JPH04101421A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH04101421A JPH04101421A JP21925390A JP21925390A JPH04101421A JP H04101421 A JPH04101421 A JP H04101421A JP 21925390 A JP21925390 A JP 21925390A JP 21925390 A JP21925390 A JP 21925390A JP H04101421 A JPH04101421 A JP H04101421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- polycrystal silicon
- deposited
- semiconductor substrate
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 8
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- -1 BF2 ions Chemical class 0.000 description 2
- 101000617721 Homo sapiens Pregnancy-specific beta-1-glycoprotein 6 Proteins 0.000 description 2
- 102100022026 Pregnancy-specific beta-1-glycoprotein 6 Human genes 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路の製造方法に関するものである
。
。
従来の技術
従来の半導体集積回路の製造方法に(よ 段差部分での
断線が半導体集積回路の信頼性と歩留に大きく関与する
たぬ 第3図に示すような平坦化工程が必要となる。す
なわち第3図(a)のように半導体基板1上にフィール
ド酸化膜2を形成し 続いてゲート酸化膜3を形成し
その後n+多結晶シリコンゲート電極4を形成させる。
断線が半導体集積回路の信頼性と歩留に大きく関与する
たぬ 第3図に示すような平坦化工程が必要となる。す
なわち第3図(a)のように半導体基板1上にフィール
ド酸化膜2を形成し 続いてゲート酸化膜3を形成し
その後n+多結晶シリコンゲート電極4を形成させる。
次に第3図(b)(c)のようにBF2イオンの注入を
行ないp゛拡散層5a、bを形成しBPSG6の堆積を
行なう。以上が終了した半導体素子の表面は第3図(a
)の凹凸がそのまま反映されてBPSG6にも段差が生
じてしまう。そこで通常第3図(d)のように 電気炉
内で900〜1000℃、30分前後の高温アニールを
施しBPSG6を軟(t、 流動させて平坦化(以下
リフローとする)を行なう。
行ないp゛拡散層5a、bを形成しBPSG6の堆積を
行なう。以上が終了した半導体素子の表面は第3図(a
)の凹凸がそのまま反映されてBPSG6にも段差が生
じてしまう。そこで通常第3図(d)のように 電気炉
内で900〜1000℃、30分前後の高温アニールを
施しBPSG6を軟(t、 流動させて平坦化(以下
リフローとする)を行なう。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、以上述べた従来の平坦化工程で1iBP
sGリフローのための高温アニールが必要となり通常電
気炉を使用して行なっている。第4図にイオン注入後、
1000℃で60分アニールした時の、拡散層の広が
りを示机このように 高温アニールよって拡散層部に注
入されている不純物の熱拡散に伴う濃度の再分布が起こ
る。つまりイオン注入後の不純物濃度分布に比べて、B
PSGリフロー後の分布はより深い方向に広がってしま
う。
sGリフローのための高温アニールが必要となり通常電
気炉を使用して行なっている。第4図にイオン注入後、
1000℃で60分アニールした時の、拡散層の広が
りを示机このように 高温アニールよって拡散層部に注
入されている不純物の熱拡散に伴う濃度の再分布が起こ
る。つまりイオン注入後の不純物濃度分布に比べて、B
PSGリフロー後の分布はより深い方向に広がってしま
う。
この発明が解決しようとする課題(よ 絶縁膜の平坦化
のための高温アニールによって拡散層が深くなることを
抑え、なおかつ形状の平坦化を損なわない半導体集積回
路の製造方法を提供することを目的とする。
のための高温アニールによって拡散層が深くなることを
抑え、なおかつ形状の平坦化を損なわない半導体集積回
路の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この発明は以上に説明した課題を解決するためのもので
あって、次のようなものである。すなわち絶縁膜の高温
アニールを従来の熱伝導タイプの電気炉を使わずに 熱
輻射タイプのレーザーアニーノk ランプアニールなど
による短時間熱処理(以下RT A: rapid
thermal annealとする)を不活性ガスで
加圧した高圧雰囲気中で行うことである。
あって、次のようなものである。すなわち絶縁膜の高温
アニールを従来の熱伝導タイプの電気炉を使わずに 熱
輻射タイプのレーザーアニーノk ランプアニールなど
による短時間熱処理(以下RT A: rapid
thermal annealとする)を不活性ガスで
加圧した高圧雰囲気中で行うことである。
作用
BPSGリフローを高圧雰囲気中でのPTAによって行
なうと、拡散層部に注入されている不純物の高温アニー
ルに伴う熱拡散を最小限に抑えてBPSGの平坦化がで
きる。
なうと、拡散層部に注入されている不純物の高温アニー
ルに伴う熱拡散を最小限に抑えてBPSGの平坦化がで
きる。
実施例
この発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて説明
する。第1図は半導体素子の断面図である。第2図は拡
散層部に注入された不純物の濃度分布のシュミレーショ
ン結果である。
する。第1図は半導体素子の断面図である。第2図は拡
散層部に注入された不純物の濃度分布のシュミレーショ
ン結果である。
第1図(a)に示すように半導体基板1において素子分
離工程(600nm程度のフィールド酸化膜2形成)が
終了し 素子領域の半導体表面に16nm程度のゲート
酸化膜3を形成しその後多結晶シリコンをCVD装置で
堆積しn形不純物を多結晶シリコン中に拡散させてn゛
多結晶シリコンゲート電極4を形成し 続いて第1図(
b)に示すようにBF2イオンを素子領域の所定位置に
注入させp゛拡散層5a、bを形成する。
離工程(600nm程度のフィールド酸化膜2形成)が
終了し 素子領域の半導体表面に16nm程度のゲート
酸化膜3を形成しその後多結晶シリコンをCVD装置で
堆積しn形不純物を多結晶シリコン中に拡散させてn゛
多結晶シリコンゲート電極4を形成し 続いて第1図(
b)に示すようにBF2イオンを素子領域の所定位置に
注入させp゛拡散層5a、bを形成する。
第1図(c)に示すよう置 p+拡散層5 a。
b形成まで終了した半導体素子の表面全体に700nm
程度のBPSG6をCVD装置で堆積させる。BPSG
6堆積後にN2で10気圧程度の高圧にした雰囲気中で
1QOO℃、 1分間程度のランプアニールを使ってB
PSG6にRTAを施すと第1図(d)に示すようにB
PSGは平坦化される。室温からの急加熱室温への急冷
却が可能なPTAを高圧雰囲気中で行なうことにより、
第2図に示すように1000℃、1分アニールt、、B
PSG6リフロー後のp4拡散層5a、bの不純物濃度
分布は注入直後とはほとんど変わらずかつBPSG6の
