JPS62224671A - イオンビ−ム注入装置およびイオン注入を制御する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はイオンビームの注入システムにｍするものであ
り、特に、イオンビームとターゲットとの間の入射角を
制御する方法および装置に関するものである。

（従来技術・発明が解決しようとする問題点）直径が２
００＋ａ（８インチ）の単結晶シリコンウェハは十分な
品質と量とで入手可能になってきてお夛、半導体メーカ
ーはこのサイズ（場合によってはそれ以上の＆）のウェ
ハを用いてデバイスを製造するよう釦なっている。シリ
コンウェハにドーピングする技術の一つはイオンビーム
をターゲットウェハに当ててウェハ内のドーピング不純
物の濃度が制御されたものを作ることである。前記のよ
うなウェハが入手可能になったことによって、これら大
径のウェハＫ　（８足にイオン注入できるイオン注入機
に対する要求がでてきている。

半導体のイオン注入プロセスの重要なパラメターの一つ
はウェハ全体に空間的に均一に注入される注入証である
。他の重要なパラメターはウェハおよびその内部のシリ
コン結晶格子構造（あるいはＧａＡｓまたはその他の結
晶性物質）に対するイオンビームの入射角である。この
入射角がウェハ表面上の関数で変化する場合にはドーパ
ントの深さ分７７５（プロフィル）が変化してチャネリ
ングといわれる周知の現象の原因となるため、前記入射
角は重要である。この入射角が変化すると注入される面
積全制御するために注入をマスクを介して行う場合にシ
ャドウィング効果もでてくる。

ＶＬＳ　Ｉの技術がよシ小さい集積デバイス寸法を要求
するようになって、注入用マスクの孔はよシ小さくなっ
たが、マスクの厚さはそう急には薄くならない。従って
、デバイスのパフォーマンスに対する要求仕様は益々厳
しくなシ且つチャネリング変動の原因となる空間的なウ
ェハ全体の深さの不均一性に対する許容値はよシ小さく
なってきているため、シャドウィング効果は益々重要で
ある。

中速または低速のイオン注入装置の場合〈は、イオンビ
ームは一般にウェハを横切ってビームをラスター状また
はそれと類似のパターンでＸ−ｙ偏向走査することＫよ
ってウェハ表面を横切って尚てられている。このビーム
の偏向を行うために一般には２対の直角静電偏向板が用
いられている。この偏向板に三角波形の電圧を加えるこ
とによってウェハ上で四角形のラスター走査を行うこと
かできる。ディクストラ等による米国特許第４，５１４
，６５７号にはこのような低速電流のイオン注入装ｆが
記載されている。ここではこのディクストラらによる開
示内容を参照して含める。

前記の静電式イオンビーム偏向の場合にはウェハ表面上
の位置が異なるとビーム入射角が変化してしまう。これ
がこの型式のイオン注入装置の場合におこる（前記の結
果として起こるチャネリング変化による）深さ不均一の
主原因である。

重い高速電流のイオンビームを長い距離、特に静電場の
存在下で、移送するのは難しいため、広いウェハ上にビ
ームを均一に拡大するときにはこの型式のビーム走査法
は高速電流のイオン注入装置には用いられていなかった
。高速電流のイオン注入装置ではウェハをビームを通っ
て回転するスピニング円板に取シ付けるような機械的手
段またはその他の周知の機械的走査方法を用いて固定ビ
ームに対してウェハを走査するのが多い。最近この機械
的走査機ではウェハをイオンビームの所を通って移動さ
せるようになってきておシ、ビームの入射角は一定また
はほぼ一定に維持されている。こうした理由から深さを
均一にし且つマスクの影の変動を最少圧するためにはビ
ームをχ−ｙ偏向するよシ固足ビームのＦ５′ｒを通し
てウェハを慎械的に走査するのが優れた方法であると考
えられている。

との筒密反ビームの機械的走査機の場合のパッチ処理で
は一般にウェハのハンドリングの生産性が低く、大型の
コストのかかるウエハノ１ンドリンクステーションを必
要とする。一方、Ｘ−ｙ偏向装置装置は装ｆが小型で簡
単になシコストも安いというオリ点があるが、ビームの
入射角が変化するという問題があシ、ウニＩ・の寸法が
大きくなったときにはビームの移送長さをそれに比例し
て増加させないと入射角が大きくなる。しかし、ビーム
経路を長くすると、ターゲットウェハ上に送られるビー
ム電流が低くなるというビーム移送上の問題が生じてく
る。

