JP2707080B2 - イオン打込方法及びその装置 - Google Patents
イオン打込方法及びその装置Info
- Publication number
- JP2707080B2 JP2707080B2 JP62137879A JP13787987A JP2707080B2 JP 2707080 B2 JP2707080 B2 JP 2707080B2 JP 62137879 A JP62137879 A JP 62137879A JP 13787987 A JP13787987 A JP 13787987A JP 2707080 B2 JP2707080 B2 JP 2707080B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- disk
- mounting disk
- mounting
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はたとえば半導体装置製造用等に用いられるイ
オン打込方法及びその装置に関する。 〔従来の技術〕 たとえば半導体ウエーハ面に均一にイオンを打込む打
込み装置にあつては、半導体結晶の組識に応じて所定分
布の打ち込み深さを得るため、イオン打込み角度を変化
させる必要性が生じる。 従来にあつては、ウエーハ装着のための円板における
各ウエーハ毎の載置台を個々にそれぞれ装置に対して角
度変位させる手段（特開昭61−116746号公報参照）、あ
るいはイオン打込室自体をイオン照射方向に対して角度
変位させる手段を具備させたものが知られている。 第４図は、イオン打込室自体をイオン照射方向に対し
て角度変位させる従来構成について示したものである。
イオン源１、イオン加速部２、イオンビーム軌道３を通
してイオンはイオン打込室６内に照射されるようになつ
ている。イオン打込室６内にはウエーハ搭載用円板６が
内在され、この円板６はモータ７により回転さめるよう
になつている。そして前記イオン打込室９はそれ自体回
動できるようになつており、照射イオンに対してウエー
ハ搭載用円板６上の半導体ウエーハの角度を変化させる
ようになつている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来の装置にあつては、上記各手段の
角度変位を行なうためには、専用の部品に変換したり、
あるいは専問家によるビームラインの調整を必要とする
ものであり、ビームの打込角度を任意に変更できるとい
うことは配慮されていなかつた。 したがつて、微少な調整も困難となるものであること
から、イオン打込みにあつてはいわゆるシヤドウ現象あ
るいはチヤタリング等に対し充分な対策ができないもの
であつた。 それ故、本発明の目的は、常時最適なイオン打込角度
が容易に得られ、これにより微細な半導体装置開発のプ
ロセス条件幅を拡大し得るイオン打込装置に関する。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、複数の半導体ウエーハを搭載用円板に搭載
し、前記搭載用円板をイオン打込室に収納し、前記イオ
ン打込搭載用円板を回転させ、前記搭載用円板を保持機
構を介して走査プレート上に載置し、前記走査プレート
を走査ガイドに沿って移動することにより、前記搭載用
円板の回転軸とイオンの照射軸との距離を相対的に変位
し、また、前記イオン打込内で前記搭載用円板が保持さ
れている前記保持機構を前記走査プレートに対して円弧
状に回動することにより、前記相対的角度を前記相対的
変位の方向に対して垂直な軸を中心とした回転を含んだ
角度であるようにして、前記搭載用円板と前記イオンの
照射軸との相対的角度を調節し、前記半導体ウエーハに
イオンを打込むことを特徴とするイオン打込方法であ
る。 また、本発明は、複数の半導体ウエーハを搭載する搭
載用円板と、前記搭載用円板を収容するイオン打込室
と、前記半導体ウエーハにイオンを照射するイオン源
と、前記搭載用円板を回転させる駆動手段と、前記搭載
用円板の回転軸と前記イオンの照射軸との距離を相対的
に変位させる変位手段を備えたイオン打込装置におい
て、前記イオン打込室内で前記搭載用円板が保持されて
いる保持機構を前記変位手段に対して円弧状に回動する
ことにより、前記相対的変位の方向に対して垂直な軸を
中心とした回転を含んだ角度で、前記イオン打込室内で
前記搭載用円板と前記イオンの照射軸との相対的角度を
調節することを特徴とするイオン打込装置である。 〔作用〕 このように構成することにより、搭載用円板とイオン
照射軸との相対的角度は、搭載用円板の回転軸とイオン
の照射軸との相対変位の方向に対して垂直な軸を中心と
した回転角度になり、搭載用円板が保持されている保持
機構をこの保持機構が載置されているプレートに対して
円弧状に回動することにより、微小な調節を行うことが
でき、保持機構によりこの調節された角度を固定するこ
とができ、また、回転による走査の前後でウエーハの凸
凹などに基づくイオンビームの照射変化による影響を緩
和でき、そのため、イオン打込の均一度の向上が可能と
なるという効果が得られる。 〔実施例〕 第１図は本発明によるイオン打込装置の一実施例を示
す構成図である。同図において、真空室であるイオン打
