JPS6288249A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS6288249A JPS6288249A JP23020685A JP23020685A JPS6288249A JP S6288249 A JPS6288249 A JP S6288249A JP 23020685 A JP23020685 A JP 23020685A JP 23020685 A JP23020685 A JP 23020685A JP S6288249 A JPS6288249 A JP S6288249A
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- Japan
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- wafers
- ion beam
- fixed
- batch
- ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関し、特に半導体集積回路装
置の製造プロセスに使用するイオン注入装置に関する。
置の製造プロセスに使用するイオン注入装置に関する。
従来、この種のイオン注入装置は機能的に見て中電流型
装置と高電流型装置の２種類に大別される。中１流型装
置置は最大定格電流が０．５〜１ｍＡで２１に低い中濃
度領域（１０”〜１０１４１０ｎＳ／ｃ！ｄ）の注入用
（て、高〔よ流型装置は最大定格電流が数ｍＡ〜１０ｍ
ＡでＢ４にＡｎ度領域（１０” ｉ ｏ ｎ ｓン似上
）の注入用に匣われている。中１流型装置と高電流装置
の構造上の犬ぎな相違点は、中電流型装置が走査イオン
ビームを固定ターゲットウェーハへ照射する方式である
のに対し、高電流型装置は固定イオンビーム？走査ター
ゲットウェーハへ照射する方式をとっている。本発明は
高？！！流型イオン注入装置途に関する。高電流型イオ
ン注入装置は、第４図に示す様に、基本的にはイオン生
成用イオン源、ビーム引出しのための引出電極系、所定
のイオンのみを選択分離する質量分析系５分離したイオ
ンに所定のエネルギーを与える加速系、ターゲットウェ
ーハを保持する回転ディスクなどから構成される。高電
流型装置ではイオンビームを固定したまま、ターゲット
ウェーハを動かす機械的走査方式を採用することが多い
。
装置と高電流型装置の２種類に大別される。中１流型装
置置は最大定格電流が０．５〜１ｍＡで２１に低い中濃
度領域（１０”〜１０１４１０ｎＳ／ｃ！ｄ）の注入用
（て、高〔よ流型装置は最大定格電流が数ｍＡ〜１０ｍ
ＡでＢ４にＡｎ度領域（１０” ｉ ｏ ｎ ｓン似上
）の注入用に匣われている。中１流型装置と高電流装置
の構造上の犬ぎな相違点は、中電流型装置が走査イオン
ビームを固定ターゲットウェーハへ照射する方式である
のに対し、高電流型装置は固定イオンビーム？走査ター
ゲットウェーハへ照射する方式をとっている。本発明は
高？！！流型イオン注入装置途に関する。高電流型イオ
ン注入装置は、第４図に示す様に、基本的にはイオン生
成用イオン源、ビーム引出しのための引出電極系、所定
のイオンのみを選択分離する質量分析系５分離したイオ
ンに所定のエネルギーを与える加速系、ターゲットウェ
ーハを保持する回転ディスクなどから構成される。高電
流型装置ではイオンビームを固定したまま、ターゲット
ウェーハを動かす機械的走査方式を採用することが多い
。
機械的走査方式には種々の方式があるが、いずれもウェ
ーハ装置部の回転２よび差迫運動を組み合わせて、固定
イオンビームに対する機械的に走査を行なう仕組になっ
ている。
ーハ装置部の回転２よび差迫運動を組み合わせて、固定
イオンビームに対する機械的に走査を行なう仕組になっ
ている。
第４図３よび第６図は機械的走査方式の一例として回転
ディスク方式を示す。ターゲットウェーハは回転ディス
ク上に多数枚装着し、バッチ処理方式を採用する。
ディスク方式を示す。ターゲットウェーハは回転ディス
ク上に多数枚装着し、バッチ処理方式を採用する。
上述した従来の高電流型イオン注入装置は、バッチ処理
方式であるため１パツチ内の各ウエーノ・のイオン注入
量はすべて同一条件となる。したがって同一条件のウニ
ｍ；の処理枚数が１バッチの処理可能枚数と等しいか、
もしくは整数倍の時は生産効率が良いが、ウエーノ・の
