JPH02278643A - イオン注入機 - Google Patents

イオン注入機

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JPH02278643A
JPH02278643A JP2049141A JP4914190A JPH02278643A JP H02278643 A JPH02278643 A JP H02278643A JP 2049141 A JP2049141 A JP 2049141A JP 4914190 A JP4914190 A JP 4914190A JP H02278643 A JPH02278643 A JP H02278643A
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wafer
drive
axis
housing
vacuum chamber
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JP2049141A
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Andrew M Ray
アンドリュー　マルロー　レイ
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Eaton Corp
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Eaton Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、イオン注入装置、特にイオン注入器用の改良
形端部装置に関するものである。
（従来の技術） イオン注入機は公知である。本発明の譲受人に譲渡され
ているマイロン（Ｍｙｒｏｎ）の米国特許第４，７６１
，５５９号は、半導体ウェハな連続的に端部装置の真空
室内へ搬送して、プラテンに固定し、固定注入位置まで
回転させてから、その固定位置にしっかり保持しながら
注入を行う端部装置を設けた典型的なイオン注入機を開
示している。一般的に、この固定位置は、チャシネ２ル
効果を避けるため、所定の入射角度、約７°の角度が付
けられている。
最近では、イオン注入機の作動に融通性を向上させる必
要性が高まり、特に一般的な７°よりも相当に大きい可
変注入角度でウェハに注入できるようにし、また注入中
にウェハを回転できるようにしている。そのような融通
性を必要とする用途には、大角度傾斜注入ドレイン（Ｌ
ＡＴＩＤ）トランジスタ、ダイナミックＲＡＭ用のトレ
ンチキャパシタ側壁、軽ドーピングドレイン（ＬＤＤＩ
対称エンハンスメント、チャネルストップトレンチ側壁
注入、改良されたシート抵抗による均一性、縦横比が高
いマスクによる印影効果の軽減がある。これらの作動を
行う能力が注入機の構造に内蔵されているので、その他
の応用も可能になると予想される。
（発明が解決しようとする課題） このような事情に従って、本発明の目的は、ビームとウ
ェハ表面に垂直な直線との間の注入角度、すなわち傾斜
角度を高（して、すなわち少なくとも６０°にしてウェ
ハに注入できるイオン注入機用の端部装置を提供するこ
とである。
また本発明の目的は、注入作業中またはその作業の合間
にウェハを回転さぜる能力を与えることである。これに
は、注入作業中にウェハな連続的に回転させることと共
に、ウェハな所定量の注入を行ってから所定角度回転さ
せ、さらにこのサイクルを１回または複数回繰り返すこ
とも含まれる。
さらに本発明は、一般に認められている低粒子ウェハハ
ンドリング技法を用いることができる端部装置を設けて
上記目的を達成することである。一般的な技法に、同一
水平位置でウェハチャックを着脱する技法がある。本発
明は、本発明の譲受人に譲渡されているキング（Ｋｉｎ
ｇ）の米国特許第４，２６１，７６２号に開示されてい
る形式のガス導入式冷却方法などの有効な既存のウェハ
冷却方法と共に使用することもできることが必要である
。
また本発明の別の目的は、傾斜軸線がウェハ表面によっ
て形成される平面上にあって、傾斜軸線および回転軸線
の両方がウェハの中心を通って、走査ビームパターンに
対するウェハの垂直または水平方向の並進運動が発生し
ないようにした上記形式の端部装置を提供することであ
る。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため本発明は、特許請求の範囲に記
載された構成を有し、特にイオン注入機における端部装
置（３０）の構成としてウェハ表面によって形成された
平面上のほぼウェハ直径に沿って延在している第１軸線
（８０）回りに、また第１軸線に垂直であってウェハの
中心を通っている第２軸線（８８）回りに回転可能なウ
ェハ支持部（３８）を有している。また、ウェハ支持部
を回転させる駆動装置（６２，６３）は、互いに独立的
に作動可能であって、注入機の真空室（３２）の外側に
取り付けられたステップモータ（７３，ａ２）を含む。
（作用） このような構成により、本発明は、ウェハな第１軸線回
りに回転してイオンビームに対する入射角度を０°から
９０の間で無限に変更できると共に、第１軸線に垂直な
第２軸線回りにもウェハをビームに対して回転させるこ
とができる。第１軸線は、ほぼウェハの平坦表面に沿っ
て設けられており、第１軸線および第２軸線の両方がウ
ェハ面の中心を通っていることにより、ウェハの傾動時
または回転時に、ビームに対してウェハが垂直または水