込室９の外部には、イオン源１が配置され、このイオン
源１からのイオンはイオン加速部２により加速され、イ
オンビーム軌道３に沿つて前記イオン打込室９内に打込
まれるようになつている。なお、前記イオンビーム軌道
３の中途部にはイオン分離部４が配置されている。前記
イオン打込室９の内部には走査プレート17が走査ガイド
14によつて案内されて、前記イオンビーム軌道３からの
イオン照射方向と直交する方向へ移動できるようになつ
ている。すなわち、走査プレート17を走査ガイド14によ
り移動させることにより、ウェーハ搭載用円板６の回転
軸とイオンの照射軸との距離を相対的に変位させること
ができる。前記走査プレート17の移動は、前記イオン打
込室９外に配置されたモータ18の回転とともに回転する
ボールネジ16による回転−直線移動変換機構を介して、
なされるようになつている。なお、前記イオン打込室９
における前記ボールネジ16の貫通部には回転真空シール
ガイド15が設けられている。 前記走査プレート17には円板保持機構13が配置され、
この円板保持機構13にはウエーハ搭載用円板６とこのウ
エーハ搭載用円板６を回転するモータ７とが取付けられ
ている。前記ウエーハ搭載用円板６の前記イオンビーム
軌道３側の主面の周辺には、複数の半導体ウエーハ11が
該円板６と同軸の仮想の円に沿つて等間隔に配置されて
いる。前記イオンビーム軌道３のイオン照射口は前記半
導体ウエーハ11の一つに対向されたものとなつており、
前記イオンビーム軌道３からのイオン照射は、前記走査
プレート17の移動に伴つて径方向へ変化するようになつ
ている。なお、前記ウエーハ搭載用円板６を回転するモ
ータ７は大気と通ずるモータチヤンバ10内に配置され、
放熱効果をもたらすようにしている。 前記円板保持機構13は、第２図の平面図に示すよう
に、走査プレート17上に載置され、該走査プレート17の
移動方向における一端部は前記走査プレート17とピン12
により止められ、また他端部は該移動方向に直交する方
向に並設させた２個のボルト18により締めつけられてい
る。 前記ピン12は、第３図に示すように、その取付け部を
中心にして前記円板保持機構13を走査プレート17に対し
て図中Ａ方向に回動できるようにしたものである。ま
た、このピン12の取付け部を中心とした円弧状の長孔21
が２個形成され、この長孔21を通して前記ボルト18が前
記走査プレート17に締結されている。従って、円板保持
機構13を走査プレート17に対して円弧状に回動させるこ
とで、搭載法円板とイオンの照射軸との相対的角度を微
細に調節することができる。 このように構成されたイオン打込装置は、第３図に示
すボルト18を緩め、円板保持機構13を走査プレート17に
対して所定角度回動させ、その後前記ボルト18を締める
ことにより、搭載用円板の回転軸とイオンの照射軸との
相対変位の方向に対して垂直な軸を中心とした回転角度
を微小に調節することができ、また、円板保持機構13に
よりこの調節された角度を固定することができ、さら
に、回転による走査の前後でウエーハの凸凹などに基づ
くイオンビームの照射変化による影響を緩和でき、イオ
ン打込の均一度の向上が可能となる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本願発明によれば、搭載用円板
とイオン照射軸との相対的角度は、搭載用円板の回転軸
とイオンの照射軸との相対変位の方向に対して垂直な軸
を中心とした回転角度であって、搭載用円板が保持され
ている保持機構をこの保持機構が載置されているプレー
トに対して円弧状に回動することにより、微小な調節を
行うことができ、保持機構によりこの調節された角度を
固定することができ、また、回転による走査の前後でウ
エーハの凸凹などに基づくイオンビームの照射変化によ
る影響を緩和でき、そのため、イオン打込の均一度の向
上が可能となるという効果が得られる。
オン打込方法及びその装置に関する。 〔従来の技術〕 たとえば半導体ウエーハ面に均一にイオンを打込む打
込み装置にあつては、半導体結晶の組識に応じて所定分
布の打ち込み深さを得るため、イオン打込み角度を変化
させる必要性が生じる。 従来にあつては、ウエーハ装着のための円板における
各ウエーハ毎の載置台を個々にそれぞれ装置に対して角
度変位させる手段（特開昭61−116746号公報参照）、あ
るいはイオン打込室自体をイオン照射方向に対して角度
変位させる手段を具備させたものが知られている。 第４図は、イオン打込室自体をイオン照射方向に対し
て角度変位させる従来構成について示したものである。
イオン源１、イオン加速部２、イオンビーム軌道３を通
してイオンはイオン打込室６内に照射されるようになつ
ている。イオン打込室６内にはウエーハ搭載用円板６が
内在され、この円板６はモータ７により回転さめるよう
になつている。そして前記イオン打込室９はそれ自体回
動できるようになつており、照射イオンに対してウエー
ハ搭載用円板６上の半導体ウエーハの角度を変化させる
ようになつている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来の装置にあつては、上記各手段の
角度変位を行なうためには、専用の部品に変換したり、
あるいは専問家によるビームラインの調整を必要とする
