JPH02115365A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH02115365A JPH02115365A JP26874288A JP26874288A JPH02115365A JP H02115365 A JPH02115365 A JP H02115365A JP 26874288 A JP26874288 A JP 26874288A JP 26874288 A JP26874288 A JP 26874288A JP H02115365 A JPH02115365 A JP H02115365A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 17
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はスパッタ装置に関するものである。
第６図は従来のスパッタ装置を示す。第６図において、
チャンバ１をアースし、ターゲット２と、ウェハ４をの
せたサセプタ３との間にアルゴンカ、スを導入し、高周
波スパッタリングを行うために整合回路９によりインピ
ーダンスマツチングラトリ、高周波電力が育効に装置内
に注入されるようにして、高周波電源８のスイッチを入
れる。プラズマ中のアルゴンイオンはターゲット２に衝
突し、ターゲット２から粒子が放出（スパッタ）される
。
チャンバ１をアースし、ターゲット２と、ウェハ４をの
せたサセプタ３との間にアルゴンカ、スを導入し、高周
波スパッタリングを行うために整合回路９によりインピ
ーダンスマツチングラトリ、高周波電力が育効に装置内
に注入されるようにして、高周波電源８のスイッチを入
れる。プラズマ中のアルゴンイオンはターゲット２に衝
突し、ターゲット２から粒子が放出（スパッタ）される
。
スパッタされたアルミ２５の粒子は第７図に示すように
スパッタ粒子の方向がバラバラなので、ヴイアホール２
６の被覆性は悪い。なお、第７図において、２１はシリ
コン基板、２２は５ｉ０２膜、２３はＡＩ膜、２４はＳ
ｉ ０２ Ｍである。
スパッタ粒子の方向がバラバラなので、ヴイアホール２
６の被覆性は悪い。なお、第７図において、２１はシリ
コン基板、２２は５ｉ０２膜、２３はＡＩ膜、２４はＳ
ｉ ０２ Ｍである。
従来のスパッタ装置はターゲットとウェハ間にプラズマ
を形成し、スパッタを行っていたため、スパッタ粒子の
ウェハへのデボ（堆積）角度を制御することは困難であ
り、ヴイアホールなどにカバレージ良く堆積できないな
どの問題点があった。
を形成し、スパッタを行っていたため、スパッタ粒子の
ウェハへのデボ（堆積）角度を制御することは困難であ
り、ヴイアホールなどにカバレージ良く堆積できないな
どの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、スパッタ粒子のウェハへのデポ角度を自由に
変更できるスパッタ装置を得ることを目的とする。
たもので、スパッタ粒子のウェハへのデポ角度を自由に
変更できるスパッタ装置を得ることを目的とする。
この発明に係るスパッタ装置はターゲットトウエバ間に
スパッタ粒子の方向を制御する筒を設け、この筒を通過
できた粒子のみをデポするようにし、その際ウェハを回
転させ、かつサセプタを斜め回転させるようにしたもの
である。
スパッタ粒子の方向を制御する筒を設け、この筒を通過
できた粒子のみをデポするようにし、その際ウェハを回
転させ、かつサセプタを斜め回転させるようにしたもの
である。
この発明におけるスパッタ装置では、筒を通じてスパッ
タを行うようにしたので、均一な方向を持つスパッタ粒
子を堆積でき、さらにウェハ及びサセプタを斜め回転さ
せることにより、ヴイアホールなどを被覆性良く堆積す
ることができる。
タを行うようにしたので、均一な方向を持つスパッタ粒
子を堆積でき、さらにウェハ及びサセプタを斜め回転さ
せることにより、ヴイアホールなどを被覆性良く堆積す
ることができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるスパッタ装置を示し、
図において、１はチャンバ、２はターゲット、３はサセ
プタ、４はウェハ、５はスパッタ粒子、６はシールド板
、７はマグネット、８はＲＦ′！ｔ１ｍ、９は整合回路
、１ｏは蜂の巣形筒（方向制御器）、１１はユニバーサ
ルシロインド、１２はカム支持台、１３はカム、１４は
カムフォロア、１５は駆動装置（モータ）、１６はギヤ
、１７は筒支持台である。
図において、１はチャンバ、２はターゲット、３はサセ
プタ、４はウェハ、５はスパッタ粒子、６はシールド板
、７はマグネット、８はＲＦ′！ｔ１ｍ、９は整合回路
、１ｏは蜂の巣形筒（方向制御器）、１１はユニバーサ
ルシロインド、１２はカム支持台、１３はカム、１４は
カムフォロア、１５は駆動装置（モータ）、１６はギヤ
、１７は筒支持台である。
次に動作について説明する。
チャンバ１をアースにし、ターゲットと蜂の巣形筒１０
の間にアルゴンガスを導入し、整合回路９によりインピ
ーダンスマツチングをとり、高周波（ＲＦ）電源１０の
スイッチを入れ、プラズマ化する。但しここで、ターゲ
ットは導体でも絶縁物でも良い。今、仮にアルミを用い
る場合を考えると、プラズマ中の正のアルゴンイオンは
ターゲットに衝突し、アルミをスパッタする。放出され
たアルミ粒子５は角度分布をもっている。そこで、第２
図に示すような蜂の巣形（細い管の集合体であり、形状
は四角でも円筒でも良い）の筒１０を設けることにより
、ターゲット２からほぼ垂直にスパッタされた粒子５だ
けを取り出し、残りを筒１０の側壁にトラップさせる。
の間にアルゴンガスを導入し、整合回路９によりインピ
ーダンスマツチングをとり、高周波（ＲＦ）電源１０の
スイッチを入れ、プラズマ化する。但しここで、ターゲ
ットは導体でも絶縁物でも良い。今、仮にアルミを用い
る場合を考えると、プラズマ中の正のアルゴンイオンは
ターゲットに衝突し、アルミをスパッタする。放出され
たアルミ粒子５は角度分布をもっている。そこで、第２
図に示すような蜂の巣形（細い管の集合体であり、形状
