JP2000223438A - 半導体ウエハへのイオン注入方法 - Google Patents
半導体ウエハへのイオン注入方法Info
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- JP2000223438A JP2000223438A JP11026237A JP2623799A JP2000223438A JP 2000223438 A JP2000223438 A JP 2000223438A JP 11026237 A JP11026237 A JP 11026237A JP 2623799 A JP2623799 A JP 2623799A JP 2000223438 A JP2000223438 A JP 2000223438A
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- ion
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハへのイオン注入工程を連続的
に行わせることができる半導体ウエハへのイオン注入方
法を提供する。 【解決手段】 円盤状のディスク２４に複数枚の半導
体ウエハ２２を一体的に配置して、半導体ウエハ２２に
対して所定の角度だけ傾斜した方向よりイオンビーム２
８を入射させる。ディスク２４は当該ディスク２４に垂
直な二つの平面方向にそれぞれ所定の角度まで傾斜移動
させる機構と、前記ディスク２４を回転させる機構とを
有している。これにより、ディスク２４をイオンビーム
２８の入射角度を保持しつつ所定の方向に傾斜させて、
半導体ウエハ２２に対して複数方向からイオンビーム２
８を入射させて、半導体ウエハ２２へのイオン注入工程
を連続的に行えるようにした。
に行わせることができる半導体ウエハへのイオン注入方
法を提供する。 【解決手段】 円盤状のディスク２４に複数枚の半導
体ウエハ２２を一体的に配置して、半導体ウエハ２２に
対して所定の角度だけ傾斜した方向よりイオンビーム２
８を入射させる。ディスク２４は当該ディスク２４に垂
直な二つの平面方向にそれぞれ所定の角度まで傾斜移動
させる機構と、前記ディスク２４を回転させる機構とを
有している。これにより、ディスク２４をイオンビーム
２８の入射角度を保持しつつ所定の方向に傾斜させて、
半導体ウエハ２２に対して複数方向からイオンビーム２
８を入射させて、半導体ウエハ２２へのイオン注入工程
を連続的に行えるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハのイオ
ン注入工程において使用する半導体ウエハへのイオン注
入方法に関する。
ン注入工程において使用する半導体ウエハへのイオン注
入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの製造工程の一工程とし
て、加速されたイオンを半導体ウエハに打込むイオン注
入工程がある。従来、半導体ウエハへのイオン注入工程
において、３種類の方式でイオン注入が行われていた。
図４（ａ）〜（ｃ）はそれぞれのイオン注入方式での概
略説明図である。図４（ａ）には、ラスタースキャン方
式によるイオン注入工程を示している。このラスタース
キャン方式においては、加速管から放射されるイオンビ
ーム１を、当該イオンビーム１の垂直方向と水平方向に
配置した２組の走査電極２により軌道を曲げて走査さ
せ、前記イオンビーム１の軌道上に配置してある半導体
ウエハ３面にイオンビーム１を入射させるものである。
このラスタースキャン方式は、直径６インチ程度の半導
体ウエハのイオン注入工程においてよく使用される。し
かし、８インチ程度の大きさの半導体ウエハにイオン注
入を行う場合には、半導体ウエハ中央部と半導体ウエハ
端部とで、イオンの入射角度の差が無視できないほど大
きくなってしまう。このため、半導体ウエハに打込まれ
るイオン層の厚みにばらつきがでてしまうため、ある程
度大きな半導体ウエハへの適用は今のところ困難であ
る。
て、加速されたイオンを半導体ウエハに打込むイオン注
入工程がある。従来、半導体ウエハへのイオン注入工程
において、３種類の方式でイオン注入が行われていた。
図４（ａ）〜（ｃ）はそれぞれのイオン注入方式での概
略説明図である。図４（ａ）には、ラスタースキャン方
式によるイオン注入工程を示している。このラスタース
キャン方式においては、加速管から放射されるイオンビ
