JPH02240261A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置等の薄膜製造工程に用いるスパッ
タリング装置に関するものである。

〔従来の技術〕

スパッタリング技術は、原料に固体を用いる薄膜形成技
術の一つであり、金属の薄膜化等種々の用途に幅広く用
いられている。

第５図は「特開昭６２−６０８６７号」に示されている
従来の平行平板型スパッタリング装置の模式的断面図で
あり、図中１は真空の容器を示している。

容器１の上底中央には、出力軸１０ａを容器１内に下向
きに突出させて基板ホルダ駆動モータ１０が固着されて
おり、前記出力軸１０ａには、試料の基板３を保持する
基板ホルダ２が固着されている。

容器１内のこの基板ホルダ２と対向する位置にはシャン
ク４を介してターゲット６が設けられて、おり、ターゲ
ット６は容器ｌの上底中央に固着され、スパッタ電源１
１と接続しているターゲットホルダ５によって支持され
ている。

またターゲットホルダ５内には、断面が矩形のヨーク１
９が配設され、ヨーク１９上の両端及び中央には夫々永
久磁石１８．１８．１８が設けられている。そして、タ
ーゲットホルダ５の底部にはターゲットホルダ５を冷却
するための冷却水人出ロア、７が置設されている。さら
に容器１の一側壁には、ガス導入バルブ１２を介してス
パッタ用ガスを真空の容器１内に供給するガス導入管１
３が固設されており、容器１の下底一端側には、容器ｌ
外部の排気ポンプ９と接続する排気バルブ８を介して容
器ｌ内のガスを排気する排気口２０が設けられている。

このような構造をなす従来のスパッタリング装置では以
下のような操作にて基板３上に薄膜が形成される。まず
容器ｌ内を所定の真空度になるまで排気バルブ８を開放
にした状態で、排気ポンプ９を用いて排気口２０から排
気した後、ガス導入バルブ１２を開放にしてガス導入管
１３からスパッタ用ガスを容器ｌ内に導入する。次いで
基板ホルダ駆動モータ１０を用いて基板３を回動させな
がら、基板ホルダ２とそれに対向するターゲットホルダ
５との間にスパッタ電源１１を用いて高周波又は直流電
圧をターゲット６が負電位となるよう印加し、容器１内
に導入されたスパッタ用ガスをプラズマ状態にする。そ
して、プラズマ中のイオンをターゲット６に引き込み、
衝突させ、スパッタリングされたターゲット６の原子を
基板３上に付着させて、薄膜を形成させる。このような
従来の平行平板型スパッタリング装置は、単純な構造で
あるのに加えてターゲット及び基板の大型化も容易であ
り、さらにターゲット表面付近に磁場を付加することに
より容器内のプラズマ密度を増加して、基板上の膜堆積
速度を早める、いわゆるマグネトロンスパッタ法を用い
ることができる等の利点を有し、現在スパッタリング装
置の主流となっている。

しかしながら、この平行平板型スパッタリング装置では
、数百Ｖ〜数ｋＶの強い負電圧が印加されたターゲット
と対向する位置に基板を配設しているため、ターゲット
から飛び出した二次電子、負イオン等の高速粒子が直接
基板に入射し、形成中の薄膜に損傷を与えてしまうとい
う問題があった。

またスパツクされたターゲット原子の多くは、垂直に基
板に入射するため、基板上に段差や微細な溝がある場合
は、その側壁における膜付着が少なく、いわゆる段差被
覆性（ステップカバレッジ）に劣るという問題があった
。

これらの問題点を解決する手段の一つとして、「特開昭
６１−２７９６７４号」に示されているような対向ター
ゲット式スパッタリング装置（ＦＴＳ）が挙げられる。

第６図は従来の対向ターゲット式スパッタリング装置の
模式的断面図であり、容器１に固設されているターゲッ
トホルダ５の位置が第５図の平行平板型スパッタリング
装置と異なっている。

即ち、第５図では、容器１の上底中央の基板ホルダ２に
保持されている基Ｆｉ３と対向する位置にターゲット６
が配設されていたのに対し、第６図では、容器ｌ内にお
いて前記基板３と垂直な方向に、対向する一対のターゲ
ット６．６が夫々配設されている。そして、該ターゲッ
ト６．６は、容器ｌの両側壁中央に夫々固着され、スパ
ッタ電源１１と接続しているターゲットホルダ５．５に
よって支持されている。また、ターゲット６．６のスパ
ッタリングされる面と反対の面、つまりターゲットホル
ダ５．５内のターゲット６．６の面の両端には永久磁石
１８．１８がターゲット６．６のスパッタリングされる
面に垂直方向の磁界を発生させるべく夫々配設されてい
る。

