JPS61159571A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS61159571A JPS61159571A JP17685A JP17685A JPS61159571A JP S61159571 A JPS61159571 A JP S61159571A JP 17685 A JP17685 A JP 17685A JP 17685 A JP17685 A JP 17685A JP S61159571 A JPS61159571 A JP S61159571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- sputtering
- holder
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタリング装置に関するものである。
従来の装置は例えば、特開昭５７−４１３６９号公報に
記載のように、密閉箱体の中に取入室。
記載のように、密閉箱体の中に取入室。
Ｎｌ収納室、スバブタエブチ室、スパブタ室、冷却室、
第２収納室および取出室の７室に分かれコ字形に配列さ
れて、密閉箱体外部の取入室側には第１外部収納手段が
設けられ、取出室側には第２外部収納手段が設けられた
連続真空電極装置がある。
第２収納室および取出室の７室に分かれコ字形に配列さ
れて、密閉箱体外部の取入室側には第１外部収納手段が
設けられ、取出室側には第２外部収納手段が設けられた
連続真空電極装置がある。
二の装置は、！１体外収納手段部に集められた基板を取
入室か密閉箱体内に取り込み、第１収納室に送って該第
１収納室を密閉箱体内での電極圧力状態に合わせ、第１
収納室から基板を１枚ずつ送り、まずスパブタエブチ室
で基板にスパプタエブチ電極をし、次にスパツタ室に送
られ、基板へのスパッタ電極後は冷却室に送られて冷や
され、電極済みの基板は冷却室から第２収納室に送られ
て集められ、取出室に送られて該取出室を密閉箱体外の
外気状態に合わせ、基板を第２収納手段部に送って密閉
箱体かち取り出すことにより、基板のスパッタ電極を終
了するものである。スパッタ電極室には、スパッタ電極
が２箇所設けられ、平面的に送られた基板を垂直に起こ
してスパッタ電極に対向させて、２回に分けてスパッタ
電極するようになっている。
入室か密閉箱体内に取り込み、第１収納室に送って該第
１収納室を密閉箱体内での電極圧力状態に合わせ、第１
収納室から基板を１枚ずつ送り、まずスパブタエブチ室
で基板にスパプタエブチ電極をし、次にスパツタ室に送
られ、基板へのスパッタ電極後は冷却室に送られて冷や
され、電極済みの基板は冷却室から第２収納室に送られ
て集められ、取出室に送られて該取出室を密閉箱体外の
外気状態に合わせ、基板を第２収納手段部に送って密閉
箱体かち取り出すことにより、基板のスパッタ電極を終
了するものである。スパッタ電極室には、スパッタ電極
が２箇所設けられ、平面的に送られた基板を垂直に起こ
してスパッタ電極に対向させて、２回に分けてスパッタ
電極するようになっている。
スパッタ電極を２回に分けて行うことによって、待ち時
間がなくなり基板がスムーズに流れていき、またスパッ
タ電極時の成膜もｌｌｉ所で電極するのに比べより均一
な成膜が期待できるが、スパブタ電極に対して基板は正
対して垂直に位置しているため、スパッタ粒子が任意に
飛散するとはいっても、基板面の段差部での基板面に対
して直角方向の面においては、かなり斜めから入ってく
るスパッタ粒子が多（、該面に対して直角に近い角度か
ら入ってくるスパッタ粒子が少いので、基板面の段差部
でのステップカバレージに不均一を生じる可能性がある
という問題がある。
間がなくなり基板がスムーズに流れていき、またスパッ
タ電極時の成膜もｌｌｉ所で電極するのに比べより均一
な成膜が期待できるが、スパブタ電極に対して基板は正
対して垂直に位置しているため、スパッタ粒子が任意に
飛散するとはいっても、基板面の段差部での基板面に対
して直角方向の面においては、かなり斜めから入ってく
