JPH0834093B2 - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
- Publication number
- JPH0834093B2 JPH0834093B2 JP61122794A JP12279486A JPH0834093B2 JP H0834093 B2 JPH0834093 B2 JP H0834093B2 JP 61122794 A JP61122794 A JP 61122794A JP 12279486 A JP12279486 A JP 12279486A JP H0834093 B2 JPH0834093 B2 JP H0834093B2
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- JP
- Japan
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- ion
- ion beam
- implanted
- semiconductor wafer
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等の被イオン注入基板に所望
のイオンを注入するイオン注入方法にかかわり、特に表
面に凹凸を形成された被イオン注入基板にイオンを注入
するイオン注入方法に関する。
のイオンを注入するイオン注入方法にかかわり、特に表
面に凹凸を形成された被イオン注入基板にイオンを注入
するイオン注入方法に関する。
（従来の技術） 一般に半導体ウエハ等の被イオン注入基板に所望のイ
オンを注入する場合は、従来次のような方法で行われて
いる。
オンを注入する場合は、従来次のような方法で行われて
いる。
すなわち、第３図に示すように、イオンビーム発生装
置１から射出されたイオンビーム２は、それぞれ対向す
る２枚の偏向板からなる垂直偏向板３水平偏向板４およ
びこれらの偏向板間に一定の周波数の電圧を印加する電
源装置５、６から構成される走査装置によって偏向さ
れ、走査されてプラテン７上に保持され停止した半導体
ウエハ８等の被イオン注入基板に注入される。
置１から射出されたイオンビーム２は、それぞれ対向す
る２枚の偏向板からなる垂直偏向板３水平偏向板４およ
びこれらの偏向板間に一定の周波数の電圧を印加する電
源装置５、６から構成される走査装置によって偏向さ
れ、走査されてプラテン７上に保持され停止した半導体
ウエハ８等の被イオン注入基板に注入される。
また、イオン注入時における半導体ウエハ８内部の軸
チャンネリングを避けるため、イオンビーム２が半導体
ウエハ８表面に対して一定の角度をもって入射するよ
う、例えば半導体ウエハ８を垂直方向から７゜程度の傾
斜をもって保持し、イオンの注入を行う場合が多い。
チャンネリングを避けるため、イオンビーム２が半導体
ウエハ８表面に対して一定の角度をもって入射するよ
う、例えば半導体ウエハ８を垂直方向から７゜程度の傾
斜をもって保持し、イオンの注入を行う場合が多い。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上述の従来のイオン注入方法では、例え
ば第４図に示すように、半導体ウエハ８表面に凹部９、
凸部10等が形成されている場合は、この半導体ウエハ８
をイオンビーム２に対して傾斜させて配置しても、これ
らの凹部９、凸部10の側壁部の一面例えば側壁部9a、10
aのみにイオンビーム２が照射され、側壁部9a、に対向
する側壁部9bおよび側壁部10aと反対側の側壁部10b等に
はイオンを注入することができないという問題があっ
た。
ば第４図に示すように、半導体ウエハ８表面に凹部９、
凸部10等が形成されている場合は、この半導体ウエハ８
をイオンビーム２に対して傾斜させて配置しても、これ
らの凹部９、凸部10の側壁部の一面例えば側壁部9a、10
aのみにイオンビーム２が照射され、側壁部9a、に対向
する側壁部9bおよび側壁部10aと反対側の側壁部10b等に
はイオンを注入することができないという問題があっ
た。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもの
で、表面に凹凸が形成された被イオン注入板において
も、これらの凹部および凸部の側壁部にも均一にイオン
を注入することのできるイオン注入方法を提供しようと
するものである。
で、表面に凹凸が形成された被イオン注入板において
も、これらの凹部および凸部の側壁部にも均一にイオン
を注入することのできるイオン注入方法を提供しようと
するものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち、本発明方法は、所望のイオンビームで表面
に段差を有する被イオン注入基板を走査し、前記段差の
側壁にイオンを注入するイオン注入方法において、 前記被イオン注入基板を、該被イオン注入基板の表面
が前記イオンビームに対して垂直方向から30゜ないし60
゜傾斜するよう配置するとともに、前記被イオン注入基
板をイオンビームの走査領域のほぼ中央付近を通り前記
被イオン注入基板の表面に対してほぼ垂直な回転軸の回
りに回転させながら前記イオンビームで前記被イオン注
入基板を走査して、前記段差の側壁にイオンを注入す
る。
に段差を有する被イオン注入基板を走査し、前記段差の