処理枚数が、１バッチの処理可能枚数に満たない場合に
は、生産効率は低下するといし欠点がある。
方式であるため１パツチ内の各ウエーノ・のイオン注入
量はすべて同一条件となる。したがって同一条件のウニ
ｍ；の処理枚数が１バッチの処理可能枚数と等しいか、
もしくは整数倍の時は生産効率が良いが、ウエーノ・の
処理枚数が、１バッチの処理可能枚数に満たない場合に
は、生産効率は低下するといし欠点がある。
本発明は多品種少量生産あるいは、試作時に８ける多条
性による生産に３いても、生産効率を低下させることの
ないイオン注入装置を提供するものである。
性による生産に３いても、生産効率を低下させることの
ないイオン注入装置を提供するものである。
本発明のイオン注入装置は、固定イオンビームを走査タ
ーゲットウェーハへ照射するバッチ処理方式のイオン注
入装置において、固定イオンビームの進行方向と走査タ
ーゲットウェーハのなす角度を各ターゲットウェーハご
とに任意に設定可能な回転ディスクを使用することによ
りノバッチ内の各ターゲットウェーハへのイオン注入量
を任意に可変することができることを特徴とする。
ーゲットウェーハへ照射するバッチ処理方式のイオン注
入装置において、固定イオンビームの進行方向と走査タ
ーゲットウェーハのなす角度を各ターゲットウェーハご
とに任意に設定可能な回転ディスクを使用することによ
りノバッチ内の各ターゲットウェーハへのイオン注入量
を任意に可変することができることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照し７て説明する。
第１図は本発明の高電流型イオン注入装置の一列を示す
構成図でめる。１はイオン源、２は引出電極系、３は質
量分析系、４は加速系、５は固定イオンビームを示し、
これらは第４図に示す従来のイオン注入装置とまったく
同等である。従来のイオン注入装置と異なる部分は２１
０回転ディスクの部分である。従来の回転ディスクは第
４図および第５図に示すように、固定イオンビーム５と
ウェーハ６とのなす角度はすべてのウェーハとも同一で
ある。第５図では固定イオンビーム５とウェーハ６との
なす角度を０丁 で示している。
構成図でめる。１はイオン源、２は引出電極系、３は質
量分析系、４は加速系、５は固定イオンビームを示し、
これらは第４図に示す従来のイオン注入装置とまったく
同等である。従来のイオン注入装置と異なる部分は２１
０回転ディスクの部分である。従来の回転ディスクは第
４図および第５図に示すように、固定イオンビーム５と
ウェーハ６とのなす角度はすべてのウェーハとも同一で
ある。第５図では固定イオンビーム５とウェーハ６との
なす角度を０丁 で示している。
したがって、同一パッチ内の各ウエーノ〜は同一のイオ
ン注入条件となる。本発明によるイオン注入装置の回転
ディスク２１は、第１図および第２図に示すように固定
イオンビーム５とウエーノＳ６のなす角度は、任意に可
変してウヱーノ・を装着できることを＃ｊ敵とする。こ
のように固定イオンビーム５とウェーノ・６のなす角度
を可変することにより、イオン注入量を任意に可変する
ことができる。
ン注入条件となる。本発明によるイオン注入装置の回転
ディスク２１は、第１図および第２図に示すように固定
イオンビーム５とウエーノＳ６のなす角度は、任意に可
変してウヱーノ・を装着できることを＃ｊ敵とする。こ
のように固定イオンビーム５とウェーノ・６のなす角度
を可変することにより、イオン注入量を任意に可変する
ことができる。
第３図は固定イオンビーム５とウェーハ６のなす角度に
より、イオン注入量が変化する様子を示したものである
。
より、イオン注入量が変化する様子を示したものである
。
第３図（ａ）は固定イオンビーム５とウェーハ６のなす
角度θ５が９６の場合を示す。第３図（ｂｌは固定イオ
、ビーム５とウェーハ６のなす角度がθ６の場合を示す
。今、イオン注入時間が等しいとすれば、第３図（ｂ）
のドーズ量は第３図（ａ）のドーズ量と比較し、ｓｉｎ
θ６ 倍となる。つまＯ第３図（ａ）のドーズ量を人、
第３図（ｂｌのドーズ量をＢとすればＢ＝Ａ−ｓｉｎθ
６ と表わすことができる。
角度θ５が９６の場合を示す。第３図（ｂｌは固定イオ
、ビーム５とウェーハ６のなす角度がθ６の場合を示す
。今、イオン注入時間が等しいとすれば、第３図（ｂ）
のドーズ量は第３図（ａ）のドーズ量と比較し、ｓｉｎ
θ６ 倍となる。つまＯ第３図（ａ）のドーズ量を人、
