JPS62281247A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS62281247A JPS62281247A JP61122793A JP12279386A JPS62281247A JP S62281247 A JPS62281247 A JP S62281247A JP 61122793 A JP61122793 A JP 61122793A JP 12279386 A JP12279386 A JP 12279386A JP S62281247 A JPS62281247 A JP S62281247A
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- JP
- Japan
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- ion
- semiconductor wafer
- ion beam
- ion implantation
- implanted
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 27
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望の
イオンを注入するイオン注入装置に関する。
イオンを注入するイオン注入装置に関する。
（従来の技術）
一般に半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望のイオ
ンを注入するイオン注入装置は、第２図に示すよう構成
されている。
ンを注入するイオン注入装置は、第２図に示すよう構成
されている。
すなわち、イオンビーム発生装置１から射出されたイオ
ンビーム２は、それぞれ対向する２枚の偏向板からなる
垂直偏向板３水平偏向板４およびこれらの偏向板間に一
定の周波数の電圧を印加する電源装置５．６から構成さ
れる装置 て偏向され、走査ざれてプラテン７上に保持され停止し
た半導体ウェハ８等の被イオン注入基板に注入ざれる。
ンビーム２は、それぞれ対向する２枚の偏向板からなる
垂直偏向板３水平偏向板４およびこれらの偏向板間に一
定の周波数の電圧を印加する電源装置５．６から構成さ
れる装置 て偏向され、走査ざれてプラテン７上に保持され停止し
た半導体ウェハ８等の被イオン注入基板に注入ざれる。
また、イオン注入時における半導体ウエハ８内部の軸チ
ャンネリングを避けるため、イオンビーム２が半導体ウ
ェハ８表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ８を垂直方向から７゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行うものが多い。
ャンネリングを避けるため、イオンビーム２が半導体ウ
ェハ８表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ８を垂直方向から７゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行うものが多い。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上述の従来のイオン注入装置では、例えば
第３図に示すように、本来半導体ウェハ８表面に均一に
描かれるはずのイオンビーム２の走査線９が、走査装置
の電源装置５、６の特性およびノイズ等により不規則に
偏向され、第４図に示す走査線９ａのように、不均一に
なり走査ムラが生じる。
第３図に示すように、本来半導体ウェハ８表面に均一に
描かれるはずのイオンビーム２の走査線９が、走査装置
の電源装置５、６の特性およびノイズ等により不規則に
偏向され、第４図に示す走査線９ａのように、不均一に
なり走査ムラが生じる。
また、半導体ウェハ８をイオンビーム２に対して角度を
設けて配置し、イオンの注入を行うため、半導体ウェハ
８表面の部位によりイオンビーム２の入射角に差が生じ
る。そして、上述のような理由により半導体ウェハ８に
注入されたイオンの分布が不均一になるという問題がお
った。
設けて配置し、イオンの注入を行うため、半導体ウェハ
８表面の部位によりイオンビーム２の入射角に差が生じ
る。そして、上述のような理由により半導体ウェハ８に
注入されたイオンの分布が不均一になるという問題がお
った。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、半導体ウェハ８等の被イオン注入基板全面にわたって
均一にイオンを注入することのできるイオン注入装置を
提供しようとするものである。
、半導体ウェハ８等の被イオン注入基板全面にわたって
均一にイオンを注入することのできるイオン注入装置を
提供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明のイオン注入装置は、所望のイオンビー
ムを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビー
ムを偏向させ被イオン注入基板上を走査させる走査装置
と、前記被イオン注入基板を前記イオンビームが衝突さ
れる面の中心付近を通る回転軸の回りに回転させる回転
装置とを備えている。
ムを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビー
ムを偏向させ被イオン注入基板上を走査させる走査装置
と、前記被イオン注入基板を前記イオンビームが衝突さ
れる面の中心付近を通る回転軸の回りに回転させる回転
装置とを備えている。
（作用）
本発明のイオン注入装置では、イオンビーム発生装置か
ら射出されたイオンビームを走査装置により走査しなが
ら半導体ウェハ等の被イオン注入基板に衝突させると共
に、回転装置により、半導体ウェハ等の被イオン注入基
板をイオンビームが衝突される面の中心付近を通る回転
軸の回りに回転させながらイオンの注入を行う。
ら射出されたイオンビームを走査装置により走査しなが
ら半導体ウェハ等の被イオン注入基板に衝突させると共
に、回転装置により、半導体ウェハ等の被イオン注入基
板をイオンビームが衝突される面の中心付近を通る回転
軸の回りに回転させながらイオンの注入を行う。
（実施例）
以下本発明の詳細を図面に示す実施例について説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置を示すもの
で、イオンビーム発生装置１１から射出された例えばＢ
＋、Ｂ＋＋、Ｂ＋、ｐ＋＋、ＡＳ＋、ＡＳ＋十等のイオ
ンビーム１２は、それぞれ対向する２枚の偏向板からな
る垂直偏向板１３、水平偏向板１４およびこれらの偏向
板の間に一定の周波数またはウオブリング波形を含む一
定周波数の電圧を印加する電源装置１５．１６から構成
される装置 てプラテン１７に保持された半導体ウェハ１８の面上に
注入ざれる。
で、イオンビーム発生装置１１から射出された例えばＢ
＋、Ｂ＋＋、Ｂ＋、ｐ＋＋、ＡＳ＋、ＡＳ＋十等のイオ
ンビーム１２は、それぞれ対向する２枚の偏向板からな
る垂直偏向板１３、水平偏向板１４およびこれらの偏向
板の間に一定の周波数またはウオブリング波形を含む一
定周波数の電圧を印加する電源装置１５．１６から構成
される装置 てプラテン１７に保持された半導体ウェハ１８の面上に