側壁にイオンを注入するイオン注入方法において、 前記被イオン注入基板を、該被イオン注入基板の表面
が前記イオンビームに対して垂直方向から30゜ないし60
゜傾斜するよう配置するとともに、前記被イオン注入基
板をイオンビームの走査領域のほぼ中央付近を通り前記
被イオン注入基板の表面に対してほぼ垂直な回転軸の回
りに回転させながら前記イオンビームで前記被イオン注
入基板を走査して、前記段差の側壁にイオンを注入す
る。
（作用） 本発明のイオン注入方法によれば、被イオン注入基板
の表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも均一に
イオンビームを照射することができ、均一にイオンを注
入することができる。
の表面に形成された凹部および凸部の側壁部にも均一に
イオンビームを照射することができ、均一にイオンを注
入することができる。
（実施例） 以下本発明方法の詳細を図面を用いて一実施例につい
て説明する。
て説明する。
第１図は、本発明の一実施例方法に用いるイオン注入
装置を示すもので、イオンビーム発生装置11から射出さ
れた例えばB+、B++、P+、P++、As+、As++等のイオンビ
ーム12はそれぞれ対向する２枚の偏向板からなる垂直偏
向板13、水平偏向板14およびこれらの偏向板の間に一定
の周波数またはウォブリング波形を含む一定周波数の電
圧を印加する電源装置15、16から構成される走査装置に
よって偏向され、走査されてプラテン17に保持され表面
に凹凸を形成された半導体ウエハ18に注入される。
装置を示すもので、イオンビーム発生装置11から射出さ
れた例えばB+、B++、P+、P++、As+、As++等のイオンビ
ーム12はそれぞれ対向する２枚の偏向板からなる垂直偏
向板13、水平偏向板14およびこれらの偏向板の間に一定
の周波数またはウォブリング波形を含む一定周波数の電
圧を印加する電源装置15、16から構成される走査装置に
よって偏向され、走査されてプラテン17に保持され表面
に凹凸を形成された半導体ウエハ18に注入される。
また、プラテン17は半導体ウエハ18をイオンビーム12
に対して所望の角度で固定することができるように構成
されており、さらにプラテン17は回転装置17aに接続さ
れ、半導体ウエハ18のほぼ中心付近を通り表面に対して
垂直な回転軸の回りに回転可能に構成されている。
に対して所望の角度で固定することができるように構成
されており、さらにプラテン17は回転装置17aに接続さ
れ、半導体ウエハ18のほぼ中心付近を通り表面に対して
垂直な回転軸の回りに回転可能に構成されている。
上記構成の装置を用いてこの実施例方法では、例えば
イオンビーム発生装置11から160KeV程度のエネルギーを
有するAs+等のイオンビーム12を射出させ、電源装置15
から例えば117.19Hz程度の電圧を垂直偏向板13間に印加
し、電源装置16から例えば1019Hzの電圧を水平偏向板14
間に印加して走査する。そして、半導体ウエハ18を例え
ば45゜等、30゜ないし60゜程度の範囲で垂直方向から傾
斜させて配置し、回転装置17aにより半導体ウエハ18を
１秒間に1/2回転程度の速度で回転しながらイオンの注
入を行う。なお、回転速度は、さらに高速化してもよい
し、変化させてもよい。
イオンビーム発生装置11から160KeV程度のエネルギーを
有するAs+等のイオンビーム12を射出させ、電源装置15
から例えば117.19Hz程度の電圧を垂直偏向板13間に印加
し、電源装置16から例えば1019Hzの電圧を水平偏向板14
間に印加して走査する。そして、半導体ウエハ18を例え
ば45゜等、30゜ないし60゜程度の範囲で垂直方向から傾
斜させて配置し、回転装置17aにより半導体ウエハ18を
１秒間に1/2回転程度の速度で回転しながらイオンの注
入を行う。なお、回転速度は、さらに高速化してもよい
し、変化させてもよい。
上記説明のこの実施例のイオン注入方法では、第２図
に示すように半導体ウエハ18表面に凹部19、凸部20が形
成されている場合でも、半導体ウエハ18が回転されるこ
とにより例えば始めに凹部19の側壁部19a、凸部20の側
壁部20aにイオンが注入され（イ）、半導体ウエハ18が1
/2回転された後には、それぞれ側壁部19aに対向する側
壁部19b、側壁部20aの反対側の側壁部20bにイオンビー
ム12が照射されイオンが注入される（ロ）。
に示すように半導体ウエハ18表面に凹部19、凸部20が形
成されている場合でも、半導体ウエハ18が回転されるこ
とにより例えば始めに凹部19の側壁部19a、凸部20の側
壁部20aにイオンが注入され（イ）、半導体ウエハ18が1
/2回転された後には、それぞれ側壁部19aに対向する側
壁部19b、側壁部20aの反対側の側壁部20bにイオンビー
ム12が照射されイオンが注入される（ロ）。
従って、各側壁部に均一にイオンビーム12が照射され
均一にイオンを注入することができる。
均一にイオンを注入することができる。
なお、上記実施例では、半導体ウエハ18を傾けて配置
した場合について説明したが、半導体ウエハ18は、垂直
方向に設定し、中性ビームと分離するイオンビーム12の
偏向電圧を制御して、半導体ウエハ18表面に対してイオ
ンビーム12を斜めに入射させるようにしてもよい。この
場合、半導体ウエハ18回転のための回転装置17aを設置
しやすい。
した場合について説明したが、半導体ウエハ18は、垂直