るスパッタ粒子が多（、該面に対して直角に近い角度か
ら入ってくるスパッタ粒子が少いので、基板面の段差部
でのステップカバレージに不均一を生じる可能性がある
という問題がある。
本発明の目的は、段差部を有する基板面をターゲツト面
に対して傾けることにより、段差部でのステップカバレ
ージに不均一を生じることなく、膜厚の良好な薄膜を一
様に得られるスパッタ粒子を提供することにある。
に対して傾けることにより、段差部でのステップカバレ
ージに不均一を生じることなく、膜厚の良好な薄膜を一
様に得られるスパッタ粒子を提供することにある。
真空室内にプラズマを起こさせるスパブタ電極と、プラ
ズマによりスパッタ粒子が飛び出るターゲットと、スパ
ッタ粒子の付着により表面に成膜される基板を支持する
基板ホルダとを有するスパブタリング装置において、基
板をターゲットに対して傾斜させる傾斜手段と、傾斜し
た基板への成↓ 膜中に基板の傾斜面を変える基板傾斜面変更手段徴 とを設けたことを特番とし、段差部を有する基板面をタ
ーゲツト面に対して傾けることによって段差部でのステ
ップカバレージに不均一を生じることなく、膜厚の良好
な薄膜を一様に得られるようにしたものである。
ズマによりスパッタ粒子が飛び出るターゲットと、スパ
ッタ粒子の付着により表面に成膜される基板を支持する
基板ホルダとを有するスパブタリング装置において、基
板をターゲットに対して傾斜させる傾斜手段と、傾斜し
た基板への成↓ 膜中に基板の傾斜面を変える基板傾斜面変更手段徴 とを設けたことを特番とし、段差部を有する基板面をタ
ーゲツト面に対して傾けることによって段差部でのステ
ップカバレージに不均一を生じることなく、膜厚の良好
な薄膜を一様に得られるようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を第１図と第２図とにより説明
する。
する。
スパッタリング装！！１０は、等角の多角形式の真空容
器１１と、該真空容器１１の多角形壁面にそれぞれ設け
た開口１４部の外側に基板面の取入取出室ｍと、前電極
室刃と、スパッタ室４０ａないし４０ｄとを設けて成る
。真空容器１１は中央部に凹みを有する！認が取付けら
れて主真空室１５を形成し、開口１４部の内側に傾斜面
を持つホルダ受け４１ ａないし４１ ｄが設けである
。蓋セの凹部には開口１４に対向する基板ホルダ１７を
板ばね１６を介して伸縮自在に取付けた回転ドラム１３
が設けてあり、蓋校の凹部内側にはガイド詔が取付けて
ありブツシャ１９を案内して、駆動手段に連結されたブ
ツシャ１９を出し入れすることによって、回転ドラム１
３に取付けた基板ホルダ１７をホルダ受け４１ ａない
し４１ ｄに押圧離脱せしめる。プブシャ四の駆動手段
としてはシリンダやカム等によって出し入れする方法が
ある。
器１１と、該真空容器１１の多角形壁面にそれぞれ設け
た開口１４部の外側に基板面の取入取出室ｍと、前電極
室刃と、スパッタ室４０ａないし４０ｄとを設けて成る
。真空容器１１は中央部に凹みを有する！認が取付けら
れて主真空室１５を形成し、開口１４部の内側に傾斜面
を持つホルダ受け４１ ａないし４１ ｄが設けである
。蓋セの凹部には開口１４に対向する基板ホルダ１７を
板ばね１６を介して伸縮自在に取付けた回転ドラム１３
が設けてあり、蓋校の凹部内側にはガイド詔が取付けて
ありブツシャ１９を案内して、駆動手段に連結されたブ
ツシャ１９を出し入れすることによって、回転ドラム１
３に取付けた基板ホルダ１７をホルダ受け４１ ａない
し４１ ｄに押圧離脱せしめる。プブシャ四の駆動手段
としてはシリンダやカム等によって出し入れする方法が
ある。
スパッタ室４０ａないし４Ｑｄ内には基板ホルダ１７に
対向するターゲットＣと、該ターゲットを支持するスパ
ッタ電極葛が設けである。開口１４部に設けた傾斜手段
であるホルダ受け４１ ａないし４１ ｄは、それぞれ
ターゲット４２と角度θをもって向い合い、スパッタ室
４０ａないし４０ｄではそれぞれ角度θの傾き面が異な
