JP2008510278A - イオン注入線量および均一性制御のためのイオンビーム測定システム及び方法 - Google Patents

イオン注入線量および均一性制御のためのイオンビーム測定システム及び方法 Download PDF

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Abstract

線量測定システムと方法が、処理室内のワークピースの位置で、曲線経路に沿って複数の箇所でスキャンされるイオンビームを測定するために提示されている。説明されている線量測定システムは、センサと、センサを支持し、曲線経路に沿って複数の箇所でセンサを選択的に配置する取り付け装置とを含み、前記取り付け装置は、スキャンされるイオンビームの頂点の方へ向けてセンサを選択的に配置できる。

Description

本発明は、概してイオン注入システムに関し、特に、イオンビームからのイオンをワークピースに注入し、かつイオン注入システム内でイオンビームを測定するための改良されたシステム及び方法に関する。
半導体装置や他の製品の製造において、イオン注入装置は、半導体ウエハ、ディスプレイパネル、又は他の不純物を含むワークピースに不純物を添加するのに使用される。イオン注入機又はイオン注入システムは、イオンビームでワークピースを処理して、n型又はp型領域を製造し、又はワークピース内に保護層を形成する。半導体ウエハを注入するために使用される時、イオン注入システムは、所望の付帯的な材料を製造するために、ウエハ内に選択されたイオン種を注入する。アンチモン、ヒ素、又はリンのような原料物質から発生される注入イオンは、n型に付帯された材料のウエハをもたらし、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのような注入材料は、半導体材料内にp型に付帯された材料部分を創る。
図1は、ターミナル12、ビームラインアッセンブリ14、及びエンドステーション16を有する、従来のイオン注入システム10を説明している。ターミナル12は、イオンビーム24を作り、ビームアッセンブリ14へ向ける高電圧源22によって電力を供給されるイオン源20を含んでいる。ビームラインアッセンブリ14は、ビームガイド32と質量分析器26からなり、該質量分析器において双極子磁場は、エンドステーション16内のワークピース30(半導体ウエハ、ディスプレイパネル等)へ、ビームガイド32の出口で、適切な電荷質量比のイオンのみをレゾルビング開口34中を通過させるように構築されている。
イオン源20は、ソース20から引き出され、イオンビーム24に形成される荷電イオンを生成し、イオンビーム24は、ビームラインアッセンブリ14内のビーム経路に沿って、エンドステーション16へ向けられる。イオン注入システム10は、イオン源20とエンドステーション16との間に伸びるビーム形成・整形構造を含み、該構造は、イオンビームを維持し、エンドステーション内に支持される1以上のワークピースに運ばれるビーム中に伸びる内部空洞又は通路の境界を示す。イオンビーム移送通路は、空気分子との衝突によるビーム経路からそれるイオンの可能性を減少させるために、通常、排気される。
低エネルギーイオン注入機は、典型的には数百電子ボルト(eV)から80−100KeVまでのイオンビームを提供するように設計されている。ところが、高エネルギーイオン注入機は、質量分析されたビーム24を、より高エネルギー、通常数百KeVに加速するために、質量分析器26とエンドステーション16との間の(図示されない)線形加速器(ライナック)を使用でき、そこでは、DC加速が、また、可能である。高エネルギーイオン注入機は、普通、ワークピース30内に、より深く注入するために使用される。反対に、高電流、低エネルギーイオンビーム24は、通常、高線量、浅い深さのイオン注入のために使用され、その場合、より低いエネルギーのイオンは、通常、イオンビーム24の収束を維持するのが困難である。
エンドステーション16の異なる形式は、従来のイオン注入機に見られる。“バッチ”型エンドステーションは、同時に回転支持構造上の多数のワークピース30を支持することができ、すべてのワークピース30が完全にイオン注入されるまで、イオンビーム経路中にワークピース30は回転される。一方、“シリアル”型エンドステーションは、イオン注入のためのイオンビームに沿って一つのワークピース30を支持し、それによって多数のワークピース30は、連続的に一つずつ注入され、各ワークピース30は、次のワークピース30のイオン注入が始まる前に、完全にイオン注入されている。
図1のイオン注入システムは、シリアルエンドステーション16を含み、そして、ビームラインアッセンブリ14は、比較的狭い外形を持つイオンビーム24(例えば “ペンシル”ビーム)を受ける側部(ラテラル)ビームスキャナ36を含み、イオンビーム24を、少なくともワークピース30の幅ばかりでなく効率的であるX方向の幅を有する、引き伸ばされた“リボン”形状に拡がるように、X方向にイオンビーム24を往復スキャンさせる。リボンビーム24は、その時、ワークピース30の方向へ概してZ方向に平行に、リボンビームを向けるパラレライザ(parallelizer)38中を通過する(例えば、平行化されたビーム24は、通常、ワークピースに垂直である)。ワークピース30は、他の直交方向に機械的に平行移動され(例えば、図1の頁の内から外への“Y”方向)、(図示されない)機械的作動装置は、ビームスキャナ36によってスキャンされるX方向中のY方向にワークピース30を平行移動させ、それによって、ビーム24は、ワークピース30の全表面にあてられる。注入角度に対して、ビーム24とワークピース30の相対配向は、しかるべく調整される。
集積回路装置や他の製品の製造において、ワークピースを完全に横切るように、ドーパント種が一様に注入することが望ましい。したがって、測定装置は、注入前及び/あるいは注入中のビーム特性を測定するために、概して、ワークピース30近くのビーム経路に挿入され、ビームの線量や、イオン注入システム10を調整するために使用される均一性の情報を提供する。ビーム24は、ワークピース30の方へビーム経路に沿って移送されるので、ビーム24は種々の電場及び/あるいは磁場におかれ、また、注入されるワークピース30内のドーパントの非一様性を導く、ビームのディメンジョン及び/あるいはビーム24の完全性を変更する装置に出会う。一様性の変化に加えて、プラスに荷電されたビームイオンの互いの反発を含む空間電荷効果は、ビーム24を発散する傾向にある(例えば、ビーム“ブローアップ”を導く可能性がある)。この点で、低エネルギーイオンビーム24は、長い距離を移送される時、特にビームブローアップの影響を受けやすい。したがって、特に低エネルギーイオン注入に際して、ビームスキャナー36の頂点とワークピース30の間の、図1のシステム10内での距離D1を短くすることが望まれる。
しかし、図1のパラレライザ38を移動することや、ビームスキャナーの頂点から、より短い距離D2にワークピース30を置くことは、ワークピース30に打ち込まれるビーム24の入射角の受け入れがたい変更を生じる。代わりにビームスキャナー36が除外されると、その場合に機械的スキャニング装置が、ビーム24の経路に垂直な二つの方向でワークピース30をスキャンするように備えられねばならない。しかし、このやり方は、
ビーム24が、ワークピース30をできるだけ早く電気的あるいは磁気的にスキャンすることができないために、特に、低線量注入のような、ビーム電流が制限されない一様な注入に対して、処理量を減少させる欠点がある。したがって、ワークピース全面を一様に横断し、受け入れられる注入線量を保持するための測定装置だけでなく、低エネルギーイオン注入のためにビームブローアップを軽減するように、ビーム移送距離を減少する改良されたイオン注入システムが必要である。
以下の記載は、本発明のいくつかの特徴について基本的な理解を提供するために、本発明の簡単な要約を提示するものである。この要約は、本発明の広範囲な要旨ではなく、また、発明の課題あるいは要素を特定することを意味するものでもなく、発明の範囲を線引きすることを意味するものでもない。むしろ、この要約の目的は、後述される、より詳細な記述の前置きとして、簡単な形式で本発明のいくつかの概念を提示するものである。
本発明は、イオンビーム、ウエハスキャニングシステム、およびイオンビームからワークピースの処理される表面へイオンを注入するための方法を提供し、そこで、イオンは一方向あるいはビームスキャン平面に、電気的あるいは磁気的にスキャンされ、また、注入されるワークピースはビームスキャン平面に関して、ゼロでない角度にある軸の周囲に回転される。ワークピースの回転とビームスキャニングは、概して一定の入射角で、ワークピース処理表面へビームを供給するために、同期している。ビームパラレライザ装置の排除はビーム移送距離を短くし、それによって、インジェクタからワークピースへの低エネルギーイオンビームの移送をうまくやることを容易にし、一方、ビームブローアップを減少させる。しかし、ワークピースの回転は、通常のビーム一様性及び/あるいは線量測定装置の使用が、不正確な測定をもたらしているということを意味している。