平方向に並進運動することはない。ウェハ支持部を取り
付けた第１ハウジングは、端部装置の真空室の壁に貫通
するハブアセンブリによって回転可能に支持されて、ス
テップモータにより駆動ベルト−滑車装置を介して駆動
される。支持部の軸線回りの回転は、回転ハウジングに
取り付けられてハウジング内の駆動装置によってウェハ
支持部に連結されているステップモータによって行われ
るため、２つの駆動装置は互いに独立的に作動できる。
（実施例） 第１図に示されているイオン注入機１０は、イオンビー
ム１４を分析マグネット１６へ送るイオン源１２を設け
ており、この分析マグネット１６によってビームが屈折
して、細長い経路番こ沿ってビームシャッタ２０および
加速電極２２を通過する。電極２２から出たビームは、
４極レンズ装置２４を通過し、ここでビームが集束され
てから、偏向電極２６および２８へ送られ、ここで制御
電圧がビームを左右上下に偏向させるが、そのような制
御電圧の変調により、端部装置３０に配置されたウェハ
２９を横切る方向にビームの走査が行われる。
端部装置３０は、真空室３２内に設けられている。真空
室３２内に取り付けられた２本のアーム３４、３６が、
ウェハ支持アセンブリ３８に対するウェハの着脱を自動
的に行い、このウェハ支持アセンブリ３８は、第１図に
実線で示されている装着位置と、第１図に点線で示され
ているような位置にウェハを設置する１つまたは複数の
注入位置との間を移動する。典型的な注入作業では、ド
ーピングされていないウェハをカセット４０からシャト
ル４２が取り出して、１枚のウェハをアーム４４付近ま
で運び、アーム４４がそのウェハを方向付は装置４６へ
移動させて、そこでウェハが特定の結晶方向へ回転させ
られる。その方向法めされたウェハをアーム４４が取り
出して、真空室３２に隣接した装着部４８へ移動させる
。装着部４８は閉鎖されてから、所望の真空度まで脱気
された後、真空室３２へ開放される。アーム３４がウェ
ハな把持して真空室３２内へ運び、支持部３８上のさら
なるハンドリングおよび注入を行う位置ヘウェハを配置
するが、これについては以下に詳細に説明する。
真空室３２の取り外し側では、第２アーム３６が注入済
みウェハ２９を支持部３８から把持して、真空室３２か
ら取り外し部４９へ移動させる。取り外し部４９からは
、アーム５０がウェハをシャトル５２へ移動させ、この
シャトル５２がウェハを第２カセツト５４に自動的に入
れる。
第２および第３図に示すように、本発明の改良形端部装
置には、真空室３２内に設けられた回転および傾動ウェ
ハ支持アセンブリ３８と、真空室３２の外側に設けられ
たウェハ傾動アセンブリ６２と、やはり真空室３２の外
側に設けられたウェハ回転駆動アセンブリ６３とが設け
られている。
ウェハ支持アセンブリ３８は、真空室３２の壁６５を貫
通して突出し、フランジ６６でそれに固定されている第
１円筒形ハウジング６４と、ほぼＵ字形の部分７０を備
えて、第１ハウジング内に回転可能に支持されている第
２円筒形ハウジング６８と、Ｕ字形部分に取り付けられ
たプラテンアセンブリ６０とを有している。ハウジング
６８は、第１軸受７１と、好ましくはフェロフルイブイ
ック（Ｆｅｒｒｏｆｌｕｉｄｉｃｌ　（フェロフルイブ
イック社の登録商標）シール−軸受として知られている
形式の軸受−シール組み合わせアセンブリ７２とによっ
て支持されている。第２図に示すように、Ｕ字形部分は
さらに、真空室の反対側の壁６７に取り付けられた軸受
アセンブリ７５によっても支持されている。
傾動アセンブリ６２は、支柱７４によって真空室３２に
取り付けられた第１ステツプモータ７３と、内側円筒形
ハウジング６８の延出部として形成されている大径の駆
動滑車７６とを有している。
モータ７３の作動により、駆動ベルト７８を介してハウ
ジングが、従ってプラテンアセンブリ６０が、ほぼ支持
部上のウェハ２９の平坦面によって形成された平面上に
ある軸線８０回りに回転する。
回転駆動装置６３は、ハウジング６８に作動可能に取り
付けられたステップモータ８２と、ウェハ２９の中心を
通る、軸線８０に垂直な軸線８８回りにプラテンアセン
ブリ６０を回転させる伝達装置８６とを有している。図
示の実施例では、モータ８２が支柱８４によって直接的
に滑車７６に取り付けられている。
伝達装置８６は、モータ８２の出力軸に連結されて、ハ
ウジング６８内に軸受９２で支持された第１軸９０と、
Ｕ字形部分７０の底部内に収容されて、軸受９６で支持
された第２軸９４と、第１および第２軸を連結する滑車
−ベルト装置９８と、プラテンアセンブリ６０に固定さ
れて、Ｕ字形部分７０の底部から内向きに延出している
ハブ１０２内に回転可能に取り付けられている第３軸１
００と、第２および第３軸を連結するベベルギア装置１
０４とを有している。第３軸１００は、やはりフェロフ
ルイブイック形軸受−シールである軸受シール組み合わ
せアセンブリによってハブ内に支持されている。
第３図かられかるように、プラテンアセンブリの回転軸
線は、傾動モードではウェハ表面によって形成された平
面上にあり、回転モードはウェハの中心を通っているの
で、ビーム１４に対するウェハの垂直および水平方向の
並進運動はなく、また傾動および回転駆動装置はそれぞ
れ独立している。
プラテンアセンブリ６０は、軸１００に固定されたベー
ス部材１０６と、ベースに取り付けられたウェハ収容プ
ラテン１０８と、ベースに取り付けられて、選択的にウ
ェハなプラテンに接触するように保持するばね付勢され
