JPH04234150A - 層間絶縁膜平坦化法 - Google Patents
層間絶縁膜平坦化法Info
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- JPH04234150A JPH04234150A JP41844790A JP41844790A JPH04234150A JP H04234150 A JPH04234150 A JP H04234150A JP 41844790 A JP41844790 A JP 41844790A JP 41844790 A JP41844790 A JP 41844790A JP H04234150 A JPH04234150 A JP H04234150A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、層間絶縁膜の平坦化法
に関し、特に凹凸のある半導体基板表面上に堆積した層
間絶縁膜を平坦化する方法に関する。
に関し、特に凹凸のある半導体基板表面上に堆積した層
間絶縁膜を平坦化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上の表面段差を少なくするた
めにホウ素およびリンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰ
ＳＧ膜）またはリンを含有したシリコン酸化膜（ＰＳＧ
膜）を層間絶縁膜として用い、熱処理することによりリ
フローさせ、平坦化する方法が従来よりよく用いられる
。この際の熱処理の方法としては、電気炉を用いるのが
一般的である。また、ランプアニール等も用いられるこ
とがある。
めにホウ素およびリンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰ
ＳＧ膜）またはリンを含有したシリコン酸化膜（ＰＳＧ
膜）を層間絶縁膜として用い、熱処理することによりリ
フローさせ、平坦化する方法が従来よりよく用いられる
。この際の熱処理の方法としては、電気炉を用いるのが
一般的である。また、ランプアニール等も用いられるこ
とがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の層間絶
縁膜平坦化法では以下に述べるような問題点がある。Ｂ
ＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜のリフロー処理は、電気炉を用
いる場合に９００℃以上の温度で３０分程度の熱処理が
必要である。しかしながら、高温、長時間の熱処理を実
施すると、不純物の拡散が無視できないほど大きくなり
、特に微細な素子の場合には、素子の劣化、動作不良等
の重大な問題となってくる。また、熱処理の方法として
ランプアニールを用いても拡散は無視できず、ランプア
ニールよりさらに短時間の熱処理で素子の活性領域の温
度を上昇させずに層間絶縁膜のリフローを行う平坦化法
が必要となってくる。
縁膜平坦化法では以下に述べるような問題点がある。Ｂ
ＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜のリフロー処理は、電気炉を用
いる場合に９００℃以上の温度で３０分程度の熱処理が
必要である。しかしながら、高温、長時間の熱処理を実
施すると、不純物の拡散が無視できないほど大きくなり
、特に微細な素子の場合には、素子の劣化、動作不良等
の重大な問題となってくる。また、熱処理の方法として
ランプアニールを用いても拡散は無視できず、ランプア
ニールよりさらに短時間の熱処理で素子の活性領域の温
度を上昇させずに層間絶縁膜のリフローを行う平坦化法
が必要となってくる。
【０００４】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解決し、微細な素子においても不純物の拡散が問題に
ならない層間絶縁膜平坦化法を提供することにある。
を解決し、微細な素子においても不純物の拡散が問題に
ならない層間絶縁膜平坦化法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明に係る層間絶縁膜平坦化法は、ホウ素およびリ
ンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）またはリン
を含有したシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）を熱処理するこ
とにより層間絶縁膜を平坦化する方法において、平坦化
の処理は、電子ビームをＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜に照
射し、直接加熱することにより行うものである。
、本発明に係る層間絶縁膜平坦化法は、ホウ素およびリ
ンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）またはリン
を含有したシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）を熱処理するこ
とにより層間絶縁膜を平坦化する方法において、平坦化
の処理は、電子ビームをＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜に照
射し、直接加熱することにより行うものである。
【０００６】
【作用】ＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜のリフロー処理を電
気炉で行う場合、半導体基板全体が高温に加熱されるた
め、素子の活性領域の不純物が拡散してしまい、微細な
素子であると、素子の劣化、動作不良を引き起こす。こ
れを防止するためには素子の活性領域の温度上昇を抑え
、ＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜のみを加熱すればよい。 つまり層間絶縁膜のみを局所的に加熱すればよい。本発
明の層間絶縁膜平坦化法では、加熱手段として電子ビー
ムを用いている。電子ビームは所定の領域を選択的に加
熱処理することができ、本発明の目的に適している。
気炉で行う場合、半導体基板全体が高温に加熱されるた
め、素子の活性領域の不純物が拡散してしまい、微細な
素子であると、素子の劣化、動作不良を引き起こす。こ
れを防止するためには素子の活性領域の温度上昇を抑え
、ＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜のみを加熱すればよい。 つまり層間絶縁膜のみを局所的に加熱すればよい。本発
明の層間絶縁膜平坦化法では、加熱手段として電子ビー
ムを用いている。電子ビームは所定の領域を選択的に加
熱処理することができ、本発明の目的に適している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は、本発明の一実施例で用いた工程手順を示した
図である。同図において、シリコン基板１、ポリシリコ
ン膜２、ＢＰＳＧ膜３、電子ビーム４をそれぞれ示す。
。図１は、本発明の一実施例で用いた工程手順を示した
図である。同図において、シリコン基板１、ポリシリコ
ン膜２、ＢＰＳＧ膜３、電子ビーム４をそれぞれ示す。
【０００８】まず、図１の（ａ）に示すようにシリコン
基板１上にポリシリコン膜２の段差を形成後、ＢＰＳＧ
膜３を堆積した構造を形成した。段差の形成に用いたポ
リシリコン膜の膜厚は０．５μｍ、段差の幅は１μｍと
した。また、ＢＰＳＧ膜の膜厚は０．５μｍとした。図
１の（ａ）に示す構造を形成後、電子ビームを全面に照
射し、ＢＰＳＧ膜を選択的に加熱することによりＢＰＳ
Ｇ膜のリフロー処理を行い（図１の（ｂ））、図１の（
ｃ）に示す構造を得た。電子ビームの加速電圧は１０ｋ
Ｖ、ビーム密度は３〜２０ｍＡ／ｍｍ２、ビーム照射時
間は１０ｍｓｅｃ〜１ｓｅｃとした。なお、電子ビーム
の照射の際、条件によって電子ビームによるチャージア
ップ現象が発生することがあるが、この場合はＢＰＳＧ
膜の表面に導電層を形成するなどの措置により防止でき
る。以上の工程手順により半導体基板表面の段差を平坦
化し、かつ、素子の活性領域の不純物の拡散を最小限に
抑えることが可能である。本実施例では層間絶縁膜とし
てＢＰＳＧ膜を用いたが、ＰＳＧ膜を用いても同様の効
果を得ることができる。
基板１上にポリシリコン膜２の段差を形成後、ＢＰＳＧ
膜３を堆積した構造を形成した。段差の形成に用いたポ
リシリコン膜の膜厚は０．５μｍ、段差の幅は１μｍと
した。また、ＢＰＳＧ膜の膜厚は０．５μｍとした。図
１の（ａ）に示す構造を形成後、電子ビームを全面に照
射し、ＢＰＳＧ膜を選択的に加熱することによりＢＰＳ
Ｇ膜のリフロー処理を行い（図１の（ｂ））、図１の（
ｃ）に示す構造を得た。電子ビームの加速電圧は１０ｋ
Ｖ、ビーム密度は３〜２０ｍＡ／ｍｍ２、ビーム照射時
間は１０ｍｓｅｃ〜１ｓｅｃとした。なお、電子ビーム
の照射の際、条件によって電子ビームによるチャージア
ップ現象が発生することがあるが、この場合はＢＰＳＧ
膜の表面に導電層を形成するなどの措置により防止でき
る。以上の工程手順により半導体基板表面の段差を平坦
化し、かつ、素子の活性領域の不純物の拡散を最小限に
抑えることが可能である。本実施例では層間絶縁膜とし
てＢＰＳＧ膜を用いたが、ＰＳＧ膜を用いても同様の効
果を得ることができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来よりも半導体基板表面で平坦性の良好な半導体素子製
造工程を得ることができ、したがって製造上の問題点が
減少し、製造歩留まりの向上が期待できるなどの効果が
ある。
来よりも半導体基板表面で平坦性の良好な半導体素子製
造工程を得ることができ、したがって製造上の問題点が
減少し、製造歩留まりの向上が期待できるなどの効果が
ある。
【図１】本発明の一実施例で用いた工程手順を示した図
である。
である。
１ シリコン基板
２ ポリシリコン膜
３ ＢＰＳＧ膜
４ 電子ビーム
Claims (1)
- 【請求項１】 ホウ素およびリンを含有したシリコン
酸化膜（ＢＰＳＧ膜）またはリンを含有したシリコン酸
化膜（ＰＳＧ膜）を熱処理することにより層間絶縁膜を
平坦化する方法において、平坦化の処理は、電子ビーム
をＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜に照射し、直接加熱するこ
とにより行うものであることを特徴とする層間絶縁膜平
坦化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41844790A JPH04234150A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 層間絶縁膜平坦化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41844790A JPH04234150A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 層間絶縁膜平坦化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234150A true JPH04234150A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=18526283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41844790A Pending JPH04234150A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 層間絶縁膜平坦化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04234150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100760313B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2007-09-20 | 볼프비지온 게엠베하 | 광학식 피사체 캡쳐링 장치용 관절식 아암 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP41844790A patent/JPH04234150A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100760313B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2007-09-20 | 볼프비지온 게엠베하 | 광학식 피사체 캡쳐링 장치용 관절식 아암 |
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