JPH05271925A - イオンビームスパッタ装置 - Google Patents
イオンビームスパッタ装置Info
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- JPH05271925A JPH05271925A JP6513492A JP6513492A JPH05271925A JP H05271925 A JPH05271925 A JP H05271925A JP 6513492 A JP6513492 A JP 6513492A JP 6513492 A JP6513492 A JP 6513492A JP H05271925 A JPH05271925 A JP H05271925A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオンビームスパッタ装置によるより高純度
の成膜を可能とする。 【構成】 イオン源１と、該イオン源１からのイオンビ
ーム６で照射される複数のターゲット３ａ，３ｂ，３
ｃ，３ｄが装着されたターゲットホルダ２と、前記各タ
ーゲットからスパッタされる粒子が堆積される基板５を
保持する基板ホルダ４とを含んでなるイオンビームスパ
ッタ装置において、前記ターゲットホルダ２はイオンビ
ーム６の入射方向と基板５の法線方向を含む平面に平行
でかつ照射中のターゲットの被照射面に平行な軸の周囲
に回転する。スパッタ粒子７の飛散方向にはターゲット
がないので、照射中のターゲットからのスパッタによる
他のターゲットの汚染が低減される。 【効果】 ターゲットの汚染が低減されるので、より高
純度の成膜が可能となり、防着シールドも不要にでき
る。
の成膜を可能とする。 【構成】 イオン源１と、該イオン源１からのイオンビ
ーム６で照射される複数のターゲット３ａ，３ｂ，３
ｃ，３ｄが装着されたターゲットホルダ２と、前記各タ
ーゲットからスパッタされる粒子が堆積される基板５を
保持する基板ホルダ４とを含んでなるイオンビームスパ
ッタ装置において、前記ターゲットホルダ２はイオンビ
ーム６の入射方向と基板５の法線方向を含む平面に平行
でかつ照射中のターゲットの被照射面に平行な軸の周囲
に回転する。スパッタ粒子７の飛散方向にはターゲット
がないので、照射中のターゲットからのスパッタによる
他のターゲットの汚染が低減される。 【効果】 ターゲットの汚染が低減されるので、より高
純度の成膜が可能となり、防着シールドも不要にでき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームを用いて
薄膜形成を行なうイオンビームスパッタ装置に係り、特
に複数のターゲットを有し、高純度成膜が可能なイオン
ビームスパッタ装置に関する。
薄膜形成を行なうイオンビームスパッタ装置に係り、特
に複数のターゲットを有し、高純度成膜が可能なイオン
ビームスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、ニュークリア・インスト
ルメンツ・アンド・メソッド・イン・フィジックス・リ
サーチＢ３７／３８（１９８９）の８３８頁から８４１
頁に論じられ、Ｆｉｇ１記載のように、ターゲットホル
ダは、スパッタ用イオン源から引出されたイオンビーム
の照射方向に対し、その直角方向を回転軸の方向として
回転運動できる構造になっている。これは、ターゲット
が２枚、あるいはそれ以上の場合にも同様である。
ルメンツ・アンド・メソッド・イン・フィジックス・リ
サーチＢ３７／３８（１９８９）の８３８頁から８４１
頁に論じられ、Ｆｉｇ１記載のように、ターゲットホル
ダは、スパッタ用イオン源から引出されたイオンビーム
の照射方向に対し、その直角方向を回転軸の方向として
回転運動できる構造になっている。これは、ターゲット
が２枚、あるいはそれ以上の場合にも同様である。
【０００３】図２に、従来のイオンビームスパッタ装置
の例を示す。該イオンビームスパッタ装置は、イオン源
１と、該イオン源から放射されるイオンにより照射され
るターゲットを保持するターゲットホルダ２と、該ター
ゲットからスパッタされる金属微粒子が堆積される基板
を保持する基板ホルダ４と、前記ターゲットホルダ２の
周囲に配置された防着シールド８とを含んで構成されて
おり、これらイオン源１，ターゲットホルダ２，防着シ
ールド８及び基板ホルダ４は、図示していない真空容器
中に収納されている。防着シールドは、ターゲットホル
ダの周囲に設けられるが、ターゲットホルダが前記回転
軸の周りに回転運動をするため円筒状をなしており、タ