たクランプアセンブリ１１０とを有している。そのよう
なプラテンおよびクランプアセンブリは公知であるので
、ここでは詳細に説明しない。ガス冷却を行わないで本
装置を利用する場合、いずれの移動モトの際にもウェハ
をプラテンから持ち上げようとする力が存在しないので
、傾動および回転軸線の方向付けをするだけて、ウェハ
を確実に固定する必要がなくなる。
次に作用を説明すると、ウェハ２９はシャトル４２によ
ってカセット４０から取り出され、アーム４４によって
まず方向付は装置４６へ、それから装着部４８へ送られ
る。装着部４８と真空室３２との間で適当に脱気処理が
行われた後、装着アーム３４がウェハを装着部からプラ
テンアセンブリ６０へ送り、そこでウェハはクランプア
センブリ１１０によってプラテン１０８に固定される。
次に、傾動モータ７３を励磁して、ウェハ支持部を軸線
８０回りに第２図に示されている水平位置から注入位置
まで、一般的にビームとウェハ表面に垂直な線との間が
０°から６０°までの角度になるように回転させる。所
望の注入位置に配置されたところで、それぞれの注入の
必要条件に応じて、ウェハな固定の角度位置においてビ
ーム１４を照射するか、それを連続的に回転させるか、
または段階的に回転させてもよい。
注入作業完了後、ウェハはまずアーム３６で取り外し部
４９へ送られ、そこからアーム５ｏおよびシャトル５２
でカセット５４へ送られる。
（発明の効果） 以上説明したように本発明は、イオン注入機の端部装置
を構成するウェハ支持部がウェハの第１、第２軸線回り
にそれぞれ回転可能となり、しかもイオンビームに対し
てウェハを垂直又は水平方向に並進運動させることがな
いので、ウェハへのビーム入射角度を自由に高く設定で
き、均一で用途に応じた所定量の注入作業を確実に実施
できる。
また、ウェハ支持部の駆動装置はステップモーフでなり
、互いに独立してウェハな両軸線回りに回転可能にする
ので、注入作業をより融通性のあるものとすることがで
きる。
さらに、注入作業中にウェハを連続的に回転させるとと
もに所定量の注入を行ってがらウェハを所定角度回転さ
せてこのサイクルを繰り返すこともできる等の利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るイオン注入機の概略平面図、 第２図は本発明の概略斜視図、 第３図は本発明の概略断面図である。 ｌＯ・・・イオン注入機　　　１２・・・イオン源１４
・・・イオンビーム　　　１６・・・マグネット２０・
・・ビームシャック　　２２・・・加速電極２４・・・
レンズ装置　　　　２６．２８・・・偏向電極２９・・
・ウェハ　　　　　　３０・・・端部装置３８・・・ウ
ェハ支持アセンブリ ６０・・・プラテンアセンブリ ６２・・・ウェハ傾動アセンブリ ６３・・・ウェハ回転駆動アセンブリ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）真空室（３２）と、この真空室内の処理部（３０）
    と、処理部にあるウェハ（２９）上にイオンビームを送
    る手段（１２〜２８）とを有し、前記処理部に前記ウェ
    ハを収容するウェハ 支持部（３８）が設けられて、前記ウェハ支持部が、ほ
    ぼウェハの表面によって形成された平面上にあってビー
    ムにほぼ垂直な第１軸線（８０）回りに、またウェハの
    表面によって形成された平面に垂直な第２軸線（８８）
    回りに回転可能に取り付けられて、これらのウェハ面の
    中心を通るようにしたことを特徴としており、さらに、
    前記ウェハ支持部を前記第１軸線回りに回転させる第１
    駆動手段（６２）と、前記ウェハ支持部を前記第２軸線
    回りに回転させる第２駆動手段（６３）とを有している
    イオン注入機。 ２）前記第１および第２駆動手段が互いに独立的に作動
    可能である請求項１に記載の装置。 ３）前記ウェハ支持部（３８）が、前記第１軸線回りに
    回転可能に取り付けられた第１ハウジング（６８、７０
    ）と、ウェハ収容表面を形成しており、前記第２軸線回
    りに回転可能に、また収容されたウェハの自由表面によ
    って形成される平面をほぼ前記第１軸線上に配置する位
    置で前記第１ハウジングに取り付けられたプラテン（６
    ０）とを有している請求項１に記載の装置。 ４）前記第１駆動手段（６２）が、前記真空室の外側に
    取り付けられた前記第１ハウジングに作動連結した出力
    部を備える第１回転駆動 モータ（７３）を有している請求項３に記載の装置。 ５）前記第１回転駆動モータがステップモータである請
    求項４に記載の装置。 ６）前記第２駆動手段（６３）が、前記第１軸線回りに
    回転可能に取り付けられた出力軸 （９０）を備えた回転駆動手段と、前記出力軸を前記プ
    ラテンに作動連結する駆動伝達手段（９４、９８、１０
    ４）とを有している請求項３に記載の装置。 ７）前記第２駆動手段（６３）が、前記真空室の外側に
    取り付けられた前記出力軸に作動連結された出力部を備
    える第２回転駆動モータ （８２）を有している請求項６に記載の装置。 ８）前記第２回転駆動モータが前記第１ハウジングに取
    り付けられている請求項７に記載の装置。 ９）前記第２回転駆動モータがステップモータである請
    求項８または９に記載の装置。 １０）前記ウェハ支持部が、前記真空室の壁（６５）に
    挿通された第１ハブ（６４）と、前記第１ハブ内に部分
