JPS60119718A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60119718A JPS60119718A JP22716883A JP22716883A JPS60119718A JP S60119718 A JPS60119718 A JP S60119718A JP 22716883 A JP22716883 A JP 22716883A JP 22716883 A JP22716883 A JP 22716883A JP S60119718 A JPS60119718 A JP S60119718A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかがシ、とくに不純物
をイオン注入された半導体基板のアニールに関するもの
である。
をイオン注入された半導体基板のアニールに関するもの
である。
従来、赤外光、可視光、レーザー光あるいは熱輻射等に
よシ、不純物をイオン注入された半導体基板のアニール
を行う場合、加熱および冷却を秒単位以下の短時間で行
うので、基板が急熱急冷される。そのため基板内に欠陥
が発生し、例えば該アニールによって製造されたＰＮ接
合では該欠陥に起因する。接合漏れ電流が太きいという
欠点があった。
よシ、不純物をイオン注入された半導体基板のアニール
を行う場合、加熱および冷却を秒単位以下の短時間で行
うので、基板が急熱急冷される。そのため基板内に欠陥
が発生し、例えば該アニールによって製造されたＰＮ接
合では該欠陥に起因する。接合漏れ電流が太きいという
欠点があった。
本発明の目的は該欠陥を減少することにある。
本発明によれば前記赤外光等による基板温度８５０℃以
上時間３０秒以下のアニールの前後に少くとも１回基板
温度８５０℃以下、時間５分り上の炉アニールを行う。
上時間３０秒以下のアニールの前後に少くとも１回基板
温度８５０℃以下、時間５分り上の炉アニールを行う。
該炉アニールによシ前記赤外光等によるアニールで発生
する欠陥、および、それ以前に存在する欠陥を減少でき
る。ただし、基板温度８５０℃以下の炉アニールでは、
不純物再分布が生じないので、前記赤外光等による短時
間アニールの持つ不純物再分布の少ない不純物活性化と
いう長所をそこなうことはない。
する欠陥、および、それ以前に存在する欠陥を減少でき
る。ただし、基板温度８５０℃以下の炉アニールでは、
不純物再分布が生じないので、前記赤外光等による短時
間アニールの持つ不純物再分布の少ない不純物活性化と
いう長所をそこなうことはない。
以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
実施例１：
本実施例では本発明を用いて、Ｓｉ基板にダイオードを
製造する場合について述べる。
製造する場合について述べる。
まず第１図１のＰまたはＮ型の８４基板１に、厚さ８０
００Ａ、程度の素子分離用の酸化膜２を選択酸化法を用
いて成長し、次に素子形成領域に熱酸化膜３を成長する
。この熱酸化膜３はイオン注入の際の外部からの不純物
の浸入防止、注入不純物のアウトディフュージョン防止
、注入不純物の注入時の不純物プロファイルの調整等の
目的のために成長される。続いてこの基板の伝導型と反
対の伝導型を形成する不純物をイオン注入し、第２図の
不純物層４を形成する。次に８００°Ｃ３０分程度の炉
アニール、出力が第３図のようにパルス状に変化するタ
ングステンハロゲンランプ光によるアニール、８００°
Ｃ３０分程度の炉アニールの順で、熱処理を行い、図２
中４の不純物注入層を活性化する。この場合、タングス
テンハロゲンランプ光アニールの前に行う炉アニールは
、不純物イオン注入時に発生する欠陥を減少させ、ラン
グ光アニール後に行う炉アニールはおもンこ、ランプ光
アニール時に発生する欠陥を減少させる。このようにし
てタングステンハロゲンラング光によるアニールの前後
に８００℃３０分の炉アニールを行うことによって、最
終的に欠陥の少ない不純物拡散層を実現できる。尚本実
施例ではタングステンハロゲンランプ光アニールの前後
に炉アニールを行ったが、前あるいは後のみ行っ−Ｃも
効果がある。
００Ａ、程度の素子分離用の酸化膜２を選択酸化法を用
いて成長し、次に素子形成領域に熱酸化膜３を成長する
。この熱酸化膜３はイオン注入の際の外部からの不純物
の浸入防止、注入不純物のアウトディフュージョン防止
、注入不純物の注入時の不純物プロファイルの調整等の
目的のために成長される。続いてこの基板の伝導型と反
対の伝導型を形成する不純物をイオン注入し、第２図の
不純物層４を形成する。次に８００°Ｃ３０分程度の炉
アニール、出力が第３図のようにパルス状に変化するタ
ングステンハロゲンランプ光によるアニール、８００°
Ｃ３０分程度の炉アニールの順で、熱処理を行い、図２
中４の不純物注入層を活性化する。この場合、タングス
テンハロゲンランプ光アニールの前に行う炉アニールは
、不純物イオン注入時に発生する欠陥を減少させ、ラン
グ光アニール後に行う炉アニールはおもンこ、ランプ光
アニール時に発生する欠陥を減少させる。このようにし
てタングステンハロゲンラング光によるアニールの前後
に８００℃３０分の炉アニールを行うことによって、最
終的に欠陥の少ない不純物拡散層を実現できる。尚本実
施例ではタングステンハロゲンランプ光アニールの前後
に炉アニールを行ったが、前あるいは後のみ行っ−Ｃも
効果がある。
実施例２：
次に第２の実施例としてイオン注入された基板表面に絶
縁膜が成長されている場合について述べる。
縁膜が成長されている場合について述べる。