このような構造をなす対向ターゲット式スパッタリング
装置では、上述の平行平板型スパッタリング装置と同様
にして、４容器１内にスパッタ用ガスを導入した後、タ
ーゲット６．６が負電位となるようスパッタ電源１１を
用いて高周波又は直流電流を印加すると、ターゲット６
．６間にグロー放電が生じる。一方、対向する永久磁石
１８．１８によりターゲット６，６間には、ターゲット
６．６に対して垂直方向の磁界が形成されるため、電子
がターゲラ）−６，６間の磁力線に拘束されて、ターゲ
ット６．６間のみでプラズマが発生する。そして、この
プラズマ中の金属原子が基板３の表面に被着されて、薄
膜が形成される。

従って対向ターゲット式スパッタリング装置では、基板
３がプラズマに曝されず、しかも基板３とターゲット６
とは互いに垂直方向に形成されているため、プラズマ中
又はターゲットから放出された高速粒子による形成中の
薄膜の損傷がないという利点がある。

また、基板３へのターゲットがスパッタリングされて発
生したスパッタ粒子の入射角度も適宜調整可能であり、
ステップカバレッジも優れているという利点がある。

また、平行平板型スパッタリング装置の問題点を解決す
る他の手段として、［特開昭６１−１１４５１８号」に
示されているようなＥＣＲプラズマスパッタリング（Ｅ
ＣＲＳ）装置が挙げられる。第７図は従来のＥＣＲプラ
ズマスパッタリング装置の模式的断面図であり、図中１
ａはプラズマ生成室を示している。

プラズマ生成室１ａの上部壁中央にはマイクロ波導入窓
１４を、更にマイクロ波導入窓１４と対向する下部壁中
央にはプラズマ引出窓２１を夫々備えており、このプラ
ズマ引出窓２１に臨ませて試料室１ｂが配設されている
。マイクロ波導入窓１４には他端を図示しない高周波発
振器に接続したマイクロ波導波管１５の一端が接続され
、プラズマ生成室１ａ及びこれに接続したマイクロ波導
波管１５の一端部にわたってこれらを囲むように励磁コ
イル１６が配設されている。

また、試料室ｌｂ内のシャッタ４を介して前記プラズマ
引出窓１４と対向する位置には、基板ホルダ２及びそれ
に載置する基板３が置設されている。

前記基板ホルダ２は前述のスパッタリング装置と同様に
基板ホルダ駆動モータ１０の出力軸１０ａに固着されて
おり、プラズマ試料室１ａには、やはり前述のスパッタ
リング装置と同様に、ガス、導入管１３及び排気口２０
が設けられている。さらに、プラズマ試料室ｌｂ内にお
けるプラズマ引出窓２１の開口部直下の周縁に臨ませて
円筒型のターゲット６がターゲットホルダ５に包持され
て配設されている。

そしてターゲットホルダ５には、冷却水人出ロア。

７が設けられ、またスパッタ電源１１が接続されている
。上述した構造をなすＥＣＲ５装置では上述のスパッタ
リング装置と同様にして、容器ｌ内にスパッタ用ガスを
導入した後、マイクロ波導波管１５を通じてプラズマ生
成室ｌａ内にマイクロ波を導入すると共に励磁コイル１
６に通電して磁界を形成し、プラズマ生成室１内に高イ
オン化率のプラズマを生成させる。プラズマは、励磁コ
イル１６にて形成される発散磁界により、プラズマ引出
窓２１を通じて試料室２ｂ内に導入され、数ｅＶ〜数十
ｅＶの低エネルギのイオン衝撃を基板３に与えつつ、タ
ーゲット６に印加された負電圧によって加速された状態
でターゲット６表面に入射する。そして、ターゲット６
の原子がスパッタリングされて、基板３の表面に被着し
、薄膜が形成される。