本発明は、また、上記スキャニング装置の形式を使用するシステムにおいて使用されるのに、特に適している線量測定システムを提供する。そのようなスキャニングシステムにおいて、スキャンビームは、処理室内の曲線をなす経路に沿って回転するウエハに衝突し、それによって従来の線量測定システムは、イオン注入システム補正のために正確なビーム測定値を提供できない。本発明の線量測定システムは、曲線をなす経路に沿うビーム測定値を提供する。本発明のスキャニングシステムと接続されて使用される時、線量測定システムは、スキャンビームが注入線量および/あるいは一様性の確認を調整するのに使用ため、回転するウエハに衝突する多くの空間の位置で、ビーム測定値を都合よく得ることができる。本発明は、パラレライザを持たないシステムで、ビーム特性を正確に測定する能力を犠牲にせずに、ビーム移送距離の減少を容易にすることができる。さらに、この発明は、イオンビームがウエハに注入される表面でのビームフラックスを測定するために、多くの自由度がファラディカップを移動させるのに必要とされるいかなるシステムでも使用することができる。
以下の記述と付属の図面は、本発明の構成と実施形態を詳細に説明している。これらは、本発明の原理が使用される多くの方法の内のいくつかを示している。
本発明は、図面を参照して説明されており、図面で同じ参照番号は初めから終わりまで同じ要素を引用するために使用されており、また、説明される構造は、必ずしも比例関係で描かれていない。
最初に図2A−3Fを参照すると、本発明の種々の例示的なスキャニンググシステム300が、以下に説明され、描かれており、イオンビーム124は、シングルビームスキャン平面でスキャンされ、半導体ウエハあるいは他のワークピース130は、ビームスキャン平面に関して第1の角度にある軸302の周囲で、機械的に振動又は往復移動され、そして、ワークピース130は、ビームスキャン平面に関して第2の角度にあるワークピーススキャン方向144に、機械的に平行移動され、上記機械的振動は、イオンビーム124の電気的又は磁気的スキャニングと同調している。説明されるシステムにおいて、ワークピース回転軸302は、ワークピース130それ自身を通るが、しかし、他のやり方が可能であり、例えば、ワークピース130がビームスキャン平面に関してゼロでない角度にあれば、ワークピース130はそれ自体を通らない他の軸の周囲に回転される。
本発明のスキャニングシステムは、平行化装置を介在させることなく、また、従来のイオン注入機の他の欠点なく、概して一定の入射角でワークピース130へのビームの衝突を、有利に、容易にする。ビームパラレライザ装置を削除することは、上記図1の従来のイオン注入機10と比較して(例えば D1からD2)、ビームスキャナー136とワークピース130の間のビーム移送距離を短くし、それによってビームブローアップを減少させて質量分析器からワークピースへの低エネルギーイオンビームの移送を非常に容易にする。図2A−2Kおよび図4A−4Cは、ワークピース回転軸302がビームスキャン平面に直交または垂直である本発明のスキャニングシステムの一例300を説明しており、そして、角度のある入射が、ワークピースの回転(図4A―図4C)との相殺(offset)を加えることによって達成される。
他の例は、図7A−7Jに説明されており、ワークピース回転軸302とワークピーススキャン方向144は、双方が実質的に一定のビーム焦点距離をもつ角度のある入射に対するビームスキャン平面に関して、斜めの角度である。さらに他の例は、図9A−9Dに説明されており、ワークピース回転軸302は、斜めの角度であり、一方、ワークピーススキャン方向144は、角度のある入射に対してビームスキャン平面に直交するが、ワークピース130がワークピーススキャン方向に沿って移動するので、ビーム焦点距離は変化する。さらに、下記のように、説明されているビームおよびワークピーススキャニングシステム300は、スキャンビーム124が回転するワークピース130に衝突する一に応じて、イオン注入処理室116内で曲線をなす空間経路154を生じる。
いくつかの線量またはビーム測定システム150が、また、本発明の他の構成とともに以下に説明されており、イオンビーム124は、処理室116内のワークピースの位置で、曲線をなす経路154に沿って複数の箇所で測定される。それによって、説明されているビームおよびワークピースのスキャニングシステム300と方法、あるいは
ビーム測定が曲線をなす経路154に沿って望まれる他の例を使用するイオン注入システム110の、正確な測定と調整を容易にする。
図3A−3Fと図4D−4Fは、本発明の線量測定システムの一例150を説明しており、それは、図4A−4Cのスキャニングシステム300での角度のあるイオン注入に応じての、第2の曲線をなす経路154a(図4D−4F)に沿ってのものばかりでなく、図2A−2Kのスキャニングシステム300での角度のないイオン注入に応じての、第1の曲線をなす経路154(図3A−3F)に沿うビーム124を測定するために使用される。
図3A−3Fと図4D−4Fの線量測定システム150は、ここに説明され、記載されている他の変更されたスキャニングシステム300と接続されて使用されてもよい。図5A―5Cは、説明されているスキャニングシステム300のどれとも同様に使用されてよい、他の例の線量測定システムを説明している。図8A−8Cは、角度のあるイオン注入に対する図2A−2Kおよび図7A―7Jのスキャニングシステム300と、角度のない3例すべてのイオン注入システム300と接続されて使用されるのが有利である、第3の例の線量測定システム150を説明している。
例であるイオン注入システム110と、例であるスキャニングシステム300は、図2A−2Kに説明されており、ワークピース130が、その処理表面(例えば 図2B−2IのY方向に平行)を通る垂直なワークピース回転軸302の周囲で方向142(図2C)に回転し、そして、質量分析されたイオンビーム124は、水平方向(例えば 水平スキャン平面)に沿って電気的あるいは磁気的にスキャンされるように描かれている。ワークピースの回転とビームスキャニングは、第1スキャン(例えば 水平X方向での“高速スキャン”)を提供するために同調しており、そして、ワークピース130は、イオン注入されるドーパントがワークピース130を完全に覆うようにするために、実質的にワークピースに垂直なスキャン方向144(例えば 垂直Y方向での“低速スキャン”)に沿って、また、移動される。
概して、本発明は、実質的にシングルビームスキャン平面(例えば 説明されている例で水平平面)にイオンビーム124をスキャンする電気的あるいは磁気的なビームスキャナー136を有するスキャニングシステム300を意図しており、ビームスキャナー136は、ビームスキャン平面に関してゼロでない第1の角度にある、ワークピース130を第1軸302の周囲で回転し、また、ビームスキャン平面に関してゼロでない第2の角度にある、ワークピース130をワークピーススキャン方向144に移動させるワークピーススキャニングシステム304と結合され、そして、第1および第2の角度は、同じか、あるいは異なっている。
図2Aは、本発明のスキャニングシステム300を使用してのイオン注入中、そのエンドステーション処理室116内に据え付けられたワークピース130を持つイオン注入システム110を説明しており、また、図3Aは、処理室116のワークピースの位置に向けられている、例示である線量測定システム150を持つイオン注入事前較正中のシステム110を説明している。図2B−2Kは、シングル(水平の)ビームスキャン平面でのイオンビーム124の同調スキャンと、注入中、(垂直)軸302の周囲でのワークピース130の回転を説明しており、ビーム124がワークピース130を打つ空間の箇所は、曲線をなす経路154(例えば 直線でない)を定める。図3B−3Fは、角度のないイオン注入と関連する第1の曲線経路154に沿って、ビーム124を測定するために使用される一例としての線量測定システム150を説明している(例えば ビーム124は、概して、ワークピース表面の法線または垂直な方向にワークピース130に衝突する)。
上述のように、本発明のさまざまな構成は、図2Aの例示的システム110に限定されず、イオン注入装置のいくつかの型に関連して装備される。例示的なイオン注入システム110は、ターミナル112、ビームラインアッセンブリ114、および質量分析され、スキャンされるイオンビーム124がワークピースの位置に向けられる処理室を形成するエンドステーション116からなる。ターミナル112内のイオン源120は、ビームラインアッセンブリ114へ引き出されるイオンビーム124を供給するために、電源122によって電力を供給され、そして、イオン源120は、イオン源室からイオンを引き出し、すための(図示されない)1以上の電極を含み、それによって引き出されるイオンビーム124をビームラインアッセンブリ114の方へ向ける。