ーゲットホルダに装着されたターゲットにイオンビーム
を照射するため、その一部を切欠いてある。
の例を示す。該イオンビームスパッタ装置は、イオン源
１と、該イオン源から放射されるイオンにより照射され
るターゲットを保持するターゲットホルダ２と、該ター
ゲットからスパッタされる金属微粒子が堆積される基板
を保持する基板ホルダ４と、前記ターゲットホルダ２の
周囲に配置された防着シールド８とを含んで構成されて
おり、これらイオン源１，ターゲットホルダ２，防着シ
ールド８及び基板ホルダ４は、図示していない真空容器
中に収納されている。防着シールドは、ターゲットホル
ダの周囲に設けられるが、ターゲットホルダが前記回転
軸の周りに回転運動をするため円筒状をなしており、タ
ーゲットホルダに装着されたターゲットにイオンビーム
を照射するため、その一部を切欠いてある。
【０００４】上記構成のイオンビームスパッタ装置にお
いて、イオン源１から引出された集束イオンビーム６
は、ターゲットホルダ２上のターゲット３ａを照射し、
該ターゲット３ａからスパッタされた粒子７は基板ホル
ダ４に取付られた基板５上に堆積し、薄膜が形成され
る。
いて、イオン源１から引出された集束イオンビーム６
は、ターゲットホルダ２上のターゲット３ａを照射し、
該ターゲット３ａからスパッタされた粒子７は基板ホル
ダ４に取付られた基板５上に堆積し、薄膜が形成され
る。
【０００５】ターゲットホルダ２は、さいころ状の立方
体をなしており、図上、上方の面にターゲット３ａ，左
方の面にターゲット３ａ，図上、下方の面にターゲット
３ｃ，右方の面にターゲット３ｄがそれぞれ装着されて
いる。該ターゲットホルダ２は、矢印９の方向、つまり
紙面に垂直な方向の回転軸の周囲に矢印９方向に回転可
能に構成されている。したがって、ターゲットホルダ２
は前記回転軸の周囲に前記矢印９の方向に順次回転し、
他のターゲット３ｂ，３ｃ，３ｄによる基板５への薄膜
形成が可能となっている。
体をなしており、図上、上方の面にターゲット３ａ，左
方の面にターゲット３ａ，図上、下方の面にターゲット
３ｃ，右方の面にターゲット３ｄがそれぞれ装着されて
いる。該ターゲットホルダ２は、矢印９の方向、つまり
紙面に垂直な方向の回転軸の周囲に矢印９方向に回転可
能に構成されている。したがって、ターゲットホルダ２
は前記回転軸の周囲に前記矢印９の方向に順次回転し、
他のターゲット３ｂ，３ｃ，３ｄによる基板５への薄膜
形成が可能となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このターゲットホルダ
２は矢印９の方向に回転し、スパッタ粒子７は図２、あ
るいは図３の矢印１２で示す方向に飛散するので、ター
ゲット３ｄに付着する可能性がある。このため、防着シ
ールド８を取付け、スパッタ粒子７によるターゲット３
ｄの汚染を防止するようになっているが、ターゲットホ
ルダ２が矢印９方向に回転するので、防着シールド８と
ターゲットホルダ２との間には間隙が必要で、汚染を完
全に防止することはできない。図３にターゲット３上に
投影するイオンビームの形状１０を示すが、だ円となっ
て広がるため、この点からも汚染を完全に防止できない
ことが理解できる。
２は矢印９の方向に回転し、スパッタ粒子７は図２、あ
るいは図３の矢印１２で示す方向に飛散するので、ター
ゲット３ｄに付着する可能性がある。このため、防着シ
ールド８を取付け、スパッタ粒子７によるターゲット３
ｄの汚染を防止するようになっているが、ターゲットホ
ルダ２が矢印９方向に回転するので、防着シールド８と
ターゲットホルダ２との間には間隙が必要で、汚染を完
全に防止することはできない。図３にターゲット３上に
投影するイオンビームの形状１０を示すが、だ円となっ
て広がるため、この点からも汚染を完全に防止できない
ことが理解できる。
【０００７】円筒状の防着シールドとターゲットホルダ
との間には、ターゲットホルダが回転するためある程度
の間隔が必要であり、その間隔を通過するスパッタリン
グ粒子、イオンビームなどによって、防着シールドの内
側が汚染し、そのため直接イオンビームに照射されてい
ないターゲットが汚染される場合がある。
との間には、ターゲットホルダが回転するためある程度
の間隔が必要であり、その間隔を通過するスパッタリン
グ粒子、イオンビームなどによって、防着シールドの内
側が汚染し、そのため直接イオンビームに照射されてい
ないターゲットが汚染される場合がある。
【０００８】本発明の課題は、直接イオンビームに照射
されていないターゲットが汚染されるのを防止するにあ