まず前記実施例１における第１図から第３図までの工程
と同様にして８ｉ基板に不純物イオン注入層を形成する
。次に該基板上に基板表面保護および配線アルミ層と基
板の絶縁のために、第４図のＰＳＧ膜５を５０００Ａ程
度気相成長する。次に８００９Ｃ３０分炉アニール、１
０００°ＣＩＯ秒ランプ光アニール８００°０３０分炉
アニールの１１真で熱処理を行い、前記不純物イオン注
入層を活性化する。
と同様にして８ｉ基板に不純物イオン注入層を形成する
。次に該基板上に基板表面保護および配線アルミ層と基
板の絶縁のために、第４図のＰＳＧ膜５を５０００Ａ程
度気相成長する。次に８００９Ｃ３０分炉アニール、１
０００°ＣＩＯ秒ランプ光アニール８００°０３０分炉
アニールの１１真で熱処理を行い、前記不純物イオン注
入層を活性化する。
以上の本発明の実篩例においては、ダイオードを製造す
る場合についてのみ示したが、ＭＯ８トランジスタやバ
イポーラトランジスタ等、他の半導体装置の製造にも適
用できることはいうまでもない。
る場合についてのみ示したが、ＭＯ８トランジスタやバ
イポーラトランジスタ等、他の半導体装置の製造にも適
用できることはいうまでもない。
ｍ１１図および第２図は本発明の実施例１を説明するた
めの８ｉ基基板面図、第３図はタングステンハロゲンラ
ンプの出力の時間変化を示す図面、第４図は本発明の実
施例２を説明するだめのＳｉ基板の断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２，３・・・・・・熱酸化膜
、４・・・・・・不純物イオン圧入層、５・・・・・・
ＰＳＧ膜。 ｆ （２） ４ 図
めの８ｉ基基板面図、第３図はタングステンハロゲンラ
ンプの出力の時間変化を示す図面、第４図は本発明の実
施例２を説明するだめのＳｉ基板の断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２，３・・・・・・熱酸化膜
、４・・・・・・不純物イオン圧入層、５・・・・・・
ＰＳＧ膜。 ｆ （２） ４ 図
Claims (3)
- （１）不純物をイオン注入した半導体基板のアニールを
、ランプ光、レーザー光、あるいは熱輻射等の短時間ア
ニール技術を用いて基板温度８５０℃以上、時間３０秒
以下で行う工程と、該アニールの前あるいは後に少くと
も１回、基板温度８５０℃以下、時間５分以上の炉アニ
ールを行う工程を含むことを特徴とする。半導体装置の
製造方法。 - （２） ラング光等による短時間アニールが行われる前
に、前記半導体基板上に厚さ０．５μｍ以上の絶縁膜が
成長されていることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の半導体装置の製造方法。 - （３） ランプ光等による短時間アニールの前の前記炉
アニールが行われる前に、前記半導体基板上に厚さ０．
５μｍ以上の絶縁膜が成長されていることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22716883A JPS60119718A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22716883A JPS60119718A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119718A true JPS60119718A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16856549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22716883A Pending JPS60119718A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60119718A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181418A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP1035565A2 (en) * | 1999-03-05 | 2000-09-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device including high-temperature heat treatment |
-
1983
- 1983-12-01 JP JP22716883A patent/JPS60119718A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181418A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP1035565A2 (en) * | 1999-03-05 | 2000-09-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device including high-temperature heat treatment |
| EP1035565A3 (en) * | 1999-03-05 | 2004-07-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device including high-temperature heat treatment |
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