ビームラインアッセンブリ114は、イオン源120近くの入口と、出口開口134を有するビームガイド132を含み、また、引き出されたイオンビーム124を受け取り、エンドステーション116のワークピースの設置位置にあるワークピース130へ分解開口134を通して、適切なエネルギー−質量比あるいはその範囲(所望の質量範囲のイオンを有する質量分析されたイオンビーム124)のイオンのみを通す双極子磁場を創り出す質量分析器を含む。種々のビームを形成し、成形する構造(図示されていない)が、イオンビーム124を維持するためにビームラインアッセンブリ内に設けられてよく、それは、伸びている内部空洞又は通路に固定され、その中を、ビーム124が、エンドステーション116内に支持される1以上のワークピース130へのビーム経路に沿って移動する。
図2A―2Kに説明されているように、説明されているエンドステーション116は排気される処理室116を備える“シリアル”型エンドステーションであり、1つのワークピース130(例えば 半導体ウエハ、ディスプレイパネル、あるいは他のワークピース)は、イオンを注入するためのビーム経路に沿って支持されるが、また、バッチあるいは他の型のエンドステーションが、本発明の範囲内で、代わりに用いられてもよい。本発明の構成に従えば、上記システム110は、ワークピーススキャニングシステム304ばかりでなく、エンドステーション処理室116内のワークピースの設置位置へスキャンされるイオンビームを供給するために、シングルビームスキャン平面(例えば この例では水平面)で実質的にイオンビームをスキャンするビームスキャナー136を含むスキャニングシステム300からなる。
ビームスキャナー136は、比較的狭いプロファイル(例えば 説明されるシステム110の“ペンシル”ビーム)を有する質量分析器126からのビーム経路に沿って質量分析されたイオンビーム124を受け取り、そして、少なくともワークピース130と同じ幅の有効なX方向の幅を有しており、引き伸ばされた“リボン”プロファイル(例えば スキャンビーム124)へビーム124を拡げるためにX方向(例えば 水平ビームスキャン平面に)へ往復してイオンビーム124をスキャンするために、電極136a、136b(図2B)と電源(図示されない)によって、ビーム経路に沿って時間的に変化する電場を創り出す。平行でないリボンビーム124は、ワークピース130の設置位置の方へ向けられ、そこでワークピース130は、同時に、ワークピーススキャニングシステム304のモータ140によって、垂直軸302(図2C)の周囲の方向142へ回転される。
図2B、2C、及び2J−2Kに説明されるように、ワークピース130はエンドステーション116内で支持され、その結果、ワークピース130は、ワークピース回転モータ140によって軸302の周囲に回転でき、それによって、ワークピース130は、イオン注入中、方向142へモータ140の軸の周囲で小さな回転角で往復回転する。本発明の範囲内で適切なスキャニングシステム304がワークピース130を支持するために使用されてよく、そして、例示的なシステム304は、方向142へワークピース130の回転を可能にし、また、スキャンされるイオンビーム124のビームスキャン平面への角度で、ワークピーススキャン方向144でその移動を行い、上記方向144(例えば “低速スキャン”方向)は、実質的に図2A−2Kの配置で、ビームスキャニング平面に垂直である。他の実行が可能であり、そして、低速スキャン方向は、高速スキャン方向(例えば 下記図7A−7J)の法線であることを要せず、および/あるいは、ワークピースの回転軸302は、低速スキャン方向に関して、例えば、角度のあるイオン注入を達成するためにある角度である(例えば 下記図7A−7Jおよび9A−9D)。
図2Bに示されるように、さらに、ワークピースの回転は、ビームスキャナー136に同調し、その結果、スキャンされるビーム124は、曲線経路154に沿って、概して、一定の入射角で、ワークピース130に衝突する。ここに、説明され、記載されている例示的な曲線経路154、154aは、概して弓形であるけれども、本発明は、平面の経路は限定されないが、一つの平面に限定されない経路、そして、変曲点及び/あるいは不連続を有する経路を含む、直線でない形状の曲線路に沿ってイオンビームを測定することを操作可能にする線量測定システムを予期しており、すべてのそのようなシステムは、本発明の範囲及び添付の請求の範囲内に含まれるものと考えている。
図2D−2Iは、イオン注入中、システム300において、イオンビーム124の同調スキャニングとワークピースの回転130を説明しており、ビーム124がワークピース130に衝突する空間の箇所は、説明されている3つの入射箇所に限定されない曲線の(例えば 直線でない)経路154を定める。図2Dと2Eは、例示的な第1のスキャン/回転位置における、ビームスキャナー136と回転するワークピース130を説明しており、そして、スキャンされるイオンビーム124aは、第1の例示的なスキャン角度θaで供給され、曲線経路154に沿ってワークピース130の第1端に衝突する。図3Fと3Gは、例示的な第2の位置を説明しており、そして、スキャンされるイオンビーム124bは、経路154に沿ってスキャン角度がゼロ(図示されていない)でワークピースの中心に衝突し、また、図2Hと2Iは、例示的な第3の位置を説明しており、そこでビーム124Cは、曲線経路154に沿ってワークピース130の第2の反対の端に衝突するように、第3の例示的なスキャン角度θcで供給される。
一方、図2D−2Iは、ワークピース130の角度のないイオン注入のため、3つの例示的なスキャン/回転位置を説明しており、スキャニング/回転は、概して、シングル水平ビームスキャン平面のビーム124と、方向142のワークピース130の連続的な同調運動である。代わりに又は組み合わせて、ビーム124は、小さな増分でのワークピース130の回転に応じて、小さな増分でスキャンされ、その結果、相応する曲線経路154は不連続であり、そしてそのような変化、又は組合せのすべては、本発明の範囲と添付の請求の範囲内にあることが意図されている。
図2D−2Iの統合されたビームスキャニング/ワークピースの回転は、ワークピース130を横断するスキャンされるビーム124の、概して一定の入射角を提供するということを意味しており、上記入射角は、図2D−2Iの実施では、該して90度である(例えば ビーム124は、ワークピースの表面に垂直に衝突する)。下記で図4A−4Cは、システム110でスキャン/回転の変化を説明しており、方向142でのワークピース130の回転角は、一定の入射角で角度のあるイオン注入を達成するために、一定量だけ相殺される(例えば ビーム124は、いくらか異なる曲線経路154aに沿って、垂直でない角度でワークピース130に衝突する)。
図2Jと2Kを参照すると、いくつかの適切なワークピーススキャニングシステム304が、本発明にしたがって使用されており、ここに記載されているようにワークピース130の回転と移動を提供している。図2Jと2Kは、例示的なスキャニングシステム300とワークピーススキャニングシステム304の更なる詳細を説明している。ワークピース130は、ワークピース回転モータ140の軸に結合されているワークピース支持構造310に取り付けられている。モータ140は、チルト機構314および処理室116の外にあるベース318に取り付けられたスライディングトラックシステム316を介して、ワークピース回転モータ140から延びる軸312を経由して処理室116内に支持され、シャフト312は、ワークピースの前面と実質的に協調する軸313の周囲に回転できる。チルト機構314は、処理室の壁116に取り付けられており、上記トラックシステム316は、チルト機構314へベース318を滑らせて登らせ、その結果、ベース318、軸312、モータ140およびワークピース支持構造310は、ワークピーススキャン方向144に沿って移動できる。
下記図7A−7Jに描かれているように、チルト機構314は、処理室116に回転可能に取り付けられ、その結果、トラックシステム316、ベース318、軸312、モータ140およびワークピース支持構造310は、ワークピース130を通る軸の周囲に回転でき、それによって、ワークピーススキャン方向144は、水平ビームスキャン平面に関していかなるゼロでない角度にもできる。さらに、軸312は、ベース318に回転可能に取り付けられてもよく、その結果、軸312、モータ140、およびワークピース支持構造310は、方向320(図2K)で軸312の中心線313の周囲に回転でき、そして、ワークピース回転軸302およびワークピーススキャン方向144は、図9A−9Dに説明されるように、平行でない。
図3A−3Fを参照すると、本発明の他の構成が、曲線経路に沿ってビーム特性を測定するための線量測定システム及び方法に関係している。図3Aは、ワークピース130のイオン注入前に、較正をセットするイオン注入システム110を説明する。この状況で、例示的な線量測定システム150は、ワークピース表面への入射ビームによって定められる曲線経路154に沿ってスキャンされるイオンビーム124を測定するために、エンドステーション処理室116のワークピースの位置に向けられる。一応用において、線量測定システム150は、下記図6にさらに記載され、説明されているように、イオン注入システム110を調整し、又は、較正するために、ビームの線量及び一様性を特色づけるために使用される。その後、システム150は1以上のワークピース130のその場所でのイオン注入のため、ワークピースの位置から移動される。図3Aの例示的な線量測定システム150は、イオン注入処理より前にエンドステーション処理室116のワークピースの位置に選択的に設置され、ビーム線量及び/または一様性を較正し、又は、調整するために、ビーム特性を測定するのに使用される。