注入ざれる。
また、プラテン１７は半導体ウェハ１８をイオンビーム
１２に対して所望の角度で固定することができよるよう
構成ざれてあり、更にプラテン１７は回転装置１９に接
続ざれ、半導体ウェハ１８のほぼ中心付近を通り表面に
対して直角な回転軸の回りに回転可能に構成ざれている
。
１２に対して所望の角度で固定することができよるよう
構成ざれてあり、更にプラテン１７は回転装置１９に接
続ざれ、半導体ウェハ１８のほぼ中心付近を通り表面に
対して直角な回転軸の回りに回転可能に構成ざれている
。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置で、イオンビー
ム発生装置１１から１６０Ｋ ｅ Ｖのエネルギーを有
する△Ｓ＋のイオンビーム１２を射出させ、電源装置１
５から１１７． １９ Ｈｚの電圧を垂直偏向板１３間
に印加し、電源装置１６から１０１９｝！Ｚの電圧を水
平偏向板１４間に印加して走査し、回転装置１９により
半導体ウェハ１８を１秒間に１７２回転程度の速度で回
転した場合、および回転装置１９を停止した場合につい
て、それぞれ酸化膜圧２０ｎｍの半導体ウェハ］８にイ
オン注入を行った。
ム発生装置１１から１６０Ｋ ｅ Ｖのエネルギーを有
する△Ｓ＋のイオンビーム１２を射出させ、電源装置１
５から１１７． １９ Ｈｚの電圧を垂直偏向板１３間
に印加し、電源装置１６から１０１９｝！Ｚの電圧を水
平偏向板１４間に印加して走査し、回転装置１９により
半導体ウェハ１８を１秒間に１７２回転程度の速度で回
転した場合、および回転装置１９を停止した場合につい
て、それぞれ酸化膜圧２０ｎｍの半導体ウェハ］８にイ
オン注入を行った。
そして、半導体ウェハ１内のイオンの均一性を比較する
ため、シート抵抗値を半導体ウェハ１８上の複数点で測
定し、×（平均値）およびσ／Ｘ（標準偏差／平均値）
を算出したところ次表のような結果となった。
ため、シート抵抗値を半導体ウェハ１８上の複数点で測
定し、×（平均値）およびσ／Ｘ（標準偏差／平均値）
を算出したところ次表のような結果となった。
上記表に示す結果からも明らかなようにこの実施例のイ
オン注入装置では、回転装置１つで半導体ウェハ１８を
回転させながらイオン注入を行うことにより、従来に比
べて半導体ウエハ１８全面にわたって均一にイオンを注
入することができる。
オン注入装置では、回転装置１つで半導体ウェハ１８を
回転させながらイオン注入を行うことにより、従来に比
べて半導体ウエハ１８全面にわたって均一にイオンを注
入することができる。
［発明の効果］
上述のように本発明のイオン注入装置では、半導体ウェ
ハ等の被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを
注入することができる。
ハ等の被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを
注入することができる。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置を示す構成
図、第２図は従来のイオン注入装置を示す構成図、第３
図および第４図は半導体ウェハ上のイオンビーム走査パ
ターンを示す説明図である。 １１・・・・・・イオンビーム発生装置、１２・・・・
・・イオンビーム、１３・・・・・・垂直偏向板、１４
・・・・・・水平偏向板、１５．１６・・・・・・電源
装置、１８・・・・・・半導体ウェハ、１９・・・・・
・回転装置。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − 第２図
図、第２図は従来のイオン注入装置を示す構成図、第３
図および第４図は半導体ウェハ上のイオンビーム走査パ
ターンを示す説明図である。 １１・・・・・・イオンビーム発生装置、１２・・・・
・・イオンビーム、１３・・・・・・垂直偏向板、１４
・・・・・・水平偏向板、１５．１６・・・・・・電源
装置、１８・・・・・・半導体ウェハ、１９・・・・・
・回転装置。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − 第２図
Claims (1)
- （１）所望のイオンビームを射出するイオンビーム発生
装置と、前記イオンビームを偏向させ被イオン注入基板
上を走査させる走査装置と、前記被イオン注入基板を前
記イオンビームが衝突される面の中心付近を通る回転軸
の回りに回転させる回転装置とを備えたことを特徴とす
るイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122793A JPS62281247A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122793A JPS62281247A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281247A true JPS62281247A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14844764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122793A Pending JPS62281247A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164525A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
| CN112289679A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-29 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种离子布植方法、装置及设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS61267251A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 半導体不純物注入装置 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61122793A patent/JPS62281247A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS61267251A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 半導体不純物注入装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164525A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
| CN112289679A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-29 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种离子布植方法、装置及设备 |
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