ビームの入射角の前記間急に対して他の解決法として平
行走査法を用いることがらる。静電走査方式では各々が
２対の偏向板で構成される２組の偏向板を用いててこれ
を行っている。その第一組はビームを前記のように２ス
ターまたはそれに包似したパターンに偏向するのに用い
られ、第二の偏向板はビームの元の方向に平行な方向に
ビームを戻すように偏向するのに用いられる。この結果
ラスター走置されるビームはウェハ上の全ての点でほぼ
一定の入射角となる。

この方法では第二組の偏向板を少なくともターゲットの
寸法だけ離して設けることが必要である。走査に必要な
電圧は偏向板の間隔に正比例するので、この方法は一般
に小さいウエノ・に限定される。さらに、前記のように
静電場でのイオンビームの移送の問題があるので、この
方法も低質蓋の低電流イオンビームに限定される。

最近の実験によると、ウェハ全体の入射角が変化したと
きのチャネリングに起因するドーパントの深さ分布の変
動作用が直径３インチおよび４インチの小径ウエノ・の
場合でも正しく設計されたｘ−ｙシステムに対して不均
一シート抵抗Ｉ／ｃ′Ｍも大きく影響するということが
指摘されている。

このような事情ＶＣ鑑がみて、本発明はイオンビームが
ターゲット上に衝突する際にイオンビームが成す入射角
を制御するようにして、注入装置のイオンビームの深さ
を均一にさせ装置の生産性を向上させたシステムｔ−提
供することにある。

（問題点を解決するための手段・作用）本発明は短資式
イオンビームの注入機の制御システムにおける入射角の
不均一性の問題を解決するものであり、ターゲット表面
上での入射角をよシ均一にするためにターゲットの形状
が偏向される。本発明は特にシリコンウニノーの注入方
法に適用される。本発明のこの利用ではシリコンウェハ
が曲げられてイオンビームがウェハ表面全体く均一な入
射角でウェハに当たるようにしている。

本発明のイオン注入装置はイオンのビームをターゲット
に向かわせるためのイオン源とイオンビームを初期経路
から偏向させてターゲットウェハ表面全体をビームで走
査するためのイオンビーム偏向機構とを含んでいる。ウ
エノ〜はウェハをビーム経路内に位置付は且つウェハを
凹面形状に曲げる構造体に取シ付けられる。この凹面形
状によってビームがウェハを横切って走査したときにイ
オンビームとウェハとの間の入射角がよシ均一になる。

本発明の一実施例ではウェハが球の一断面を形成するよ
うに曲げられ、好ましい第二の実施例ではウェハは円筒
の一部分の形に曲げられる。ウェハを前記円筒の一部分
の形に曲けるのに必要な力はウェハを球の一部分の形に
曲けるのに必要な力よりも容易に加えることができる。

イオンビームはイオンビーム走査装置の垂直および水平
偏向板に加える電圧を制御するととＫよってジグザグパ
ターンでウェハ表面を横切って偏向される。イオンビー
ムが円筒の曲率に沿って走査するときには、ウエノ・が
湾曲している仁とＫよって入射角はほぼ一定に維持され
る。

しかし、イオンビームが円筒状部分を上下に走査すると
きには入射角は変化する。この不均一性は円筒状ウェハ
を枢着軸の回りで回動し且つとの回動運動をイオンビー
ムの走査運動と同期させるととＫよってし補正する。本
発明のイオン注入における方法の好ましい実施例ではウ
ェハ支持体にカム駆動体を組み合わせてイオンビームの
走査動作と同期してウェハ支持体を回動させる。

ある種のイオン注入方法ではイオンビームとウェハとの
間の入射角を非直角の一定値にするのが要求される。こ
の場合も不発明によって容易に達成される。

（実施例） 本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

図面を参照すると、図示したイオン注入装置１０はイオ
ンビーム１４をイオン質量分析用マグネット１６へ向け
て出すイオン源１２を有し、このイオン質量分析用マグ
ネット１６はイオンビーム１４を直角に曲げ、ビームシ
ャッター２０および加速電極２２を通る列長い移送経路
に沿って進ませる。前記１！極２２を通って加速された
ビームはこのビームを集光する四極レンズ２４を通過す
る。ビーム１４は次すで２対の偏向板２６．２８を通過
する。これらの偏向板に加えられる制御電圧によって生
じる電場によシイオンビーム１４はイオン注入方法で周
知のような制御の下で偏向される。偏向されたイオンビ
ームは次いでイオン注入ステーション３０に進む。