は四角でも円筒でも良い）の筒１０を設けることにより
、ターゲット２からほぼ垂直にスパッタされた粒子５だ
けを取り出し、残りを筒１０の側壁にトラップさせる。
このようにして、方向制御されたアルミ粒子５を形成す
る。次にサセプタ３を斜め回転させる方法であるが、モ
ータ１５を２台用意する。１つ（１５ａ）はサセプタ３
を回転させるものであり、もう１つ（１５ｂ）はカム１
３を回転させるもので、それぞれ歯車１６によって連結
されている。今、モータ１５ａを回転させ、歯車１６を
通じて回転軸を通じてサセプタ３を回す。サセプタ３か
らは３つの足がカム１３につながっており、カムフォロ
ア１４はカム１３の溝に沿って動くことにより、上下動
を引き起こ曇立ミし、サセプタ３の斜め回転を可能とす
る。但し、サセプタ３の回転と上下動をスムーズにする
ためにユニバーサルシロインド１１が必要である。カム
１３が固定されている場合にはサセプタ３の上昇（下降
）場所が一定である。そこで、モータ１５ｂによりカム
１３を回転させることにより、自由に斜め回転させるこ
とが可能となる。
る。次にサセプタ３を斜め回転させる方法であるが、モ
ータ１５を２台用意する。１つ（１５ａ）はサセプタ３
を回転させるものであり、もう１つ（１５ｂ）はカム１
３を回転させるもので、それぞれ歯車１６によって連結
されている。今、モータ１５ａを回転させ、歯車１６を
通じて回転軸を通じてサセプタ３を回す。サセプタ３か
らは３つの足がカム１３につながっており、カムフォロ
ア１４はカム１３の溝に沿って動くことにより、上下動
を引き起こ曇立ミし、サセプタ３の斜め回転を可能とす
る。但し、サセプタ３の回転と上下動をスムーズにする
ためにユニバーサルシロインド１１が必要である。カム
１３が固定されている場合にはサセプタ３の上昇（下降
）場所が一定である。そこで、モータ１５ｂによりカム
１３を回転させることにより、自由に斜め回転させるこ
とが可能となる。
このようにして斜め回転させることにより、第３図に示
すように、グイアホール２６に被覆性良くスパッタする
ことができる。
すように、グイアホール２６に被覆性良くスパッタする
ことができる。
なお、上記実施例ではサセプタ全体を斜め回転させたが
、第４図の本発明の他の実施例に示すように、サセプタ
を回転及び斜め回転させる手段主をウェハごとに設け、
サセプタをウェハごとに歳差運動（コマの動き）させる
ように駆動しても良い。ここで斜め回転の機構は上記実
施例と同じである。なお、図中３０はベアリングである
。
、第４図の本発明の他の実施例に示すように、サセプタ
を回転及び斜め回転させる手段主をウェハごとに設け、
サセプタをウェハごとに歳差運動（コマの動き）させる
ように駆動しても良い。ここで斜め回転の機構は上記実
施例と同じである。なお、図中３０はベアリングである
。
また、サセプタをスパッタ粒子に対し斜め回転させる手
段としては、第５図の本発明のさらに他の実施例に示す
ように、筒１０を斜めにするようにしてもよく、この実
施例では空気圧シリンダ３０を３本設け、制御回路３１
を経てコンプレッサ３２により該空気圧シリンダの空気
圧を変化させ、ピストン３３を上下させて、筒１０を斜
めにするようにしている。但し、筒１０とピストン３３
のジーインド部にはピボット３４を設ける。
段としては、第５図の本発明のさらに他の実施例に示す
ように、筒１０を斜めにするようにしてもよく、この実
施例では空気圧シリンダ３０を３本設け、制御回路３１
を経てコンプレッサ３２により該空気圧シリンダの空気
圧を変化させ、ピストン３３を上下させて、筒１０を斜
めにするようにしている。但し、筒１０とピストン３３
のジーインド部にはピボット３４を設ける。
また以上の実施例ではプラズマ形成方法として、高周波
を使用したが、直流二極放電を利用したり、あるいは蒸
着速度を増すためにマグネトロンを併用したりしても良
い。
を使用したが、直流二極放電を利用したり、あるいは蒸
着速度を増すためにマグネトロンを併用したりしても良
い。
以上のようにこの発明によれば、スパッタ装置において
サセプタを斜め回転させる手段を設け、スパッタ粒子の
方向を一定にし、さらにウェハを回転させると同時にサ
セプタを斜め回転させるようにしたので、ヴイアホール
などに良好なカバレージを存する、即ち被覆性の良いス
パッタ膜を堆積することが可能となる効果がある。
サセプタを斜め回転させる手段を設け、スパッタ粒子の
方向を一定にし、さらにウェハを回転させると同時にサ
セプタを斜め回転させるようにしたので、ヴイアホール
などに良好なカバレージを存する、即ち被覆性の良いス
パッタ膜を堆積することが可能となる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるスパッタ装置の断面側
面図、第２図は上記実施例の方向制御用の筒の斜視図、
第３図は上記実施例により形成される半導体装置の断面
図、第４図、第５図はこの発明の他の実施例によるスパ
ッタ装置を示す図、第６図、第７図は従来例によるスパ
ッタ装置を説明する図である。 １はチャンバ、２はターゲット、３はサセプタ、４はウ
ェハ、５はプラズマ、６はシールド板、７はマグネット
、８は高周波電源、９は整合回路、１０は方向制御用の
筒、１０は蜂の巣形筒（方向制御器）、１１はユニバー
サルジ日インド、１２は力、ム支持台、１３はカム、１
４はカムフォロア、１５駆動装置（モータ）、１６はギ
ヤ、１７は筒支持台である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図は上記実施例の方向制御用の筒の斜視図、
第３図は上記実施例により形成される半導体装置の断面
図、第４図、第５図はこの発明の他の実施例によるスパ
ッタ装置を示す図、第６図、第７図は従来例によるスパ
ッタ装置を説明する図である。 １はチャンバ、２はターゲット、３はサセプタ、４はウ
ェハ、５はプラズマ、６はシールド板、７はマグネット
、８は高周波電源、９は整合回路、１０は方向制御用の
筒、１０は蜂の巣形筒（方向制御器）、１１はユニバー
サルジ日インド、１２は力、ム支持台、１３はカム、１
４はカムフォロア、１５駆動装置（モータ）、１６はギ