り、スパッタ室４０ａでは基板面が下向きになる位置で
、スパッタ室４０ｂでは基板面が上向きになる位置で、
スパッタ室４０ｃでは基板面が右向きになる位置で、ス
パッタ室４０ｄでは基板面が左向きになる位置で、スパ
ッタ室４０ａから荀ｄを合わせると、基板面が角度θ傾
いたまま傾斜面を変えて３６０度回ったことと同じにな
るように、基板傾斜面変更手段であるホルダ受け４１
ａないし４１ ｄを設けている。
対向するターゲットＣと、該ターゲットを支持するスパ
ッタ電極葛が設けである。開口１４部に設けた傾斜手段
であるホルダ受け４１ ａないし４１ ｄは、それぞれ
ターゲット４２と角度θをもって向い合い、スパッタ室
４０ａないし４０ｄではそれぞれ角度θの傾き面が異な
り、スパッタ室４０ａでは基板面が下向きになる位置で
、スパッタ室４０ｂでは基板面が上向きになる位置で、
スパッタ室４０ｃでは基板面が右向きになる位置で、ス
パッタ室４０ｄでは基板面が左向きになる位置で、スパ
ッタ室４０ａから荀ｄを合わせると、基板面が角度θ傾
いたまま傾斜面を変えて３６０度回ったことと同じにな
るように、基板傾斜面変更手段であるホルダ受け４１
ａないし４１ ｄを設けている。
このような構成によって、取入取出室頷の開口１４に基
板ホルダ１７を押し付けて、主真空室１５を真空に保持
しておき、取入取出室ｍから基板間を入れて、基板ホル
ダ１７に基板間を取付け、取入取出室美を真空にしてか
ら基板ホルダ１７を回転ドラム１３に引き付ける。基板
ホルダ１７の引き付けはブツシャ１９がＭ１２の凹部の
外面まで入ることによりて、板ばね１６が縮み基板ホル
ダ１７を回転ドラム１３側に引き付ける。基板面を支持
した基板ホルダ１７は回転ドラム１３が等角に設けられ
た開口１４の一角分回ることにより、次の前電極室刃の
位置に来て、前電極室刃の位置に設けられたブツシャ１
９が突き出て基板ホルダ１７を前電極室刃の開口１４部
に押し付け、前電極室間と主真空室１５とを仕切り基板
刃の前電極を行い、終了すれば前記同様、基板ホルダ１
７を引込め次のスパッタ室４０ａの前へ回転移動する。
板ホルダ１７を押し付けて、主真空室１５を真空に保持
しておき、取入取出室ｍから基板間を入れて、基板ホル
ダ１７に基板間を取付け、取入取出室美を真空にしてか
ら基板ホルダ１７を回転ドラム１３に引き付ける。基板
ホルダ１７の引き付けはブツシャ１９がＭ１２の凹部の
外面まで入ることによりて、板ばね１６が縮み基板ホル
ダ１７を回転ドラム１３側に引き付ける。基板面を支持
した基板ホルダ１７は回転ドラム１３が等角に設けられ
た開口１４の一角分回ることにより、次の前電極室刃の
位置に来て、前電極室刃の位置に設けられたブツシャ１
９が突き出て基板ホルダ１７を前電極室刃の開口１４部
に押し付け、前電極室間と主真空室１５とを仕切り基板
刃の前電極を行い、終了すれば前記同様、基板ホルダ１
７を引込め次のスパッタ室４０ａの前へ回転移動する。
スパッタ室４０ａでは基板刃を支持した基板ホルダ１７
が、スパッタ室４０ａの位置に設けられたプブシャ１９
の押し出しによってホルダ受４１ ａに押し当てられ、
ターゲット４２と角度θをもってスパッタ電極される。
が、スパッタ室４０ａの位置に設けられたプブシャ１９
の押し出しによってホルダ受４１ ａに押し当てられ、
ターゲット４２と角度θをもってスパッタ電極される。
スパッタ電極はスパツタ室４０ａから４０ｄによって行
われ、スパッタ室４０ａではこの内の４分の１を行う。
われ、スパッタ室４０ａではこの内の４分の１を行う。
なおスパッタ室の一室におけるスパッタ室は多角面に設
けられたスパッタ室の数で決まり、−周することによっ
てスパッタ電極が終了する。スパッタ室４０ａでの電極
を終えた基板刃は次のスパッタ室４０ｂに送られ、傾斜
面を変えられてスパッタ電極される。以下同様にスパッ
タ室４０ｃおよびスパッタ室４０ｄにおいてスパッタ電
極された基板刃は、最終的に取入取出室Ｉに戻り取り出
されてスパッタ電極を終了する。
けられたスパッタ室の数で決まり、−周することによっ
てスパッタ電極が終了する。スパッタ室４０ａでの電極