一度、システムが較正されると、線量測定システム150はワークピースの位置から離れて他の位置へ移動または移され、そして1以上のワークピース130が、イオン注入のため処理室116内に向けられる。本発明の線量測定システムの構成の他の実施は可能であり、線量又は測定装置は、ワークピースが130が回転されるかどうかにかかわらず、また、ワークピース130の一様なイオン注入を達成するために使用される、ビームスキャニング及び/またはワークピースの移動または回転の特別な組合せにかかわらず、曲線経路に沿ってスキャンされるイオンビームを測定するために操作される。すべてのそのような変形実施例は、本発明の範囲及び添付の特許請求の範囲内に含まれるものと考えられる。
図3Aに描かれているように、均一性制御システム160は、線量測定システム150からセンサ信号を受け取り、イオンビーム124の均一性の調整のため、イオン源120及び/あるいはビームスキャナー136へ制御信号を供給する。線量制御システム162が備えられて、線量測定システム150からセンサ信号を受け取り、例えば、ワークピース130が、ワークピーススキャン方向に垂直な方向144(上記図2C、2E、2Gおよび2I−2K)に移動されるように、ワークピースの低速スキャン速度を制御することによって、注入線量を制御するように操作される。また、センサ配置システムが備えられ、下記に説明されるように、曲線経路154に沿って、センサ152を配置するために線量測定システム150内での種々のモータを制御する。
図3Bに描かれているように、例示的な線量測定システム150は、センサ152と、経路154に沿って種々の箇所でセンサ152を配置するための取り付け装置156とを含んでいる。センサ152は、ビーム124からイオンを受けて、そこで受け取られたイオンの量を示す出力信号を供給するいくつかのセンサである。例示的な線量測定システム150において、センサ150は、ビーム124から受け取られるイオンが通る入口開口を有するファラディカップまたは線量測定カップ(例えば 時々、線量カップといわれる)である。そして、取り付け開口156はセンサ152を支持し、ビーム124を測定するため、曲線経路154に沿って複数の箇所にセンサ152を選択的に向ける。
センサ152の選択的配置は、イオン注入中、ワークピース130に見込まれるビーム124の特性の正確な検知あるいは測定を、容易にするのに有利であることを意味している。この点で、本発明者は直線状のライン又は経路に沿って1以上のセンサを配置することは、ビームが曲線経路上のワークピースに衝突するビーム測定で、不正確な結果を生じると認識している。それによって、直線状ライン測定に基づくビームの線量または均一性の調整(例えば イオン源120、ビームスキャナー136、及び/またはエンドステーション116内での低速スキャン速度の変更)は、最新の半導体製造または他のイオン注入工程でのドーパント線量および均一性の要求に対する正確な制御を達成するに不十分である。
図3B−3Fは、線量測定システム150の一実施形態を説明しており、一つのファラディカップを含み、曲線経路154に沿ってセンサ152の選択的配置のための取り付け装置156を備えている。この場合、取り付け装置156は、図3Aのセンサ配置制御システムによって制御され、電力が供給される多くのモータを含む。センサ配置制御システムは、エンドステーション処理室116内またはその外部に配置され、信号、電力、及び他の設備(図示されない制御ケーブルおよび支持構造)が、センサの配線に沿って取り付け装置156の多くのモータ用として提供される。センサの配線は、外部制御システム164への接続、および上記システム160と162へセンサ出力信号を供給するための接続のため、適切に密閉されているパス−スルーデバイス(pass-thru device)を使用する排気された処理室116の壁を通っている。この点で、上記取り付け装置のモータと支持部材は、互いの間を密閉せずに処理室から外部へ、信号、電力、並びに制御配線及び他の設備が通せるように、内部通路(例えば 中空軸構造であってよい)を提供する。
図3Bの取り付け装置156は、第1と第2の水平に延長されて伸びる支持部材170と172を含み、同時に、第1、第2及び第3のロータリモータ180,182,184それぞれを含む。第1のモータ180は、処理室116内で第1支持部材170を回転可能に支持するために、真空シール180bを介してエンドステーション116の処理室の上部壁を通る軸180aを含んでいる。第1支持部材170は、軸180aに連結される第1端部と、第1モータ180の軸の周囲で処理室116に対して回転可能である反対側の第2端部とを有している。第1部材170の第2端部は、第2ロータリモータ182を介して第2支持部材172の第1端部に、枢動可能に取り付けられており、その結果、第2支持部材172は、第2モータ182の軸の周囲で第1支持部材170に対して回転できる。センサ152は、第2支持部材172に取り付けられており、そして、上記支持部材170,172は、互いに、また、曲線経路154に沿って複数の箇所でセンサ152を向けるために、モータ180および182を介して処理室116に対して回転できる。
図3Cは、その場所でイオンビーム124a、124b、124cを測定するため、曲線経路154に沿って3つの例示的な箇所で、取り付け装置156によって配置されるセンサ152を説明している。また、図4Bの例示的な取り付け装置156は、第2部材172の第2端部へセンサ152を枢動可能に取り付けられている第3モータ184を含み、それによって、方向185へセンサ152が回転でき、その結果、センサ152の入口開口は、第3モータ184を経由してスキャンされるイオンビーム124の頂点の方へ向けられる。図3Cは経路154に沿ってセンサ152の3つの例示的な箇所又は位置を描いているが、上記装置156は、描かれた経路154、又はスキャンされるイオンビーム124の特性を測定するための他の曲線をなす経路に沿って、いくつかの適切な数のそのような箇所で、センサ152を連続的に設置して使用される。図3D−3Fは、第3モータを経由するビーム124の頂点に面する入口開口を備えるセンサ152の配置ばかりでなく、モータ180と182を経由する経路154に沿う図3Cの3つの例示的な箇所で、センサ152を配置する取り付け装置156の操作を説明している。
また、図4A−4Fを参照すると、例示的スキャニングシステム300および線量測定システム150は、半導体装置の製造でしばしばあるように、90度(例えば 角度のあるイオン注入)以外の角度でワークピースにドーパントを注入することが望ましい、状況下で使用される。図4A−4Cは、第2の例示的な曲線経路154aに沿って角度のあるイオン注入を受ける3つの例示的なスキャン/回転位置で、スキャニングシステム300のビームスキャナー136とワークピース130を説明している。ワークピース130の回転角度は、角度のあるイオン注入を達成するために、ワークピース回転軸302と実質的に垂直であるワークピースのスキャン方向(例えば、ビームスキャン平面に垂直)を、一定の角度λだけ方向142で補正されている。このように、ビーム124は、角度のない上記イオン注入に対する経路154とは、幾分異なる経路154aに沿って垂直でない角度でワークピース130に衝突する。
図4D−4Fは、取り付け装置156を経由する第2の曲線をなす経路154aに沿って例示的な3つの箇所で、線量測定システム150を使用するセンサの配置を説明している。例示的な取り付け装置156及び相応する位置制御システム164(図3A)は、処理室116のワークピースの配置でのいくつかの曲線経路に沿って、センサ152を配置するのに使用される、ことを意味しており、それによって、本発明の線量測定システム150は、いくつかの曲線経路に沿うビーム特性を測定するために、イオン注入システムにおいて使用される。例えば、他の実施形態が可能であり、そこでは、線量測定システムの取り付け装置は、一つの平面に限定されない曲線の経路に沿って、処理室116内で3次元でのセンサ移動を提供する。
他の変形例では、イオンビーム124は、多数の方向に電気的あるいは磁気的にスキャンされ、そして、線量測定システム取り付け装置は、ここに説明され、記載されているものより、より複雑な曲線経路に沿う複数の箇所で、センサ152を選択的に配置する(向ける)ように設計されている。他の可能な実施形態は、角度のあるイオン注入(例えば、下記図7A−9D)に対して、説明されているX方向に平行な軸の周囲に傾き、あるいは回転されるワークピース130を含むことができ、それでは、ワークピース144は厳密には垂直ではない。そして、線量測定システム取り付け装置は、ビーム124がワークピース130に衝突する箇所に相応する曲線経路に沿って、センサ152を配置するように設計されている。さらに、線量測定システム150は、曲線経路154に沿ってスキャンされるビーム124を測定するための取り付け装置156と結合する1つ以上のセンサ152を含み、そのようなすべての変形実施形態は、本発明の範囲及び添付の請求の範囲内に含まれるものと考えられる。
