
き続き紫外光を照射しつつ、反応空間の圧力をI X
1O−3torrと酸化の程度を押さえるためより低く
した。生成物気体としてはモノシラン、クロールシラン
(SiHzClz) lflいた。
酸化珪素膜を20人/秒で作ることができた。また界面
準位も1.3 X 10” cm−”またはそれ以下を
得ることができた。
準位も1.3 X 10” cm−”またはそれ以下を
得ることができた。
実験例4
実験例2と同様に、アンモニアと珪化物気体の代わりに
生成物気体としてメチルアルミニューム(AI (C1
13) 3)を(16)をへてノズル(17)より供給
した。
生成物気体としてメチルアルミニューム(AI (C1
13) 3)を(16)をへてノズル(17)より供給
した。
また、アンモニアを(18)よりアルゴンとともに供給
した。被形成面に700人の膜厚を10分間のディポジ
ソションで形成させることができた。
した。被形成面に700人の膜厚を10分間のディポジ
ソションで形成させることができた。
この場合、窒化アルミニューム(AIN)のエネルギバ
ンド巾が6eVを有するため、たとえ窓(第1図(20
))に形成されても紫外光のブロッキング層とならず、
反射防止膜に必要な膜厚を光CVD法のみで形成させる
ことが可能となった。
ンド巾が6eVを有するため、たとえ窓(第1図(20
))に形成されても紫外光のブロッキング層とならず、
反射防止膜に必要な膜厚を光CVD法のみで形成させる
ことが可能となった。
AINはVLSIにおける最終パンシヘイション膜とし
て高い熱伝導度を有するため、有効であった。
て高い熱伝導度を有するため、有効であった。
一般的な特性は窒化珪素と殆ど同じ特性を得ることがで
きた。
きた。
「効果j
本発明は、以上の説明より明らかなごとく、基板の被形
成面上に被膜を形成するにあたり、予め付着または形成
された汚物、または被膜形成直後または反応炉内で新た
に吸着する汚物をUVクリーニングで除去し、このクリ
ーニングと同一反応系にてマイクロ波励起CVD法で被
膜を形成する。
成面上に被膜を形成するにあたり、予め付着または形成
された汚物、または被膜形成直後または反応炉内で新た
に吸着する汚物をUVクリーニングで除去し、このクリ
ーニングと同一反応系にてマイクロ波励起CVD法で被
膜を形成する。
その結果、形成される被膜いわゆる被膜を密着させるこ
とができ、かつピンホールも十分少な(減少させること
ができた。
とができ、かつピンホールも十分少な(減少させること
ができた。
さらに本発明において、第1図のノズル(17)より被
膜形成の前工程としてNF3.Hz、NzO,NHz、
O□を導入し、半導体素子の表面をフォトクリーニング
し、バッチ間の再現性を向上できる。このフォトクリー
ニング(UVクリーニング)に関し、半導体の表面を活
性水素のみでな(、弗素または塩素によりUVクリーニ
ングを行い、酸化物、汚物の除去を行ってもよい。そし
てこの清浄化した半導体に非酸化物被膜を光CVD法に
より形成し、この半導体上に酸素、水等が付着すること
を除いた。半導体装置として光電変換装置、発光素子M
IS、FET(電界効果半導体装置)、SL素子(スー
パーラティス素子)、HEMT素子とし得る。さらに、
その他半導体レーザまたは光集積回路に対しても本発明
は有効である。
膜形成の前工程としてNF3.Hz、NzO,NHz、
O□を導入し、半導体素子の表面をフォトクリーニング
し、バッチ間の再現性を向上できる。このフォトクリー
ニング(UVクリーニング)に関し、半導体の表面を活
性水素のみでな(、弗素または塩素によりUVクリーニ
ングを行い、酸化物、汚物の除去を行ってもよい。そし
てこの清浄化した半導体に非酸化物被膜を光CVD法に
より形成し、この半導体上に酸素、水等が付着すること
を除いた。半導体装置として光電変換装置、発光素子M
IS、FET(電界効果半導体装置)、SL素子(スー
パーラティス素子)、HEMT素子とし得る。さらに、
その他半導体レーザまたは光集積回路に対しても本発明
は有効である。
また光源として低圧水銀灯ではなくエキシマレーザ(波
長100〜400nm) 、アルゴンレーザ、窒素レー
ザ等を用いてもよいことはいうまでもない。
長100〜400nm) 、アルゴンレーザ、窒素レー
ザ等を用いてもよいことはいうまでもない。
本発明において、基板としては絶縁表面または導体表面
を一部に有するシリコン半導体、ガラス基板、ステンレ
ス基板とし、I[[−V化合物例えばGaAs、GaA
lAs、 InP、GaN等も用い得る。
を一部に有するシリコン半導体、ガラス基板、ステンレ
ス基板とし、I[[−V化合物例えばGaAs、GaA
lAs、 InP、GaN等も用い得る。
本発明において、反応生成物として実験例に示した以外
に、AI (CH3) 3による金属A I + S
t z I(bと0□とPH:+、 P2)+6. P
SG (リンガラス)、 BSG (ホウ素ガラス)で
あってもよい。更にGa(CH3)3とNi13による
GaN。
に、AI (CH3) 3による金属A I + S
t z I(bと0□とPH:+、 P2)+6. P
SG (リンガラス)、 BSG (ホウ素ガラス)で
あってもよい。更にGa(CH3)3とNi13による
GaN。
Ga(CH3):+とPH3とによるGaP、AI(C
J)3とpH3とによるAIPの如き半導体も同様にフ
ォトCVD法により作ることが可能である。
J)3とpH3とによるAIPの如き半導体も同様にフ
ォトCVD法により作ることが可能である。
又アモルファス半導体はSiのみならず5iGe、。
(0<X<1)、5iOz−x(0<X<2)、5ix
C+−x (0<Xく1)、5i3N4−x(Q<X
<4)であってもよい。
C+−x (0<Xく1)、5i3N4−x(Q<X
<4)であってもよい。
本発明の第1図は基板の上側に被膜形成を行った。しか
しこの図面を上下逆とし、基板を下側または横(垂直部
)とし、光源、共鳴装置を上側または横側としてもよい
ことはいうまでもない。
しこの図面を上下逆とし、基板を下側または横(垂直部
)とし、光源、共鳴装置を上側または横側としてもよい
ことはいうまでもない。
またUVクリーニングとマイクロ波CVD法とをマルチ
チャンバ方式としてもよい。かかる場合、生産性は向上
するが、設備価格が高価になる欠点を有する。
チャンバ方式としてもよい。かかる場合、生産性は向上
するが、設備価格が高価になる欠点を有する。
第1図は本発明の光クリーニング式サイクロトロン共鳴
型光CVD装置を示す。
型光CVD装置を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被形成面を有する基板を被膜形成用反応装置内に配
設し、前記被形成面上に光エネルギを照射して前記被形
成面上を光クリーニングする工程と、該工程の後または
該工程と同時に前記反応装置内にて電磁エネルギを利用
して電子または活性化した気体と反応性気体とを混合し
て、該反応性気体を活性化、分解または反応せしめ、前
記クリーニングされた被形成面上に被膜形成を行うこと
を特徴とする被膜形成方法。 2、特許請求の範囲第1項において、電磁エネルギを利
用して発生する電子または活性化した気体はサイクロト
ロン共鳴条件を満たしてなることを特徴とする被膜形成
方法。 3、特許請求の範囲第1項において、サイクロトロン共
鳴を利用して活性化する気体は不活性気体または非生成
物気体より選ばれ、さらに反応性気体には少なくとも一
種類の生成物気体が選ばれたことを特徴すとる被膜形成
方法。 4、特許請求の範囲第1項において、光クリーニングす
る工程は気体を紫外光で活性化または励起し、該気体に
被形成面をさらすことにより成就することを特徴とする
被膜形成方法。 5、特許請求の範囲第1項において、光クリーニングす
る工程は電磁エネルギにより活性化された非生成物気体