を終えた基板刃は次のスパッタ室４０ｂに送られ、傾斜
面を変えられてスパッタ電極される。以下同様にスパッ
タ室４０ｃおよびスパッタ室４０ｄにおいてスパッタ電
極された基板刃は、最終的に取入取出室Ｉに戻り取り出
されてスパッタ電極を終了する。
以上本−実施例によれば、基板刃を傾けてスパッタリン
グできるので、スパッタ粒子が基板面の段差部での基板
面に対して直角方向の面にも当たり易（なって、ステッ
プカバレージの良好な成膜ができ、また傾斜面を変える
ことができるので、基板平面の３６０度のどの方向の段
差部にも同条件でスパッタ粒子を当てられ、基板全面に
ついてステップカバレージが良好で膜厚の均一な成膜が
できて、膜の段切れや膜厚の減少がな（なる。
グできるので、スパッタ粒子が基板面の段差部での基板
面に対して直角方向の面にも当たり易（なって、ステッ
プカバレージの良好な成膜ができ、また傾斜面を変える
ことができるので、基板平面の３６０度のどの方向の段
差部にも同条件でスパッタ粒子を当てられ、基板全面に
ついてステップカバレージが良好で膜厚の均一な成膜が
できて、膜の段切れや膜厚の減少がな（なる。
なお、本−実施例では基板面を傾斜させているが、逆に
ターゲット側を傾斜させてもよい。
ターゲット側を傾斜させてもよい。
次に本発明の他の実施例を第３図により説明する。
スパッタ室ω内には、ターゲット６２を支持するスパッ
タ電極６１が取付けてあり、該ターゲット軸に対向して
基板７４を支持する基板ホルダｎが、傾斜手段としてタ
ーゲット６２の面と角度θをもって傾くように、スパッ
タ室ωに取付けた傾斜面変更手段であるモータ７０に軸
ｎを介して取付けられている。軸７１はスパッタ室ωに
設けられた軸受ｎとモータ７０とによって回転可能に支
持されている。
タ電極６１が取付けてあり、該ターゲット軸に対向して
基板７４を支持する基板ホルダｎが、傾斜手段としてタ
ーゲット６２の面と角度θをもって傾くように、スパッ
タ室ωに取付けた傾斜面変更手段であるモータ７０に軸
ｎを介して取付けられている。軸７１はスパッタ室ωに
設けられた軸受ｎとモータ７０とによって回転可能に支
持されている。
基板７４はスパッタ室ωに設けた取入取出室ωから、公
知技術による搬送手段で基板ホルダ７２に取付けられる
。
知技術による搬送手段で基板ホルダ７２に取付けられる
。
上記のような構成において、前電極された基板７４が取
入取出室田から搬入され、基板ホルダｎに取付けられ、
モータ７０が回って軸ｎを介し基板ホルダπが回って基
板７４を、角度θをもったまま回転させ、ターゲット６
２からのスパッタ粒子によっテ基板７４に成膜をしてい
く。モータの回転は、一定時間を置いて段階的に回転し
たり、連続的に回転したりしてもよい。
入取出室田から搬入され、基板ホルダｎに取付けられ、
モータ７０が回って軸ｎを介し基板ホルダπが回って基
板７４を、角度θをもったまま回転させ、ターゲット６
２からのスパッタ粒子によっテ基板７４に成膜をしてい
く。モータの回転は、一定時間を置いて段階的に回転し
たり、連続的に回転したりしてもよい。
また回転手段としては、ゼネバ歯車を使用してモータで
回したり、軸６１をクランク軸にしてシリンダ又はスク
リュー等による往復運動を駆動源とするものを使用して
回転運動に変えたり、軸６１にら旋状のガイドを付けて
該ガイドな直線運動する案内手段で案内することにより
軸６１を回転させたりしてもよい。
回したり、軸６１をクランク軸にしてシリンダ又はスク
リュー等による往復運動を駆動源とするものを使用して
回転運動に変えたり、軸６１にら旋状のガイドを付けて
該ガイドな直線運動する案内手段で案内することにより
軸６１を回転させたりしてもよい。
以上、本実施例によれば基板７４を傾けたまま傾斜面を
回転させることができるので、段差部でのステップカバ
レージが良好で膜厚の均一な成膜ができて、膜の段切れ
や膜厚の減少がなくなる。
回転させることができるので、段差部でのステップカバ
レージが良好で膜厚の均一な成膜ができて、膜の段切れ
や膜厚の減少がなくなる。