そのような代わりの線量測定システムの一実施形態は、図5A−5Cに描かれており、線量測定システム150aは、ビーム測定のため処理室116内に配置される。上記システム150aにおいて、センサ152は、上述のシステム150と異なる取り付け装置156aに備えられている。図5Aに描かれているように、取り付け装置156aは、シール186bを介して処理室内に伸びる軸186aを有する第1モータ186によって、処理室116の上部壁に枢動可能に取り付けられた伸長トラック(track)を含む。上記トラック176は、第1端部と反対側の第2端部を有し、第1モータ186の軸の周囲に処理室116に関して回転できる。
上記センサ152は、リニアアクチュエータあるいはリニアモータである第2モータ188によって、上記トラック176に滑るように取り付けられており、その結果、センサ152は、トラック176に沿う方向178に沿ってどこでも配置される。それによって、第1モータ186を経由するトラック176の回転および第2モータ188を経由するトラック176に沿うセンサ152の移動は、処理室116内のワークピースの配置で上記図2B(角度のないイオン注入の較正のための)に描かれた曲線経路154に沿う複数の箇所、あるいは上記図4A−4F(角度のあるイオン注入の較正のための)の例示的な第2の曲線経路154aに沿う複数の箇所、あるいは他の平面の曲線経路のために、センサ152が配置されることを可能にする。そして、さらに、垂直の配置装置(図示されない)は、平面にない曲線経路に適応するように備えられる。また、例示的な線量測定システム150aは、第2軸の周囲にセンサ152を回転可能にトラック176に取り付ける第3モータ190を含み、スキャンされるイオンビーム124の頂点の方へセンサ152の入口開口を向けるため、方向192内のトラック176に関してセンサ152が回転することを可能にする。
図6を参照すると、本発明の他の構成は、処理室内でスキャンされるイオンビームを測定するための方法を提供する。図6は、本発明に従う曲線経路に沿うスキャンされるイオンビームの測定を含む、例示的な較正工程200を説明している。較正工程200のビーム測定技術は、一連の行為あるいは事象として下記に描かれ、記載されているが、本発明がそのような行為あるいは事象の説明順序に制限されないことが理解されるであろう。例えば、いくつかの行為は、本発明にしたがって、異なる順序、及び/あるいは、ここに描かれ及び/あるいは記載されたことから離れて、他の行為あるいは事象と同時でもよい。さらに、説明されないすべてのステップが、本発明に従う手順を実行するために要求されてよい。さらに、本発明に従う方法が、ここに説明され、記述された実装および線量測定システムとの関連ばかりでなく、説明されていない他の構造と関連して実施されてよい。
イオン注入システム較正200は、202で始まり、スキャンされるイオンビームは、ワークピースへのビーム入射に応じて曲線経路(例えば、経路154、154a)に沿って204で測定される。一実施形態である図3A−3Fを参照すると、204でのビーム測定は処理室(エンドステーション116)内のワークピースの方へスキャンされるイオンビーム(図3Aのビーム124)を向けること、および、図3C−3Fに描かれているように、ワークピースの位置で曲線経路(例えば、経路154)に沿って複数の箇所でスキャンされるビーム124を測定することを含む。測定をするために、センサが備えられ(センサ152)、取り付け装置156を使用してスキャンされるイオンビーム124を測定するために、曲線経路154に沿って複数の箇所で選択的に配置される(図3D−3F)。さらに、センサ152の選択的配置は、その入口開口が、例えば、図3Bの第3モータ184を使用して、スキャンされるイオンビーム124の頂点に面するように、センサ152を配置することを含む。
図3Aの例示的システム110において、センサ出力信号は、均一性制御システム160および線量制御システム162に供給される。上記測定が、ビームの曲線経路/ワークピースへの入射に沿って受け入れられるビームの均一性を示すかどうかについては、206で決定される。もし、示さなければ(206でNO)、ビーム均一性制御システム160は、イオン源120の一つあるいは双方を調整し、そして、目標あるいは所望の値あるいは範囲により近い入射ビームの均一性をもたらすように208でビームスキャナー136を調整し、また、測定が204で繰り返される。この測定/調整工程は、均一性が206で受け入れられると見出されるまで、何回、繰り返されてもよい。その時(206でYES)、イオン注入時間は、直近のビーム測定にしたがって、210で調整される。
図3Aのシステムにおいて、線量制御システム162は、方向144(図2C)でのワークピース130の低速スキャン速度を変更することによって、イオン注入時間を調整し、そして低速スキャン速度の減少は、ワークピースへのイオン注入線量を増加し、また、上記速度の増加は、上記線量を減少する。線量と均一性の調整がなされると、較正200は212で終了し、線量測定システム150は、エンドステーション処理室116のワークピースの位置から離れる。その後、ワークピース130が処理室116内へ装着され、そして上記のようにイオン注入が進行する。そして、さらに実時間センサ(図示されない)が、イオン注入中、微調整が適切かどうかを決定するため、ビーム(例えば、スキャンされるビーム軌道のスキャン領域を越えて)を測定するために処理室116内に据えられる。
図2Kおよび7A−7Jを参照すると、スキャニングシステム300の他の例示的な実施形態が、角度のあるイオン注入を提供するためにイオン注入機110内に描かれている。チルト機構314(図2K)は、処理室116に回転可能に取り付けられており、その結果、トラックシステム316、ベース318、軸312、モータ140およびワークピース支持構造310が、ワークピース130を通る軸の周囲に回転可能であり、それによって、ワークピーススキャン方向144は、水平ビームスキャン平面に関してゼロでない、何らかの角度である。この例は、ビームスキャナー136からワークピース130への実質的に一定の焦点距離を維持する方向144に沿うワークピースのスキャニングとともに、ワークピース130の処理表面に関して、該して一定の(例えば、垂直でない)角度でワークピース130へイオンの注入を容易にする。この関連で、チルト機構314の回転は、ワークピーススキャン方向144をワークピース回転軸302(例えば、図7J)に平行に維持しながら、水平ビームスキャン平面に関して、斜めの角度でワークピース回転軸302を制御可能に定める。
図7Aに描かれているように、ワークピース回転モータは、ビームスキャナー136によってイオンビーム124の側方スキャニングと同調する形で、軸302の周囲にワークピース130を回転し、それによって、ビーム124がワークピース130に衝突する処理室116内で、空間的位置を定める曲線経路154を決める。図7Aと7Bは、ワークピーススキャン方向(例えば、二つの低速スキャン位置)に沿うワークピース130の二つの位置を描いており、その中で、ワークピース130からビームスキャナー136への焦点距離は、ワークピース回転軸302とワークピーススキャン方向144との間の平行関係によって、実質的に一定に維持される。図7D−7Iは、ワークピース130の角度のあるイオン注入のため、3つの例示的なスキャン/回転位置で、ビームスキャナー136およびワークピーススキャニングシステム304の同調操作を説明する平面図と側面図である。
図8A−8Cは、本発明に従う図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、他の例示的な線量測定システム150を説明しており、角度のある、あるいは、角度のないイオン注入に対して、図2A−2Kのスキャニングシステム300と連動して使用されるのが有利である。図8A−8Cの線量測定システム150は、センサ152を含み、該センサ152は、簡単な取り付け装置156により、曲線経路154に沿って配置される。取り付け装置156は、第1端部と、それと反対側の第2端部を有する伸長した支持部材170を含み、上記第1端部は、第1モータ180の軸の周囲に枢動可能に、処理室116に取り付けられる。それによって、支持部材170は、水平ビームスキャン平面に関してゼロでない角度で回転可能である。上記センサ152は、第2モータ184を経由して支持部材170に取り付けられる。