ここにはイオン注入されるシリコンウェハがビームの経
路中に配置されている。

イオン注入ステーション３Ｑは真空チャンバー３２中に
配置されている。このチャンバー６０中に設けられた２
つのアーム５４．５６はウェハをウェハ支持具５８へ自
動的にロードし且つそこからアンロードする。まだドー
ピングしてないウェハはシャトル４２によってカセット
４０から補給される。このシャトル４２は未ドープのウ
ェハをオリエンター４６へ移動させるアーム４４０近く
へ一枚のウェハを運ぶ役目をする。

オリエンター４６は未ドープのウェハを所定の結晶方向
に回転させる。アーム４４は正しく方向づけられたウェ
ハを引き取って真空チャンバー　ＯＲ、り　Ｏローディ
ング　ステーション４８へ移動させる。このローディン
グ　ステーション４８が排気された後、アーム３４はウ
ェハを握持してそれを前記チャンバー内に運び、ロード
／アンロード位置でそれｔ−前記支持具３８上に置く。

前記チャンバー３２のア７ｒ２−ド側では、第二のアー
ム６６が前記支持具３８からドープ済みのウェハを握持
してそれをチャンバー３２から排出する。アーム６２は
このドープ済みのウェハラシャトル６４へ運ヒ、シャト
ル６４　ｄ　）”−プ済みのウェハを第二のカセット６
６中に自動的に入れていく。

次に、第２．３図を参照すると、ここに図示した前記ウ
ェハ支持具３８はプラテン１１２を支持した主支持体１
１０を含んでいる。前記のアーム５４Ｖｉウエハ１１５
を前記支持体１１０とクランプ１１４との間に挿入する
ことによって未ドープのウェハを前記プラテン１１０上
に配置する。クランプ１１４は支持体１１０とこの支持
体１１０を貫通する連結棒１２２１Ｃよって前記クラン
プ１１４ＫｐＨ］性連結されているクランプ本体１２（
１との間に挿入きれた圧縮バネ１１６によって支持体１
１０に向かつて付勢されている。

第３図から明瞭にわかるように、前記アーム５４がウェ
ハ１１５ｆｔ前記支持体１１０とり２ンプ１１４との間
の位置に移動させる時には、クランプ１１４金上昇およ
び下降させるようにクランプ本体１２０と接触する昇降
ヨーク１２４によって上昇位置に維持される。クランプ
本体１２０に螺合した調節自在なチョウねじ１２０ａは
前記ヨーク１２４に支持されたボタン１２４ａと係合し
ている。

このチョウねじ１２０ａを調節することによって支持体
１１０とりランプ１１４との間のギャップが調節される
。

プラテン１１２上にウェハが配置された後、昇降ヨーク
１２４は真空チャンバー３２の外側に配置された（図示
していない）駆動手段によって前記クランプ本体から後
退される。これによってクランプ１１４はウェハ１１５
に向かつて付勢され、ウェハはプラテン１１２に対して
所定位置に保持される。プラテン１ｆ２（第９図）には
ウェハをプラテン１１２上に配置する間あるいはそこか
ら引き出す間にア、−ム５４．５６がウエノ）底面と保
合できるようＫするためのノツチ１１２ａが′　その外
側端縁の周シに形成されている。

クランプ１１４は寸法の異なるウェハをクランプするよ
うに設計されている。これら寸法の異なるウェハを収容
するためにプラテン１１２は主支持体１１０から外すこ
とができ、寸法の異なるウェハに適したプラテンと交換
することができる。クランプ１１４はクランプ面１１４
ａと城シ外して寸法の異なるウェハと交換することがで
きるクランプリング１１４ｂとを含んでいる。クランプ
リング１１４ｂの断面ｆｉ第５図に示しである。

好ましい実施例では、前記プラテンおよびり２ンプリン
グが円筒の一部に近似した曲率半径を有していて、前記
昇降ヨーク１２４がクランプ本体１２０から下へ下げら
れた時にクランプリング１１４ｂがウェハを前記円筒の
一部の形に曲げるようになっている。