このようにＥＣＲ５装置においても、ターゲット６から
放出される高速粒子は基板３に入射せず、損傷の少ない
成膜が可能であり、さらに基板バイアス又は磁場制御に
より所望のエネルギのイオン照射が可能であり、高品位
膜が得られるという利点がある。また、プラズマ生成電
力とスパッタリング電力とが夫々独立であるため、ター
ゲット６への衝突イオン数とエネルギとを夫々独立に制
御でき、ターゲット６の材質に適したスパッタリング条
件の設定が可能であるという利点を有している。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上述の対向ターゲット式スパッタリング
装置においては、スパッタ粒子の基板への入射が基板の
斜め方向の２方向からに限定されるため、ステップカバ
レッジの問題を完全に解決するには、上述した如く基板
ホルダ駆動モータを用い、出力軸を中心として基板を回
動させる等の工夫が必要であった。また、ターゲットか
ら飛び出したスパッタ粒子が基板に付着する割合が低く
、ターゲツト材の利用効率が悪いという問題を有してい
た。

また、上述した如（、ＥＣＲ５装置においては、真空の
容器がプラズマ生成室と試料室とから成るため、装置が
かなり大型であり、対向ターゲット式スパッタリング装
置と同様にターゲツト材の利用効率が悪いという問題を
有していた。

本発明は係る事情に鑑みてなされたものであり、真空の
容器内の基板上の空間に少なくとも３個のターゲットホ
ルダを配設し、それに支持されるターゲットに電圧を印
加するか接地するかを選択する手段を備えることにより
容器内の基板に、損傷が少なく、ステップカバレッジに
優れた薄膜が形成でき、さらに、ターゲツト材の利用効
率が高いスパッタリング装置の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係るスパッタリング装置は、試料基板を支持す
る基板ホルダ及びターゲットを支持するターゲットホル
ダを容器内に備え、前記ターゲットに電圧を印加すると
共に容器内のガスをプラズマ化して、前記ターゲットを
スパッタせしめ、前記試料基板に膜を形成するスパッタ
リング装置において、前記試料基板上の空間を囲むよう
に配設された少なくとも３個の前記ターゲットホルダと
、それに支持されるターゲット夫々に電圧を印加するか
、又は接地するかを選択する手段とを備えていることを
特徴とする。

〔作用〕

本発明装置にあっては、容器内の試料基板上の空間を囲
むように配設された少なくとも３個のターゲットホルダ
とそれに支持されるターゲット夫々に電圧を印加するか
、接地するかを選択する手段とを備えているので、全タ
ーゲットの半数未満のターゲットに電圧を印加し他のタ
ーゲットを接地すれば、電圧を印加されているターゲッ
トには十分な負のバイアスが励起される。そして、印加
されているターゲットから生じたスパッタ粒子は、容器
１内の試料基板又は接地されたターゲットに付着する。

このため、ターゲツト材の利用効率が向上する。

また、前記ターゲット夫々に所定時間ごとに順次電圧を
印加することにより、それに伴ってターゲット間で発生
するプラズマの位置が異なり、発生したスパッタ粒子が
あらゆる角度から試料基板上に入射し、ステップカバレ
ッジが良好な薄膜が試料基板上に形成される。

〔実施例〕

以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に詳
述する。

第１図は本発明に係るスパッタリング装置の模式的断面
図であり、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図である。第
１図及び第２図においてｌは両底を有する筒状の真空の
容器を示しており、その両底部中央には夫々軸２３ａを
容器１内に下向きに突出させて基板ホルダ支持台２３が
固着されている。

夫々の前記軸２３ａ、２３ａには、シャッタ４．４を介
して対向する試料基板（以下基板とする）３．３を支持
する基板ホルダ２．２が夫々固着されている。

また、容器１側壁の内側の周縁部の前記基Ｆｉ３　。

３と垂直な方向には、該周縁を６分画してターゲラｌ−
６，６・・・が配設されている。そして、該ターゲット
６．６・・・は容器１の側壁中央に夫々固設されている
ターゲットホルダ５，５・・・によって保持され、夫々
のターゲットホルダ５，５・・・には高周波又は直流電
圧を印加するスパッタ電源１１に接続するか、接地する
かを切り替えるスイッチ２２が接続されている。また、
ターゲットホルダ５，５・・・の夫々の底部にはターゲ
ットホルダ５．５・・・を冷却するための冷却水人出ロ
ア、７が置設されている。さらに容器１の側壁上部の所
定位置にガス導入バルブ１２を介してスパッタ用ガスを
容器１内に供給するガス導入管１３が固設されており、
容器１の下底の一端側には、容器１外部の排気ポンプ９
と接続する排気バルブ８を介して容器１内のガスを排気
する排気口２０が設けられている。本実施例のスパッタ
リング装置では以下のような操作にて基板３．３上に薄
膜が形成される。