ーム１を、当該イオンビーム１の垂直方向と水平方向に
配置した２組の走査電極２により軌道を曲げて走査さ
せ、前記イオンビーム１の軌道上に配置してある半導体
ウエハ３面にイオンビーム１を入射させるものである。
このラスタースキャン方式は、直径６インチ程度の半導
体ウエハのイオン注入工程においてよく使用される。し
かし、８インチ程度の大きさの半導体ウエハにイオン注
入を行う場合には、半導体ウエハ中央部と半導体ウエハ
端部とで、イオンの入射角度の差が無視できないほど大
きくなってしまう。このため、半導体ウエハに打込まれ
るイオン層の厚みにばらつきがでてしまうため、ある程
度大きな半導体ウエハへの適用は今のところ困難であ
る。
【０００３】図４（ｂ）には、パラレルスキャン方式に
よるイオン注入工程を示している。このパラレルスキャ
ン方式では、上記したラスタースキャンの走査電極２の
かわりに電極４を付加し、当該電極４により分離したイ
オンビーム１をそれぞれ平行となるように調整すること
により、半導体ウエハ３面に対して同じ入射角度でイオ
ンビーム１を入射させる。この方式においては、半導体
ウエハ３のどの位置に対しても、一定の入射角度でイオ
ンビーム１が照射されるため、上記したラスタースキャ
ン方式の問題点は解消される。しかし、このパラレルス
キャン方式におけるイオン注入装置は大型化し、さらに
価格も高価となるため一部のイオン注入工程にのみ使用
されている。
よるイオン注入工程を示している。このパラレルスキャ
ン方式では、上記したラスタースキャンの走査電極２の
かわりに電極４を付加し、当該電極４により分離したイ
オンビーム１をそれぞれ平行となるように調整すること
により、半導体ウエハ３面に対して同じ入射角度でイオ
ンビーム１を入射させる。この方式においては、半導体
ウエハ３のどの位置に対しても、一定の入射角度でイオ
ンビーム１が照射されるため、上記したラスタースキャ
ン方式の問題点は解消される。しかし、このパラレルス
キャン方式におけるイオン注入装置は大型化し、さらに
価格も高価となるため一部のイオン注入工程にのみ使用
されている。
【０００４】図４（ｃ）に、ディスクスキャン方式によ
るイオン注入工程を示す。このディスクスキャン方式に
おいては、上記した方式と異なり、イオンビーム１は走
査させずに一定方向に固定して放射する。一方、半導体
ウエハ３を乗せたディスク５を、半導体ウエハ３と一体
的に回転及び上下移動させることにより、イオンビーム
１を相対的に走査させる。すなわち、イオン注入対象と
なる半導体ウエハ３をディスク５と呼ばれる支持台上に
複数枚保持させる。前記ディスク５を半導体ウエハ３と
一体的に矢印６のように上下移動させるとともに、矢印
７のように回転させることにより、複数枚の半導体ウエ
ハ３にイオンビーム１を入射させるものである。このデ
ィスクスキャン方式においては、ラスタースキャンのよ
うな半導体ウエハの位置に対して角度の偏差の問題もな
く、また複数枚の半導体ウエハにイオン注入工程を行う
ことができる。このため、半導体ウエハへのイオン注入
工程において、ディスクスキャン方式による半導体ウエ
ハへのイオン注入装置が多く用いられている。
るイオン注入工程を示す。このディスクスキャン方式に
おいては、上記した方式と異なり、イオンビーム１は走
査させずに一定方向に固定して放射する。一方、半導体
ウエハ３を乗せたディスク５を、半導体ウエハ３と一体
的に回転及び上下移動させることにより、イオンビーム
１を相対的に走査させる。すなわち、イオン注入対象と
なる半導体ウエハ３をディスク５と呼ばれる支持台上に
複数枚保持させる。前記ディスク５を半導体ウエハ３と
一体的に矢印６のように上下移動させるとともに、矢印
７のように回転させることにより、複数枚の半導体ウエ
ハ３にイオンビーム１を入射させるものである。このデ
ィスクスキャン方式においては、ラスタースキャンのよ
うな半導体ウエハの位置に対して角度の偏差の問題もな
く、また複数枚の半導体ウエハにイオン注入工程を行う
ことができる。このため、半導体ウエハへのイオン注入
工程において、ディスクスキャン方式による半導体ウエ
ハへのイオン注入装置が多く用いられている。
【０００５】ところで、半導体ウエハ面に対して垂直方
向からイオンビームを注入すると、イオンの大部分が半
導体ウエハ深部まで侵入してしまう、いわゆるチャネリ
ングを起こしてしまうため、所定の深さにイオンを注入
することができなくなる。ここで、イオンビームの入射
