DE2546697A1 - Verfahren zum elektrochemischen abscheiden eines materials auf einem halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zum elektrochemischen abscheiden eines materials auf einem halbleiterkoerper

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Description

Patentanwälte Dipl.-lng. R. B E ETZ sen. Dipl.-Ing. K. LAMPRECHT Dr.-Ing. R. BEETZ jr.
8 München 22, Stelnsdorfstr. 1O Tel. (089)227201/227244/295910
Telegr. Allpatent München Telex 522O48
293-24.873P(24.
17. 10. 1975
National Research Development Corporation, LONDON
Großbritannien
"Verfahren zum elektrochemischen'Abscheiden eines Materials auf einem Halbleiterkörper
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum elektrochemischen Abscheiden von Materialien auf Halbleiterwerkstoffen.
Es ist ein besonderes Problem auf dem Halbleitergebiet, beispielsweise ohmsche Kontakte und gleichrichtende oder Sperrschichtübergänge auf Halbleiterwerkstoffen vorzusehen. Die Anbringung von ohmschen Kontakten und Sperrschichtübergängen beispielsweise
293-(JX4537/O6)-TSl
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auf Galliumarsenid erfordert die Verdampfung von Metallen und deren Aufstäube- oder Vakuumabscheidung unter Verwendung aufwendiger Vakuumanlagen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Abscheiden eines Materials auf einem Halbleiterkörper anzugeben, das einfacher durchführbar ist und ohne aufwendige Vorrichtungen arbeitet.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist ein Verfahren zum Abscheiden eines Materials auf einem Halbleiterkörper, mit dem Kennzeichen, daß man wenigstens einen Teil des Oberflächengittei· gefüges des Halbleiterkörpers stört, den Halbleiterkörper in eine zum Abscheiden des Materials auf dem Halbleiterkörper geeignete Elektroplattierlösung taucht und dem Halbleiterkörper Strahlungsenergie, die wenigstens teilweise aus einer zum Erzeugen freier Ladungsträger im Halbleiterkörper ausreichend kurzen Wellenlänge besteht, zuführt, um das Material aus der Elektroplattierlösung auf dem Halbleiterkörper abzuscheiden.
Es wurde gefunden, daß die Erfindung ein besonders billiges und geeignetes Verfahren zur Verfügung stellt, nach dem Metallkontakte an Halbleitermaterialien vorgesehen werden können. Demnach sieht eine Ausführungsart der Erfindung ein Verfahren zum Abscheiden eines Metalls auf einem Halbleiter vor, bei dem die Plättierlösung Ionen des geeigneten Metalls enthält.
Den in den beiden vorigen Absätzen beschriebenen Verfahrensschritten kann bei Bedarf eine Wärmebehandlung folgen.
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Vorzugsweise umfaßt der Verfahrensschritt zum Stören des Oberflächengittergefüges einen Beschüß wenigstens eines Teils der Oberfläche des Halbleiters. Es ist jedoch auch möglich, die Oberfläche des Halbleiters zu kratzen, um die erforderliche Störung zu erzeugen, oder alternativ kann der Halbleiter auch in eine gerührte Flüssigkeitssuspension eines Schleifpulvers eingebracht werden. Andere Verfahren ergeben sich für Fachleute ohne weiteres. Der genannte Beschüß wird vorteilhaft unter Verwendung positiver Ionen durchgeführt.
Vorzugsweise erfolgt der positive Ionenbeschuß unter Verwendung von Wasserstoff; jedoch wurden erfolgreich auch andere Gase, wie z. B. Stickstoff und Argon, zum Beschüß von Galliumarsenid verwendet. In diesem Fall treffen diese schwereren Teilchen jedoch den Kristall mit größerem Impuls, und daher -kann eine Wärmebehandlung zur Erzielung geeigneter elektrischer Eigenschaften erforderlich sein. Eire erfolgreiche Abscheidung wurde auch nach Stören des Gittergefüges unter Anwendung eines negativen IonenbeSchusses erzielt.
Nach einer bevorzugten Ausführungsart der Erfindung umfaßt ein Verfahren zum Abscheiden eines Metalls auf einem Halbleiter, wobei dieses Metall bezüglich Wasserstoff elektropositiv in der elektrochemischen Spannungsreihe ist, einen Beschüß von wenigstens einem Teil der Oberfläche des Halbleiters zum Stören des Gittergefüges in oder nahe dem der Oberfläche des Halbleiters, das Eintauchen des Halbleiters in eine geeignete Plattierlösung, die positive Ionen dieses Metalls enthält, die
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Zufuhr von Strahlungsenergie zum Halbleiter zwecks Erzeugung freier Ladungsträger im Halbleiter und damit Bewirkung der Abscheidung des Metalls aus der Plattierlösung auf den beschossenen Bereichen der Halbleiteroberfläche, Diese Verfahrensweise kann eine Wärmebehandlung zur Erzeugung der gewünschten elektrischen Eigenschaften erfordern.
Das im Vorabsatz beschriebene Verfahren wurde mit Erfolg auf Halbleitermaterialien, insbesondere Galliumarsenid, unter Verwendung von Silber, Gold und Platin angewandt.
Sehr wichtig ist, daß vorzugsweise die genannte Strahlungsenergiequelle sichtbares Licht ist. Sichtbares Licht ist für die Abscheidung von Metallen auf Galliumarsenid besonders zweckmäßig, da die Plattierlösungen allgemein für Licht transparent· sind, Licht jedoch durch Galliumarsenid unter Erzeugung freier Ladungsträger im Halbleiter absorbiert wird; es ist anzunehmen, daß die erzeugten freien Ladungsträger beim Abscheidevorgang wesentlich sind. In gewissen Fällen kann es möglich sein, andere Energiequellen, wie z. B. hochfrequente elektromagnetische Strahlung, Ultraviolett- oder Infrarotstrahlung zu verwenden.
Nach einer anderen Ausführungsart der Erfindung umfaßt das Verfahren zum Abscheiden eines Elements auf einem Halbleiter, bei dem das Element in Lösung negative Ionen bildet, den Beschüß wenigstens eines Teils der Oberfläche des Halbleiters zum Stören des Gittergefüges
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in der Nähe dieses Teils der Halbleiteroberfläche, das Eintauchen des Halbleiters in eine geeignete Plattierlösung, die negative Ionen des Elements enthält, die Zuführung von Strahlungsenergie zum Halbleiter zwecks Erzeugung freier Ladungsträger im Halbleiter und dadurch die Bewirkung der Abscheidung des Elements aus der Plattierlösung auf den nicht beschossenen Bereichen der Oberfläche des Halbleiters.