    的に収容されて前記第１軸線回りに回転可能であるハウ
    ジング（６８、７０）と、前記第１軸線に垂直な方向へ
    前記ハウジングから延出している第２ハブ（１０２）と
    、前記第２ハブ内において前記第２軸線回りに回転 可能に前記プラテンを取り付ける手段（１００、１０５
    ）とを有しており、前記第１駆動手段が、出力部を前記
    ハウジングに作動連結した第１回転モータ（７３）を有
    し、さらに前記第２駆動手段が、前記ハウジング内にお
    いて前記第１軸線回りに回転可能に取り付けられた第１
    駆動軸（９０）と、前記ハウジング内に設けられて前記
    駆動軸を前記プラテンに作動連結する駆動伝達手段（９
    ４、９８、１０４）と、出力部を前記第１駆動軸に作動
    連結した第２回転モータ（８２）とを有している請求項
    １に記載の装置。 １１）前記第１および第２回転駆動モータが真空室の外
    側に取り付けられている請求項１０に記載の装置。 １２）前記第１および第２回転駆動モータがステップモ
    ータである請求項１１に記載の装置。 １３）前記ハウジングが、前記第１ハブ内に軸受（７１
    、７２）で支持された第１円筒形ハウジング部材（６８
    ）と、前記第１ハウジング部材に固定された中空のＵ字
    形構造部を形成し、そのＵ字形構造部の脚部が前記第１
    ハウジング部材に垂直になり、前記Ｕ字形構造部の底部
    が前記第１ハウジング部材に平行になり、前記第２ハブ
    （１０２）が前記底部から延出するように配置された第
    ２ハウジング部材（７０）とを有しており、 前記第１駆動軸が前記第１ハウジング部材 内に収容され、さらに前記駆動伝達手段が、前記Ｕ字形
    構造部の底部内に回転可能に支持された第２駆動軸（９
    ４）と、前記第１および第２駆動軸を連結する無端ベル
    ト手段（９８）と、前記プラテンに固定されて前記第２
    ハブ内に回転可能に取り付けられた第３駆動軸 （１００）と、前記第２および第３駆動軸を連結するベ
    ベルギア手段（１０４）とを有している請求項１０に記
    載の装置。
JP2049141A 1989-02-28 1990-02-28 イオン注入機 Pending JPH02278643A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US317224 1989-02-28
US07/317,224 US4975586A (en) 1989-02-28 1989-02-28 Ion implanter end station

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02278643A true JPH02278643A (ja) 1990-11-14

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ID=23232681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2049141A Pending JPH02278643A (ja) 1989-02-28 1990-02-28 イオン注入機

Country Status (5)

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US (1) US4975586A (ja)
EP (1) EP0385707B1 (ja)
JP (1) JPH02278643A (ja)
KR (1) KR950001500B1 (ja)
DE (1) DE69025214T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001066231A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Hitachi Ltd 試料作成装置および試料作成方法
US6509564B1 (en) 1998-04-20 2003-01-21 Hitachi, Ltd. Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method
WO2006025452A1 (ja) * 2004-09-02 2006-03-09 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0858867A3 (en) * 1989-10-20 1999-03-17 Applied Materials, Inc. Robot apparatus
US5227708A (en) * 1989-10-20 1993-07-13 Applied Materials, Inc. Two-axis magnetically coupled robot
US5447409A (en) * 1989-10-20 1995-09-05 Applied Materials, Inc. Robot assembly
US5229615A (en) * 1992-03-05 1993-07-20 Eaton Corporation End station for a parallel beam ion implanter
US5376862A (en) * 1993-01-28 1994-12-27 Applied Materials, Inc. Dual coaxial magnetic couplers for vacuum chamber robot assembly