第３図（ｂｌのドーズ量をＢとすればＢ＝Ａ−ｓｉｎθ
６ と表わすことができる。
したがって、第２図に示すように回転ディスク２１を使
用し、固定イオンビーム５の進行方向と走査ターゲット
ウェーハ６のなす角度をθｌ、θ２゜θ３．θ４と変化
させることにより、各ウェーハのドーズ量はそれぞれＡ
−５ｉｎθ１、入・ｓｉｎθ２、Ａ−ｓｉｎθ３、入・
ｓｉｎθ４ となる。ここで人は固定イオンビーム５の
進行方向と走査ターゲットウェーハ６のなす角度が９０
の場合のドーズ量を示す。
用し、固定イオンビーム５の進行方向と走査ターゲット
ウェーハ６のなす角度をθｌ、θ２゜θ３．θ４と変化
させることにより、各ウェーハのドーズ量はそれぞれＡ
−５ｉｎθ１、入・ｓｉｎθ２、Ａ−ｓｉｎθ３、入・
ｓｉｎθ４ となる。ここで人は固定イオンビーム５の
進行方向と走査ターゲットウェーハ６のなす角度が９０
の場合のドーズ量を示す。
このように固定イオンビームの進行方向と走査ターゲッ
トウェーハのなす角度を任意に変化し回転ディスクに装
着しイオン注入を実施することにより、１バフチ内の各
ターゲットウェーハへのイオン注入量を任意に可変する
ことができる。
トウェーハのなす角度を任意に変化し回転ディスクに装
着しイオン注入を実施することにより、１バフチ内の各
ターゲットウェーハへのイオン注入量を任意に可変する
ことができる。
以上説明したように本発明は、固定イオンビームの進行
方向と走査ターゲットウェーハのなす角度を任意に設定
可能な回転ディスクを使用することにより、１バッチ内
の各クエーー・へりイオン注入量を任意に可変できるイ
オン注入装置を提供するものである。
方向と走査ターゲットウェーハのなす角度を任意に設定
可能な回転ディスクを使用することにより、１バッチ内
の各クエーー・へりイオン注入量を任意に可変できるイ
オン注入装置を提供するものである。
し友がって本発明によるイオン注入装置を使用すること
により、多品種少量生産あるいは試作時の多条件による
生産に２いても、多条件のイオン注入作業を１バッチで
行うことにより、生産効率を低下させることなく、作業
を行うことができ、その効果は大きい。
により、多品種少量生産あるいは試作時の多条件による
生産に２いても、多条件のイオン注入作業を１バッチで
行うことにより、生産効率を低下させることなく、作業
を行うことができ、その効果は大きい。
第１図は本発明の高電流型イオン注入装置の構成図、第
２図は本発明の固定イオンビームとウェー・・のなす角
度を示す図、第３図は固定イオンビームとウェーハのな
す角度によるイオン注入量の変化を示す図、第４図は従
来の高電流型イオン注入装置の構成図、第５図は従来の
固定イオンビームとウェーハのなす角度を示す図、第６
図は回転ディスク型機械的走査を示す図である。 １・−・・・・イオン系、２・・・・−・引出電極系、
３・・・・・・質量分析系、４・−・・−・加速系、５
・・・・−・固定イオンビーム、６・・・・・・ウェー
ハ、７．２１・・・・−・回転ディスク、θ１．θ２．
θ３．θ４．θ５．θ６．θ７・・・・・・固定イオン
ビームとウェーハのな丁角度。 佛 １ 図 ５、回宏メギンビーム Δ、つｒ−八 茅 ２ 図 ５、固定イオンビーム Ｚ、″７エーハ 乙 茅 ３ 回 ｚ、−″７エーハ 摩 ４ＴＭ ５、固定イオンビーム Ｚ、 化１ｒ−ノ＼ 茅 ５ｙ１ ７１！７転デイスク 第 × 回
２図は本発明の固定イオンビームとウェー・・のなす角
度を示す図、第３図は固定イオンビームとウェーハのな
す角度によるイオン注入量の変化を示す図、第４図は従
来の高電流型イオン注入装置の構成図、第５図は従来の
固定イオンビームとウェーハのなす角度を示す図、第６
図は回転ディスク型機械的走査を示す図である。 １・−・・・・イオン系、２・・・・−・引出電極系、
３・・・・・・質量分析系、４・−・・−・加速系、５
・・・・−・固定イオンビーム、６・・・・・・ウェー
ハ、７．２１・・・・−・回転ディスク、θ１．θ２．
θ３．θ４．θ５．θ６．θ７・・・・・・固定イオン
ビームとウェーハのな丁角度。 佛 １ 図 ５、回宏メギンビーム Δ、つｒ−八 茅 ２ 図 ５、固定イオンビーム Ｚ、″７エーハ 乙 茅 ３ 回 ｚ、−″７エーハ 摩 ４ＴＭ ５、固定イオンビーム Ｚ、 化１ｒ−ノ＼ 茅 ５ｙ１ ７１！７転デイスク 第 × 回
Claims (1)
- 固定イオンビームを走査ターゲットウエーハへ照射する