Die Erfindung ist besonders nützlich zur Anwendung in solchen Fällen, wo man nur gewisse Bereiche der Oberfläche des Halbleiters plattieren muß, z. B. wo es lediglich erforderlich ist, gewisse eng begrenzte Bereiche eines Materials zu dotieren, da sich der der Gitterstörung unterworfene Bereich durch Maskieren anderer Bereiche während des Beschüsses oder durch Abtasten mit dem Beschußmaterial steuern läßt.
Es wurde bereits erwähnt, daß der Beschüß des Halbleiters das Gittergefüge stört. Es ist möglich, das erforderliche Abscheidungsmuster auf einem Kristallmaterial unter Verwendung negativer Ionen, z. B. Stickstoff, von einem Abtastelektronenmikroskop unter Einsatz geeigneter Abtast- und Fokussierorgane zu entwerfen bzw. vorzubereiten.
Wenn man ein Metall, das bezüglich Wasserstoff elektropositiv in der elektrochemischen Spannungsreihe ist, auf gittergestörten Bereichen eines Halbleiters abscheidet, wurde gefunden, daß sowohl das Ausmaß der Gitterstörung im Halbleiterkristallgefüge als auch die Temperatur der geeigneten Plattierlösung wesent-
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lieh sind, um die Art des gebildeten Metall/Halbleiter-Kontaktes zu bestimmen, ob er also Sperreigenschaften oder ohmsche Eigenschaften hat. Weiter ist es möglich, ein Metall, das aus der Gruppe der gegenüber Wasserstoff elektropositiveren Metalle gewählt ist, auf einer schon abgeschiedenen Metallschicht abzuscheiden.
So sieht nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung das Verfahren zur Abscheidung mehrfacher Metallschichten auf einem kristallinen Galliumarsenid-Halbleiterkörper zunächst die Abscheidung eines ersten Metalls und anschließend die Abscheidung eines zweiten Metalls vor, die beide aus der Gruppe derer gewählt sind, die elektropositiver als Wasserstoff sind, wobei das zweite Metall auf dem zuerst abgeschiedenen Metall abgeschieden wird.
Außerdem ist es, wenn einmal eine Anfangsabscheideschicht auf dem Halbleiter gebildet ist, möglich, das Abscheideverfahren zu unterbrechen und den Halbleiter, falls erforderlich, einer Wärmebehandlung zu unterwerfen, worauf das Abscheideverfahren zu einem späteren Zeitpunkt wieder begonnen wird.
Es wurde auch festgestellt, daß verschiedene Metalle unterschiedliche Niveaus von Gitterstörung benötigen, bevor sie sich erfindungsgemäß auf Halbleitern abscheiden.
Daher ist es möglich, selektiv vielfache Metallschichten abzuscheiden. Demgemäß sieht in Weiterbildung der Erfindung ein Verfahren zum Abscheiden von Metall-
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schichten auf Galliumarsenid den selektiven Beschüß eines Bereichs der Oberfläche des Halbleiters mit Wasserstoff einer Dosis von weniger als 5 χ 10 Ionen/crn , den selektiven Beschüß eines weiteren Bereichs der Oberfläche des Halbleiters mit Viasserstoff einer Dosis von mehr als 5 x 10 Ionen/cm , das Eintauchen des Galliumarsenids in eine Silber enthaltende Plattierlösung, die Zufuhr von Strahlungsenergie zum Galliumarsenid zwecks Erzeugung freier Ladungsträger im Halbleiter und damit Abscheidung einer Silberschicht auf den Bereichen der Oberfläche, die mit einer Dosis
1 fs P
von mehr als 5 χ 10 Ionen/cm beschossen wurden, das anschließende Eintauchen des Galliumarsenids in eine Ionen eines zweiten Metalls, nämlich Gold oder Platin, enthaltende Plattierlösung, die Zufuhr von Strahlungsenergie zum Galliumarsenid zwecks Erzeugung freier Ladungsträger im Halbleiter und damit Abscheidung einer Schicht des zweiten Metalls auf dem Galliumarsenid vor. Dieses Verfahren ist besonders bei der Herstellung von Feldeffekttransistoren brauchbar.
Es wurde außerdem im Zusammenhang der Erfindung ermittelt, daß der Ionenbeschuß der Oberfläche des Galliumarsenids den beschossenen Bereich gegenüber Ätzen, beispielsweise mit Ferricyanid, immun macht, jedoch der beschossene Bereich noch die Fähigkeit, elektroplattiert zu werden, beibehält. Daher wird nach einer Ausgestaltung der Erfindung im Rahmen des Verfahrens zum Abscheiden eines Metalls auf einem Halbleiter eine Ä'tzung der Halbleiteroberfläche, z. B. mit Ferricyanid, vor der Metallabscheidung vorgenommen.
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Nach dieser Verfahrensweise lassen sich Mesas von beschossener Halbleiteroberfläche erzeugen, wobei jedes Mesa von einer Ätzgruppe umgeben ist, worauf die Mesas elektroplattiert werden können.
Es ist an sich ein Nachteil bei der Anwendung der elektrolytischen Abscheidung auf Halbleitern, daß jede Abscheidung von einer Erosion an anderen Stellen der Halbleiteroberfläche begleitet wird. Eine solche Erosion ist unerwünscht, da das Halbleitermaterial kostspielig herzustellen ist. Dies gilt besonders für epitaktisch aufgewachsene Halbleiterschichten. Um eine solche Erosion zu vermeiden, wird eine Modifizierung der Erfindung vorgeschlagen.
Dementsprechend sieht nach einer Weiterbildung der Erfindung das Verfahren zum Abscheiden eines Metalls, das gegenüber Wasserstoff elektropos-ltiv in der elektrochemischen Spannungsreihe ist, auf einem Halbleiter zusätzlich die Maßnahme des elektrischen Verbindens einer Opferanoden-Elektrode mit dem Halbleiter vor, so daß während der Elektrolyse die elektrochemische Abscheidung an einer bestimmten kathodischen Oberflächenzone des Halbleiters erfolgt, während die elektrolytische Erosion vorzugsweise an der Oberfläche der Opferanoden-Elektrode stattfindet, wodurch eine Erosion von anodischen Oberflächenbereichen des Halbleiters wenigstens teilweise vermieden wird.
