JPS62281247A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS62281247A JPS62281247A JP61122793A JP12279386A JPS62281247A JP S62281247 A JPS62281247 A JP S62281247A JP 61122793 A JP61122793 A JP 61122793A JP 12279386 A JP12279386 A JP 12279386A JP S62281247 A JPS62281247 A JP S62281247A
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- JP
- Japan
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- ion
- semiconductor wafer
- ion beam
- ion implantation
- implanted
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 27
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望の
イオンを注入するイオン注入装置に関する。
イオンを注入するイオン注入装置に関する。
(従来の技術)
一般に半導体ウェハ等の被イオン注入基板に所望のイオ
ンを注入するイオン注入装置は、第2図に示すよう構成
されている。
ンを注入するイオン注入装置は、第2図に示すよう構成
されている。
すなわち、イオンビーム発生装置1から射出されたイオ
ンビーム2は、それぞれ対向する2枚の偏向板からなる
垂直偏向板3水平偏向板4およびこれらの偏向板間に一
定の周波数の電圧を印加する電源装置5.6から構成さ
れる装置 て偏向され、走査ざれてプラテン7上に保持され停止し
た半導体ウェハ8等の被イオン注入基板に注入ざれる。
ンビーム2は、それぞれ対向する2枚の偏向板からなる
垂直偏向板3水平偏向板4およびこれらの偏向板間に一
定の周波数の電圧を印加する電源装置5.6から構成さ
れる装置 て偏向され、走査ざれてプラテン7上に保持され停止し
た半導体ウェハ8等の被イオン注入基板に注入ざれる。
また、イオン注入時における半導体ウエハ8内部の軸チ
ャンネリングを避けるため、イオンビーム2が半導体ウ
ェハ8表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ8を垂直方向から7゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行うものが多い。
ャンネリングを避けるため、イオンビーム2が半導体ウ
ェハ8表面に対して一定の角度をもって入射するよう、
例えば半導体ウェハ8を垂直方向から7゜程度の傾斜を
もって保持し、イオンの注入を行うものが多い。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら上述の従来のイオン注入装置では、例えば
第3図に示すように、本来半導体ウェハ8表面に均一に
描かれるはずのイオンビーム2の走査線9が、走査装置
の電源装置5、6の特性およびノイズ等により不規則に
偏向され、第4図に示す走査線9aのように、不均一に
なり走査ムラが生じる。
第3図に示すように、本来半導体ウェハ8表面に均一に
描かれるはずのイオンビーム2の走査線9が、走査装置
の電源装置5、6の特性およびノイズ等により不規則に
偏向され、第4図に示す走査線9aのように、不均一に
なり走査ムラが生じる。
また、半導体ウェハ8をイオンビーム2に対して角度を
設けて配置し、イオンの注入を行うため、半導体ウェハ
8表面の部位によりイオンビーム2の入射角に差が生じ
る。そして、上述のような理由により半導体ウェハ8に
注入されたイオンの分布が不均一になるという問題がお
った。
設けて配置し、イオンの注入を行うため、半導体ウェハ
8表面の部位によりイオンビーム2の入射角に差が生じ
る。そして、上述のような理由により半導体ウェハ8に
注入されたイオンの分布が不均一になるという問題がお
った。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、半導体ウェハ8等の被イオン注入基板全面にわたって
均一にイオンを注入することのできるイオン注入装置を
提供しようとするものである。
、半導体ウェハ8等の被イオン注入基板全面にわたって
均一にイオンを注入することのできるイオン注入装置を
提供しようとするものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
すなわち本発明のイオン注入装置は、所望のイオンビー
ムを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビー
ムを偏向させ被イオン注入基板上を走査させる走査装置
と、前記被イオン注入基板を前記イオンビームが衝突さ
れる面の中心付近を通る回転軸の回りに回転させる回転
装置とを備えている。
ムを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビー
ムを偏向させ被イオン注入基板上を走査させる走査装置
と、前記被イオン注入基板を前記イオンビームが衝突さ
れる面の中心付近を通る回転軸の回りに回転させる回転
装置とを備えている。
(作用)
本発明のイオン注入装置では、イオンビーム発生装置か
ら射出されたイオンビームを走査装置により走査しなが
ら半導体ウェハ等の被イオン注入基板に衝突させると共
に、回転装置により、半導体ウェハ等の被イオン注入基
板をイオンビームが衝突される面の中心付近を通る回転
軸の回りに回転させながらイオンの注入を行う。
ら射出されたイオンビームを走査装置により走査しなが
ら半導体ウェハ等の被イオン注入基板に衝突させると共
に、回転装置により、半導体ウェハ等の被イオン注入基
板をイオンビームが衝突される面の中心付近を通る回転
軸の回りに回転させながらイオンの注入を行う。
(実施例)
以下本発明の詳細を図面に示す実施例について説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例のイオン注入装置を示すもの
で、イオンビーム発生装置11から射出された例えばB
+、B++、B+、p++、AS+、AS+十等のイオ
ンビーム12は、それぞれ対向する2枚の偏向板からな
る垂直偏向板13、水平偏向板14およびこれらの偏向
板の間に一定の周波数またはウオブリング波形を含む一
定周波数の電圧を印加する電源装置15.16から構成
される装置 てプラテン17に保持された半導体ウェハ18の面上に
注入ざれる。
で、イオンビーム発生装置11から射出された例えばB
+、B++、B+、p++、AS+、AS+十等のイオ
ンビーム12は、それぞれ対向する2枚の偏向板からな
る垂直偏向板13、水平偏向板14およびこれらの偏向
板の間に一定の周波数またはウオブリング波形を含む一
定周波数の電圧を印加する電源装置15.16から構成
される装置 てプラテン17に保持された半導体ウェハ18の面上に
注入ざれる。
また、プラテン17は半導体ウェハ18をイオンビーム