クランプリング１１４ｂ（第４，５図）はウェハ１１５
とその全外周で接触している。このクランプリング１１
４ｂはウェハを円筒および球の一部のいずれにも曲げる
のに適している。ウェハを円筒の一部に曲げるには小さ
い力でよいので、クランプリング１１４ｂはその周りに
等間隔に設けられた接触指５１２６のみでウェハと係会
するように変形することができる。このクランプ磯構の
利点はリング１１４ｂによって憶われるウェハの面積が
少なく、従ってウエノ・の広い面積が注入されることに
ある。

第２図かられかるように、支持体１１０はプラテン面が
支持体１１０の回転枢着軸１２８とほぼ一致するように
回動自在に取り付けられている。

支持体１１０の両側の軸受１５０．１３２は支持体１１
０を２つの平行支持部材１５０ａ、　１５０ｂ上に回転
自在に軸支している。これらの支持部材１５０ａ。

１５０ｂは主、駆動シャフト１５２に連結されている。

この主駆動シャ７）１５２は支持体３８をロード／アン
ロード位ｔ　（ｉ２図）からウエノ・１１５がイオンビ
ームに対向して位置付けられるイオンドーピング位置へ
と移動する。

主シャ７　ト１５２は真空チャンバー３２中で４５゜の
角度にセットされている。チャンバー６２の外からベル
トまたは歯車１５５（第６図）を駆動してシャフト３２
を回転すると、支持体３８はウェハ１１５が一般に水平
面内に位置されるロード／アンロード位置からウェハ１
１５が一般に垂直面内に位置されてイオンビーム１４に
よって処理されるイオン注入位置へ移動される。

第７図は偏向板２６．２８によって偏向されたイオンビ
ームによって処理される円筒の一部に曲げられているウ
ェハ１１５を概念的に示している（第７図Ｉ／′ｉ誇張
しである）。クランプ面１１４ｂによって加えられたシ
リコンウェハの湾曲により偏向板２６上の電圧によって
第７図かられかるようにビームが（Ｘ方向）に端からは
端まで走査されたときのビームとウェハとの間の衝突角
度の不均一性が補償される。

Ｘ方向での補償は（第７図かられかるように）偏向板２
８によってイオンビーム１４に加、ｔられる垂直走査お
よび偏向と同期して支持体３８に与えられるピボット動
作によって達成される。

支持体３８（およびウェハ１１５）の制御下での前記回
動を行わせる一つの好ましい方法は支持体３８ｆｔその
枢着軸１２８の回りで＠波に回動する回転自在に取シ付
けられたカム１６０（第６図）を用いる方法である。こ
のカム１６０はカム１６０の回転軸１６４を規定するカ
ムシャ７）１（Ｓ２上に支持されている。駆動モータ１
１６がカム１６０ヲ回転するとカム１６０と支持体３８
との保合によシウエハ１１５が枢着軸１２８の回りで回
動する。

モータ１１６はシャフト１６２を同一方向に連続駆動す
るか周期的にカムの回転方向を反転できるようになって
いる。第６Ａ図に示しだカム１６０は対称であり、従っ
て連続的にカムを回転するのに適している。

シャ７）１６２の回転位置はシャ７　）　１１５２に取
シ付けられたエンコーダー円板１７２をモニターする光
学的エンコーダー１７０によって検出される。このエン
コーダー１７０は円板１７２の回転位置をモニターして
同期パルスを発生する。このパルスは制御システム１８
０へ伝達されて支持体３８の回転位置と偏向板２８上の
走査′電圧の発生とを同期させる。これによってビーム
１４は制御された入射角でウニ／−１１５と衝突するよ
うに偏向される。

これとは別の好ましい制御方法としては、前記の制御シ
ステム１８０内の走置電圧発生回路によってビーム偏向
角度信号を出す方法がある。

この情報はサーボ増幅器へ送られて偏向角度信号とカム
の実際の回転位置を示すエンコーダー１７０からの信号
とが比較される。その差信号を用いてモータ１６６（好
ましくはステップモータ）を付勢してその差を減少させ
且つウェハ１１５をビームに対して正しい角度に位置付
ける。

いずれの制御方法もビーム１４とウェハとの間の入射角
全９０°以外で設定することができる。

この能力はある種のイオン注入プロセスでは重要である
。特殊な設計をしたカム、クランプおよびプラテンを組
み合わせて幾何的に考慮することによシこの非垂直なイ
オンビームの注入を行うことができる。