Die Opferanoden-Elektrode besteht vorzugsweise aus Halbleitermaterial minderer Güte, so daß, wenn
z. B. eine aus hochwertigem Halbleitermaterial hergestellte
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Halbleiteranordnung elektroplattlert wird, das minderwertige Halbleitermaterial eher als das hochwertige bevorzugt erodiert wird.
Es ist ein Vorteil dieser Ausführungsart der Erfindung, daß die Erosion des kostspieligen, hochwertigen Halbleitermaterials während der Elektroplattierung vermieden werden kann.
Wie sich aus dem Vorstehenden ergibt, macht die Erfindung es möglich, eine ganze Anzahl von Abscheideschritten auf Kristallmaterialien einfach und billig durchzuführen. Sie ist von besonderer Bedeutung auf dem Halbleitergebiet, da sie ein einfaches Verfahren zum Abscheiden sowohl von sperrenden bzw. gleichrichtenden als auch von ohmschen Kontakten auf Halbleitermaterialien und außerdem eine neue Technik zum Dotieren von Halbleitern bietet. , .
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Niederleistungs-Ionenbeschußvorrichtung zur Verwendung im Zusammenhang der Erfindung;
Fig. 2 eine neue einfache Ionenbeschußvorrichtung, die sich besonders im Zusammenhang der Erfindung eignet;
Fig. 3 eine einfache Vorrichtung zur Durchführung
des Abscheideschrittes beim erfindungsgemäßen Verfahren; und
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Fig. 4 eine entsprechende Vorrichtung mit Verwendung einer Opferanoden-Elektrode.
Die folgenden Beschreibungsabschnitte besonderer Beispiele für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens beziehen sich einfachheitshalber fast ausschließlich auf Anwendungen der Erfindung auf Galliumarsenid. Es sollte jedoch daraus nicht geschlossen werden, daß die Erfindung mit Ausnahme der Stellen, wo entsprechende Bedingungen angegeben sind, eng als nur auf dieses eine Material anwendbar auszulegen ist; sehr zahlreiche Anwendungen auf andere kristalline Halbleitermaterialien sind möglich, und eine besonders wesentliche Alternative ist die Anwendung des Verfahrens auf Silizium.
Der erste Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht die Störung des Gittergefüges an wenigstens einem Bereich der Oberfläche des Halbleiters aus z. B. Galliumarsenid vor. Eine mögliche Art, dies zu erreichen, besteht im einfachen Kratzen der Oberfläche des Materials unter Verwendung eines geeigneten Werkzeugs. Dies kann eine nützliche Technik in Fällen sein, wo es erforderlich ist, ein Muster von Leiterzügen auf dem Kristallmaterial abzuscheiden.
Jedoch ist es üblicher, daß man Material über ausgedehnteren Bereichen eines Kristalls als nur in Form sehr schmaler Linien abscheiden muß. Ein Beschüß wenigstens eines Teils der Oberfläche des Materials mit einem Teilchenstrom ist eine besonders einfache Maßnahme, die erforderliche Gitterstörung zu erreichen. Alternative Vor-
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richtungen, die sich zur Durchführung dieses Beschüsses eignen, sind in den Fig. 1 und 2 veranschaulicht.
Nach Fig. 1 ist ein Plättchen aus Galliumarsenidkristall 1 am Ende einer herkömmlichen Niedrigenergie-Ionenbeschußvorrichtung montiert, die als ganze mit 10 bezeichnet ist. Diese Vorrichtung umfaßt eine mit niedriger Energie, typisch 5 kV, von einer Energiequelle l4 betriebene Ionenquelle 12. Wasserstoffionen von der Quelle 12 werden durch übliche Fokussier- und Kollimatororgane l6 zu einem Quermagnetfeld gelenkt, das durch einen Spektralmagnet l8 (üblicherweise ein Elektromagnet, dessen Spulenachse senkrecht zur Bewegungsrichtung des Strahls steht) erzeugt wird; der Spektralmagnet l8 lenkt Ionen im Strahl auf Bahnen je nach ihrer Masse ab. Der dann gebildete Strahl 19 von Wasserstoffionen tritt in eine Blendenverschlußeinrichtung 20 ein, die wie eine normale KameraverSchlußblende ausgebildet ist. Der Betrieb der Verschlußblende 20 ermöglicht, daß eine Probenkammer 22 selektiv einem Wasserstoffionenbündel 21 ausgesetzt wird. Die Zahl der Ionen in einem Bündel 21 kann einfach durch Variation der "Belichtungszeit" der Verschlußblende 20 variiert werden.
Eine Galliumarsenidprobe l wird in der Probenkammer so angeordnet, daß ihre zu beschießende Oberfläche 2 dem Strahlenbündel 21 ausgesetzt ist. Man kann eine Maske anbringen, wenn dies für den besonderen jeweils vorliegenden Anwendungsfall erforderlich ist. Die Probenkammer 22 ist durch eine Leitung 26 an eine Pumpe 24 angeschlossen. Die Probenkammer 22 wird dadurch unter Hochvakuumbedingungen gehalten.
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Eine alternative und viel einfachere Anordnung ist in Fig. 2 veranschaulicht. Diese Vorrichtung umfaßt eine Probenkammer 50, in der eine Zündkerze 52 verwendet wird, um eine Gasentladung in der Kammer auszulösen. Das Gas hat für einen Wasserstoffbeschuß der Proben 1 Wasserstoff bei sehr niedrigem Druck zu sein, während für einen Beschüß mit schwereren Ionen ein entsprechendes geeignetes Gas wie Np oder Ar gewählt wird. Die Probenkammer 50 ist durch eine Leitung 5^ mit der Hochvakuumseite einer (nicht dargestellen) Pumpe verbunden.
Die Zündkerze 52 wird durch eine justierbare Hochspannungsquelle 56 gespeist, die von einem Zeitschalter 58 gesteuert wird. Die elektrische Entladung im Gas in der Probenkammer 52 erzeugt Ionen in diesem Gas, und die Ionen treffen auf die Oberseite 2 einer Probe 1 in der Probenkammer 50. Die Proben 1 können bei Bedarf maskiert sein. - -
Die vorstehend beschriebene Ionenbeschußvorrichtung nach Fig. 1 oder Fig. 2 ergibt ein besonders zweckmäßiges und bequemes Verfahren zur Durchführung des Gitterstörungsschritts im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens. Jedoch wird Fachleuten ohne weiteres klar, daß es auch viele andere Maßnahmen zum Stören des Gittergefüges von Halbleitern gibt, die ohne Verlassen des Erfindungsbereichs anwendbar sind.