角度を半導体ウエハ面に対して約７度でイオン注入させ
ると、チャネリングをおこすことなく所定の深さにイオ
ンの注入を行えることが経験的に知られている。そこで
従来は、イオンビームの入射角度を半導体ウエハに対し
て約７度傾斜させて、前記ディスクを半導体ウエハと一
体的に回転移動や上下移動させて、半導体ウエハに対し
てイオン注入を行っている。
向からイオンビームを注入すると、イオンの大部分が半
導体ウエハ深部まで侵入してしまう、いわゆるチャネリ
ングを起こしてしまうため、所定の深さにイオンを注入
することができなくなる。ここで、イオンビームの入射
角度を半導体ウエハ面に対して約７度でイオン注入させ
ると、チャネリングをおこすことなく所定の深さにイオ
ンの注入を行えることが経験的に知られている。そこで
従来は、イオンビームの入射角度を半導体ウエハに対し
て約７度傾斜させて、前記ディスクを半導体ウエハと一
体的に回転移動や上下移動させて、半導体ウエハに対し
てイオン注入を行っている。
【０００６】しかし、入射するイオンビームに対する半
導体ウエハを一方向に固定してしまうと、イオン注入を
行う際に、ウエハに配置してあるパターンが、イオンビ
ームに対して障壁となり影になる部分が発生して、イオ
ン注入されない領域を発生するおそれがある。そこで従
来は、半導体ウエハを４５度間隔あるいは、９０度間隔
で回転移動させてディスクに配置して、それぞれ約７度
の入射角度でイオンを注入させるステップと呼ばれる作
業を行うことにより、半導体ウエハ面内に影となる部分
をなくして、半導体ウエハの所定の領域にイオン注入が
行えるようにしていた。
導体ウエハを一方向に固定してしまうと、イオン注入を
行う際に、ウエハに配置してあるパターンが、イオンビ
ームに対して障壁となり影になる部分が発生して、イオ
ン注入されない領域を発生するおそれがある。そこで従
来は、半導体ウエハを４５度間隔あるいは、９０度間隔
で回転移動させてディスクに配置して、それぞれ約７度
の入射角度でイオンを注入させるステップと呼ばれる作
業を行うことにより、半導体ウエハ面内に影となる部分
をなくして、半導体ウエハの所定の領域にイオン注入が
行えるようにしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法で
は、以下のような問題があった。半導体ウエハへのイオ
ン注入工程において、次のステップに移行する度ごと
に、イオン注入装置の運転を停止して、半導体ウエハの
配置を一定角度ごとに変えることの手間や時間のロスが
問題となっていた。また、１ステップごとのイオン注入
工程には通常６秒から２０秒程度の時間がかかるが、所
定のウエハ表面にイオン注入工程を行うにあたりステッ
プ回数分だけの時間をかける必要がある。例えば、９０
度間隔でステップを行う場合には４回分の時間が、４５
度間隔でステップを行う場合には８回分の時間がかかっ
てしまう。このため、処理時間の短縮化の観点からも改
善が望まれていた。
は、以下のような問題があった。半導体ウエハへのイオ
ン注入工程において、次のステップに移行する度ごと
に、イオン注入装置の運転を停止して、半導体ウエハの
配置を一定角度ごとに変えることの手間や時間のロスが
問題となっていた。また、１ステップごとのイオン注入
工程には通常６秒から２０秒程度の時間がかかるが、所
定のウエハ表面にイオン注入工程を行うにあたりステッ
プ回数分だけの時間をかける必要がある。例えば、９０
度間隔でステップを行う場合には４回分の時間が、４５
度間隔でステップを行う場合には８回分の時間がかかっ
てしまう。このため、処理時間の短縮化の観点からも改
善が望まれていた。
【０００８】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、半導体ウエハへのイオン注入工
程を連続的に行わせることで処理時間や手間を短縮して
処理効率を上昇させることを目的としている。
ためになされたもので、半導体ウエハへのイオン注入工
程を連続的に行わせることで処理時間や手間を短縮して
処理効率を上昇させることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体ウエハへのイオン注入方法にお
いては、複数枚の半導体ウエハをディスク上に一体的に
配置して、半導体ウエハにイオンビームを所定の傾斜角
度から入射させつつディスクを回転させる半導体ウエハ
へのイオン注入方法において、前記イオンビームとの傾