ものであり、ビームの打込角度を任意に変更できるとい
うことは配慮されていなかつた。 したがつて、微少な調整も困難となるものであること
から、イオン打込みにあつてはいわゆるシヤドウ現象あ
るいはチヤタリング等に対し充分な対策ができないもの
であつた。 それ故、本発明の目的は、常時最適なイオン打込角度
が容易に得られ、これにより微細な半導体装置開発のプ
ロセス条件幅を拡大し得るイオン打込装置に関する。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、複数の半導体ウエーハを搭載用円板に搭載
し、前記搭載用円板をイオン打込室に収納し、前記イオ
ン打込搭載用円板を回転させ、前記搭載用円板を保持機
構を介して走査プレート上に載置し、前記走査プレート
を走査ガイドに沿って移動することにより、前記搭載用
円板の回転軸とイオンの照射軸との距離を相対的に変位
し、また、前記イオン打込内で前記搭載用円板が保持さ
れている前記保持機構を前記走査プレートに対して円弧
状に回動することにより、前記相対的角度を前記相対的
変位の方向に対して垂直な軸を中心とした回転を含んだ
角度であるようにして、前記搭載用円板と前記イオンの
照射軸との相対的角度を調節し、前記半導体ウエーハに
イオンを打込むことを特徴とするイオン打込方法であ
る。 また、本発明は、複数の半導体ウエーハを搭載する搭
載用円板と、前記搭載用円板を収容するイオン打込室
と、前記半導体ウエーハにイオンを照射するイオン源
と、前記搭載用円板を回転させる駆動手段と、前記搭載
用円板の回転軸と前記イオンの照射軸との距離を相対的
に変位させる変位手段を備えたイオン打込装置におい
て、前記イオン打込室内で前記搭載用円板が保持されて
いる保持機構を前記変位手段に対して円弧状に回動する
ことにより、前記相対的変位の方向に対して垂直な軸を
中心とした回転を含んだ角度で、前記イオン打込室内で
前記搭載用円板と前記イオンの照射軸との相対的角度を
調節することを特徴とするイオン打込装置である。 〔作用〕 このように構成することにより、搭載用円板とイオン
照射軸との相対的角度は、搭載用円板の回転軸とイオン
の照射軸との相対変位の方向に対して垂直な軸を中心と
した回転角度になり、搭載用円板が保持されている保持
機構をこの保持機構が載置されているプレートに対して
円弧状に回動することにより、微小な調節を行うことが
でき、保持機構によりこの調節された角度を固定するこ
とができ、また、回転による走査の前後でウエーハの凸
凹などに基づくイオンビームの照射変化による影響を緩
和でき、そのため、イオン打込の均一度の向上が可能と
なるという効果が得られる。 〔実施例〕 第１図は本発明によるイオン打込装置の一実施例を示
す構成図である。同図において、真空室であるイオン打
込室９の外部には、イオン源１が配置され、このイオン
源１からのイオンはイオン加速部２により加速され、イ
オンビーム軌道３に沿つて前記イオン打込室９内に打込
まれるようになつている。なお、前記イオンビーム軌道
３の中途部にはイオン分離部４が配置されている。前記
イオン打込室９の内部には走査プレート17が走査ガイド
14によつて案内されて、前記イオンビーム軌道３からの
イオン照射方向と直交する方向へ移動できるようになつ
ている。すなわち、走査プレート17を走査ガイド14によ
り移動させることにより、ウェーハ搭載用円板６の回転
軸とイオンの照射軸との距離を相対的に変位させること
ができる。前記走査プレート17の移動は、前記イオン打
込室９外に配置されたモータ18の回転とともに回転する
ボールネジ16による回転−直線移動変換機構を介して、
なされるようになつている。なお、前記イオン打込室９
における前記ボールネジ16の貫通部には回転真空シール
ガイド15が設けられている。 前記走査プレート17には円板保持機構13が配置され、
この円板保持機構13にはウエーハ搭載用円板６とこのウ
エーハ搭載用円板６を回転するモータ７とが取付けられ
ている。前記ウエーハ搭載用円板６の前記イオンビーム
軌道３側の主面の周辺には、複数の半導体ウエーハ11が
該円板６と同軸の仮想の円に沿つて等間隔に配置されて
いる。前記イオンビーム軌道３のイオン照射口は前記半
導体ウエーハ11の一つに対向されたものとなつており、
前記イオンビーム軌道３からのイオン照射は、前記走査
プレート17の移動に伴つて径方向へ変化するようになつ
ている。なお、前記ウエーハ搭載用円板６を回転するモ
ータ７は大気と通ずるモータチヤンバ10内に配置され、
放熱効果をもたらすようにしている。 前記円板保持機構13は、第２図の平面図に示すよう
に、走査プレート17上に載置され、該走査プレート17の
移動方向における一端部は前記走査プレート17とピン12
により止められ、また他端部は該移動方向に直交する方
向に並設させた２個のボルト18により締めつけられてい
る。 前記ピン12は、第３図に示すように、その取付け部を
中心にして前記円板保持機構13を走査プレート17に対し
て図中Ａ方向に回動できるようにしたものである。ま
た、このピン12の取付け部を中心とした円弧状の長孔21
が２個形成され、この長孔21を通して前記ボルト18が前
記走査プレート17に締結されている。従って、円板保持