Nach dem Stören des Gitters entsprechend vorstehender Beschreibung ist das Galliumarsenid für den Plattierschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens bereit. Eine einfache Vorrichtung hierfür ist in Fig. 3 dargestellt.
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Ein Galliumarsenidplättchen 1 wird in einem Becherglas 70 angeordnet, das eine geeignete Plattierlösung 72 enthält. Das Galliumarsenidplättchen 1 liegt so im Becherglas 70, daß die der Gitterstörung unterworfene Oberfläche 2 nach oben gewandt ist. Falls es erwünscht ist, das Plattierverfahren bei erhöhter Temperatur durchzuführen, kann das Becherglas 70 auf einer Heizplatte 74 stehen; unter anderen Umständen, wo es erwünscht ist, das Plattierverfahren unterhalb der Raumtemperatur durchzuführen, müßte das Becherglas 70 in einer geeignet kalten Umgebung angeordnet werden. Strahlungsenergie ist ein unbedingtes Erfordernis des erfindungsgemäßen Plattierverfahrens; es wurde gefunden, daß Lichtenergie für die meisten Zwecke bei Verwendung von Galliumarsenid besonders geeignet ist, da die Lichtstrahlen von den meisten normalen Plattierlösungen durchgelassen und von Galliumarsenid unter Erzeugung freier Ladungsträger absorbiert'werden. Dementsprechend ist eine Lichtquelle j6 oberhalb der Plattierlösung 72 vorgesehen. Zweckmäßig ist die Lichtquelle eine 60 Watt-Wolframlampe, die sich in einem geeigneten Abstand über dem Galliumarsenidplättchen 1 befindet. Jedoch könnte auch irgendeine andere geeignete Lichtquelle hierzu verwendet werden. Sonnenlicht oder Leuchtstofflicht ist geeignet; die Abscheidungsgeschwindigkeit ist von der Lichtstrahlungsstärke abhängig. Da Galliumarsenid Strahlung über 1,4 eV absorbiert, müssen Ladungsträger von Wellenlängen im sichtbaren Spektrum erzeugt werden, und die Lichtquelle 76 trägt daher nur den Teil des Spektrums hierzu bei, der im sichtbaren
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Bereich liegt. Infrarot wird durch die Plattierlösung geschwächt, die allgemein eine wässerige Lösung ist.
Dicken von 4000 S Silber, Gold und Platin wurden unter Anwendung der beschriebenen Techniken auf Galliumarsenid abgeschieden. Typisch ist die Abscheidegeschwin-
o
digkeit für Silber etwa 2000 A in 10 Minuten, doch hängt sie von den Bedingungen wie der Lichtstärke, der der Lichtabsorption ausgesetzten Fläche des Galliumarsenids und dem Verhältnis dieser Fläche zur Metallabscheidefläche ab.
Nachdem einmal der gittergestörte Bereich mit einem Metallfilm bedeckt ist, ist es nicht länger wesentlich, die Gitterschäden während der fortgesetzten Plattierung beizubehalten. Die Anordnung kann eine zwischengeschalcete Wärmebehandlung erfordern, um die gewünschten elektrischen Eigenschaften zu erzeugen. ,Typisch für Galliumarsenid kann eine bei 450 bis 500 0C während 10 Minuten durchgeführte Wärmebehandlung sein. Nach der Wärmebehandlung kann man mit der Plattierung unter Verwendung einer Lichtquelle zum Liefern der Strahlungsenergie fortfahren. Die Plattierung setzt sich auf einer Austauschbasis fort, wobei freiliegende Unterlage als Austausch für abgeschiedenes Metall in Lösung geht.
Nach dem Plattieren eines Metalls auf Galliumarsenid ist es möglich, ein anderes Metall auf dem ersten zur Herstellung eines Doppelüberzugs abzuscheiden. Ein Beispiel des Bedarfs an einem solchen Überzug liegt da vor, wo Silberkontakte auf ihrer Oberseite mit "
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Gold (weich) überzogen werden, um eine duktile Oberfläche zum Anschluß von Hochfrequenzkreisen zu schaffen und eine zu starke Belastung des Galliumarsenids zu vermeiden. Es wurde gefunden, daß im Fall desBedeckens von versilberten Bereichen mit Metall die Probe erhitzt werden kann und die Kontakte auf elektrisches Verhalten getestet werden können. Anschließend kann man das Plattieren in einer Goldplattierlösung unter Verwendung einer Lichtquelle zum Liefern der Strahlungsenergie wie vorher fortsetzen. Keine Drähte oder Anschlüsse sind erforderlich, und kein Gold wird auf den nicht versilberten Bereichen abgeschieden. Die fortgesetzte Elektroplattierung auf der versilberten Oberfläche ist ein Coulomb'scher Prozeß, bei dem freie Ladungsträger den Stromfluß liefern. Wachsende Lichtstärke erhöht die Abseheidungsgeschwindigkeit.
Wie vorher erwähnt, haben verschiedene Metalle unterschiedliche BeschußSchwellenwerte zum Abscheiden auf Halbleitern. Bereiche von Galliumarsenid können zunächst mit
if- ρ
einer Dosis von 5 x 10 Ionen/cm , anschließend dagegen weitere Bereiche mit höherer Dosis oberhalb 5 χ 10 Ionen/cm beschossen werden. Wenn dann Galliumarsenid in eine Silberplattierlösung eingetaucht wird und man Strahlungsenergie zuführt, scheidet sich Silber nur an den Bereichen mit der höheren Beschußdosis ab. Das Galliumarsenid kann danach in eine Platinplattierlösung eingetaucht und erneut Strahlungsenergie ausgesetzt werden, wobei sich Platin dann auf allen beschossenen Bereichen und über dem Silber abscheidet. Eine Wärmebehandlung macht die Silberabscheidung auf dem Gallium- - arsenid zum ohmschen Kontakt und die Platinabscheidung
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- ιβ -
zur gleichrichtenden Sperrschicht. Ähnlich können Gold und Silber selektiv abgeschieden werden. Durch geeignete Wahl der Bereiche, auf denen Abscheidungen vorgenommen werden, kann dieses Verfahren z. B. Dioden und bipolare oder Feldeffekttransistoren ergeben.
