JP2916325B2 - イオン注入装置及びイオン注入方法 - Google Patents
イオン注入装置及びイオン注入方法Info
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- JP2916325B2 JP2916325B2 JP13840392A JP13840392A JP2916325B2 JP 2916325 B2 JP2916325 B2 JP 2916325B2 JP 13840392 A JP13840392 A JP 13840392A JP 13840392 A JP13840392 A JP 13840392A JP 2916325 B2 JP2916325 B2 JP 2916325B2
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- ion implantation
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハ基板にイオン
を注入するためのイオン注入装置及びイオン注入方法に
関するものである。
を注入するためのイオン注入装置及びイオン注入方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のイオン注入装置によりイオ
ン注入されるウエハ基板を示す断面図、図５は図４のウ
エハ基板２を拡大して示す断面図、図６は図５のＶＩ部
拡大図である。図において、イオンビーム１が照射され
るウエハ基板２は、クランパ３により、イオンビーム１
の角度が７°程度になるように傾斜した状態で保持され
ている。また、ウエハ基板２の表面には、マスク膜４が
形成されている。
ン注入されるウエハ基板を示す断面図、図５は図４のウ
エハ基板２を拡大して示す断面図、図６は図５のＶＩ部
拡大図である。図において、イオンビーム１が照射され
るウエハ基板２は、クランパ３により、イオンビーム１
の角度が７°程度になるように傾斜した状態で保持され
ている。また、ウエハ基板２の表面には、マスク膜４が
形成されている。
【０００３】このような従来のイオン注入装置において
は、例えば図４の上から下へ向けてビーム源が移動し、
ウエハ基板２の表面に対してイオンビーム１が順次照射
されていく。このとき、イオンビーム１に対してウエハ
基板２が直角に配置されていると、イオンビーム１の入
射方向がウエハ基板２の結晶軸方向とほぼ平行になるた
め、イオンビーム１がウエハ基板２を通過する、いわゆ
るチャネリングが起こってしまう。従って、イオンビー
ム１の注入角度を７°程度とすることにより、チャネリ
ングを防止し、ウエハ基板２の表面からほぼ一定の深さ
までイオンを注入している。
は、例えば図４の上から下へ向けてビーム源が移動し、
ウエハ基板２の表面に対してイオンビーム１が順次照射
されていく。このとき、イオンビーム１に対してウエハ
基板２が直角に配置されていると、イオンビーム１の入
射方向がウエハ基板２の結晶軸方向とほぼ平行になるた
め、イオンビーム１がウエハ基板２を通過する、いわゆ
るチャネリングが起こってしまう。従って、イオンビー
ム１の注入角度を７°程度とすることにより、チャネリ
ングを防止し、ウエハ基板２の表面からほぼ一定の深さ
までイオンを注入している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来のイオン注入装置においては、チャネリングを防
止するためにイオンビーム１の注入角度を７°程度にし
ているので、ウエハ基板２上にマスク膜４が形成された
コンタクト構造のウエハ基板２に対してイオンビーム１
を照射する際、マスク膜４の陰になってイオンビーム１
が照射されない部分（図６のＡ部）が生じる、いわゆる
シャドーイングが起こってしまうという問題点があっ
た。
た従来のイオン注入装置においては、チャネリングを防
止するためにイオンビーム１の注入角度を７°程度にし
ているので、ウエハ基板２上にマスク膜４が形成された
コンタクト構造のウエハ基板２に対してイオンビーム１
を照射する際、マスク膜４の陰になってイオンビーム１
が照射されない部分（図６のＡ部）が生じる、いわゆる
シャドーイングが起こってしまうという問題点があっ
た。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、コンタクト構
造を持つウエハ基板に対しても、チャネリングを防止し
つつ、しかもシャドーイングを防止してイオンを注入す
ることができるイオン注入装置及びイオン注入方法を得
ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、コンタクト構
造を持つウエハ基板に対しても、チャネリングを防止し
つつ、しかもシャドーイングを防止してイオンを注入す
ることができるイオン注入装置及びイオン注入方法を得
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るイ
オン注入装置は、発生する電界によりイオンビームの向
きを可変とする複数個の電極を、イオンビームの通路を
中心とした円形状に配設したものである。
オン注入装置は、発生する電界によりイオンビームの向
きを可変とする複数個の電極を、イオンビームの通路を
中心とした円形状に配設したものである。
【０００７】請求項２の発明に係るイオン注入方法は、
円形状に配設されている複数個の電極の中心を通過した
イオンビームを、電極を通過する前のイオンビームに対
して直角に配置されたウエハ基板に照射するとともに、
電界を発生させる電極を円周方向に連続して電気的に切
り換えていくことにより、ウエハ基板に対してイオンビ
ームをあらゆる方向から照射するものである。
円形状に配設されている複数個の電極の中心を通過した
イオンビームを、電極を通過する前のイオンビームに対
して直角に配置されたウエハ基板に照射するとともに、
電界を発生させる電極を円周方向に連続して電気的に切
り換えていくことにより、ウエハ基板に対してイオンビ
ームをあらゆる方向から照射するものである。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の一実施例によるイオン注入装置の
要部を示す平面図、図２は図１の側断面図、図３は図２
のウエハ基板表面を拡大して示す断面図であり、図４な
いし図５と同一又は相当部分には同一符号を付し、その
説明を省略する。
る。図１はこの発明の一実施例によるイオン注入装置の
要部を示す平面図、図２は図１の側断面図、図３は図２
のウエハ基板表面を拡大して示す断面図であり、図４な
いし図５と同一又は相当部分には同一符号を付し、その
説明を省略する。