機構13を走査プレート17に対して円弧状に回動させるこ
とで、搭載法円板とイオンの照射軸との相対的角度を微
細に調節することができる。 このように構成されたイオン打込装置は、第３図に示
すボルト18を緩め、円板保持機構13を走査プレート17に
対して所定角度回動させ、その後前記ボルト18を締める
ことにより、搭載用円板の回転軸とイオンの照射軸との
相対変位の方向に対して垂直な軸を中心とした回転角度
を微小に調節することができ、また、円板保持機構13に
よりこの調節された角度を固定することができ、さら
に、回転による走査の前後でウエーハの凸凹などに基づ
くイオンビームの照射変化による影響を緩和でき、イオ
ン打込の均一度の向上が可能となる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本願発明によれば、搭載用円板
とイオン照射軸との相対的角度は、搭載用円板の回転軸
とイオンの照射軸との相対変位の方向に対して垂直な軸
を中心とした回転角度であって、搭載用円板が保持され
ている保持機構をこの保持機構が載置されているプレー
トに対して円弧状に回動することにより、微小な調節を
行うことができ、保持機構によりこの調節された角度を
固定することができ、また、回転による走査の前後でウ
エーハの凸凹などに基づくイオンビームの照射変化によ
る影響を緩和でき、そのため、イオン打込の均一度の向
上が可能となるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるイオン打込装置の一実施例を示す
全体構成図、第２図は前記イオン打込装置に用いられる
円板保持機構の周辺の一実施例を示す平面構成図、第３
図は前記円板保持機構の走査プレートに対する取付け機
構の一実施例を示す構成図、第４図は従来によるイオン
打込装置の一例を示す構成図である。 １……イオン源、２……イオン加速部、３……イオンビ
ーム軌道、４……イオン分離部、５……イオン偏向部、
６……ウエーハ搭載用円板、7,8……モータ、９……イ
オン打込室、10……モータチヤンバ、11……半導体ウエ
ーハ、12……ピン、13……円板保持機構、14a/b……走
査ガイド、15……回転真空シールガイド、16……ボール
ネジ、17……走査プレート、18……ボルト。
全体構成図、第２図は前記イオン打込装置に用いられる
円板保持機構の周辺の一実施例を示す平面構成図、第３
図は前記円板保持機構の走査プレートに対する取付け機
構の一実施例を示す構成図、第４図は従来によるイオン
打込装置の一例を示す構成図である。 １……イオン源、２……イオン加速部、３……イオンビ
ーム軌道、４……イオン分離部、５……イオン偏向部、
６……ウエーハ搭載用円板、7,8……モータ、９……イ
オン打込室、10……モータチヤンバ、11……半導体ウエ
ーハ、12……ピン、13……円板保持機構、14a/b……走
査ガイド、15……回転真空シールガイド、16……ボール
ネジ、17……走査プレート、18……ボルト。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．複数の半導体ウエーハを搭載用円板に搭載し、前記
搭載用円板をイオン打込室に収納し、前記イオン打込搭
載用円板を回転させ、前記搭載用円板を保持機構を介し
て走査プレート上に載置し、前記走査プレートを走査ガ
イドに沿って移動することにより、前記搭載用円板の回
転軸とイオンの照射軸との距離を相対的に変位し、ま
た、前記イオン打込内で前記搭載用円板が保持されてい
る前記保持機構を前記走査プレートに対して円弧状に回
動することにより、前記相対的角度を前記相対的変位の
方向に対して垂直な軸を中心とした回転を含んだ角度で
あるようにして、前記搭載用円板と前記イオンの照射軸
との相対的角度を調節し、前記半導体ウエーハにイオン
を打込むことを特徴とするイオン打込方法。 ２．複数の半導体ウエーハを搭載する搭載用円板と、前
記搭載用円板を収容するイオン打込室と、前記半導体ウ
エーハにイオンを照射するイオン源と、前記搭載用円板
を回転させる駆動手段と、前記搭載用円板の回転軸と前
記イオンの照射軸との距離を相対的に変位させる変位手
段を備えたイオン打込装置において、前記イオン打込室
内で前記搭載用円板が保持されている保持機構を前記変
位手段に対して円弧状に回動することにより、前記相対
的変位の方向に対して垂直な軸を中心とした回転を含ん
だ角度で、前記イオン打込室内で前記搭載用円板と前記
イオンの照射軸との相対的角度を調節することを特徴と
するイオン打込装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62137879A JP2707080B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | イオン打込方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62137879A JP2707080B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | イオン打込方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301453A JPS63301453A (ja) | 1988-12-08 |