Silber wird zweckmäßig in einem Standard-Silbercyanidbad, bei Bedarf mit Zusätzen für Feinkorn, abgeschieden. Die angewandte Lösungstemperatur ist 20 °C (Raumtemperatur) und für dieses Bad normal.
Die verwendete Goldplattierlösung ist zweckmäßig ebenfalls ein handelsübliches Standardbad (saure Goldlösung "ENGLEHARD E56"). Die angewandte Lösungstemperatur ist in der Größenordnung von 50 °C, die für diese Lösung normal ist.
Die verwendete PlatinplattierlQsung ist ebenfalls ein handelsübliches Standardbad ("J AND M DNS"-Plattierlösung), das .bei etwa 50 0C und 20 0C (Raumtemperatur) und bei einer Temperatur nahe 3 0C verwendbar 1st.
Es wurde gefunden, daß ein Plattieren mit Platin bei 3 °C gleichrichtende Sperrschichten liefert, die zum Überdauern eines Wärmebehandlungsprozesses geeignet sind.
Es. ist erwähnenswert, daß für Halbleiter, wie z. B. Silizium, die schnell unter Bildung eines undurchlässigen Oxidüberzugs oxydieren, die Plattierlösung zweckmäßig ein Reduktionsmittel enthält oder Oxidüberzüge "" ' dieser Art aufzulösen vermag; alkalihaltige Plattier-
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lösungen bieten eine einfache Art der Überwindung dieses Problems. Obwohl Galliumarsenid auch einen Oxidüberzug bildet, so ist dieser nicht dick genug, um irgendein Problem beim Plattieren aufzuwerfen.
Die Haftung der Gold-, Silber- und Platinabscheidungen auf Galliumarsenid ist auch vor einer Wärmebehandlung stark, wobei Silber- und Platinabscheidungen besonders fest haften. Um die Haftkraft der Abscheidungen zu prüfen, wurden etwa 2200 Punkte aus Gold, Silber und Platin sowohl auf n- als auch auf p-Galliumarsenid unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens abgeschieden, wovon etwa die Hälfte der Proben wärmebehandelt wurden. Klebeband wurde auf die Metallpunkte gedrückt und anschließend entfernt, jedoch nur in einem Fall löste sich der abgeschiedene Metallpunkt zusammen mit dem Klebeband ab. Goldabscheidungen sind weicher als Platin- oder Silberabscheidungen, wie 2u erwarten war; ein Abtasten mit harten Fühlerstiften kann durch das Gold bis zur Halbleiterunterlage durchkratzen, wenn dünne Goldabscheidungen verwendet werden. Dies bedeutet jedoch nicht, daß die Haftung von Gold gering ist; denn alle Goldpunktprobeabscheidungen (viele hundert) widerstanden dem oben beschriebenen Klebebandtest sowohl vor als auch nach der Wärmebehandlung.
Mit dem Ziel der Herstellung von Abscheidungen einer Abmessung unter 1 /um auf Galliumarsenid wurden Versuche durchgeführt, um das Auflösungsvermögen der Abscheidungen zu bestimmen. Ein parallel ausgerichteter Protonenstrahl
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traf auf eine Galliumarsenidunterlage durch eine Metallmaske, um eine Gitterstörung in der Oberfläche dort zu erzeugen, wo eine Metallabscheidung benötigt wurde. Das Auflösungsvermögen der anschließenden Plattierung hängt von dem Ausmaß der Streuung der Plattierung jenseits des durch die Protonen definierten Musters ab. Das feinste gemessene Auflösungsvermögen war 0,1 ,um von abgeschiedenem Silber, und die kleinsten aufgelösten Silberteilchen waren geringer als 0,05 /um. Kleinere Teilchen konnten noch erfaßt, jedoch nicht fokussiert werden.
Ein Protonenbeschuß des Galliumarsenids durch eine Fenster-Abdecklackmaske, die nach herkömmlichen optischen und Entwicklungsmethoden aufgebracht wurde, ergab ein Auflösungsvermögen von 4 /um, was die Grenze des besonderen Abdecklackmaskentyps und nicht die der Plattiertechnik ist. Durch Verwendung eines Elektronenmikroskops zur Begrenzung eines sehr feinen Abdecklackfensters wurde ein 0,3 /Um-Muster-Auflösungsvermögen erzielt.
Die elektrischen Eigenschaften von Silber-, GoId- und Platinschichten auf Galliumarsenid, die aus Plattierlösungen nach Wasserstoffbeschuß abgeschieden waren, wurden untersucht. Im Fall von Silber erzeugt eine Protonendosis von 5 χ 10 /cm (gerade über dem Schwellenwert für Silber) "weiche" Sperrschichteigenschaften nach dem Plattieren. Eine Erhöhung der Protonendosis auf 10 -10 ° Protonen/cm erzeugt ohmsche Kontakte. Eine Wärmebehandlung bewirkt, daß die gleichrichtenden Sperrschichten zu ohmschen Kontakten zu werden neigen
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und die ohmschen Kontakte, die nach Protonendosen von
-, O -I Q ρ
10-10 y Protonen/cm erzeugt waren, einen niedrigen Widerstand annehmen (der erreichte spezifische Kontakt-
-4 widerstand ist in der Größenordnung von 3 χ 10 Ohm'cm ) Dieser ist gut im Vergleich mit den üblichen aufgestäubten und wärmebehandelten Kontakten, jedoch sollten-mit genauerer Festlegung der Protonendosis, des Beschußbereichs und des Wärmebehandlungsverfahrens weitere Verbesserungen des spezifischen Widerstandes erreichbar sein.