図8A−8Cの構造で、支持部材170は、曲線経路154の種々の箇所に沿ってセンサ152を位置づけるために、第1モータ180の軸の周囲で回転可能であり、一方、センサ152は、ビームスキャナー頂点に位置させるために、第2モータ184を経由して回転される。本発明で厳密には要求されないけれども、第1モータ180の軸は、ビームスキャナー136の頂点と処理室116内のワークピースの位置との間で、略中間に配置される。上記線量測定システム150と同様に、モータ180、184および支持部材170は、処理室116内外で信号および/あるいは電力配線の経路に対応させるために、中空軸がある。
スキャニングシステム300の他の可能な実施形態が、図9A−9Dに描かれており、ウエハスキャン方向144は、実質的にイオンビーム124に垂直であり、また、ウエハ回転軸302は、ビームスキャン平面に関して斜めの角度である。図2Kを参照すると、この例では、軸312は、方向320(図2K)で軸313の周囲で回転のために、ベース318に回転可能に取り付けられる。これは、実質的に一定の、直角でない入射角で、ワークピース130のイオン注入に適合させるために、ビームスキャン平面に関して、軸312、モータ140、ワークピース支持体310、ワークピース130及びワークピース回転軸302の回転を可能にする。そして、ベース318は実質的に垂直のままであり(図9D)、それによってワークピーススキャン方向144は、水平ビームスキャン平面に関して垂直のままである。図9A−9Cは、3つの例示的なワークピーススキャン(低速スキャン)位置で、この例の操作を説明しており、ワークピース130が、傾き角ΔYだけワークピース回転軸の傾斜により、概して垂直方向144に沿って移動するので、ワークピース130とビームスキャナー136の間の焦点距離は、変化する。
本発明は、1以上の実施形態に関して説明され、記載されているけれども、変更及び/あるいは修正は、添付の請求の範囲の精神及び範囲から離れることなしに、説明された例でなされることは可能である。特に、上記記載された要素又は構造(ブロック、ユニット、エンジン、アッセンブリ、装置、回路、システム等)によってなされる種々の機能に関して、そのような要素を記載するために使用されている用語(“手段”への言及を含む)は、仮に、ここに説明された本発明の例示的な実施形態の機能を実行する開示された構造に、構造上、等しくなくても、もし、他に示されていなければ、記載された要素(例えば、それは機能的に等しい)の特定の機能を実行するいかなる要素又は構造に対応することを意図している。さらに、本発明の特定の特徴は、いくつかの実施形態の一つのみに対して開示されているものであるけれども、そのような特徴は、いかなる与えられた、又は特定の適用に対して望まれる、あるいは有利なものとして、他の実施形態の1以上の他の特徴と組み合わされてよい。その上、“・・・を含む(including)”、“・・・を含める(includes)”、“・・・を有していること(having)”、“有する(has)”、“・・・を備えて(with)”又はその変形の用語が、発明の詳細な説明および請求の範囲のいずれかで使用されている範囲内において、そのような用語は、いわば、“包含する(comprising)”という用語に類似であることに含まれると解釈される。
図1は、ビームスキャナーとパラレライザを備える従来のイオン注入システムを説明する概略平面図である。 図2Aは、本発明の1以上の構成に従う例示的なイオン注入システム及びスキャニングシステムを説明する概略平面図であり、スキャンされるイオンビームが、パラレライザを介在することなくワークピースに供給され、ワークピースはワークピースを通る軸の周囲に回転される。 図2Bは、図2Aのイオン注入システムにおいて、ビームスキャナーと回転するワークピースを説明する部分的な平面図であり、ビームスキャニングとワークピースの回転は、スキャンされるビームが回転するワークピースに衝突するところの、ワークピースの位置の箇所に対応する曲線をなす経路を定める。 図2Cは、図2Aのイオン注入システムにおいて、ビームスキャナーと回転するワークピースを説明する部分的な側部正面図である。 図2Dは、部分的な平面図であり、例示的な第1の位置で、図2Aのイオン注入システムでのビームスキャナーと回転するワークピースを説明しており、スキャンされるイオンビームは、曲線経路に沿ってワークピースの最初の端部に衝突する。 図2Eは、側部正面図であり、例示的な第1の位置で、図2Aのイオン注入システムでのビームスキャナーと回転するワークピースを説明しており、スキャンされるイオンビームは、曲線経路に沿ってワークピースの最初の端部に衝突する。 図2Fは、部分的な平面図であり、第2の例示的な位置で、ビームスキャナーと回転するワークピースを説明しており、スキャンされるイオンビームは、曲線経路に沿ってワークピースの中心部分に衝突する。 図2Gは、側部正面図であり、第2の例示的な位置で、ビームスキャナーと回転するワークピースを説明しており、スキャンされるイオンビームは、曲線経路に沿ってワークピースの中心部分に衝突する。 図2Hは、部分的な平面図であり、第3の例示的な位置で、ビームスキャナーと回転するワークピースを説明しており、スキャンされるイオンビームは、曲線経路に沿ってワークピースの他方の端部に衝突する。 図2Iは、側部正面図であり、第3の例示的な位置で、ビームスキャナーと回転するワークピースを説明しており、スキャンされるイオンビームは、曲線経路に沿ってワークピースの他方の端部に衝突する。 図2Jは、本発明に従う例示的なスキャニングシステムを、更に詳細に説明している側部正面図である。 図2Kは、本発明に従う例示的なスキャニングシステムを、更に詳細に説明している正面図である。 図3Aは、本発明に従う図2Bの例示的な曲線経路に沿って複数の箇所でスキャンされるイオンビームを測定するための、図2Aのイオン注入システムにおける例示的な線量測定システムを説明する正面図である。 図3Bは、センサと、曲線経路に沿って、複数の箇所でセンサを配置するための取り付け装置とを含む、図2Aと図3Aのイオン注入システムにおける線量測定システムの一実施形態を説明する部分的な側部正面図である。 図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、図2Bの曲線経路に沿う3つの例示的な箇所に配置される線量測定システムセンサを説明する部分的な正面図である。 図3Dは、図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、曲線経路に沿う例示的な箇所に配置されるセンサを備えた図3Bの線量測定システムを説明する部分的な正面図である。 図3Eは、図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、曲線経路に沿う例示的な箇所に配置されるセンサを備えた図3Bの線量測定システムを説明する部分的な正面図である。 図3Dは、図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、曲線経路に沿う例示的な箇所に配置されるセンサを備えた図3Bの線量測定システムを説明する部分的な正面図である。 図4Aは、第2の例示的な曲線経路に沿って、ある角度に曲げられた注入を受ける図2A及び図3Aのシステムでの3つの例示的位置で、ビームスキャナーとワークピースを説明する部分的な正面図である。 図4Bは、第2の例示的な曲線経路に沿って、ある角度に曲げられた注入を受ける図2A及び図3Aのシステムでの3つの例示的位置で、ビームスキャナーとワークピースを説明する部分的な正面図である。 図4Cは、第2の例示的な曲線経路に沿って、ある角度に曲げられた注入を受ける図2A及び図3Aのシステムでの3つの例示的位置で、ビームスキャナーとワークピースを説明する部分的な正面図である。 図4Dは、図2Aと図3Aのシステムにおいて、図4A−4Cの第2の曲線経路に沿って異なる例示的な箇所で、角度のあるイオン注入に先立つビーム測定のため、取り付け装置によって配置されたセンサを備える図3Bの線量測定システムを説明する部分的な正面図である。 図4Eは、図2Aと図3Aのシステムにおいて、図4A−4Cの第2の曲線経路に沿って異なる例示的箇所で、角度のあるイオン注入に先立つビーム測定のため、取り付け装置によって配置されたセンサを備える図3Bの線量測定システムを説明する部分的な正面図である。 図4Fは、図2Aと図3Aのシステムにおいて、図4A−4Cの第2の曲線経路に沿って異なる例示的な箇所で、角度のあるイオン注入に先立つビーム測定のため、取り付け装置によって配置されたセンサを備える図3Bの線量測定システムを説明する部分的な正面図である。 図5Aは、本発明に従う図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、他の例示的な線量測定システムを説明する端面図である。 図5Bは、本発明に従う図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、他の例示的な線量測定システムを説明する側面図である。 図5Cは、本発明に従う図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、他の例示的な線量測定システムを説明する正面図である。 