まず、排気バルブ８を開放し、排気ポンプ９を用いて容
器１内が所定の真空度となるまで排気した後、ガス導入
バルブ１２を開放にしてガス導入管１３からスパッタ用
ガスを容器ｌ内に導入する。

次いで、容器１側壁の６個のターゲット６．６・・・の
うち対向する２個のターゲット６．６のみスイッチ２２
．２２をスパッタ電源１１．１１に接続するよう切り替
えて、前記ターゲット６．６に負電位の電圧を印加し、
また残りの４個のターゲット６゜６・・・は接地された
状態にする。このとき、例えば対向する１対のターゲッ
ト６．６のスイッチ２２．２２を対ごとに順次切り換え
て、電圧が印加されたターゲット６．６が順次変わるよ
うにする。印加されているターゲット６．６間では容器
１内に導入されているスパッタ用ガスがプラズマ状態と
なり、ターゲット６．６に引き込まれ、スパッタリング
させる。

そして、スパッタリングされたターゲット６゜６の原子
を基板３．３上に付着させて薄膜を形成させる。この実
施例においては上述したように印加させるターゲット６
．６を順次変えていくので、該ターゲット６．６間で発
生するプラズマの位置がそれに伴って変化し、従来のよ
うに基板ホルダ駆動モータを用いて基板３．３を回動さ
せなくても基板３．３にステップカバレッジの良い膜が
形成できる。

また、成膜時において、接地された状態のターゲット６
．６・・・が設けられているので、印加されたターゲッ
ト６．６がスパッタリングされて生じたスパッタ粒子の
うち、基板３，３に付着しないものはほとんど接地され
た状態のターゲット６゜６・・・に付着され、ターゲッ
ト６．６・・・材の利用効率が非常に高くなる。

なお、本実施例において、電圧を印加する一対のターゲ
ット６．６を変化させるとき、例えばタイマーを用いて
自動的に変化させても良い。

また、本実施例において６個のターゲット６゜６・・・
を用いたが、少なくとも３個のターゲット６゜６・・・
が配設されれば良く、従って６個より多くのターゲット
６．６・・・を用いても良い。

また、本実施例において、容器１内に設けられたターゲ
ット６．６のうち対向する一対のターゲット６．６にの
み電圧を印加させたが、これに替えて容器１内に設けら
れたターゲット６．６の半数未満のターゲット６に電圧
を印加させても良い。

ここで、本発明において容器１内に設けるターゲット６
を少なくとも３個としたのは、以下の理由による。即ち
、ターゲット６材の利用効率を上げるためには、例えば
基板３の表面以外の容器１内面を全てターゲット６材に
て構成することが考えられるが、このような構成では、
前記ターゲット６材と基板３との間に高周波又は直流電
圧を印加しても、基板３に比べてターゲット６材の面積
が大きいためにスパッタリングに十分な負のセルフバイ
アスがターゲット６に励起できない。また、反対に基板
３電位はプラズマ電位に比べてかなり低くなるので、基
板３ヘプラズマ中の高エネルギーイオンが入射してしま
い、形成中の薄膜に損傷を与えてしまう。従って、ター
ゲット６材を少なくとも３個とし、成膜時に前記ターゲ
ット６材の半数未満のターゲット６に電圧を印加し、ま
た残りのターゲット６を接地すれば、印加されたターゲ
ット６にはスパッタリングに十分な負のバイアスが励起
されることになる。

また、ターゲット６から発生したスパッタ粒子は基板３
又は接地されたターゲット６に付着し、ターゲット６材
の利用効率が向上する。なお、本実施例のスパッタリン
グ装置では、基板３とターゲット６とが互いに垂直な方
向に配設されているため、ターゲット６から放出された
二次電子、負イオン等の高速粒子が直接基板３に入射せ
ず、薄膜の損傷を防ぐことができる。

第３図は本発明の他の実施例を示す模式的断面図であり
、容器１の上底部分以外は第１図と同様に容器１の内側
周縁部に少な（とも３個のターゲット６．６・・・を備
えた構造を有している。