Eine Platinplattierung auf beschossenem Galliumarsenid kann ohmsche Kontakte oder gleichrichtende Sperrschichten je nach der Wasserstoffdosis und der Plattierlösungstemperatur ergeben. Bei 50 °C führen Dosen von 10 -10 y Ionen/cm zu angenähert ohmschen Kontakten nach dem Plattieren, wobei sich die Linearität durch Wärmebehandlung verbessert,und der Widerstand
17
relativ hoch bleibt; Protonendosen von 10 ' Protonen/cm ergeben gleichrichtende Sperrschichten mit "weichen" Eigenschaften nach dem Plattieren mit einer Durchbruchsspannung von 4 bis 10 Volt, und durch Wärmebehandlung werden diese Kontakte ohmisch; eine Protonendosis von
■j (L ρ
10 Ionen/cm ergibt ein "hartes" gleichrichtendes Verhalten nach dem Plattieren mitjeiner Durchbruchsspannung von 12 bis l4 Volt, das eine Wärmebehandlung wider-
1 r ρ -
standsfähig zu machen neigt; eine 5 x 10 /cm -Dosis ergibt eine "weiche" gleichrichtende Sperrschicht nach dem Plattieren mit einer Durchbruchsspannung von 8 bis 10 Volt, welche Schicht durch Wärmebehandlung ohmisch wird. Es ist klar, daß es bei 50 °C möglich ist, gleich-" richtende Eigenschaften durch Abscheiden von Platin zu
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erhalten, doch neigen diese bei Wärmebehandlung dazu, ohmisch zu werden.
Es ist indessen durch Abscheiden von Platin bei Raumtemperatur möglich, gleichrichtende Sperrschichteigenschaften, die auch vorhanden bleiben, wenn eine Wärmebehandlung vorgenommen wird, insbesondere bis zu
IT 2 Protonendosen von 10 Ionen/cm zu erhalten, wobei eine Wärmebehandlung die Sperrschichteigenschaften "härtet". Der zur Erzeugung von gleichrichtenden Sperrschichten erforderliche Wasserstoffionen- oder Protonenstrom ist mit 5 χ 10 3 Ionen/cm sehr gering und stellt 120 nA/cm eines Wasserstoff!onenstroms für eine Sekunde dar.
Die Tabelle l zeigt die Durchbruchsspannung verschiedener unter Abscheidung von Platin auf Galliumarsenid bei Raumtemperatur erhaltener Kontakte.
Tabelle 1
Beschüß (Wasserstoffionen je cm2)
5 χ 10
15
TH"
Spannungsdurchbruch
Unangelassen
5V - 6V
Wärmebehandelt
5V - 6 V
1 χ 10
1 χ ΙΟΙ-χ 10"
1 χ 10
19
6v - 9V
IV - 2V
Hoher Widerstand
7V - 13V
5V - 6V
Hoher Widerstand
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254669?
IQ 2
Nach Beschußdosen von 10 y Ionen/cm erhaltene Goldabscheidungen ergeben ohmsche Kontakte mit ziemlich hohem Widerstand. Eine Verringerung der Protonendosis läßt ein gleichrichtendes Sperrschichtverhalten auftreten. Bei 10 Ionen/cm ist die Durchbruchsspannung etwa 5 bis 9 Volt. Die Plattierung läuft jedoch leicht
IC
ab, da der Schwellenwert zum Plattieren unter 5 x 10 Ionen/cm liegt. Für alle Wasserstoffdosispegel ergibt eine Wärmebehandlung ohmische Eigenschaften. Der niedrigste erreichte spezifische Widerstand ist bisher 1 χ 10
ρ
Ohm·cm .
Die oben beschriebenen Ergebnisse für Silber-, Platin- und Goldabscheidungen wurden unter Verwendung von GaAs-Grundmaterial mit 8 χ 10 Ladungsträgern/cm^ vom η-Typ mit Se-Dotierung erhalten. Wiederholungsversuche an n-Typ-Epitaxiematerial mit Schwefeldotierung
IY -7.
und einer Konzentration von 1 χ 10 ' Ladungsträgern/cnr haben diese Ergebnisse bestätigt.
Bisher betraf die besondere Beschreibung das Abscheiden von Metallen, die gegenüber Wasserstoff in der elektrochemischen Spannungsreihe elektropositiv sind. Jedoch ist die Erfindung keineswegs auf diese Ausführungsart beschränkt. Insbesondere läßt sich das beschriebene Verfahren auch zum Plattieren elektronegativer Materialien unter Verwendung geeigneter Plattierlösungen anwenden. Entgegen den elektropositiven Materialien werden die elektronegativen Materialien an den Stellen der Oberfläche des Kristalls abgeschieden und/
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oder einer chemischen Reaktion damit unterworfen, die keine Gitterstörung erfahren haben. Dieses Merkmal kann äußerst hützlich für die Anwendung zum Dotieren, z. B. von Galliumarsenid sein.
Es ist eine Erscheinung der Elektrolyse, daß eine elektrolytische Abscheidung an einer Elektrodenoberfläche durch eine elektrolytische Erosion an einer zweiten Elektrodenoberfläche ausgeglichen wird. Die zwei Elektrodenoberflächen können z. B. anodische und kathodische Bereiche einer und derselben Halbleiteroberfläche sein. Eine Erosion eines Teils einer z. B. epitaktisch hergestellten Halbleiteroberfläche ist jedoch nachteilig, da solche Oberflächen kostspielig herzustellen sind. Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht ein Verfahren zum Elektroplattieren von Metallen auf Halbleiteroberflächen vor, bei dem diese Erosion von kostspielig hergestellten Halbleiteroberflächen weitestgehend vermieden wird.
Eine Versuchsprobe von für die Elektrolyse geeignetem Halbleitermaterial in Verbindung mit einer Opferanoden-Elektrode wird in folgender Weise hergestellt. Ein Plättchen wird von einem n-GaAs-Einkristall abgeschnitten, und man läßt in eine ebene bzw. flache Oberfläche des Plättchens Chromionen zum Ausgleich des Donators eindiffundieren und erzeugt so eine halbisolierende Oberfläche. Dann wendet man die Dampfphasenepitaxie zur Erzeugung einer epitaktisch aufgewachsenen η-Schicht auf der halbisolierenden Oberfläche des Plättchens an. Ein zweites Plättchen aus n-GaAs, das von verhältnismäßig niedriger Güte sein kann, wird mit
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Klebstoff an der Oberfläche des ersten GaAs-Plättchens, von der epitaktischen Schicht entfernt angebracht. Die epitaktische Schicht wird dann teilweise mit Abdecklack überzogen, um unüberzogene Bereiche zu begrenzen, die zu elektroplattieren sind, und überzogene Bereiche herzustellen die gegenüber der Plattierung zu schützen sind.