第８図は本発明の好ましいビーム走査手順の説明図であ
る。ビーム１４はウェハ１１５をジグザグ状に＠切って
スイープする。この走査周波数は入射角がウェハ１１５
の曲率によって補正される「ｘＪ方向の方が入射角がウ
ェハの回動によって補正されるｆｙＪ方向よりも大きい
。ビーム１４ｉウエハ１１５上をオーバースキャンする
ように示しである。オーバースキャンの度合いは枢着軸
の回りで非対称にすることができる。

このような非対称なビーム走査はステップモータによっ
て容易に行えるので、ステップモータで回動させるのが
好ましい。

好ましい制御システム１８０はエンコーダー位置とビー
ム電圧とを示す出力信号をモニターするための制御アル
ゴリズム全実行するマイクロプロセッサ−で構成される
。さらは、エンコーダー１７０と、偏向板２８と、モー
タ１６６との間の適当なインターフェースも含まれる。

以上、本発明を特殊なものについて説明したが、本発明
は本発明の精神すなわち特許請求の範囲に含まれる全て
の改良および変更を含むものである。

（発明の効果） 以上説明したことから明らかなように本発明はイオンビ
ームとウェハとの間の入射角を制御するようにウェハ支
持体を有し、この支持体がウェハを円筒の一部に近似し
た凹面形状に曲げるので、この陶曲されたウニへ表面を
横切ってイオンビームが走査するときの入射角を相対的
に均−処することができる。