US5406088A (en) * 1993-12-22 1995-04-11 Eaton Corporation Scan and tilt apparatus for an ion implanter
US6313469B1 (en) * 1998-03-13 2001-11-06 Ebara Corporation Substrate handling apparatus and ion implantation apparatus
US6207959B1 (en) * 1999-04-19 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Ion implanter
US6414328B1 (en) 1999-11-05 2002-07-02 Kair Nussupov Method and apparatus for the conveying and positioning of ion implantation targets
JP2002279924A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Seiko Instruments Inc 大きな試料の観察・加工を可能とする集束イオンビーム装置
US6710360B2 (en) * 2002-07-10 2004-03-23 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
US6900444B2 (en) * 2002-07-29 2005-05-31 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
US6774373B2 (en) * 2002-07-29 2004-08-10 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
US6740894B1 (en) * 2003-02-21 2004-05-25 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor
US6933511B2 (en) 2003-11-18 2005-08-23 Atomic Energy Council Institute Of Nuclear Energy Research Ion implanting apparatus
US6794664B1 (en) 2003-12-04 2004-09-21 Axcelis Technologies, Inc. Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter
US6940079B2 (en) * 2004-01-22 2005-09-06 Axcelis Technologies, Inc. Method of correction for wafer crystal cut error in semiconductor processing
US6881967B1 (en) 2004-01-22 2005-04-19 Axcelis Technologies, Inc. Method of correction for wafer crystal cut error in semiconductor processing
US6987272B2 (en) * 2004-03-05 2006-01-17 Axcelis Technologies, Inc. Work piece transfer system for an ion beam implanter
US7030395B2 (en) * 2004-08-06 2006-04-18 Axcelis Technologies, Inc. Workpiece support structure for an ion beam implanter featuring spherical sliding seal vacuum feedthrough
US7982195B2 (en) * 2004-09-14 2011-07-19 Axcelis Technologies, Inc. Controlled dose ion implantation
KR100782380B1 (ko) * 2005-01-24 2007-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US7276712B2 (en) * 2005-07-01 2007-10-02 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for scanning a workpiece in a vacuum chamber of an ion beam implanter
JP5127148B2 (ja) 2006-03-16 2013-01-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム加工装置
JP2011154920A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Hitachi High-Technologies Corp イオンミリング装置，試料加工方法，加工装置、および試料駆動機構