が用いられたことを特徴とする被膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61226445A JPS6380525A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61226445A JPS6380525A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 被膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6380525A true JPS6380525A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16845214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61226445A Pending JPS6380525A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 被膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6380525A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989010208A1 (en) * | 1988-04-27 | 1989-11-02 | Isi Ltd. Co. | Process for improving surface properties of material and surface-treating apparatus therefor |
JPH03107464A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-05-07 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 誘電体膜堆積方法および装置 |
JPH03263320A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 減圧処理装置 |
US5178682A (en) * | 1988-06-21 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor |
JP2011080142A (ja) * | 2009-09-23 | 2011-04-21 | Fei Co | ビーム誘起処理における窒素ベース化合物の使用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56121632A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-24 | Shunpei Yamazaki | Film formation |
JPS60202928A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Toshiba Corp | 光励起反応装置 |
JPS6153719A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶性膜製造装置 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61226445A patent/JPS6380525A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56121632A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-24 | Shunpei Yamazaki | Film formation |
JPS60202928A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Toshiba Corp | 光励起反応装置 |
JPS6153719A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶性膜製造装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989010208A1 (en) * | 1988-04-27 | 1989-11-02 | Isi Ltd. Co. | Process for improving surface properties of material and surface-treating apparatus therefor |
US5178682A (en) * | 1988-06-21 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor |
JPH03107464A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-05-07 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 誘電体膜堆積方法および装置 |
JPH03263320A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 減圧処理装置 |
JP2011080142A (ja) * | 2009-09-23 | 2011-04-21 | Fei Co | ビーム誘起処理における窒素ベース化合物の使用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910003170B1 (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
US5512102A (en) | Microwave enhanced CVD system under magnetic field | |
EP0478984A1 (en) | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect | |
JPH0752718B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
US6673722B1 (en) | Microwave enhanced CVD system under magnetic field | |
JPS6380525A (ja) | 被膜形成方法 | |
EP0227839A1 (en) | Method of forming a thin film | |
JPS6344827B2 (ja) | ||
JPH0198221A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS62118521A (ja) | 半導体被膜作製方法 | |
JPS6286165A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP2700297B2 (ja) | 処理方法 | |
JP2654433B2 (ja) | 珪素半導体作製方法 | |
JPS61230326A (ja) | 気相成長装置 | |
JPS6289875A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0766911B2 (ja) | 被膜形成方法 | |
JPS6289876A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP2917900B2 (ja) | Iii −v族化合物半導体基板の表面処理方法 | |
JP2593642B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JPS63120424A (ja) | 処理方法 | |
JPS6289874A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP3088703B2 (ja) | 薄膜型半導体装置の作製方法 | |
JPS6286166A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPH0517291A (ja) | ダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法 | |
JPS63117424A (ja) | 基板表面処理方法 |