JPH0210642A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0210642A JPH0210642A JP63160245A JP16024588A JPH0210642A JP H0210642 A JPH0210642 A JP H0210642A JP 63160245 A JP63160245 A JP 63160245A JP 16024588 A JP16024588 A JP 16024588A JP H0210642 A JPH0210642 A JP H0210642A
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- Japan
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- angle
- platen
- ion implantation
- ion
- disk
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- Pending
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、イオン注入装置に関する。
（従来の技術）
一般にイオン注入装置は、半導体ウェハ等の目的物に不
純物をドーピングする装置として広く使用されている。
純物をドーピングする装置として広く使用されている。
このようなイオン注入装置は例えば次のように構成され
ている。すなわち、イオン源で発生させたイオンを電気
的に引き出し、アナライザマグネット、加速管、電子レ
ンズ等で所望の不純物イオンビームとした後、プラテン
に配置された半導体ウェハにＸ−Ｙ方向に走査しながら
照射してイオンを注入するものである。また、バッチ処
理のイオン注入装置では、プラテンは、回転駆動機構に
接続されたディスクの周方向に並べて配列されており、
デ、イスクを回転させながら順次多数の半導体ウェハに
イオンビームを照射している。
ている。すなわち、イオン源で発生させたイオンを電気
的に引き出し、アナライザマグネット、加速管、電子レ
ンズ等で所望の不純物イオンビームとした後、プラテン
に配置された半導体ウェハにＸ−Ｙ方向に走査しながら
照射してイオンを注入するものである。また、バッチ処
理のイオン注入装置では、プラテンは、回転駆動機構に
接続されたディスクの周方向に並べて配列されており、
デ、イスクを回転させながら順次多数の半導体ウェハに
イオンビームを照射している。
このようなバッチ処理のイオン注入装置において、イオ
ンの注入角度を変更する場合、従来は、ディスクを、半
導体ウェハの保持角度を所望の角度に設定されたディス
クに交換するか、あるいはディスクおよび回転駆動機構
の角度を変えることによって行っている。
ンの注入角度を変更する場合、従来は、ディスクを、半
導体ウェハの保持角度を所望の角度に設定されたディス
クに交換するか、あるいはディスクおよび回転駆動機構
の角度を変えることによって行っている。
しかしながら、ディスクを交換する場合、例えば０度の
ディスク、７度のディスク等、傾けたい角度毎にディス
クを用意しなければならず、これらのディスクの中間の
角度等に設定することはできない機構になっていた。ま
た、ディスクおよび回転駆動機構の角度を変える場合は
、回転軸の位置やディスクドアーの位置を変更しなけれ
ばならず、種々の部品交換が必要となるとともに、オペ
レータが所望の角度に設定することが困難であった。
ディスク、７度のディスク等、傾けたい角度毎にディス
クを用意しなければならず、これらのディスクの中間の
角度等に設定することはできない機構になっていた。ま
た、ディスクおよび回転駆動機構の角度を変える場合は
、回転軸の位置やディスクドアーの位置を変更しなけれ
ばならず、種々の部品交換が必要となるとともに、オペ
レータが所望の角度に設定することが困難であった。
（発明が解決しようとする課題）
上述のように、従来のバッチ処理のイオン注入装置では
、イオンの注入角度を所望の角度に変更することが困難
であるという問題があった。
、イオンの注入角度を所望の角度に変更することが困難
であるという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、バッチ処理によりイオンを注入する場合でも、イオン
の注入角度を、容易に所望の角度に変更することのでき
るイオン注入装置を提供しようとするものである。
、バッチ処理によりイオンを注入する場合でも、イオン
の注入角度を、容易に所望の角度に変更することのでき
るイオン注入装置を提供しようとするものである。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、回転軸を中心とする同一円周上に配
列された複数の被処理物保持機構を前記回転軸を中心と
して回転させながら被処理物にイオンビームを照射する
イオン注入装置において、前記被処理物保持機構に、該
被処理物保持機構に保持された前記被処理物と前記イオ
ンビームとの角度を所望の角度に設定可能とする機構を
配置しことを特徴とする。
列された複数の被処理物保持機構を前記回転軸を中心と
して回転させながら被処理物にイオンビームを照射する
イオン注入装置において、前記被処理物保持機構に、該
被処理物保持機構に保持された前記被処理物と前記イオ
ンビームとの角度を所望の角度に設定可能とする機構を
配置しことを特徴とする。
（作 用）
上記構成の本発明のイオン注入装置では、被処理物保持
機構に、該被処理物保持機構に保持された被処理物とイ
オンビームとの角度を所望の角度に設定可能とする機構
が配置されている。
機構に、該被処理物保持機構に保持された被処理物とイ
オンビームとの角度を所望の角度に設定可能とする機構