12に対して所望の角度で固定することができよるよう
構成ざれてあり、更にプラテン17は回転装置19に接
続ざれ、半導体ウェハ18のほぼ中心付近を通り表面に
対して直角な回転軸の回りに回転可能に構成ざれている
。
12に対して所望の角度で固定することができよるよう
構成ざれてあり、更にプラテン17は回転装置19に接
続ざれ、半導体ウェハ18のほぼ中心付近を通り表面に
対して直角な回転軸の回りに回転可能に構成ざれている
。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置で、イオンビー
ム発生装置11から160K e Vのエネルギーを有
する△S+のイオンビーム12を射出させ、電源装置1
5から117. 19 Hzの電圧を垂直偏向板13間
に印加し、電源装置16から1019}!Zの電圧を水
平偏向板14間に印加して走査し、回転装置19により
半導体ウェハ18を1秒間に172回転程度の速度で回
転した場合、および回転装置19を停止した場合につい
て、それぞれ酸化膜圧20nmの半導体ウェハ]8にイ
オン注入を行った。
ム発生装置11から160K e Vのエネルギーを有
する△S+のイオンビーム12を射出させ、電源装置1
5から117. 19 Hzの電圧を垂直偏向板13間
に印加し、電源装置16から1019}!Zの電圧を水
平偏向板14間に印加して走査し、回転装置19により
半導体ウェハ18を1秒間に172回転程度の速度で回
転した場合、および回転装置19を停止した場合につい
て、それぞれ酸化膜圧20nmの半導体ウェハ]8にイ
オン注入を行った。
そして、半導体ウェハ1内のイオンの均一性を比較する
ため、シート抵抗値を半導体ウェハ18上の複数点で測
定し、×(平均値)およびσ/X(標準偏差/平均値)
を算出したところ次表のような結果となった。
ため、シート抵抗値を半導体ウェハ18上の複数点で測
定し、×(平均値)およびσ/X(標準偏差/平均値)
を算出したところ次表のような結果となった。
上記表に示す結果からも明らかなようにこの実施例のイ
オン注入装置では、回転装置1つで半導体ウェハ18を
回転させながらイオン注入を行うことにより、従来に比
べて半導体ウエハ18全面にわたって均一にイオンを注
入することができる。
オン注入装置では、回転装置1つで半導体ウェハ18を
回転させながらイオン注入を行うことにより、従来に比
べて半導体ウエハ18全面にわたって均一にイオンを注
入することができる。
[発明の効果]
上述のように本発明のイオン注入装置では、半導体ウェ
ハ等の被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを
注入することができる。
ハ等の被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを
注入することができる。
第1図は本発明の一実施例のイオン注入装置を示す構成
図、第2図は従来のイオン注入装置を示す構成図、第3
図および第4図は半導体ウェハ上のイオンビーム走査パ
ターンを示す説明図である。 11・・・・・・イオンビーム発生装置、12・・・・
・・イオンビーム、13・・・・・・垂直偏向板、14
・・・・・・水平偏向板、15.16・・・・・・電源
装置、18・・・・・・半導体ウェハ、19・・・・・
・回転装置。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − 第2図
図、第2図は従来のイオン注入装置を示す構成図、第3
図および第4図は半導体ウェハ上のイオンビーム走査パ
ターンを示す説明図である。 11・・・・・・イオンビーム発生装置、12・・・・
・・イオンビーム、13・・・・・・垂直偏向板、14
・・・・・・水平偏向板、15.16・・・・・・電源
装置、18・・・・・・半導体ウェハ、19・・・・・
・回転装置。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − 第2図
Claims (1)
- (1)所望のイオンビームを射出するイオンビーム発生
装置と、前記イオンビームを偏向させ被イオン注入基板
上を走査させる走査装置と、前記被イオン注入基板を前
記イオンビームが衝突される面の中心付近を通る回転軸
の回りに回転させる回転装置とを備えたことを特徴とす
るイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122793A JPS62281247A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122793A JPS62281247A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62281247A true JPS62281247A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14844764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61122793A Pending JPS62281247A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62281247A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164525A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
CN112289679A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-29 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种离子布植方法、装置及设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
JPS61267251A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 半導体不純物注入装置 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61122793A patent/JPS62281247A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
JPS61267251A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 半導体不純物注入装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164525A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
CN112289679A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-29 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种离子布植方法、装置及设备 |
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