JPS6082665A - イオンビ−ムスパツタ法による多層薄膜製造方法 - Google Patents
イオンビ−ムスパツタ法による多層薄膜製造方法Info
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- JPS6082665A JPS6082665A JP58186736A JP18673683A JPS6082665A JP S6082665 A JPS6082665 A JP S6082665A JP 58186736 A JP58186736 A JP 58186736A JP 18673683 A JP18673683 A JP 18673683A JP S6082665 A JPS6082665 A JP S6082665A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 title description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000750 Niobium-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオンビームスパッタ法による薄膜製造方法
に係り、特に組成が層状に周期的変動することが必要と
される多層薄膜の作製に好適な作製方法に関する。
に係り、特に組成が層状に周期的変動することが必要と
される多層薄膜の作製に好適な作製方法に関する。
従来のイオンビームスパッタ法による薄膜作製において
は、ターゲットは、１つのイオンビームに対して１種類
のみであシ、しかも固定されていたので、作製される簿
膜の組成は１組成に限られ、多層薄膜、特に組成が膜厚
方向に周期的に変動する薄膜の作製に適さない欠点があ
った。
は、ターゲットは、１つのイオンビームに対して１種類
のみであシ、しかも固定されていたので、作製される簿
膜の組成は１組成に限られ、多層薄膜、特に組成が膜厚
方向に周期的に変動する薄膜の作製に適さない欠点があ
った。
本発明の目的は、イオンビームスパッタ法ニよる薄膜の
作製方法において、膜組成が層状に周期的変動をする多
層薄膜の製造方法を提供することにある。
作製方法において、膜組成が層状に周期的変動をする多
層薄膜の製造方法を提供することにある。
２種以上のイオンガンと２種以上のターゲットを用いｎ
ば多層膜が作製できることは自明である。
ば多層膜が作製できることは自明である。
これを唯一のイオンカンによｐ実現するためには、１つ
のイオンガンビームに対し、ターゲットが時間的・周期
的に入れかわシ、スパッタされるイオンビームの種類が
２揮以上であればよい。このためには、ターゲットを２
種以上とし、同一の回転円板あるいは回転体上に配置し
、回転軸を中心に回転させればよい。
のイオンガンビームに対し、ターゲットが時間的・周期
的に入れかわシ、スパッタされるイオンビームの種類が
２揮以上であればよい。このためには、ターゲットを２
種以上とし、同一の回転円板あるいは回転体上に配置し
、回転軸を中心に回転させればよい。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
実施例１
第１図に示すように、直径２００ｍの回転円板４上に、
３種のターゲット（１・”Ｇ ｄ＋ｓ ＣＯｓｇ 。
３種のターゲット（１・”Ｇ ｄ＋ｓ ＣＯｓｇ 。
２ ・”Ｇ ｄｚｏ ＣＯｓｏ ＋ ３−Ｍ Ｏ）を扇
状に配し、毎分３回転する。イオンガン６によシ、アル
ゴンイオンのビーム８を発生させる。その際スリット７
によシビーム径’ｆｉ＝５０ｍｍとした。このビームは
回転板４の中心から離れた一定位置に照射する。円板４
の回転に↓シ、スパッタされたイオンビームは時間的に
、ターゲット１からのもの、２からのもの、３からのも
の、さらに１からのものと順次変動した。これにより基
板に付着した膜組成は層状に、１，２，３，１，２．・
・・・・・と変動し、組成が周期的に変動した多層膜を
得た。ビーム電流７０ ｍｌ加速電圧１ｋＶの場合、一
層の厚さは約３０人であシ、３０分間の膜作製で２８０
０人の全膜厚を得た。この薄膜は光磁気記憶素子用材料
として用いるが、Ｏｃｔ、５Ｃｏｇ、単層膜と比較した
場合、Ｇ ｄｚｏ ＣＯｓｏ層によシ、保磁力が１００
０６から２ｋＯｅへと増大し、さらにＭＯ層の存在によ
シ、熱変成が著しく減少した。
状に配し、毎分３回転する。イオンガン６によシ、アル
ゴンイオンのビーム８を発生させる。その際スリット７
によシビーム径’ｆｉ＝５０ｍｍとした。このビームは
回転板４の中心から離れた一定位置に照射する。円板４
の回転に↓シ、スパッタされたイオンビームは時間的に
、ターゲット１からのもの、２からのもの、３からのも
の、さらに１からのものと順次変動した。これにより基
板に付着した膜組成は層状に、１，２，３，１，２．・
・・・・・と変動し、組成が周期的に変動した多層膜を
得た。ビーム電流７０ ｍｌ加速電圧１ｋＶの場合、一
層の厚さは約３０人であシ、３０分間の膜作製で２８０
０人の全膜厚を得た。この薄膜は光磁気記憶素子用材料
として用いるが、Ｏｃｔ、５Ｃｏｇ、単層膜と比較した
場合、Ｇ ｄｚｏ ＣＯｓｏ層によシ、保磁力が１００
０６から２ｋＯｅへと増大し、さらにＭＯ層の存在によ
シ、熱変成が著しく減少した。
実施例２
第１図中のターゲットｌをＮ ｂ３ Ｇ ｅ＋メタ−ッ
ト２をＣｕ、ターゲット３ｔ−ｓｉとすることによシ、
ＮｂａＧｅ、Ｃｕ、Ｓ ｉ、Ｎｂ３Ｇｅ・・−・−・（
７）周期多層膜を実施例１と同様にして得た。この際扇
状のターゲラ）１，２．３の面積比を２対５対ｌとする
ことによシ、Ｎｂ５Ｑｅ；１００人、ＣｕＨ２Ｏ０Ａ、
Ｓｉ、４０人の各層厚を得た。（毎分１回のターゲット
回転）。この多層膜は臨界電流（ＩＣ）の大きい超伝導
膜として用いる。Ｎｂ３Ｇｅ単層膜にくらべ、ＩＣは２
Ｘ１０’Ａ／−から８ｘ１ｏ’ Ａ／ｃｍへと増大した
。これは、Ｓｉ薄層によシピン止め点を多くし、Ｃｕ層
によシ熱対流を良くしたためと考えられる１ 〔発明の効果〕 本発明によれば、ターゲットを多種構成とし、同一軸上
に回転させることによシ、容易に、層状の組成周期をも
った薄膜が形成できる。複数のイオンガンを必要としな
いので、装置が簡略である。
ト２をＣｕ、ターゲット３ｔ−ｓｉとすることによシ、
ＮｂａＧｅ、Ｃｕ、Ｓ ｉ、Ｎｂ３Ｇｅ・・−・−・（
７）周期多層膜を実施例１と同様にして得た。この際扇
状のターゲラ）１，２．３の面積比を２対５対ｌとする
ことによシ、Ｎｂ５Ｑｅ；１００人、ＣｕＨ２Ｏ０Ａ、
Ｓｉ、４０人の各層厚を得た。（毎分１回のターゲット
回転）。この多層膜は臨界電流（ＩＣ）の大きい超伝導
膜として用いる。Ｎｂ３Ｇｅ単層膜にくらべ、ＩＣは２
Ｘ１０’Ａ／−から８ｘ１ｏ’ Ａ／ｃｍへと増大した
。これは、Ｓｉ薄層によシピン止め点を多くし、Ｃｕ層