斜角度を保持させたまま半導体ウエハの傾斜方向を変化
させつつ半導体ウエハにイオン注入させる構成とした。
に、本発明に係る半導体ウエハへのイオン注入方法にお
いては、複数枚の半導体ウエハをディスク上に一体的に
配置して、半導体ウエハにイオンビームを所定の傾斜角
度から入射させつつディスクを回転させる半導体ウエハ
へのイオン注入方法において、前記イオンビームとの傾
斜角度を保持させたまま半導体ウエハの傾斜方向を変化
させつつ半導体ウエハにイオン注入させる構成とした。
【００１０】上記構成においては、複数枚の半導体ウエ
ハを保持したディスクを固定方向から入射するイオンビ
ームに対して所定の角度だけ傾斜させて、対象とする半
導体ウエハにイオンビームを所定の傾斜角度で入射させ
る。そして、半導体ウエハを保持したディスクは、回転
軸を中心に前記傾斜角度を保持したまま回転する。この
ため、回転軌道上に配置した複数の半導体ウエハ全体に
イオンビームが入射する。このとき、上下移動機構によ
りイオンビームの入射方向を一定に保持させつつ、ディ
スクを半導体ウエハと一体的に所定位置だけ上下移動さ
せる。これにより、半導体ウエハの所定の領域全体にイ
オンビームを入射させる。そして、ディスクに備えた傾
斜機構により、イオンビームとの傾斜角度を保持させた
ままディスクの傾斜方向を変化させて、対象とする半導
体ウエハにイオンビームを入射させる。従って、ディス
ク上に配置した複数枚の半導体ウエハに、作業を中断す
ることなく連続的にイオン注入を行わせることができる
ため、作業効率を上昇させることができ、時間や手間を
短縮させることができる。
ハを保持したディスクを固定方向から入射するイオンビ
ームに対して所定の角度だけ傾斜させて、対象とする半
導体ウエハにイオンビームを所定の傾斜角度で入射させ
る。そして、半導体ウエハを保持したディスクは、回転
軸を中心に前記傾斜角度を保持したまま回転する。この
ため、回転軌道上に配置した複数の半導体ウエハ全体に
イオンビームが入射する。このとき、上下移動機構によ
りイオンビームの入射方向を一定に保持させつつ、ディ
スクを半導体ウエハと一体的に所定位置だけ上下移動さ
せる。これにより、半導体ウエハの所定の領域全体にイ
オンビームを入射させる。そして、ディスクに備えた傾
斜機構により、イオンビームとの傾斜角度を保持させた
ままディスクの傾斜方向を変化させて、対象とする半導
体ウエハにイオンビームを入射させる。従って、ディス
ク上に配置した複数枚の半導体ウエハに、作業を中断す
ることなく連続的にイオン注入を行わせることができる
ため、作業効率を上昇させることができ、時間や手間を
短縮させることができる。
【００１１】なお、ディスク面に配置した半導体ウエハ
の一枚ずつにイオンビームを入射させつつ傾斜方向を変
化させて半導体ウエハへのイオンビームを入射させても
よい。
の一枚ずつにイオンビームを入射させつつ傾斜方向を変
化させて半導体ウエハへのイオンビームを入射させても
よい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を添付した図面
に従って詳細に説明する。
に従って詳細に説明する。
【００１３】図１は本実施形態における半導体ウエハへ
のイオン注入装置２０の説明図である。また、図２に本
実施形態における半導体ウエハ２２へのイオン注入装置
２０の要部断面図を示す。そして、図３は本実施形態に
おけるイオン注入工程の説明図である。本実施形態のイ
オン注入装置２０は、複数枚の半導体ウエハ２２を一体
的に保持可能な円盤形のディスク２４を、プロセスチャ
ンバ２６に回転可能にはめ込ませる構成となっている。
さらに、ディスク２４上に配置した半導体ウエハ２２の
対面側には、イオンビーム２８を半導体ウエハ２２に案
内する円筒状のビームライン３０が設置されている。
のイオン注入装置２０の説明図である。また、図２に本
実施形態における半導体ウエハ２２へのイオン注入装置
２０の要部断面図を示す。そして、図３は本実施形態に
おけるイオン注入工程の説明図である。本実施形態のイ
オン注入装置２０は、複数枚の半導体ウエハ２２を一体
的に保持可能な円盤形のディスク２４を、プロセスチャ
ンバ２６に回転可能にはめ込ませる構成となっている。
さらに、ディスク２４上に配置した半導体ウエハ２２の
対面側には、イオンビーム２８を半導体ウエハ２２に案
内する円筒状のビームライン３０が設置されている。
【００１４】前記ディスク２４を保持するプロセスチャ