JP5462364B2 (ja) * 2010-07-21 2014-04-02 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1789019B1 (de) * 1968-09-23 1972-04-27 Siemens Ag Verfahren zur erzeugung eines stereobildes mittels der elektronenstrahlmikroskopie
FR2253253A1 (en) * 1973-12-04 1975-06-27 Thomson Csf Adjustable and refrigerated sample support - for charged particle appts. can be rotated and inclined
US4234797A (en) * 1979-05-23 1980-11-18 Nova Associates, Inc. Treating workpieces with beams
US4405864A (en) * 1981-09-08 1983-09-20 Rca Corporation Ion implanter end processing station
FR2529383A1 (fr) * 1982-06-24 1983-12-30 Commissariat Energie Atomique Porte-cible a balayage mecanique utilisable notamment pour l'implantation d'ioris
NL8301033A (nl) * 1983-03-23 1984-10-16 Philips Nv Stralingsapparaat met membraanaandrijving voor een objectdrager.
JPS625548A (ja) * 1985-07-01 1987-01-12 Hitachi Ltd イオンビ−ム加工装置
US4672210A (en) * 1985-09-03 1987-06-09 Eaton Corporation Ion implanter target chamber
US4700077A (en) * 1986-03-05 1987-10-13 Eaton Corporation Ion beam implanter control system
JPH0834093B2 (ja) * 1986-05-28 1996-03-29 東京エレクトロン株式会社 イオン注入方法
JP2582552B2 (ja) * 1986-05-29 1997-02-19 三菱電機株式会社 イオン注入装置
JPS62285355A (ja) * 1986-06-03 1987-12-11 Mitsubishi Electric Corp イオン注入装置
US4745287A (en) * 1986-10-23 1988-05-17 Ionex/Hei Ion implantation with variable implant angle
DE3803411A1 (de) * 1988-02-05 1989-08-17 Leybold Ag Vorrichtung zur halterung von werkstuecken

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6509564B1 (en) 1998-04-20 2003-01-21 Hitachi, Ltd. Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method
US6768113B2 (en) 1998-04-20 2004-07-27 Hitachi, Ltd. Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method
JP2001066231A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Hitachi Ltd 試料作成装置および試料作成方法
WO2006025452A1 (ja) * 2004-09-02 2006-03-09 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法
US7436075B2 (en) 2004-09-02 2008-10-14 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam irradiation apparatus and ion beam irradiation method

Also Published As

Publication number Publication date
KR950001500B1 (ko) 1995-02-25
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DE69025214D1 (de) 1996-03-21
DE69025214T2 (de) 1996-10-02
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US4975586A (en) 1990-12-04

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