が配置されている。
したがって、従来のように、ディスクの交換あるいは、
回転軸の位置やディスクドアーの位置の変更、種々の部
品交換等を行うことなく、イオンの注入角度を、容易に
所望の角度に変更することができる。
回転軸の位置やディスクドアーの位置の変更、種々の部
品交換等を行うことなく、イオンの注入角度を、容易に
所望の角度に変更することができる。
（実施例）
以下本発明のイオン注入装置を図面を参照して一実施例
について説明する。
について説明する。
円板状に形成されたディスクベース１は、その裏面側に
おいて図示しない回転駆動機構に接続されており、その
周囲には、回転シャフト２を介して、半導体ウェハ３を
保持する図示しないクランプ機構およびロード・アンロ
ード時に半導体つ工／１３を付き上げるための複数例え
ば３本のピン４を内蔵する複数のプラテン５が配置され
ている。
おいて図示しない回転駆動機構に接続されており、その
周囲には、回転シャフト２を介して、半導体ウェハ３を
保持する図示しないクランプ機構およびロード・アンロ
ード時に半導体つ工／１３を付き上げるための複数例え
ば３本のピン４を内蔵する複数のプラテン５が配置され
ている。
なお、各プラテン５内には、図示しない冷却水流路が設
けられており、プラテン５に配置された半導体ウェハ３
を冷却可能に構成されている。
けられており、プラテン５に配置された半導体ウェハ３
を冷却可能に構成されている。
また、これらのプラテン５には、ディスクベース１の方
向へ突出する如くストッパ６が設けられており、ディス
クベース１には、これらのストッパ６に対応してストッ
パ７が設けられている。そして、回転シャフト２には、
ストッパ７とストッパ６が押圧状態となる如くプラテン
５を回転させる方向に付勢するスプリングコイル８がそ
れぞれ配置され、ウェハ保持部９が構成されている。す
なわち、このウェハ保持部９は、ストッパ６とストッパ
７との相対的な位置、例えばストッパ７の位置を調節す
ることにより、スプリングコイル８によって回転させる
方向に付勢されたプラテン５を、回転シャフト２の回り
に所望の角度回転させ、例えばディスクベース１表面に
水平な面に対して０〜ｌＯ度の角度を有する状態に保持
できるよう構成されている。
向へ突出する如くストッパ６が設けられており、ディス
クベース１には、これらのストッパ６に対応してストッ
パ７が設けられている。そして、回転シャフト２には、
ストッパ７とストッパ６が押圧状態となる如くプラテン
５を回転させる方向に付勢するスプリングコイル８がそ
れぞれ配置され、ウェハ保持部９が構成されている。す
なわち、このウェハ保持部９は、ストッパ６とストッパ
７との相対的な位置、例えばストッパ７の位置を調節す
ることにより、スプリングコイル８によって回転させる
方向に付勢されたプラテン５を、回転シャフト２の回り
に所望の角度回転させ、例えばディスクベース１表面に
水平な面に対して０〜ｌＯ度の角度を有する状態に保持
できるよう構成されている。
上記構成のウェハ保持部９は、第２図および第３図に示
すように、ＸおよびＹ方向に走査されたイオンビーム１
０を導入するイオン導入管１１の終端部に配置されてい
る。なお、イオンビーム１０を発生させる機構およびこ
のイオンビーム１０をＸおよびＹ方向に走査する機構に
ついては、周知であるため、その説明は省略する。
すように、ＸおよびＹ方向に走査されたイオンビーム１
０を導入するイオン導入管１１の終端部に配置されてい
る。なお、イオンビーム１０を発生させる機構およびこ
のイオンビーム１０をＸおよびＹ方向に走査する機構に
ついては、周知であるため、その説明は省略する。
そして、ディスクベース１に接続された回転駆動機構に
よりディスクベース１およびプラテン５を所望の速度で
回転させることにより、プラテン５に配置された半導体
ウェハ３に次々とイオンビーム１０を照射して、所望の
イオンを半導体ウェハ３に注入する。
よりディスクベース１およびプラテン５を所望の速度で
回転させることにより、プラテン５に配置された半導体
ウェハ３に次々とイオンビーム１０を照射して、所望の
イオンを半導体ウェハ３に注入する。
この時、予め前述のように、ストッパ７の位置を調節し
ておくことにより、プラテン５に配置された半導体ウェ
ハ４を、イオンビーム１０に対して垂直な状Ｍ（第２図
）、あるいは所望の角度傾けた状態（第３図）としてイ
オンを注入することができる。また、この角度の設定は
各半導体ウェハ３毎に変えることもできる。
ておくことにより、プラテン５に配置された半導体ウェ
ハ４を、イオンビーム１０に対して垂直な状Ｍ（第２図
）、あるいは所望の角度傾けた状態（第３図）としてイ
オンを注入することができる。また、この角度の設定は
各半導体ウェハ３毎に変えることもできる。
さらに、プラテン５が傾いて設定されていると半導体ウ
ェハ３のロード・アンロードが困難になるが、この実施
例のイオン注入装置では、次のようにしてプラテン５を
水平に戻し半導体ウェハ３のロード・アンロードを容易
に行うことができる。
ェハ３のロード・アンロードが困難になるが、この実施
例のイオン注入装置では、次のようにしてプラテン５を
水平に戻し半導体ウェハ３のロード・アンロードを容易
に行うことができる。
すなわち、第４図（ａ）に示すように、例えば断面コ字
状とされた突上げ用部材２０等により、ストッパ６．７
側のプラテン５下面を押し上げて、第４図（ｂ）に示す
ように、プラテン５を水平にする。そして、第４図（Ｃ
）に示すように、例えば３本の突上げ用ピン２１等によ
り、プラテン５内のピン４を突上げ、半導体ウェハ３を
ピン４上に保持する。
状とされた突上げ用部材２０等により、ストッパ６．７
側のプラテン５下面を押し上げて、第４図（ｂ）に示す
ように、プラテン５を水平にする。そして、第４図（Ｃ
）に示すように、例えば３本の突上げ用ピン２１等によ