る。
されていないターゲットが汚染されるのを防止するにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、複数のタ
ーゲットが装着され回転軸の周りに回転して前記複数の
ターゲットのうちの一つを照射位置に位置させるターゲ
ットホルダと、前記ターゲットにイオンビームを照射す
るイオン源とを含んでなり、前記ターゲットからスパッ
タされた粒子を基板上に堆積させて、薄膜形成を行なう
イオンビームスパッタ装置において、前記ターゲットホ
ルダを、該ターゲットホルダに装着されたターゲットの
表面に平行な直線のまわりに回転させ、該直線を、前記
イオンビームの照射方向と前記基板の法線方向を含む平
面にほぼ平行とすることによって達成される。
ーゲットが装着され回転軸の周りに回転して前記複数の
ターゲットのうちの一つを照射位置に位置させるターゲ
ットホルダと、前記ターゲットにイオンビームを照射す
るイオン源とを含んでなり、前記ターゲットからスパッ
タされた粒子を基板上に堆積させて、薄膜形成を行なう
イオンビームスパッタ装置において、前記ターゲットホ
ルダを、該ターゲットホルダに装着されたターゲットの
表面に平行な直線のまわりに回転させ、該直線を、前記
イオンビームの照射方向と前記基板の法線方向を含む平
面にほぼ平行とすることによって達成される。
【００１０】上記の課題はまた、複数のターゲットが装
着され回転軸の周りに回転して前記複数のターゲットの
うちの一つを照射位置に位置させるターゲットホルダ
と、前記ターゲットにイオンビームを照射するイオン源
とを含んでなり、前記ターゲットからスパッタされた粒
子を基板上に堆積させて、薄膜形成を行なうイオンビー
ムスパッタ装置において、前記ターゲットホルダを、該
ターゲットホルダに装着されたターゲットの表面に平行
な直線のまわりに回転させ、該直線を、前記イオンビー
ムの中心線と前記基板の法線方向を含む平面にほぼ平行
とすることによっても達成される。
着され回転軸の周りに回転して前記複数のターゲットの
うちの一つを照射位置に位置させるターゲットホルダ
と、前記ターゲットにイオンビームを照射するイオン源
とを含んでなり、前記ターゲットからスパッタされた粒
子を基板上に堆積させて、薄膜形成を行なうイオンビー
ムスパッタ装置において、前記ターゲットホルダを、該
ターゲットホルダに装着されたターゲットの表面に平行
な直線のまわりに回転させ、該直線を、前記イオンビー
ムの中心線と前記基板の法線方向を含む平面にほぼ平行
とすることによっても達成される。
【００１１】上記課題はまた、複数のターゲットが装着
され回転軸の周りに回転して前記複数のターゲットのう
ちの一つを照射位置に位置させるターゲットホルダと、
前記ターゲットにイオンビームを照射するイオン源とを
含んでなり、前記ターゲットからスパッタされた粒子を
基板上に堆積させて、薄膜形成を行なうイオンビームス
パッタ装置において、前記ターゲットホルダを装着され
たターゲットの被照射面に平行な回転軸のまわりに回転
するものとし、前記イオン源を該イオン源が照射するイ
オンビームの照射方向中心軸が前記回転軸を含んで前記
ターゲットの被照射面に垂直な平面に平行になるように
配置することによっても達成される。
され回転軸の周りに回転して前記複数のターゲットのう
ちの一つを照射位置に位置させるターゲットホルダと、
前記ターゲットにイオンビームを照射するイオン源とを
含んでなり、前記ターゲットからスパッタされた粒子を
基板上に堆積させて、薄膜形成を行なうイオンビームス
パッタ装置において、前記ターゲットホルダを装着され
たターゲットの被照射面に平行な回転軸のまわりに回転
するものとし、前記イオン源を該イオン源が照射するイ
オンビームの照射方向中心軸が前記回転軸を含んで前記
ターゲットの被照射面に垂直な平面に平行になるように
配置することによっても達成される。
【００１２】上記課題はさらに、ターゲットホルダが、
異種あるいは同種の２枚のターゲットを装着した構造で
ある請求項１〜３のいずれかに記載のイオンビームスパ
ッタ装置や、ターゲットホルダが、異種あるいは同種の
３枚以上のターゲットを前記ターゲットホルダの回転軸
に平行で、かつ回転軸からほぼ等距離に配置したもので
ある請求項１〜３のいずれかに記載のイオンビームスパ
ッタ装置によっても達成される。
異種あるいは同種の２枚のターゲットを装着した構造で
ある請求項１〜３のいずれかに記載のイオンビームスパ
ッタ装置や、ターゲットホルダが、異種あるいは同種の
３枚以上のターゲットを前記ターゲットホルダの回転軸
