JPS61208738A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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Publication number
JPS61208738A
JPS61208738A JP4854185A JP4854185A JPS61208738A JP S61208738 A JPS61208738 A JP S61208738A JP 4854185 A JP4854185 A JP 4854185A JP 4854185 A JP4854185 A JP 4854185A JP S61208738 A JPS61208738 A JP S61208738A
Authority
JP
Japan
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semiconductor substrate
substrate
ion
impurity
ion implantation
Prior art date
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Pending
Application number
JP4854185A
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English (en)
Inventor
Tomoshi Nishida
知史 西田
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS61208738A publication Critical patent/JPS61208738A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置の製造に用いられるイオン注入装
置に関する。
（従来の技術） 現在、半導体装置の製造において、半導体基板に不純物
を注入する装置としてイオン注入装置が広く一般的に用
いられている。このイオン注入装置は、高真空中におい
て電気的に励起された不純物イオンを高電圧により加速
し、質量分析系において不要なイオン種を除去した後半
導体基板の表面に照射して基板内にイオンを侵入させる
ものである。そして、こ・のようなイオン注入装置は。
（１）　　不純物イオンの照射量を電流値として表現で
きるため、イオンの注入量の制御が容易である。
（２）　　イオンｉよ、高電圧によって加速されるため
。
物理的エネルギーにより半導体基板内に侵入する。この
ため、基板内部に対する深さ方向の制御性に優れている
。
といった特長を有している。
ところで、上記イオン注入装置では、半導体基板ａを第
３図に示すようにイオンビームｂの照射方向に対して一
定角度傾けており、イオンビームｂが半導体基板ａに斜
めに照射されるようになしている。これは、イオンビー
ムｂの照射方向と半導体基板ａとが第４図に示すように
垂直であると。
イオンが半導体基板ａめ結晶格子間を抜ける。いわゆる
チャネリング効果によりイオンの深さ方向の制御性が十
分に得゛られないためである。　　”また、一定の断面
積をもったイオンビームを静電偏向等により半導体基板
面内を走査させ、基板□面内全域にわたって均一に照射
、注入が行われるように図っている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記従来のイオン注入装置は。
前述したように半導体基板がイオンビームの照射方向に
対して傾けられているため、イオン源から半導体基板面
までの距離が面内の各所で異なり。
イオンビームの収束の違いにより均一な照射、注入が困
難で半導体基板面内における不純物濃度の均一性が損な
われる。つまり、半導体基板面のイオン源に近い方から
遠い方に向かうにつれて不純物濃度が減少するといった
不都合が生じる。このことは、半導体基板が大口径化す
るほど顕著となり、また、素子の微細化に伴う高い不純
物濃度の制御性といった要望に応えることが困難である
といった問題もある。
（問題点を解決するための手段） 本発明のイオン注入装置は、半導体基板をイオン注入時
およびイオン注入中断時に半導体基板に直交する中心軸
周りに段階的または無段階的に回転させるようにしたも
のである。
（作用） 第１図に示すように、半導体基板１をイオン注入時およ
びイオン注入中断時に半導体基板１に直交する中心軸Ｘ
周りに段階的または無段階的に回転させることにより、
イオン源（図示省略）から半導体基板１面までの距離が
面内の各所で均等化され、半導体基板１内の不純物濃度
の不均一化が防止される。図中、Ｂはイオンビームであ
る。
（実施例） 以下１本発明を実施例につき図面を参照して説明する。
第２図は本発明に係るイオン注入装置の要部を示す概略
断面図である。
図中、２は基板支持台で、この基板支持台２は所定角度
傾けられている。
基板支持台２の裏面側中央部には、半導体基板１を回転
駆動する駆動モータ３が設けられ、この駆動モータ３の
回転駆動軸４の先端部は基板支持台２の表面より突出さ
れている。また、この駆動モータ３の回転駆動軸４の先
端部には半導体基板１を支持するための９例えば静電チ
ャック５が取り付けられている。そして、この静電チャ
ック５に半導体基板１を装着して駆動モータ３を駆動す
ることより半導体基板ｌが回転駆動される。
半導体基板１の回転は、イオン注入時および中断中に段
階的または無段階的に行う。
なお、半導体基板１の装着および回転手段は上記したも
のに限定されない。
（発明の効果） 本発明のイオン注入装置によれば、イオン注入後の不純
物濃度が均一な半導体基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のイオン注入装置の作用を説明する説明
図、第２図は本発明のイオン注入装置の一実施例を示す
概略断面図、第３図および第４図は従来例を示す概略側
面図である。 ■・・・半導体基板、　　　２・・・基板支持台３・・
・駆動モータ ほか１名 第７図 第３図 第４図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）半導体基板に不純物イオンを注入するイオン注入装
    置において、 半導体基板をイオン注入時およびイオン注 入中断時に半導体基板に直交する中心軸周りに段階的ま
    たは無段階的に回転させるようにしたことを特徴とする
    イオン注入装置。
JP4854185A 1985-03-11 1985-03-11 イオン注入装置 Pending JPS61208738A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0399429A (ja) * 1989-09-12 1991-04-24 Fujitsu Ltd イオン注入法
JPH07240388A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Nec Corp 半導体装置のイオン注入方法
JP2000164525A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Denso Corp 炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53119671A (en) * 1977-03-28 1978-10-19 Toshiba Corp Ion implanting method

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