図6は、本発明に従う処理室内でスキャンされるイオンビームの測定を含む、例示的な較正プロセスを説明するフロー図である。 図7Aは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する正面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Bは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Cは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Dは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する正面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Eは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Fは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する正面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Gは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Hは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する正面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Iは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図7Jは、本発明に従う他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であり、ウエハ回転軸とウエハスキャン方向は、一定のビーム焦点距離でワークピースにある角度のイオン注入を提供するために、ビームスキャン平面に関して傾けられている。 図8Aは、本発明に従う図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、さらに他の例示的な線量測定システムを説明する側面図である。 図8Bは、本発明に従う図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、さらに他の例示的な線量測定システムを説明する正面図である。 図8Cは、本発明に従う図2Aと図3Aのイオン注入システムにおいて、さらに他の例示的な線量測定システムを説明する正面図である。 図9Aは、本発明に従うさらに他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であって、ウエハスキャン方向は、実質的にビームスキャン平面に垂直であり、また、ウエハ回転軸は、ビームスキャン平面に関して斜めの角度である。 図9Bは、本発明に従うさらに他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であって、ウエハスキャン方向は、実質的にビームスキャン平面に垂直であり、また、ウエハ回転軸は、ビームスキャン平面に関して斜めの角度である。 図9Cは、本発明に従うさらに他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であって、ウエハスキャン方向は、実質的にビームスキャン平面に垂直であり、また、ウエハ回転軸は、ビームスキャン平面に関して斜めの角度である。 図9Dは、本発明に従うさらに他の例示的なスキャニングシステムを説明する側面図であって、ウエハスキャン方向は、実質的にビームスキャン平面に垂直であり、また、ウエハ回転軸は、ビームスキャン平面に関して斜めの角度である。
符号の説明
116 イオン注入処理室
124 イオンビーム
130 ワークピース
136 ビームスキャナー
144 ワークピーススキャン方向
150 線量測定システム
300 スキャニンググシステム
302 ワークピース回転軸

Claims (37)

  1. イオンビームを取り出すように操作可能なイオン源;
    前記イオン源からの流れに沿って配置されるビームスキャナー、前記イオンビームを受け取り、処室内のワークピースの位置の方へスキャンされるイオンビームを導く前記ビームスキャナー;及び、
    ワークピースの位置で曲線経路に沿って複数の点でスキャンされるビームを測定するために操作可能な線量測定システム、
    からなるイオン注入システム。
  2. 前記線量測定システムは、
    入口開口を含むセンサ、前記入口開口でイオンを受け取り、かつ、受け取ったイオンの量を示す信号を供給するように適合される前記センサ;及び、
    前記センサを支持し、前記ワークピースの位置で曲線経路に沿って、複数の点で前記センサを選択的に配置するように適合される取り付け装置、
    からなる請求項1に記載のイオン注入システム。
  3. 前記曲線経路は、前記ワークピースの位置でスキャンされるイオンビームの平面内に位置する、請求項2に記載のイオン注入システム。
  4. 前記取り付け装置は、前記センサの入口開口が、前記曲線経路に沿って複数の箇所でスキャンされるイオンビームの頂点の方に向けられるように、前記センサを選択的に配置するのに適合している請求項2に記載のイオン注入システム。
  5. 前記取り付け装置は、
    第1と第2の向き合った端部を有する第1の伸長した支持部材、前記第1支持部材が、スキャンされるイオンビームの平面に関して、ゼロでない角度である第1軸の周囲で前記処理室に関して回転できるように、前記処理室に枢動可能に取り付けられている前記第1支持部材の第1端部;及び、
    第1と第2の向き合った端部を有する第2の伸長した支持部材、前記第2支持部材が、前記第1軸に実質的に平行である第2軸の周囲で、前記第1支持部材に関して回転できるように、前記第1支持部材に枢動可能に取り付けられている前記第2支持部材の第1端部、前記第2支持部材に取り付けられる前記センサ、及び処理室内でワークピースの位置で曲線経路に沿って複数の箇所でセンサを配置するために、互いに、かつ、処理室に関して独立に回転可能である第1及び第2の支持部材、
    からなる請求項2に記載のイオン注入システム。
  6. 前記取り付け装置は、
    前記第1支持部材の第1端部が、前記処理室に回転可能に取り付けられる第1モータ、前記第1軸の周囲で、前記処理室に関して、前記第1支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第1モータ;及び、
    前記第2支持部材の第1端部が、前記第1支持部材の第2端部に回転可能に取り付けられる第2モータ、前記第2軸の周囲で、前記第1支持部材に関して、前記第2支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第2モータ、
    からなる請求項5に記載のイオン注入システム。
  7. 前記取り付け装置が、前記第1軸に実質的に平行な第3軸の周囲で、前記第2支持部材の第2端部に前記センサが回転可能に取り付けられる第3モータを含む請求項6に記載のイオン注入システム。
  8. 前記モータは中空軸があり、前記支持部材の内部領域は、前記処理室の真空の完全性を危うくすることなしに、前記センサから外部の処理室へ、信号、電力、及び設備の経路指定を容易にするために大気圧である、
    請求項6に記載のイオン注入システム。
  9. 前記センサは、前記第1軸に実質的に平行で第3軸の周囲に前記第2支持部材に関して回転できるように、前記第2支持部材に枢動可能に取り付けられている請求項5に記載のイオン注入システム。
  10. 前記取り付け装置は、前記第2支持部材の第2端部に前記センサを回転可能に取り付けるモータを含み、前記モータは、前記センサの入口開口がスキャンされるイオンビームの頂点の方へ向けられるように、前記第3軸の周囲で前記第2支持部材に関して前記センサを制御可能に旋回するように適合される、請求項9に記載のイオン注入システム。
  11. 前記取り付け装置は、第1と第2の向き合う端部を有する伸長するトラックを含み、前記トラックは、スキャンされるイオンビームの平面に関して、ゼロでない角度で第1軸の周囲に前記処理室に関して回転できるように、前記処理室に枢動可能に取り付けられており、そして、前記センサは、前記トラックの第1端部と第2端部の間に配置され、かつ、前記トラックは、前記曲線経路に沿って複数の箇所にセンサを配置するために、前記処理室に関して回転され得るように、前記センサが前記トラックに滑るように取り付けられている、請求項2に記載のイオン注入システム。
  12. 前記取り付け装置は、
    前記処理室に前記トラックを回転可能に取り付ける第1モータ、前記第1軸の周囲に前記処理室に関して前記トラックを制御可能に旋回するように適合される前記第1モータ;及び、
    前記トラックの第1及び第2の端部の間に前記センサを選択的に位置づける第2モータ、