また支持体はさらに湾曲されたウェハを枢着軸の回りで
回動するための構造体を含んでいるので、ウェハのこの
回動はイオンビームの走査と同期されてウェハの円筒状
湾曲によって補償される方向を横切る方向でイオンビー
ムの走査を補償できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はイオン注入装置の概念的平面図。 第２図は第１図の装置で用いられるウェハ支持体の斜視
図。 第３図はウェハの位置を固定するためのり２ンプ機構を
示すウェハ支持体の観念図。 第４図はウェハを円筒部分に曲げるためのウェハクラン
プの平面図。 第５図は前記クランプとウェハの支持プラテンの断面図
。 第６図はウェハ支持体をイオンビーム衝突位置に回動し
、ウェハのイオンビーム走査トウエバ支持体の回動とを
相関させるための装置を示す概念図。 第６Ａ図はウェハ支持体に回動運動を行わせるためのカ
ムの平面図。 第７図は円筒状ウェハ上でのイオンビームの衝突状態を
示す概念図。 第８図は円筒状に曲けられたウェハを横切るイオンビー
ムの走査パターンを示す概念図。 第９図はウェハと組み合わされてウェハを円筒の一部に
曲げるウェハ支持グラテ／の平面図。 （図中符号） １０：、イオンビーム注入装！、１２：イオン源、２６
、２８　：ビーム偏向手段、３８：支持手段、１１５：
ウェハ、１６０．１６６　：枢着手段、１２８：枢着軸
、１８０：制御手段。 特許出願人　イートン　コーポレーションＦＩＧ、　３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ａ）イオンのビームをターゲット（１１５）へ向か
   って出すイオン源手段（１２）と、 ｂ）前記ターゲットの表面を横切って走査するように前
   記イオンビームを初期軌道から偏向させるためのビーム
   偏向手段（２６、２８）とを含むイオンビーム注入装置
   において、 ｃ）前記ターゲットを平面から円筒の一部に近似した凹
   面形状へ曲げるための支持手段（３８）と、 ｄ）前記支持手段を枢着軸（１２８）の回りで回動する
   枢着手段（１６０、１６６）と、 ｅ）前記ビームが前記ターゲットの凹面形状を横切って
   走査するときに前記イオンビームと前記ターゲットとの
   間の入射角を制御するために前記支持体の回動運動を前
   記イオンビームの偏向運動に調和させる制御手段（１８
   ０）と を有することを特徴とするイオンビーム注入装置。 ２）ターゲット（１１５）が円板であり、イオンビーム
   の偏向運動と調和されたこの円板の回動運動によってイ
   オンビームとターゲットとの間の相対的入射角が一定に
   維持されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の装置。 ３）ビーム偏向手段（２６、２８）がビーム経路に沿っ
   て互いに隔てられた２組のビーム偏向板を含み、これら
   の偏向板は一般にビームを直角方向に偏向させ、前記タ
   ーゲットの凹面形状が第一組の偏向板（２６）の偏向運
   動を補償し且つ前記ターゲットの制御された回動運動が
   第二組の偏向板（２８）の偏向運動を補償して前記ビー
   ムがターゲットを横切って走査されたときに前記の相対
   的入射角が一定に維持されることを特徴とする特許請求
   の範囲第２項記載の装置。 ４）支持手段（３８）が前記枢着軸の回りを回動するよ
   うに支持された凹面状プラテン（１１２）に向かってタ
   ーゲット（１１５）を押し付けるためのクランプ（１１
   ４ｂ）を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の装置。 ５）制御手段がモータ（１６６）と前記プラテンを回動
   させるために支持手段（３８）と係合した前記モータに
   よって駆動されるカム（１６０）とを有することを特徴
   とする特許請求の範囲第４項記載の装置。 ６）ターゲット（１１５）のイオン注入を制御する方法
   において、一般に平らなターゲットを曲げてイオンビー
   ムが衝突する前記ターゲットの面を円筒の凹状断面に近
   似させ、 イオンのビーム（１４）を前記ターゲットに向かって当
   て、前記イオンビームを偏向して前記ターゲットを横切
   って走査し、ターゲットを横切る前記ビームの走査と同
   期して前記ターゲットを枢着軸（１２８）の回りで回動
   することを特徴とする方法。 ７）ビームの走査が２組の直角走査板（２６、２８）の
   電圧を制御することによって行なわれ、枢着軸と第一の
   直角走査方向とが一般に互いに平行であることを特徴と
   する特許請求の範囲第６項記載の方法。 ８）前記の回動および湾曲段階によってビームが平らな
   非回動ターゲットを横切って偏向された場合よりも小さ
   なビームとターゲット表面との入射角に変化させられる
   ような特許請求の範囲第６項記載の方法。 ９）ａ）イオンのビーム（１４）をターゲットへ向かっ
   て出すイオン源手段（１２）と、 ｂ）前記ターゲットの表面を横切って走査するように前
   記イオンビームを初期軌道から偏向させるためのビーム
   偏向手段（２６、２８）とを含むイオンビーム注入装置
   （１０）において、 ｃ）ビームがターゲットを横切って走査する際にビーム
   とターゲット表面との間の入射角を維持するために前記
   ターゲットを平面から凹面形状へ曲げるための支持手段
   （３８）を有することを特徴とするイオンビーム注入装
   置。 １０）前記のビームを偏向する手段がビーム経路に沿っ
   て互いに隔てられた２組のビーム偏向板（２６、２８）
   を含み、これらの偏向板は一般にビームを直角方向に偏
   向させ、前記ターゲットの凹面形状は前記２組の偏向板
   の一つの偏向運動を補償することを特徴とする特許請求
   の範囲第９項記載の装置。 １１）一般に平らなターゲットを曲げてイオンビームが
   衝突する前記ターゲットの面を凹状表面にし、イオンの
   ビームを前記ターゲットに向かって当てる段階を含むタ
   ーゲット（１１５）のイオン注入を制御する方法におい
   て、相対的に均一なビームと凹状表面との間の入射角で
   前記凹状表面走査するように前記イオンビームを偏向す
   ることを特徴とする方法。 １２）ａ）イオンのビームをウェハターゲットへ向かっ
   て出すイオン源手段（１２）と、 ｂ）前記ウェハのターゲット表面を横切って走査するよ
   うに前記イオンビームを初期軌道から偏向させるための
   ２組の走査電極（２６、２８）と、 ｃ）前記電極がビームを前記ウェハのターゲット表面を
   横切って走査させる際にウェハ（１１５）をイオンビー
   ム経路内に支持するための凹状表面を有するプラテン（
   １１２）と、 ｄ）前記プラテンに当てて平面から凹面形状へ前記ター
   ゲットを曲げるためのクランプ手段（１１４ｂ）と を含むイオンビーム注入装置において、 ｅ）前記プラテンとウェハとを枢着軸の回りで回動させ
   るためのカム手段（１６０）と、ｆ）前記ビームが前記
   ウェハの凹面形状を横切って走査するときに前記イオン
   ビームと前記ウェハとの間の入射角を制御するために前
   記２組の走査電極の一つに加えられる制御電圧とプラテ
   ンおよびウェハの回動運動を調和させる制御手段（１８
   ０）とを有することを特徴とするイオンビーム注入装置
   。