ンバ２６の下方には、ディスク２４と一体的に矢印３９
ａのように上下移動可能な架台３４が配置してある。前
記架台３４上面には、矢印５１ａのように回動可能なタ
ーンテーブル５０が設けてあり、当該ターンテーブル５
０上に配設した半導体ウエハ２２を保持したディスク２
４を矢印５１ｂのように垂直面（架台３４に対して垂直
な面）に対して傾斜移動できるようになっている。前記
架台３４上面のターンテーブル５０面内には前記プロセ
スチャンバ２６を挟んでベース３６が平行配置してあ
る。前記一対のベース３６にはそれぞれ上方に延在する
支柱３８が連結しており、支柱３８の上端部には回転ロ
ッド４０が回動自在に支持されている。前記回転ロッド
４０は、前記プロセスチャンバ２６の側面上部の両側に
配置され、プロセスチャンバ２６の側部を挟み込んで固
定支持している。そして、前記回転ロッド４０は二点鎖
線で示した傾斜駆動モータ４４に接続され、当該傾斜駆
動モータ４４の回転力を受けて矢印４５ａのように回転
駆動される。これにより、プロセスチャンバ２６を半導
体ウエハ２２の配置されたディスク２４と一体的に、水
平面（架台３４と平行な面）に対して矢印４５ｂのよう
に所定の角度傾斜させることができる。
ンバ２６の下方には、ディスク２４と一体的に矢印３９
ａのように上下移動可能な架台３４が配置してある。前
記架台３４上面には、矢印５１ａのように回動可能なタ
ーンテーブル５０が設けてあり、当該ターンテーブル５
０上に配設した半導体ウエハ２２を保持したディスク２
４を矢印５１ｂのように垂直面（架台３４に対して垂直
な面）に対して傾斜移動できるようになっている。前記
架台３４上面のターンテーブル５０面内には前記プロセ
スチャンバ２６を挟んでベース３６が平行配置してあ
る。前記一対のベース３６にはそれぞれ上方に延在する
支柱３８が連結しており、支柱３８の上端部には回転ロ
ッド４０が回動自在に支持されている。前記回転ロッド
４０は、前記プロセスチャンバ２６の側面上部の両側に
配置され、プロセスチャンバ２６の側部を挟み込んで固
定支持している。そして、前記回転ロッド４０は二点鎖
線で示した傾斜駆動モータ４４に接続され、当該傾斜駆
動モータ４４の回転力を受けて矢印４５ａのように回転
駆動される。これにより、プロセスチャンバ２６を半導
体ウエハ２２の配置されたディスク２４と一体的に、水
平面（架台３４と平行な面）に対して矢印４５ｂのよう
に所定の角度傾斜させることができる。
【００１５】半導体ウエハ２２を保持するディスク２４
の回転軸後方には、当該ディスク２４を一定の傾斜角度
を保持させたまま回転駆動させる回転駆動モータ４２が
配置されている。なお、ディスク２４周縁部の半導体ウ
エハ２２の取り付け位置に対向する部分には、半導体ウ
エハ２２をディスク２４に設置するウエハホルダ４６が
配置され、当該半導体ウエハ２２の後方には半導体ウエ
ハ２２を脱着させるためのピンアクチエータ４８が配置
されている。
の回転軸後方には、当該ディスク２４を一定の傾斜角度
を保持させたまま回転駆動させる回転駆動モータ４２が
配置されている。なお、ディスク２４周縁部の半導体ウ
エハ２２の取り付け位置に対向する部分には、半導体ウ
エハ２２をディスク２４に設置するウエハホルダ４６が
配置され、当該半導体ウエハ２２の後方には半導体ウエ
ハ２２を脱着させるためのピンアクチエータ４８が配置
されている。
【００１６】上記した半導体ウエハへのイオン注入装置
２０の作用は以下のようになる。
２０の作用は以下のようになる。
【００１７】まず、ウエハホルダ４６によりディスク２
４面上に複数枚の半導体ウエハ２２を配置させる。そし
て、イオンビーム２８がビームライン３０に案内されて
半導体ウエハ２２に対して約７度の傾斜角度を保持した
一定方向より入射する。そして、半導体ウエハ２２を保
持したディスク２４は、回転駆動モータ４２により回転
軸を中心に前記傾斜角度を保持したまま矢印４３のよう
に回転する。このため、ディスク２４の同一円周上に配
置した複数の半導体ウエハ２２全体にイオンビーム２８
が入射する。このとき、イオンビーム２８の入射方向を
一定に保持させつつ、架台３４に備えた上下移動機構に
より、ディスク２４を半導体ウエハ２２と一体的に所定
位置だけ矢印３９ｂのように上下移動させる。これによ
り、半導体ウエハ２２の所定の領域全体にイオンビーム
２８を入射させるようにしている。
４面上に複数枚の半導体ウエハ２２を配置させる。そし
て、イオンビーム２８がビームライン３０に案内されて