バッヂ処理方式のイオン注入装置において、固定イオン
ビームの進行方向と走査ターゲットウェーハのなす角度
を、各ターゲットウェーハごとに任意に設定可能な回転
ディスクを使用することにより１バッチ内の各ターゲッ
トウェーハへのイオン注入量を任意に可変することがで
きることを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23020685A JPS6288249A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23020685A JPS6288249A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288249A true JPS6288249A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16904235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23020685A Pending JPS6288249A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288249A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026950A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Applied Materials Inc. | Procede et dispositif pour l'implantation ionique |
| CN106298477A (zh) * | 2015-06-02 | 2017-01-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 离子注入角的监测方法 |
| CN109390224A (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-26 | 英飞凌科技股份有限公司 | 离子注入装置以及制造半导体器件的方法 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP23020685A patent/JPS6288249A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026950A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Applied Materials Inc. | Procede et dispositif pour l'implantation ionique |
| US6617594B1 (en) | 1998-10-30 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Method and device for ion implanting |
| CN106298477A (zh) * | 2015-06-02 | 2017-01-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 离子注入角的监测方法 |
| CN109390224A (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-26 | 英飞凌科技股份有限公司 | 离子注入装置以及制造半导体器件的方法 |
| JP2019046793A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-03-22 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | イオン注入装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| CN109390224B (zh) * | 2017-08-08 | 2024-01-12 | 英飞凌科技股份有限公司 | 离子注入装置以及制造半导体器件的方法 |
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