【０００９】図において、11はイオンビーム１の通路の
周囲に該通路を中心とする円形状に多数配置された電極
であり、これらの電極11は、発生する電界によりイオン
ビーム１の向きを自由に制御する。12は電極11を保持す
る円環状の保持体である。また、ウエハ基板２は、電極
11を通過する前のイオンビーム１に対して直角な状態で
クランパ３に保持されている。
周囲に該通路を中心とする円形状に多数配置された電極
であり、これらの電極11は、発生する電界によりイオン
ビーム１の向きを自由に制御する。12は電極11を保持す
る円環状の保持体である。また、ウエハ基板２は、電極
11を通過する前のイオンビーム１に対して直角な状態で
クランパ３に保持されている。
【００１０】上記のような電極11を有するイオン注入装
置においては、多数の電極のいずれかを選択して所定の
強さの電界を発生させることにより、イオンビーム１の
注入角度を７°にすることができる。従って、電界を発
生させるべき電極11を円周方向に連続して電気的に切り
換えていくことにより、イオンビーム１の向きを連続的
に変えることができる。従って、注入角度を７°に保っ
て、チャネリングを防止しつつ、ウエハ基板２に対して
あらゆる方向からイオンビーム１を照射することがで
き、図３に示すように、コンタクト構造のホール底面に
均一にイオンを注入して、シャドーイングを防止するこ
とができる。
置においては、多数の電極のいずれかを選択して所定の
強さの電界を発生させることにより、イオンビーム１の
注入角度を７°にすることができる。従って、電界を発
生させるべき電極11を円周方向に連続して電気的に切り
換えていくことにより、イオンビーム１の向きを連続的
に変えることができる。従って、注入角度を７°に保っ
て、チャネリングを防止しつつ、ウエハ基板２に対して
あらゆる方向からイオンビーム１を照射することがで
き、図３に示すように、コンタクト構造のホール底面に
均一にイオンを注入して、シャドーイングを防止するこ
とができる。
【００１１】このように、多数の電極11が発生する電界
を制御しながら、イオン注入装置及びウエハ基板２のい
ずれかを移動させていくことにより、ウエハ基板２の表
面の必要箇所に、チャネリングもシャドーイングも起こ
ることなく、イオンが注入される。
を制御しながら、イオン注入装置及びウエハ基板２のい
ずれかを移動させていくことにより、ウエハ基板２の表
面の必要箇所に、チャネリングもシャドーイングも起こ
ることなく、イオンが注入される。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のイオン
注入装置及びイオン注入方法は、円形状に配設されてい
る複数個の電極の中心を通過したイオンビームをウエハ
基板に 照射するとともに、電界を発生させる電極を円周
方向に連続して電気的に切り換えていくことにより、ウ
エハ基板に対してイオンビームをあらゆる方向から照射
するようにしたので、コンタクト構造を持つウエハ基板
に対しても、チャネリングを防止しつつ、しかもシャド
ーイングを防止してイオンを注入することができるとい
う効果を奏する。また、電界の強さを調整することによ
り、精密なビーム角度制御を容易に行うことができる。
注入装置及びイオン注入方法は、円形状に配設されてい
る複数個の電極の中心を通過したイオンビームをウエハ
基板に 照射するとともに、電界を発生させる電極を円周
方向に連続して電気的に切り換えていくことにより、ウ
エハ基板に対してイオンビームをあらゆる方向から照射
するようにしたので、コンタクト構造を持つウエハ基板
に対しても、チャネリングを防止しつつ、しかもシャド
ーイングを防止してイオンを注入することができるとい
う効果を奏する。また、電界の強さを調整することによ
り、精密なビーム角度制御を容易に行うことができる。
【図１】 この発明の一実施例によるイオン注入装置の
要部を示す平面図である。
要部を示す平面図である。
【図２】 図１の側断面図である。
【図３】 図２のウエハ基板表面を拡大して示す断面図
である。
である。
【図４】 従来のイオン注入装置によりイオン注入され
るウエハ基板を示す断面図である。
るウエハ基板を示す断面図である。
【図５】 図４のウエハ基板を拡大して示す断面図であ
る。
る。
【図６】 図５のＶＩ部拡大図である。
１ イオンビーム １１ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 イオンビームの通路を中心とした円形状
に配設され、電界を発生する複数個の電極を備え、電界
を発生させる電極を円周方向に連続して電気的に切り換
えていくことにより、ウエハ基板に対して上記イオンビ
ームをあらゆる方向から照射することを特徴とするイオ
ン注入装置。 - 【請求項２】 円形状に配設されている複数個の電極の
中心を通過したイオンビームを、上記電極を通過する前
のイオンビームに対して直角に配置されたウエハ基板に
照射するとともに、電界を発生させる電極を円周方向に
連続して電気的に切り換えていくことにより、上記ウエ
ハ基板に対して上記イオンビームをあらゆる方向から照
射することを特徴とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13840392A JP2916325B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13840392A JP2916325B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334986A JPH05334986A (ja) | 1993-12-17 |
| JP2916325B2 true JP2916325B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=15221146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13840392A Expired - Fee Related JP2916325B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2916325B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13840392A patent/JP2916325B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05334986A (ja) | 1993-12-17 |
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