によシ熱対流を良くしたためと考えられる１ 〔発明の効果〕 本発明によれば、ターゲットを多種構成とし、同一軸上
に回転させることによシ、容易に、層状の組成周期をも
った薄膜が形成できる。複数のイオンガンを必要としな
いので、装置が簡略である。
またターゲツト面積比を変えることにより各層間の膜厚
比も変えられるなどの副次的利点も大きい。
比も変えられるなどの副次的利点も大きい。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための一部断面
の斜視図である。 １・・・ターゲット（第１組成）、２・・・ターゲット
（第２組成）、３・・・ターゲット（第３組成）、４・
・・回転台、５・・・回転軸、６・・・イオンガン、７
・・・ビームスリット、８・・・アルゴンイオンビーム
、９・・・スパッタされたイオンのイオンビーム、１０
・・・基第 ｌ 口 第１頁の続き ［株］発 明 者 安 藤 圭 吉 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内
の斜視図である。 １・・・ターゲット（第１組成）、２・・・ターゲット
（第２組成）、３・・・ターゲット（第３組成）、４・
・・回転台、５・・・回転軸、６・・・イオンガン、７
・・・ビームスリット、８・・・アルゴンイオンビーム
、９・・・スパッタされたイオンのイオンビーム、１０
・・・基第 ｌ 口 第１頁の続き ［株］発 明 者 安 藤 圭 吉 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内
Claims (1)
- １．２種以上のターゲットを回転体上に配し、それらを
同時に回転させ、前記ターゲットにイオンビームに照射
し、前記各ターゲットの組成の膜を基板上に順次スパッ
タすることを特徴とするイオンビームスパッタ法による
多層薄膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186736A JPS6082665A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | イオンビ−ムスパツタ法による多層薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186736A JPS6082665A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | イオンビ−ムスパツタ法による多層薄膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6082665A true JPS6082665A (ja) | 1985-05-10 |
Family
ID=16193745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186736A Pending JPS6082665A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | イオンビ−ムスパツタ法による多層薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6082665A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243462A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-29 | Canon Inc | 静電荷像現像方法 |
| JPS61276967A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Hitachi Koki Co Ltd | イオンビ−ムスパツタ装置 |
| JPS63266061A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 多元素スパツタ薄膜の製造方法及びスパツタ装置 |
| JPS6473075A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Hitachi Ltd | Film forming device by ion beam sputtering |
| JPH04231462A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-08-20 | Leybold Ag | 陰極スパッタリング装置 |
| EP1239306A3 (en) * | 2001-03-05 | 2004-02-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing an optical filter having laminate film |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58186736A patent/JPS6082665A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243462A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-29 | Canon Inc | 静電荷像現像方法 |
| JPH036499B2 (ja) * | 1985-04-22 | 1991-01-30 | Canon Kk | |
| JPS61276967A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Hitachi Koki Co Ltd | イオンビ−ムスパツタ装置 |
| JPS63266061A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 多元素スパツタ薄膜の製造方法及びスパツタ装置 |
| JPS6473075A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Hitachi Ltd | Film forming device by ion beam sputtering |
| JPH04231462A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-08-20 | Leybold Ag | 陰極スパッタリング装置 |
| EP1239306A3 (en) * | 2001-03-05 | 2004-02-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing an optical filter having laminate film |
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