平坦化が達成される。
程度のBPSG6をCVD装置で堆積させる。BPSG
6堆積後にN2で10気圧程度の高圧にした雰囲気中で
1QOO℃、 1分間程度のランプアニールを使ってB
PSG6にRTAを施すと第1図(d)に示すようにB
PSGは平坦化される。室温からの急加熱室温への急冷
却が可能なPTAを高圧雰囲気中で行なうことにより、
第2図に示すように1000℃、1分アニールt、、B
PSG6リフロー後のp4拡散層5a、bの不純物濃度
分布は注入直後とはほとんど変わらずかつBPSG6の
平坦化が達成される。
な抵 本実施例では拡散層をp+とじたがnlとしても
同様の効果が得られるこうとは言うまでもない。
同様の効果が得られるこうとは言うまでもない。
発明の効果
以上詳細に説明したようにこの発明(よ 平坦化を目的
とした絶縁膜の高温アニール後も拡散層の不純物分布は
アニール前と同じ状態を保ちかつ絶縁膜の平坦化を達成
させることができ、その実用効果は大きい。
とした絶縁膜の高温アニール後も拡散層の不純物分布は
アニール前と同じ状態を保ちかつ絶縁膜の平坦化を達成
させることができ、その実用効果は大きい。
第1図は本発明の一実施例に関わる半導体素子の工程断
面図 第2図は本発明による拡散層中不純物濃度分布の
シュミレーション図 第3図は従来の半導体素子の工程
断面図 第4図は従来の工程による拡散層中不純物濃度
分布のシュミレーション図である。
面図 第2図は本発明による拡散層中不純物濃度分布の
シュミレーション図 第3図は従来の半導体素子の工程
断面図 第4図は従来の工程による拡散層中不純物濃度
分布のシュミレーション図である。
Claims (1)
- 凹凸を有する半導体基板上に絶縁膜を堆積し、高圧雰囲
気中での短時間熱処理を施し、前記絶縁膜を軟化、流動
させて平坦化を行う工程を有することを特徴とする半導
体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21925390A JPH04101421A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21925390A JPH04101421A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04101421A true JPH04101421A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16732625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21925390A Pending JPH04101421A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04101421A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5811343A (en) * | 1996-07-15 | 1998-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Oxidation method for removing fluorine gas inside polysilicon during semiconductor manufacturing to prevent delamination of subsequent layer induced by fluorine outgassing dielectric |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP21925390A patent/JPH04101421A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5811343A (en) * | 1996-07-15 | 1998-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Oxidation method for removing fluorine gas inside polysilicon during semiconductor manufacturing to prevent delamination of subsequent layer induced by fluorine outgassing dielectric |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5324974A (en) | Nitride capped MOSFET for integrated circuits | |
KR100231607B1 (ko) | 반도체 소자의 초저접합 형성방법 | |
JPH04101421A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
TW200425466A (en) | Method for making a semiconductor device | |
JPH0558257B2 (ja) | ||
JP3249753B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH0719759B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS63221647A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0682668B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100256246B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 | |
JP3384439B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01238147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60119718A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS643343B2 (ja) | ||
JP2653513B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01161713A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0547978B2 (ja) | ||
JPH0494120A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04234150A (ja) | 層間絶縁膜平坦化法 | |
KR20030052480A (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 | |
KR19990004563A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
JPH0336751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000091260A (ja) | 半導体製造方法 | |
JPH04168764A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS595633A (ja) | 半導体装置の製造方法 |