つまり、第１図では容器の両底夫々に基板３を支持する
基板ホルダ２が、夫々の底部中央に突出する基板ホルダ
支持台２３の軸２３ａに固着されて設けられていたのに
対し、第３図では、容器の上底にターゲット６が、下底
に基板ホルダ２が夫々配設され、シャッタ４を介して基
板３とターゲット６とは対向するようになっている。前
記ターゲット６は上底中央に固設されているターゲット
ホルダ５によって保持され、該ターゲットホルダ５の底
部には冷却水人出ロア、７が設けられている。

また、前記ターゲットホルダ５には、高周波又は直流電
圧を印加するスパッタ電ｉｎに接続するが、接地するか
を切り替えるスイッチ２２が接続されている。このよう
な構造をなす本実施例において、上述のスパッタリング
装置と同様の操作で、容器１内にスパッタ用ガスをガス
導入管１３から導入すると共に上底のターゲットホルダ
５にスイッチ２２をスパッタ電源１１に接続するよう切
り換えて、ターゲット６に電圧を印加し、また容器１の
内側周縁部に設けられた少なくとも３個のターゲット６
゜６・・・のうち半数未満のターゲット６．６・・・に
順次電圧を印加し、残りのターゲット６．６・・・を接
地させる。そして容器ｌ内のスパッタ用ガスをプラズマ
化し、プラズマ中のイオンを印加されているターゲット
６．６・・・に衝突させ、スパッタリングされたターゲ
ット６．６・・・の原子を基板３上に付着させて成膜す
る。従って、あらゆる角度からスパッタ粒子が基板３に
入射して付着し、残りのスパッタ粒子は接地されている
ターゲット６．６・・・に付着するのでステップカバレ
ッジがさらに良好な薄膜が速い速度で形成でき、また、
ターゲット６材の利用効率も向上する。また、本実施例
において、容器ｌ内にガスを導入した後、上底のターゲ
ット６に電圧を印加し、また他のターゲット６゜６・・
・を接地させると、従来の平行平板型プラズマ装置と同
様の使用が可能である。この場合、上底のターゲット６
を消耗しても、内側周縁上のターゲット６．６・・・を
用いることができる。

第４図は本発明の第３の実施例を示す模式的断面図であ
り、図中は両底を有する筒状の容器を示している。容器
１の上底中央にはマイクロ波導入窓１４が備えられてお
り、該マイクロ波導入窓１４には他端を図示しない高周
波発振器に接続したマイクロ波導波管１５の一端が接続
され、容器１及びこれに接続したマイクロ波導波管１５
の一端部にわたってこれらを囲むように励磁コイル１６
が配設されている。

また、マイクロ波導入窓１４と対向する上底中央には、
シャッタ４を介して基板ホルダ２及びそれに載置する基
板３が置設されている。前記基板ホルダ２は基板ホルダ
支持台２３の軸２３ａに固着されており、容器ｌの下底
の一端には排気ポンプ９を用いて排気バルブ８を介して
排気する排気口２０が設けられている。さらに、容器１
の側壁の下部にはスパッタ用ガスをガス導入パルプ１２
を介して導入するガス導入管１３が設けられている。そ
して、容器１の内側周縁部には、少なくとも３個のター
ゲット６．６・・・が夫々ターゲットホルダ５．５・・
・に保持されて配設されており、夫々のターゲット６．
６・・・と基板３とは互いに垂直に配設された状態にな
っている。そして、ターゲットホルダ５゜５・・・夫々
にはスパッタ電源１１に接続するか、接地するかを切り
替えるスイッチ２２が設けられている。

上述した構造をなす本実施例のスパッタリング装置では
、第１図のスパッタリング装置と同様にして、容器ｌ内
にスパッタ用ガスを導入した後、マイクロ波導波管１５
を通じて容器１内にマイクロ波を導入すると共に、励磁
コイル１６に通電して磁界を形成し、容器１内に高イオ
ン化率のプラズマを生成させる。また、容器１内に配設
された前記ターゲットホルダ５．５・・・のうち、半数
未満のターゲットホルダ５．５・・・にスパッタ電源１
１と接続させてターゲット６．６・・・に負の電圧を印
加させておく。生成したプラズマは励磁コイル１６にて
形成される発散磁界により、基板ホルダ２に向かって広
がっていき、数ｅＶ〜数十ｅＶの低エネルギのイオン衝
撃を基板３に与えつつ、印加されたターゲット６．６・
・・の負電位によって加速された状態でターゲット６表
面に入射する。