半導体ウエハ２２に対して約７度の傾斜角度を保持した
一定方向より入射する。そして、半導体ウエハ２２を保
持したディスク２４は、回転駆動モータ４２により回転
軸を中心に前記傾斜角度を保持したまま矢印４３のよう
に回転する。このため、ディスク２４の同一円周上に配
置した複数の半導体ウエハ２２全体にイオンビーム２８
が入射する。このとき、イオンビーム２８の入射方向を
一定に保持させつつ、架台３４に備えた上下移動機構に
より、ディスク２４を半導体ウエハ２２と一体的に所定
位置だけ矢印３９ｂのように上下移動させる。これによ
り、半導体ウエハ２２の所定の領域全体にイオンビーム
２８を入射させるようにしている。
【００１８】本実施形態においては、上記したようにデ
ィスク２４を挟んで固定支持している回転ロッド４０に
より、半導体ウエハ２２を配置したディスク２４を前記
水平面に対して矢印４５ｂのように傾斜方向を変化させ
るとともに、架台３４の上面に配置したターンテーブル
５０により、前記ディスク２４の前記垂直面に対して矢
印５１ｂのように傾斜方向を変化させる。これらの傾斜
機構により、イオンビーム２４との傾斜角度を保持させ
たままで、半導体ウエハ２２を配置したディスク２４の
傾斜方向を変化させることができる。これにより対象と
する半導体ウエハ２２とイオンビーム２８と傾斜角度を
保持させつつ、ディスク２４の傾斜方向を半導体ウエハ
２２と一体的に変化させて、半導体ウエハ２２にイオン
ビーム２８を入射させることができる。従って、従来の
ような半導体ウエハ２２の配置を一定角度ごとに変える
度にイオンビーム２８の注入を停止させるなどの手間や
時間のロスをなくすことができる。また、ディスク２４
に配置した全ての半導体ウエハ２２に連続的にイオンビ
ーム２８を入射させているため、従来のようなステップ
工程を設ける必要がなくなり、大幅に時間を短縮させる
ことができる。このように、ディスク２４上に配置した
複数枚の半導体ウエハ２２に、作業を中断することなく
連続的にイオン注入を行わせることができるため、作業
効率を上昇させることができ、半導体ウエハ２２へのイ
オン注入工程における時間や手間を短縮させることがで
きる。
ィスク２４を挟んで固定支持している回転ロッド４０に
より、半導体ウエハ２２を配置したディスク２４を前記
水平面に対して矢印４５ｂのように傾斜方向を変化させ
るとともに、架台３４の上面に配置したターンテーブル
５０により、前記ディスク２４の前記垂直面に対して矢
印５１ｂのように傾斜方向を変化させる。これらの傾斜
機構により、イオンビーム２４との傾斜角度を保持させ
たままで、半導体ウエハ２２を配置したディスク２４の
傾斜方向を変化させることができる。これにより対象と
する半導体ウエハ２２とイオンビーム２８と傾斜角度を
保持させつつ、ディスク２４の傾斜方向を半導体ウエハ
２２と一体的に変化させて、半導体ウエハ２２にイオン
ビーム２８を入射させることができる。従って、従来の
ような半導体ウエハ２２の配置を一定角度ごとに変える
度にイオンビーム２８の注入を停止させるなどの手間や
時間のロスをなくすことができる。また、ディスク２４
に配置した全ての半導体ウエハ２２に連続的にイオンビ
ーム２８を入射させているため、従来のようなステップ
工程を設ける必要がなくなり、大幅に時間を短縮させる
ことができる。このように、ディスク２４上に配置した
複数枚の半導体ウエハ２２に、作業を中断することなく
連続的にイオン注入を行わせることができるため、作業
効率を上昇させることができ、半導体ウエハ２２へのイ
オン注入工程における時間や手間を短縮させることがで
きる。
【００１９】なお、実施形態においては、ディスクに配
置した全体の半導体ウエハにイオンビームを入射させつ
つ傾斜方向を変化させたが、ディスク面に配置した半導
体ウエハの一枚ずつにイオンビームを入射させつつ傾斜
方向を変化させて半導体ウエハへのイオンビームを入射
させてもよい。また、実施形態においてはイオンビーム
に対して約７度の傾斜角度に半導体ウエハを保持させる
構成としたが、態様により傾斜角度は異なり、それに応
じてイオン注入装置の傾斜角度も変化させることができ
る。
置した全体の半導体ウエハにイオンビームを入射させつ
つ傾斜方向を変化させたが、ディスク面に配置した半導
体ウエハの一枚ずつにイオンビームを入射させつつ傾斜
方向を変化させて半導体ウエハへのイオンビームを入射
させてもよい。また、実施形態においてはイオンビーム