に平行で、かつ回転軸からほぼ等距離に配置したもので
ある請求項１〜３のいずれかに記載のイオンビームスパ
ッタ装置によっても達成される。
【００１３】
【作用】上述の構成によれば、複数のターゲットが装着
されるターゲットホルダの回転軸が、ターゲットの表面
に平行で、かつイオンビームの照射方向と前記基板の法
線方向を含む平面にほぼ平行となるので、ターゲットホ
ルダの回転によって次に照射位置に移動するターゲット
は、照射中のターゲットに対し、スパッタの飛散の大き
い基板側でなく、イオン源と基板を結ぶ線に対して垂直
の方向に位置する。スパッタの飛散は、イオン源と基板
を結ぶ線に対して垂直の方向にはすくないので、照射中
のターゲットからのスパッタによる他のターゲットの汚
染の確率を低減できる。
されるターゲットホルダの回転軸が、ターゲットの表面
に平行で、かつイオンビームの照射方向と前記基板の法
線方向を含む平面にほぼ平行となるので、ターゲットホ
ルダの回転によって次に照射位置に移動するターゲット
は、照射中のターゲットに対し、スパッタの飛散の大き
い基板側でなく、イオン源と基板を結ぶ線に対して垂直
の方向に位置する。スパッタの飛散は、イオン源と基板
を結ぶ線に対して垂直の方向にはすくないので、照射中
のターゲットからのスパッタによる他のターゲットの汚
染の確率を低減できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。図１は、本発明を適用したイオンビームスパッタ
装置を示し、該イオンビームスパッタ装置は、イオン源
１と、該イオン源から放射されるイオンにより照射され
るターゲットを保持するターゲットホルダ２と、該ター
ゲットからスパッタされる金属微粒子が堆積される基板
を保持する基板ホルダ４とを含んで構成されており、こ
れらイオン源１，ターゲットホルダ２及び基板ホルダ４
は、図示していない真空容器中に収納されている。
する。図１は、本発明を適用したイオンビームスパッタ
装置を示し、該イオンビームスパッタ装置は、イオン源
１と、該イオン源から放射されるイオンにより照射され
るターゲットを保持するターゲットホルダ２と、該ター
ゲットからスパッタされる金属微粒子が堆積される基板
を保持する基板ホルダ４とを含んで構成されており、こ
れらイオン源１，ターゲットホルダ２及び基板ホルダ４
は、図示していない真空容器中に収納されている。
【００１５】上記構成のイオンビームスパッタ装置にお
いて、イオン源１から引出された集束イオンビーム６
は、ターゲットホルダ２上のターゲット３ａを照射し、
該ターゲット３ａからスパッタされた粒子７は基板ホル
ダ４に取付られた基板５上に堆積し、薄膜が形成され
る。
いて、イオン源１から引出された集束イオンビーム６
は、ターゲットホルダ２上のターゲット３ａを照射し、
該ターゲット３ａからスパッタされた粒子７は基板ホル
ダ４に取付られた基板５上に堆積し、薄膜が形成され
る。
【００１６】ターゲットホルダ２は、さいころ状の立方
体をなしており、図上、上方の面にターゲット３ａ，紙
面に平行な手前の面にターゲット３ａ，図上、下方の面
にターゲット３ｃ，紙面に平行な奥（紙面裏側）の面に
ターゲット３ｄがそれぞれ装着されている。該ターゲッ
トホルダ２は、矢印９の方向に、つまり集束イオンビー
ム６の中心線と前記基板５の膜形成面に垂直でかつ前記
集束イオンビーム６の中心線に交差する直線とを含む平
面に平行であるとともに、ターゲットの表面（被照射
面）に平行な回転軸１３の周囲に回転可能に構成されて
いる。いいかえると、前記イオン源１は、集束イオンビ
ーム６の中心線が、回転軸１３を含みターゲットの被照
射面に垂直な平面に平行になるように配置されている。
したがって、ターゲットホルダ２は前記回転軸の周囲に
前記矢印９の方向に順次回転し、他のターゲット３ｂ，
３ｃ，３ｄによる基板５への薄膜形成が可能である。な
お、ターゲットの被照射面は、前記集束イオンビーム６
の中心線と前記基板５の膜形成面の法線に対してほぼ同
じ角度となるように配置されている。
体をなしており、図上、上方の面にターゲット３ａ，紙
面に平行な手前の面にターゲット３ａ，図上、下方の面
にターゲット３ｃ，紙面に平行な奥（紙面裏側）の面に
ターゲット３ｄがそれぞれ装着されている。該ターゲッ
トホルダ２は、矢印９の方向に、つまり集束イオンビー
ム６の中心線と前記基板５の膜形成面に垂直でかつ前記
集束イオンビーム６の中心線に交差する直線とを含む平
面に平行であるとともに、ターゲットの表面（被照射