| JP2707080B2 true JP2707080B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=15208824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62137879A Expired - Lifetime JP2707080B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | イオン打込方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707080B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970023699A (ko) * | 1995-10-24 | 1997-05-30 | 김주용 | 이온 주입기의 이온 빔 스캐닝장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184443A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-19 | Hitachi Ltd | イオン打込装置 |
| JPS61271738A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Hitachi Ltd | 機械走査とビーム走査を併用したイオン打ち込み装置 |
| JPS627221A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | アナログデイジタルコンバ−タ |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP62137879A patent/JP2707080B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63301453A (ja) | 1988-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2540043B2 (ja) | イオンインプランテ−ション装置 | |
| US4128765A (en) | Ion beam machining techniques and apparatus | |
| JP2582552B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| US4899059A (en) | Disk scanning apparatus for batch ion implanters | |
| JPS626947B2 (ja) | ||
| JP2926253B2 (ja) | イオン注入装置およびウエハへのイオン照射量を制御する方法 | |
| JP3919131B2 (ja) | 回転シリンダにより形成されたビーム画成スリットを有する荷電粒子ビーム装置 | |
| JPH053699B2 (ja) | ||
| JP2707080B2 (ja) | イオン打込方法及びその装置 | |
| JP2717822B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH09245722A (ja) | 多分割イオン注入装置 | |
| EP0342933A2 (en) | Disk scanning apparatus for batch ion implanters | |
| JPS58201241A (ja) | イオン打込角制御法 | |
| JPS6276147A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0348200A (ja) | シンクロトロン放射光利用装置及びその方法 | |
| JPH10283973A (ja) | ウエハメカニカルスキャン方法及びイオン注入装置 | |
| JPH08315762A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| JPS61267250A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0210642A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2000223438A (ja) | 半導体ウエハへのイオン注入方法 | |
| JP3032259B2 (ja) | 電子ビーム軸合せ装置 | |
| JPH04312753A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS6394550A (ja) | イオン照射装置 | |
| JPS61208738A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2021022676A (ja) | イオン注入方法及びイオン注入装置 |