    を含む請求項11に記載のイオン注入システム。
  13. 前記取り付け装置は、前記第1軸に実質的に平行な第2軸の周囲の前記トラックに、前記センサを回転可能にするように取り付けられる第3モータを含む、請求項12に記載のイオン注入システム。
  14. 前記センサは、前記第1軸に実質的に平行な第2軸の周囲に前記トラックに関して回転できるように、前記トラックに枢動可能に取り付けられている、請求項11に記載のイオン注入システム。
  15. 前記取り付け装置は、前記トラックに前記センサを回転可能にするように取り付けられるモータを含み、前記センサの入口開口が、スキャンされるイオンビームの頂点の方へ向けられるように、前記モータが、前記第2軸の周囲の前記トラックに関して前記センサを制御可能に旋回するように適合される、請求項14に記載のイオン注入システム。
  16. 前記取り付け装置は、第1と第2の向き合う端部を有する伸長した支持部材を含み、前記支持部材の第1端部は、スキャンされるイオンビームの平面に関してゼロでない角度である第1軸の周囲で、前記処理室に枢動可能に取り付けられており、前記センサは、前記支持部材に取り付けられ、かつ、前記第1軸から離れており、そして、前記支持部材は、前記処理室内のワークピースの位置で、前記曲線経路に沿う複数の箇所に前記センサを配置するために、前記処理室に対して回転できる、請求項2に記載のイオン注入システム。
  17. 前記取り付け装置は、
    前記処理室に前記支持部材の第1端部を、回転可能にするように取り付けられる第1モータ、前記第1軸の周囲に前記処理室に対して、前記支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第1モータ;及び、
    前記第2支持部材の第1端部へ、前記第1支持部材の第2端部を回転可能にするように取り付けられる第2モータ、前記第2軸の周囲に前記第1支持部材に対して、前記第2支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第2モータ、
    からなる請求項16に記載のイオン注入システム。
  18. 前記曲線経路が、ワークピースの位置でスキャンされるイオンビームの平面内に位置づけられる、請求項1に記載のイオン注入システム。
  19. 前記曲線経路は、スキャンされるイオンビームが前記ワークピースに衝突する空間の位置からなる、請求項1に記載のイオン注入システム。
  20. 線量測定システムが、
    入口開口を含むセンサ、前記入口開口でイオンを受け、受けるイオンの量を示す信号を供給するように適合される前記センサ;及び、
    センサを支持し、処理室のワークピースの位置で、曲線経路に沿って複数の箇所で前記センサを選択的に配置するように適合される取り付け装置、
    からなる、処理室内のスキャンされるビームを測定するための線量測定システム。
  21. 前記取り付け装置は、前記センサの入口開口が、スキャンされるイオンビームの頂点の方へ向けられるように、前記センサを選択的に配置するように適合される、請求項20に記載の線量測定システム。
  22. 前記取り付け装置は、
    第1と第2の向き合った端部を有する第1の伸長した支持部材、前記第1支持部材が、第1軸の周囲で前記処理室に関して回転できるように、前記処理室に枢動可能に取り付けられている前記第1支持部材の第1端部;及び、
    第1と第2の向き合った端部を有する第2の伸長した支持部材、前記第2支持部材が、第2軸の周囲で第1支持部材に対して回転できるように、前記第1支持部材の第2端部に枢動可能に取り付けられている前記第2支持部材の第1端部、そして、前記第2支持部材に取り付けられる前記センサ、及び前記曲線経路に沿って複数の箇所でセンサを配置するために、互いに、かつ、処理室に関して回転可能である第1及び第2の支持部材、
    からなる請求項20に記載の線量測定システム。
  23. 前記取り付け装置は、
    前記第1支持部材の第1端部が、前記処理室に回転可能に取り付けられる第1モータ、前記第1軸の周囲で、前記処理室に関して、前記第1支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第1モータ;及び、
    前記第2支持部材の第1端部が、前記第1支持部材の第2端部に回転可能に取り付けられる第2モータ、前記第2軸の周囲で、前記第1支持部材に関して、前記第2支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第2モータ、
    からなる請求項22に記載の線量測定システム。
  24. 前記取り付け装置は、第3軸の周囲で前記第2支持部材の第2端部に、前記センサを回転可能にするように取り付けられる第3モータを含む、請求項23に記載の線量測定システム。
  25. 前記センサは、第3軸の周囲に前記第2支持部材に関して回転できるように、前記第2支持部材に枢動可能に取り付けられている、請求項22に記載の線量測定システム。
  26. 前記取り付け装置は、前記第2支持部材の第2端部に、前記センサを回転可能に取り付けるモータを含み、前記モータが、前記第3軸の周囲の前記第2支持部材に関して前記センサを制御可能に旋回するように適合される、ことからなる請求項25に記載の線量測定システム。
  27. 前記取り付け装置は、第1と第2の向き合う端部を有する伸長したトラックを含み、前記トラックは、第1軸の周囲で、前記処理室に対して回転可能とするように、前記処理室に枢動可能に取り付けられ、そして、前記センサが、前記トラックの第1と第2の端部間に配置され、また、前記トラックが、前記処理室内のワークピースの位置で、曲線経路に沿う複数の箇所に前記センサを配置するために、前記処理室に対して回転できるように、前記センサは前記トラックに滑るように取り付けられている、ことからなる請求項20に記載の線量測定システム。
  28. 前記取り付け装置は、
    前記第1軸の周囲で、前記処理室に対して前記トラックを制御可能に旋回する第1モータ;及び、
    前記トラックの第1と第2の端部間にセンサを選択的に配置する第2モータ、
    からなる請求項27に記載の線量測定システム。
  29. 前記取り付け装置は、スキャンされるイオンビームの平面に垂直な第2軸の周囲で、前記トラックに前記センサを回転可能にするように取り付けられる第3モータを含む、請求項28に記載の線量測定システム。
  30. 前記センサは、第2軸の周囲で前記トラックに対して回転できるように、前記トラックに枢動可能に取り付けられている、請求項27に記載の線量測定システム。
  31. 前記取り付け装置は、第2軸の周囲で前記トラックに対して前記センサを制御可能に旋回するモータを含む、請求項30に記載の線量測定システム。
  32. 前記取り付け装置は、第1と第2の向き合う端部を有する伸長した支持部材を含み、前記支持部材の第1端部は、スキャンされるイオンビームの平面に関してゼロでない角度である第1軸の周囲で、前記処理室に枢動可能に取り付けられており、前記センサは、前記支持部材に取り付けられ、かつ、前記第1軸から離れており、そして、前記支持部材は、前記処理室内のワークピースの位置で、前記曲線経路に沿う複数の箇所に前記センサを配置するために、前記処理室に対して回転できる、請求項20に記載の線量測定システム。
  33. 前記取り付け装置は、
    前記処理室に前記支持部材の第1端部を回転可能にするように取り付けられる第1モータ、前記第1軸の周囲に前記処理室に対して、前記支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第1モータ;及び、
    前記第2支持部材の第1端部へ、前記第1支持部材の第2端部を回転可能にするように取り付けられる第2モータ、前記第2軸の周囲に前記第1支持部材に対して、前記第2支持部材を制御可能に旋回するように適合される前記第2モータ、
    からなる請求項32に記載の線量測定システム。
  34. 前記曲線経路は、スキャンされるイオンビームが前記ワークピースに衝突する空間の位置からなる、請求項20に記載の線量測定システム。
  35. 処理室内でワークピースの位置の方へスキャンされるイオンビームを方向付け;及び、
    ワークピースの位置で曲線経路に沿って複数の箇所でスキャンされるビームを測定することを含む、処理室内でスキャンされるビームを測定する方法
  36. 入口開口でイオンを受け、受けたイオンの量を示す信号を供給するように適合されるセンサを備え、
    スキャンされるイオンビームを測定するために、曲線経路に沿って複数の箇所でセンサを選択的に配置することを含む、請求項35に記載の方法。
  37. 曲線経路に沿って複数の箇所でセンサを選択的に配置することは、前記センサの入口開口が、スキャンされるイオンビームの頂点に向き合うように、センサを配置することを含む、請求項36に記載の線量測定システム。
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