面）に平行な回転軸１３の周囲に回転可能に構成されて
いる。いいかえると、前記イオン源１は、集束イオンビ
ーム６の中心線が、回転軸１３を含みターゲットの被照
射面に垂直な平面に平行になるように配置されている。
したがって、ターゲットホルダ２は前記回転軸の周囲に
前記矢印９の方向に順次回転し、他のターゲット３ｂ，
３ｃ，３ｄによる基板５への薄膜形成が可能である。な
お、ターゲットの被照射面は、前記集束イオンビーム６
の中心線と前記基板５の膜形成面の法線に対してほぼ同
じ角度となるように配置されている。
【００１７】ターゲットホルダ２の回転軸には、図４に
示すように、その外周面に９０度間隔で半径方向のＶ字
型切り込みを入れた円板２０が固着されている。該切り
込みに嵌入するピン２１が該円板２０に対し半径方向に
進退可能に配置されている。該ピン２１はケース２３に
進退可能に内装され、ばね２２により前記円板２０の外
周面に押しつけられている。
示すように、その外周面に９０度間隔で半径方向のＶ字
型切り込みを入れた円板２０が固着されている。該切り
込みに嵌入するピン２１が該円板２０に対し半径方向に
進退可能に配置されている。該ピン２１はケース２３に
進退可能に内装され、ばね２２により前記円板２０の外
周面に押しつけられている。
【００１８】ターゲットホルダ２が回転されると、前記
ピン２１の先端はばね２２により円板外周面に押しつけ
られた状態で摺動し、切り込み位置にくると回転軸方向
に動いて該切り込みに嵌入する。このピン２１の移動に
より回転軸を回転させるモータの電源が遮断されるよう
に構成されているので、回転が停止してターゲットが所
定の位置にセットされる。さらにターゲットホルダ２を
回転させて次のターゲットを照射位置に動かしたいとき
は、回転軸を回転させるモータの電源を入れればよい。
円板２０が回転すると、ピン２１は切り込みの斜面で押
し上げられ、再び切り込み位置にくるまで円板外周面に
押しつけられた状態で摺動する。この構成によれば、回
転軸を回転させるモータの回転角を厳密に制御すること
なしに、ターゲットの位置の再現性を確保できる。
ピン２１の先端はばね２２により円板外周面に押しつけ
られた状態で摺動し、切り込み位置にくると回転軸方向
に動いて該切り込みに嵌入する。このピン２１の移動に
より回転軸を回転させるモータの電源が遮断されるよう
に構成されているので、回転が停止してターゲットが所
定の位置にセットされる。さらにターゲットホルダ２を
回転させて次のターゲットを照射位置に動かしたいとき
は、回転軸を回転させるモータの電源を入れればよい。
円板２０が回転すると、ピン２１は切り込みの斜面で押
し上げられ、再び切り込み位置にくるまで円板外周面に
押しつけられた状態で摺動する。この構成によれば、回
転軸を回転させるモータの回転角を厳密に制御すること
なしに、ターゲットの位置の再現性を確保できる。
【００１９】上記実施例によれば、粒子の飛散方向１２
にターゲット３ｄがないため、スパッタによる他のター
ゲット汚染の可能性を低減することができる。上記実施
例では、防着シールドは装着されていないが、回転軸と
同心状に円筒形の防着シールドを装着してもよい。この
場合、防着シールドは、イオン源から照射位置にあるタ
ーゲット３ａを見て、該ターゲット３ａの左右に位置す
る他のターゲット３ｂ，３ｃの汚染を防止することとな
るが、イオンビーム方向に対して直角方向へのスパッタ
の飛散は比較的すくないので、ターゲットホルダ２の回
転を許容するための間隔があっても他のターゲットの汚
染は大きくない。図５に防着シールドを装着した場合の
本発明の実施例のターゲットホルダを、回転軸方向から
見た状態を示す。
にターゲット３ｄがないため、スパッタによる他のター
ゲット汚染の可能性を低減することができる。上記実施
例では、防着シールドは装着されていないが、回転軸と
同心状に円筒形の防着シールドを装着してもよい。この
場合、防着シールドは、イオン源から照射位置にあるタ
ーゲット３ａを見て、該ターゲット３ａの左右に位置す
る他のターゲット３ｂ，３ｃの汚染を防止することとな
るが、イオンビーム方向に対して直角方向へのスパッタ
の飛散は比較的すくないので、ターゲットホルダ２の回
転を許容するための間隔があっても他のターゲットの汚
染は大きくない。図５に防着シールドを装着した場合の
本発明の実施例のターゲットホルダを、回転軸方向から
見た状態を示す。
【００２０】
【発明の効果】本案によれば、ターゲットの汚染が低減
されるので、防着シールドを用いることなしにイオンビ
ームスパッタ成膜装置本来の特徴である高純度成膜が可