Diese teilweise überzogene epitaktische Schicht wird im Vakuum mit einem Strahlenbündel beschossen, das positive oder negative Ionen enthält. Die Oberfläche der epitaktischen Schicht weist zu dieser Zeit freiliegende beschossene Bereiche, die anschließend zu elektroplattieren sind, und mit Abdecklack überzogene, vom Beschüß nicht erreichte Bereiche auf, wobei die epitaktische Schicht von der Cr-kompensierten Unterlage getragen wird. Diese Unterlage wird ihrerseits von dem Plättchen aus minderwertigem n-GaAs mit einer nicht beschossenen freien Oberfläche getragen, und die epitaktische Schicht und das minderwertige n-GaAs-Plättchen werden elektrisch miteinander verbunden. Die Kombination der Unterlage, der epitaktischen Schicht und des minderwertigen GaAs-Plättchens wird in ein Elektroplattierbad, wie z. B. ein
Standard-Silbercyanidbad, eingetaucht und mit Licht einer ausreichend kurzen Wellenlänge zur Erzeugung freier Ladungsträger im GaAs beleuchtet. Die nicht beschossene freie Oberfläche des minderwertigen n-GaAs-Plättchens wird dann anodisch und wird durch die Elektroplattierlösung erodiert, während die beschossenen freien Oberflachenbereiche der epitaktischen Schicht entsprechend kathodisch werden und mittels positiver Ionen aus der Elektroplattierlösung plattiert werden.
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Fig. 4 zeigt eine typische Anordnung zum Elektroplattieren eines Haltaleiteroberflächenmaterials unter Verwendung einer Opferanoden-Elektrode. Ein n-GaAs-Einkristallplättchen 91 hat eine chromdiffundierte Oberflächenschicht 92, auf der durch Dampfe pi tajcie eine epitaktische Schicht 93 erzeugt wurde. Abdecklackschichten 94 maskieren Bereiche der Oberfläche der epitaktischen Schicht 93 und begrenzen unmaskierte Bereiche 95, die einem Beschüß durch einen Stickstoffionenstrahl bei einem Fluß von 5 χ 10 /cm · see unterworfen wurden. Das Einkristallplättchen 91 wird von einem verhältnismäßig billigen n-GaAs-Plättchen 96 getragen. Die epitaktische Schicht 93 und das Trägerplättchen 96 sind elektrisch durch eine Schicht aus elektrisch leitendem Anstrich 97 miteinander verbunden, und die Anstrichschicht 97 ist mit einer Abdecklackisolierschicht 98 abgedeckt. Die derart zusammengesetzte Halbleiteranordnung wird in eine Silbercyanid-Elektroplattierlösung 99 eingetaucht.
Sichtbares Licht von einer Wolframlampe 100 wird verwendet, um die verschiedenen Halbleiterschichten zu bestrahlen und so freie Ladungsträger darin unter Verringerung des Widerstandes des zusammengesetzten Halbleiters zu erzeugen. Dann fließt ein Strom im Elektrolyt, und Silber wird auf den unmaskierten kathodischen Bereichen 95 abgeschieden. Das minderwertige GaAs-Plättchen 96 ist anodisch und wird erodiert. Da einige der beleuchteten Bereiche nicht plattiert werden, und zwar die freiliegende Oberseite des Plättchens 96, wird die Plattierung nicht unterbrochen, wenn die kathodischen Bereiche 95 völlig ver-
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dunkelt sind. Daher lassen sich verhältnismäßig dicke Schichten abscheiden, und eine Feinsteuerung der Plattierdicke läist sich mittels Variation der Lichtstärke erzielen. Plattierdicken bis zu 1 ,um wurden abgeschieden, und typisch werden 0,4 /um Silber in 10 Minuten bei einer Lichtstärke von 700 /Um W/cm abgeschieden. Keine Plattierung tritt auf, wenn keine Lichtenergie zugeführt wird, und es sind keine elektrischen Anschlüsse von außerhalb zum Halbleiterplättchen erforderlich. Die Einfachheit dieser Arbeitsweise bietet sich für eine Automatisierung und verläßliche Bauteilerzeugung an.
Der grundsätzliche Vorteil der Verwendung einer Opferanoden-Elektrode ist, daß geringwertes GaAs erodiert werden kann, wenn eine verhältnismäßig kostspielige Halbleiterprobe plattiert wird. Dies vermeidet die elektrolytische Erosion von kostspieligem Material, die sonst auftreten würde. Allein erforderlich-ist eine elektrische Verbindung, die z. B. ein einfacher Draht sein kann, zwischen der Opferanode und der vorher beschossenen Kathode. Bereiche, die nicht plattiert oder erodiert werden sollen, einschließlich der elektrischen Verbindung zwischen Anode und Kathode werden gegenüber der Plattierlösung durch eine Schicht aus Abdecklack oder anderem geeigneten Isoliermaterial isoliert. Um die kathodische Oberfläche zu bilden, sind viele Verfahren zur Erzeugung einer Oberflächenstörung geeignet. Ein Beschüß durch Protonen oder alternativ Stickstoffoder Argonionen durch Glimmentladungen oder als parallel ausgerichtete Strahlen wurde mit Erfolg verwendet. Ein äußerst leichtes Kratzen mit einem Griffel kann auch angewandt werden. Die feinste bisher in ein Abdecklackfenster plattierte Abmessung ist 0,3 /um,
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wobei das Abdecklackfenster durch einen Elektronenstrahl eingeschnitten wurde. Diese Technik ist nicht auf GaAs-Halbleitermaterial beschränkt, sondern auch andere Halbleiter können in dieser Weise plattiert werden.
Fachleute auf dem Gebiet der Halbleiterherstellung werden erkennen, daß viele Abwandlungen bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ohne Verlassen dessen Bereichs möglich sind. Die elektrolytische Abscheidung von Materialien entsprechend vorstehender Beschreibung umfaßt die Abscheidung von elektropositiven und elektronegativen Materialien, und die Abscheidung von elektropositiven Materialien kann unter Verwendung einer Opferanode vorgenommen werden. Es ist wohl klar, daß die Erfindung weite Anwendung in der Festkörperfertigungstechnologie finden kann.