り、プラテン５内のピン４を突上げ、半導体ウェハ３を
ピン４上に保持する。
このようにすれば、半導体ウェハ３をロード・アンロー
ドする時だけプラテン５を水平に戻すことができ、例え
ばプラテン５の設定角度が異なるものが混在するような
場合でも、従来のオートローダを用いて半導体ウェハ３
のロード・アンロードを行うことができる。
ドする時だけプラテン５を水平に戻すことができ、例え
ばプラテン５の設定角度が異なるものが混在するような
場合でも、従来のオートローダを用いて半導体ウェハ３
のロード・アンロードを行うことができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のイオン注入装置によれば
、バッチ処理によりイオンを注入する場合でも、イオン
の注入角度を、容易に所望の角度に変更することができ
る。
、バッチ処理によりイオンを注入する場合でも、イオン
の注入角度を、容易に所望の角度に変更することができ
る。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置のウェハ保
持部を示す図、第２図および第３図は第１図のウェハ保
持部の作用を説明するための図、第４図は第１図のウェ
ハ保持部のロード・アンロード時の作用を説明するため
の図である。 １・・・・・・ディスクベース、２・・・・・・回転シ
ャフト、３・・・・・・半導体ウェハ、４・・・・・・
ピン、５・・・・・・プラテン、６・・・・・・ストッ
パ（プラテン側）、７・・・・・・ストッパ（ディスク
ベース側）、８・・・・・・スプリングコイル、９・・
・・・・ウェハ保持部。 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第４図 に
持部を示す図、第２図および第３図は第１図のウェハ保
持部の作用を説明するための図、第４図は第１図のウェ
ハ保持部のロード・アンロード時の作用を説明するため
の図である。 １・・・・・・ディスクベース、２・・・・・・回転シ
ャフト、３・・・・・・半導体ウェハ、４・・・・・・
ピン、５・・・・・・プラテン、６・・・・・・ストッ
パ（プラテン側）、７・・・・・・ストッパ（ディスク
ベース側）、８・・・・・・スプリングコイル、９・・
・・・・ウェハ保持部。 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第４図 に
Claims (1)
- （１）回転軸を中心とする同一円周上に配列された複数
の被処理物保持機構を前記回転軸を中心として回転させ
ながら被処理物にイオンビームを照射するイオン注入装
置において、 前記被処理物保持機構に、該被処理物保持機構に保持さ
れた前記被処理物と前記イオンビームとの角度を所望の
角度に設定可能とする機構を配置しことを特徴とするイ
オン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160245A JPH0210642A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160245A JPH0210642A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210642A true JPH0210642A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15710837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160245A Pending JPH0210642A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210642A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035435A (ja) * | 1999-05-24 | 2001-02-09 | Applied Materials Inc | イオン注入装置 |
| JP2003045371A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-14 | Applied Materials Inc | イオン注入装置の基板支持部材およびイオン注入装置 |
| JP2010015774A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Sumco Corp | イオン注入装置 |
| JP2014011272A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63160245A patent/JPH0210642A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035435A (ja) * | 1999-05-24 | 2001-02-09 | Applied Materials Inc | イオン注入装置 |
| JP2003045371A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-14 | Applied Materials Inc | イオン注入装置の基板支持部材およびイオン注入装置 |
| JP2010015774A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Sumco Corp | イオン注入装置 |
| JP2014011272A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
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