能である。
されるので、防着シールドを用いることなしにイオンビ
ームスパッタ成膜装置本来の特徴である高純度成膜が可
能である。
【図１】本発明の実施例であるイオンビームスパッタ装
置の要部構成を示す側面図である。
置の要部構成を示す側面図である。
【図２】従来のイオンビームスパッタ装置の要部構成を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図３】本発明が適用されるイオンビームスパッタ装置
におけるターゲット表面へのイオンビームの投影図であ
る。
におけるターゲット表面へのイオンビームの投影図であ
る。
【図４】図１に示す実施例の部分の詳細を示す正面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の他の実施例図を示す正面図である。
１ イオン源 ２ ターゲッ
トホルダ ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ ターゲット ４ 基板ホル
ダ ５ 基板 ６ イオンビ
ーム ７ スパッタ粒子 ８ 防着シー
ルド ９ ターゲットホルダの回転方向 １０ イオン
ビームの投影 １１ イオンビームの入射方向 １２ スパッ
タ粒子の飛散方向 １３ 回転軸 ２０ 円板 ２１ ピン ２２ ばね ２３ ケース
トホルダ ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ ターゲット ４ 基板ホル
ダ ５ 基板 ６ イオンビ
ーム ７ スパッタ粒子 ８ 防着シー
ルド ９ ターゲットホルダの回転方向 １０ イオン
ビームの投影 １１ イオンビームの入射方向 １２ スパッ
タ粒子の飛散方向 １３ 回転軸 ２０ 円板 ２１ ピン ２２ ばね ２３ ケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒金 正春 茨城県日立市国分町１丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のターゲットが装着され回転軸の周
りに回転して前記複数のターゲットのうちの一つを照射
位置に位置させるターゲットホルダと、前記ターゲット
にイオンビームを照射するイオン源とを含んでなり、前
記ターゲットからスパッタされた粒子を基板上に堆積さ
せて、薄膜形成を行なうイオンビームスパッタ装置にお
いて、前記ターゲットホルダは、該ターゲットホルダに
装着されたターゲットの表面に平行な直線のまわりに回
転し、該直線は、前記イオンビームの照射方向と前記基
板の法線方向を含む平面にほぼ平行であることを特徴と
するイオンビームスパッタ装置。 - 【請求項２】 複数のターゲットが装着され回転軸の周
りに回転して前記複数のターゲットのうちの一つを照射
位置に位置させるターゲットホルダと、前記ターゲット
にイオンビームを照射するイオン源とを含んでなり、前
記ターゲットからスパッタされた粒子を基板上に堆積さ
せて、薄膜形成を行なうイオンビームスパッタ装置にお
いて、前記ターゲットホルダは、該ターゲットホルダに
装着されたターゲットの表面に平行な直線のまわりに回
転し、該直線は、前記イオンビームの中心線と前記基板
の法線方向を含む平面にほぼ平行であることを特徴とす
るイオンビームスパッタ装置。 - 【請求項３】 複数のターゲットが装着され回転軸の周
りに回転して前記複数のターゲットのうちの一つを照射
位置に位置させるターゲットホルダと、前記ターゲット
にイオンビームを照射するイオン源とを含んでなり、前
記ターゲットからスパッタされた粒子を基板上に堆積さ
せて、薄膜形成を行なうイオンビームスパッタ装置にお
いて、前記ターゲットホルダは装着されたターゲットの
被照射面に平行な回転軸のまわりに回転するものであ
り、前記イオン源は該イオン源が照射するイオンビーム
の照射方向中心軸が前記回転軸を含んで前記ターゲット
の被照射面に垂直な平面に平行になるように配置されて
いることを特徴とするイオンビームスパッタ装置。 - 【請求項４】 ターゲットホルダは、異種あるいは同種
の２枚のターゲットを装着した構造であることを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載のイオンビームスパ
ッタ装置。 - 【請求項５】 ターゲットホルダは、異種あるいは同種
の３枚以上のターゲットを前記ターゲットホルダの回転
軸に平行で、かつ回転軸からほぼ等距離に配置したもの
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
のイオンビームスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6513492A JPH05271925A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | イオンビームスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6513492A JPH05271925A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | イオンビームスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05271925A true JPH05271925A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=13278108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6513492A Pending JPH05271925A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | イオンビームスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05271925A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009544839A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-17 | アビザ テクノロジー リミティド | イオンデポジション装置 |
| CN101857951A (zh) * | 2009-04-08 | 2010-10-13 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 磁控溅射装置 |
| JP2021031697A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | 日本放送協会 | スパッタ粒子防着板及びイオンビームスパッタ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287273A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Hitachi Koki Co Ltd | 超微粒子コーティング法 |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP6513492A patent/JPH05271925A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287273A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Hitachi Koki Co Ltd | 超微粒子コーティング法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009544839A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-17 | アビザ テクノロジー リミティド | イオンデポジション装置 |
| US8425741B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-04-23 | Aviza Technology Limited | Ion deposition apparatus having rotatable carousel for supporting a plurality of targets |
| CN101857951A (zh) * | 2009-04-08 | 2010-10-13 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 磁控溅射装置 |
| JP2021031697A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | 日本放送協会 | スパッタ粒子防着板及びイオンビームスパッタ装置 |
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