Es sei noch darauf hingewiesen, daß bei der Herstellung von vielen Halbleiteranordnungen die Herstellungsverfahren ein Spalten oder eine ähnliche Behandlung von viel größeren Halbleiterkristallen umfassen. Spaltlinien liefern Zentren für das Wachsturn von Materialschichten, wenn sie dem erfindungsgemäßen Verfahren unterworfen werden. Daher sei darauf aufmerksam gemacht, daß es ratsam ist, alle inneren Spannungen und Störungen im Gitteraufbau eines Halbleiters durch Wärmebehandlung oder Maskieren solcher Bereiche der Oberfläche vor Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zu beseitigen bzw. abzudecken, wenn unerwünschte Abscheidungen vermieden werden sollen.
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Claims (1)

  1. ~2Ί~ 2546637
    Patentansprüche
    : l.y Verfahren zum Abscheiden eines Materials auf einem iialbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß man wenigstens einen Teil des Oberflächengittergefüges (2) des Halbleiterkörpers (l) stört, den Halbleiterkörper in eine zum Abscheiden des Materials auf dem Halbleiterkörper geeignete Elektroplattierlösung (72) taucht und dem Halbleiterkörper Strahlungsenergie, die wenigstens teilweise aus einer zum Erzeugen freier Ladungsträger im Halbleiterkörper ausreichend kurzen Wellenlänge besteht, zuführt, um das Material aus der Elektroplattierlösung auf dem Halbleiterkörper abzuscheiden.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material ein gegenüber Wasserstoff elektropositives Metall in der elektrochemischen Spannungsreihe ist und auf gestörten Bereichen der Halbleiterkörperoberfläche (2) abgeschieden wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man das Oberflachengittergefüge (2) durch mechanische Schädigung stört.
    4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man das Oberfläahengittergefüge (2) durch Beschüß des Halbleiterkörpers (l) mit einem Strahl (z. B. 21) von Ionen wenigstens einer chemischen Art stört, - die aus der die die elektrischen Eigenschaften des be-
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    schossenen Halbleitermaterials nicht merklich beeinträchtigenden Stoffarten umfassenden Gruppe gewählt ist.
    5. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 4 unter Rückbeziehung auf Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (l) aus Galliumarsenid ist und man Silber, Gold oder Platin darauf abscheidet.
    6. Verfahren nach Anspruch 1-voder Anspruch 4 unter Rückbeziehung auf Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das abzuscheidende Material in Lösung negative Ionen bildet und auf nicht mit Ionen beschossenen Bereichen der Halbleiterkörperoberfläche abgeschieden wird.
    7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf der Oberfläche (2) des Halbleiterkörpers (l) in einem vorbestimmten, durch eine geeignet-verteilte Störung des Oberflächengittergefüges definierten Musters abgeschieden wird.
    8. Verfahren nach den Ansprüchen 4 und 7* dadurch gekennzeichnet, daß man das Muster entweder durch Maskieren des Halbleiterkörpers (l) oder durch entsprechendes selektives Abtasten des Halbleiterkörpers mit dem Ionenstrahl (ζ. Β. 21) erzeugt.
    9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4, 5, 7 und 8 zum Abscheiden einer Mehrzahl verschiedener Metalle auf zugehörigen Oberflächenbereichen eines Halbleiterkörpers, dadurch gekennzeichnet, daß man
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    jeden solchen Oberflächenbereich mit einer jeweils zur gewählten Metallabscheidung auf dem zugehörigen Oberflächenbereich nach Eintauchen in eine geeignete, das gewählte Metall enthaltende Lösung bei Bestrahlung mit wenigstens teilweise aus einer zum Erzeugen freier Ladungsträger im Halbleiterkörper (l) ausreichend kurzen Wellenlänge bestehendem Licht ausreichend großen Ionendosis beschießt und den Halbleiterkörper nacheinander in jeweils Ionen eines bestimmten abzuscheidenden Metalls enthaltende Lösungen derart eintaucht, daß die Reihenfolge des Eintauchens in die Lösungen einer abfallenden Reihenfolge der zum Abscheiden des jeweiligen Metalls unter der genannten Lichtbestrahlung erforderlichen zugehörigen Ionendosis entspricht, und den Halbleiterkörper während jedes Eintauchvorganges mit dem genannten Licht (z. B. von 76) bestrahlt.
    10. Verfahren nach Anspruch 9 zum Abscheiden einer Silberschicht auf einem ersten Oberflächenbereich eines Galliumarsenidkörpers und einer Gold- oder Platinschicht auf einem zweiten Oberflächenbereich desselben, dadurch gekennzeichnet, daß man den ersten Oberflächenbereich mit Wasserstoff zur Erzielung
    iß P einer Dosis von mehr als 5 χ 10 Ionen/cm beschießt, den zweiten Oberflächenbereich mit Wasserstoff zur Erzielung einer Dosis von weniger als 5 x 10 Ionen/cm beschießt, den Galliumarsenidkörper (l) in eine Silberplattierlösung eintaucht, dem Galliumarsenidkörper eine Strahlungsenergie von genügend kurzer Wellenlänge zur Erzeugung freier Ladungsträger darin so zuführt, daß der erste Oberflächenbereich mit Silber plattiert wird, den Galliumarsenidkörper in eine zum Plattieren des
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    zweiten Metalls auf Galliumarsenid geeignete Lösung eintaucht und dem Galliumarsenidkörper eine Strahlungsenergie zur Erzeugung freier Ladungsträger darin so zuführt, daß wenigstens der zweite Oberflächenbereich mit dem zweiten Metall plattiert wird.
    11. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 und 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkörperoberfläche (2) nach dem Ionenbeschuß vor Abscheidung des Metalls auf dem Galliumarsenidkristall (l) geätzt wird.
    12. Verfahren nach einem der Ansprüche 2, 4, 5 und 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß man mit dem Halbleiterkörper (93) eine Opferanoden-Elektrode (96) elektrisch derart verbindet, daß während der Elektrolyse die elektrolytische Abscheidung an einem vorbestimmten kathodischen Oberflächenbereich (95) des Halbleiterkörpers (93) erfolgt, während eine elektrolytische Erosion bevorzugt an der Oberfläche der Opferanoden-Elektrode (96) stattfindet und eine Erosion von anodischen Oberflächenbereichen des Halbleiterkörpers (93) wenigstens teilweise vermieden wird.
    13. Verfahren nach einem der Ansprüche 2, 4, 5 und 7 bis 10 zum Abscheiden eines oder mehrerer Metalle auf einem Galliumarsenidkörper, dadurch gekennzeichnet, daß es zur Herstellung von Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren angewendet wird.
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