方向に設定し、中性ビームと分離するイオンビーム12の
偏向電圧を制御して、半導体ウエハ18表面に対してイオ
ンビーム12を斜めに入射させるようにしてもよい。この
場合、半導体ウエハ18回転のための回転装置17aを設置
しやすい。
［発明の効果］ 上述のように本発明のイオン注入方法では、被イオン
注入基板の表面に形成された凹部および凸部の側壁部に
も、均一にイオンビームを照射することができ、均一に
イオンを注入することができる。
注入基板の表面に形成された凹部および凸部の側壁部に
も、均一にイオンビームを照射することができ、均一に
イオンを注入することができる。
第１図は本発明方法の一実施例方法に用いるイオン注入
装置の構成を示す側面図、第２図は第１図の一部拡大断
面図、第３図は従来方法に用いるイオン注入装置の構成
を示す側面図、第４図は第３図の一部拡大断面図であ
る。 11……イオンビーム発生装置、12……イオンビーム、13
……垂直偏向板、14……水平偏向板、15、16……電源装
置、17……プラテン、17a……回転装置、18……半導体
ウエハ。
装置の構成を示す側面図、第２図は第１図の一部拡大断
面図、第３図は従来方法に用いるイオン注入装置の構成
を示す側面図、第４図は第３図の一部拡大断面図であ
る。 11……イオンビーム発生装置、12……イオンビーム、13
……垂直偏向板、14……水平偏向板、15、16……電源装
置、17……プラテン、17a……回転装置、18……半導体
ウエハ。
Claims (1)
- 【請求項１】所望のイオンビームで表面に段差を有する
被イオン注入基板を走査し、前記段差の側壁にイオンを
注入するイオン注入方法において、 前記被イオン注入基板を、該被イオン注入基板の表面が
前記イオンビームに対して垂直方向から30゜ないし60゜
傾斜するよう配置するとともに、前記被イオン注入基板
をイオンビームの走査領域のほぼ中央付近を通り前記被
イオン注入基板の表面に対してほぼ垂直な回転軸の回り
に回転させながら前記イオンビームで前記被イオン注入
基板を走査して、前記段差の側壁にイオンを注入するこ
とを特徴とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122794A JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122794A JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281248A JPS62281248A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH0834093B2 true JPH0834093B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14844789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122794A Expired - Lifetime JPH0834093B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834093B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285355A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
| US4929840A (en) * | 1989-02-28 | 1990-05-29 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
| US4943728A (en) * | 1989-02-28 | 1990-07-24 | Eaton Corporation | Beam pattern control system for an ion implanter |
| US4975586A (en) * | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
| JP5100409B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2012-12-19 | 株式会社アルバック | 磁性膜へのイオン注入方法およびイオン注入装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS55105324A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-12 | Semiconductor Res Found | Manufacturing method and apparatus of semiconductor device |
| JPS62274621A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61122794A patent/JPH0834093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62281248A (ja) | 1987-12-07 |
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