ヤ、１７は筒支持台である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体ウェハを載置するサセプタと、 スパッタすべきターゲットと上記サセプタとの間に設け
られた、スパッタ粒子の方向を一定にするための筒と、 前記半導体ウェハを回転させる手段と、 前記半導体ウェハを回転させながら前記サセプタをスパ
ッタすべきターゲットに対し斜め回転させる手段とを備
えたことを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268742A JPH0772345B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268742A JPH0772345B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | スパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02115365A true JPH02115365A (ja) | 1990-04-27 |
| JPH0772345B2 JPH0772345B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=17462712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268742A Expired - Lifetime JPH0772345B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772345B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04143274A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Shinku Kikai Kogyo Kk | 薄膜形成装置 |
| US11056323B2 (en) * | 2017-11-01 | 2021-07-06 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus and method of forming film |
| CN114774849A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-07-22 | 西安超纳精密光学有限公司 | 一种精确控制曲率的小口径大曲率局部离子溅射镀膜系统及方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243167A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-29 | Anelva Corp | スパツタ装置 |
| JPS62199768A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成装置 |
| JPS62250171A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 成膜方法 |
| JPS63108512A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Yamaha Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63310965A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63268742A patent/JPH0772345B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243167A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-29 | Anelva Corp | スパツタ装置 |
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| JPS62250171A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 成膜方法 |
| JPS63108512A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Yamaha Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63310965A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04143274A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Shinku Kikai Kogyo Kk | 薄膜形成装置 |
| US11056323B2 (en) * | 2017-11-01 | 2021-07-06 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus and method of forming film |
| CN114774849A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-07-22 | 西安超纳精密光学有限公司 | 一种精确控制曲率的小口径大曲率局部离子溅射镀膜系统及方法 |
| CN114774849B (zh) * | 2022-03-17 | 2023-12-08 | 西安超纳精密光学有限公司 | 一种精确控制曲率的小口径大曲率局部离子溅射镀膜系统及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0772345B2 (ja) | 1995-08-02 |
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