本発明によれば、段差部を有する基板面をターゲット側
に対して傾けることかでさるので、段差部でのステップ
カバレージに不均一を生じることなく、膜厚の良好な薄
膜を一様に得られるという効果がある。
に対して傾けることかでさるので、段差部でのステップ
カバレージに不均一を生じることなく、膜厚の良好な薄
膜を一様に得られるという効果がある。
＠１図は本発明の一実施例であるスパッタ電極を示す平
断面図、ＩＪ２図は第１図をＡＡから見た側断面図、第
３図は本発明の他の実施例であるスパッタ電極を示す平
断面図である。 １７．７２・・・・・・基板ホルダ、４１ ａないし４
１ ｄ・開・ホ代理人 升埋士 配：皺＝刊＝弐 才１閏 才３図 安−一−−基植ホｌしグ ア４＝−一基板
断面図、ＩＪ２図は第１図をＡＡから見た側断面図、第
３図は本発明の他の実施例であるスパッタ電極を示す平
断面図である。 １７．７２・・・・・・基板ホルダ、４１ ａないし４
１ ｄ・開・ホ代理人 升埋士 配：皺＝刊＝弐 才１閏 才３図 安−一−−基植ホｌしグ ア４＝−一基板
Claims (1)
- １、真空室内にプラズマを起こさせるスパッタ電極と、
プラズマによりスパッタ粒子が飛び出るターゲットと、
スパッタ粒子の付着により表面に成膜される基板を支持
する基板ホルダとを有するスパッタリング装置において
、基板をターゲットに対して傾斜させる傾斜手段と、傾
斜した基板への成膜中に基板の傾斜面を変える基板傾斜
面変更手段とを設けたことを特徴とするスパッタリング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17685A JPS61159571A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17685A JPS61159571A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159571A true JPS61159571A (ja) | 1986-07-19 |
Family
ID=11466697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17685A Pending JPS61159571A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159571A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137166A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | スパツタ装置 |
| JPS6442577A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | Ion treating device |
| US7563349B2 (en) * | 2004-10-15 | 2009-07-21 | Cyg Corporation | Sputtering device |
-
1985
- 1985-01-07 JP JP17685A patent/JPS61159571A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137166A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Nec Corp | スパツタ装置 |
| JPS6442577A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | Ion treating device |
| US7563349B2 (en) * | 2004-10-15 | 2009-07-21 | Cyg Corporation | Sputtering device |
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