に対して約７度の傾斜角度に半導体ウエハを保持させる
構成としたが、態様により傾斜角度は異なり、それに応
じてイオン注入装置の傾斜角度も変化させることができ
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における半
導体ウエハへのイオン注入方法においては、処理時間や
手間を短縮して連続的にイオン注入工程を行わせること
ができる。
導体ウエハへのイオン注入方法においては、処理時間や
手間を短縮して連続的にイオン注入工程を行わせること
ができる。
【図１】本発明の実施形態におけるイオン注入装置の概
略説明図である。
略説明図である。
【図２】本発明の実施形態におけるイオン注入装置の要
部断面図である。
部断面図である。
【図３】本発明の実施形態におけるイオン注入工程の説
明図である。
明図である。
【図４】従来におけるイオン注入装置の説明図である。
１ イオンビーム ２ 走査電極 ３ 半導体ウエハ ４ 電極 ５ ディスク ６ 矢印 ７ 矢印 ２０ イオン注入装置 ２２ 半導体ウエハ ２４ ディスク ２６ プロセスチャンバ ２８ イオンビーム ３０ ビームライン ３２ ベローズ ３４ 架台 ３６ ベース ３８ 支柱 ３９ａ 矢印 ３９ｂ 矢印 ４０ 回転ロッド ４２ 回転駆動モータ ４３ 矢印 ４４ 傾斜駆動モータ ４５ 矢印 ４６ ウエハホルダ ４８ ピンアクチエータ ５０ ターンテーブル ５１ａ 矢印 ５１ｂ 矢印
Claims (1)
- 【請求項１】 複数枚の半導体ウエハをディスク上に一
体的に配置して、半導体ウエハにイオンビームを所定の
傾斜角度から入射させつつディスクを回転させる半導体
ウエハへのイオン注入方法において、前記イオンビーム
との傾斜角度を保持させたまま半導体ウエハの傾斜方向
を変化させつつ半導体ウエハにイオン注入させたことを
特徴とする半導体ウエハへのイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026237A JP2000223438A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体ウエハへのイオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026237A JP2000223438A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体ウエハへのイオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223438A true JP2000223438A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12187720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11026237A Withdrawn JP2000223438A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体ウエハへのイオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223438A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004104092A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-04-02 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
| JP2006523932A (ja) * | 2003-04-01 | 2006-10-19 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入システムのためのイオンビーム入射角検出器 |
| JP2009032793A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | イオン注入方法および半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP11026237A patent/JP2000223438A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060404 |