そして、ターゲット６の原子がスパッタリングされて基
Ｆｉｉ３の表面に被着し薄膜が形成される。

本実施例では、ターゲット６と基板３とは互いに垂直な
方向に形成されているので、ターゲット６から放出され
る高速粒子は基板３に直接入射せず、損傷の少ない成膜
ができる。また、マイクロ波により低ガス圧でイオン化
率の高いプラズマを発生させ、発散磁界により前記プラ
ズマを基板３に４（ので、不純物混入が少ない薄膜が速
い速度で形成できる。また、ターゲット６．６・・・を
所定時間で順に印加していけば、種々の角度からスパッ
タ粒子を基板３に入射させることができ、従来のように
基板３を回転させなくてもステップカバレッジが良好な
薄膜が形成できる。さらに、接地されているターゲット
６．６・・・を設けであるので、スパッタ粒子は基板３
又は前記ターゲット６．６・・・に付着し、ターゲット
６材の利用効率が高くなる。

なお、本実施例においては、スパッタ電源１１を夫々の
ターゲットホルダ５に接続させて設けているが、これに
替えて１つのスパッタ電源と切り替え回路とを用いて、
夫々のターゲットへの電圧の印加又は接地を制御しても
良い。

また、本実施例において、基板とターゲットとの距離を
調節することにより、スパッタ粒子の基板への入射角度
を調節することも可能である。

なお、本実施例では少なくとも３個のターゲットホルダ
を試料基板上の空間を囲むように配設したが、試料基板
上の空間とは試料基板の基板ホルダと接しない面上の空
間を示している。

〔発明の効果〕

以上、詳述した如く本発明のスパッタリング装置にあっ
ては容器内の基板を囲む位置に配設された少なくとも３
個のターゲットホルダとそれに支持されるターゲット夫
々に電圧を印加するか、接地するかを選択する手段を備
えているので、印加されたターゲットから生じたスパッ
タ粒子は基板又は接地されたターゲットに付着し、ター
ゲツト材の利用効率が向上する。

また、前記ターゲット夫々に所定時間ごとに順次電圧を
印加することにより、ターゲット間で発生するプラズマ
の位置がそれに伴って変化し、発生したスパッタ粒子が
あらゆる角度で基板に入射するので基板回転駆動装置を
用いなくてもステップカバレッジが良好な薄膜を形′成
することができる。

また、容器の両底に夫々基板を支持する基板ホルダを配
設したスパッタリング装置では、−度に２つの基板に効
率良く成膜でき、容器の両底の一方に基板ホルダを、他
方にはターゲットを夫々配設し、該ターゲットに電圧を
印加するか接地するかを選択する手段を備えているスパ
ッタリング装置では、あらゆる角度からスパッタ粒子が
基板に入射し、ステップカバレッジがさらに良好な薄膜
が形成される。

さらに容器内のガスをプラズマ化する手段として、マイ
クロ波を用いたスパッタリング装置では低ガス圧でイオ
ン化率が高いプラズマが得られ、不純物混入が少ない高
品位の薄膜が速い速度で形成できる等、本発明は優れた
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るスパッタリング装置の模式的断面
図、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図、第３図は本発明
の他の実施例を示す模式的断面図、第４図は本発明の第
３の実施例を示す模式的断面図、第５図は従来の平行平
板型スパッタリング装置の模式的断面図、第６図は従来
の対向ターゲット式スパックリング装置の模式的断面図
、第７図は従来のＥＣＲプラズマスパッタリング装置の
模式的断面図である。 ｌ・・・容器　２・・・基板ホルダ　３・・・基板５・
・・ターゲットホルダ　６・・・ターゲット１１・・・
スパッタ電源　１５・・・マイクロ波導波管２２・・・
スイッチ 特　許　出願人　　住友金属工業株式会社代理人　弁理
士　　河　　野　　登　　夫第 図 弔 図 第 図 第 図 弔 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、試料基板を支持する基板ホルダ及びターゲットを支
   持するターゲットホルダを容器内に備え、前記ターゲッ
   トに電圧を印加すると共に容器内のガスをプラズマ化し
   て、前記ターゲットをスパッタせしめ、前記試料基板に
   膜を形成するスパッタリング装置において、前記試料基
   板上の空間を囲むように配設された少なくとも３個の前
   記ターゲットホルダと、それに支持されるターゲット夫
   々に電圧を印加するか、又は接地するかを選択する手段
   とを備えていることを特徴とするスパッタリング装置。