JP5467430B2 - イオン注入機に用いる装置及びイオン注入を実行する方法 - Google Patents
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Description
(a)イオン注入室内を移動するリボン型の薄いイオンビームを生じさせるために、イオンをスキャン動作の端から端に走査するビーム形成構造体と、
(b)前記イオン注入室内に、円形の加工物を配置するための加工物支持体と、
(c)前記加工物に制御されたビーム処理を生じさせるため、前記加工物支持体を前記薄いイオンビームの中を通って前後に移動するための駆動体と、
(d)注入が可変なスキャン速度か、または、均一なスキャン速度かを決定する手段と、
(e)制御装置とを含み、
該制御装置は、均一な注入を選択した場合に、
i)前記加工物の幅よりも小さい幅にイオンビームの幅を減少するために、スキャン動作の端から端への走査範囲を制限する前記ビーム形成構造体に接続され、これにより、前記加工物のイオンビーム処理を前記加工物の特定領域に制限する第1制御出力と、
ii)前記駆動体に接続され、前記加工物の前後移動を特定の量に制御する第2制御出力を含み、前記第1、第2制御出力により、前記イオンビームを前記加工物の全表面よりも小さい領域に衝突させるように操作可能であり、
更に、制御装置は、
1)イオンビームの大きさを制限し、かつ、前記加工物支持体の前後移動を制限して、前記イオンビームがスキャンサイクル中に、前記円形の加工物の選択された1つの4分円にイオンを注入させ、
2)前記加工物の他の4分円上に付加的なスキャンサイクルを実行し、前後移動のスキャン速度の速さを調整することによって、前記ウエハの異なる4分円において、ドーズ量を異なる値に制御することを特徴とする。
本発明のこれらの特徴及び他の特徴は、添付する図面とともに、以下により詳細に説明される。
に開示されている。上記モータ180等のモータは、従来のイオン注入機に用いられ、当業者に知られているように、モータを作動させて制御電子機器から出力される信号の形及び大きさにより、所謂低速スキャン動作のための速度制御と方向制御の両方が達成される。
即ち、システムにおいて、高速で水平のスキャン周波数は約1000Hzであり、機械的な垂直スキャン周波数は、1Hzの大きさとなるように容易に達成される。ドーズ量は、単調に、又は高速スキャン掃引の間に加えられた間隔または遅れに基づいた別のプログラムされたパターンによって再び増加するであろう。
システムは、補正係数を用いてスキャン波形を修正することにより、ビームを調整し、かつ均一なフラックスを発生させる。走査電極に加えられる波形は、スキャンパターンの中央から左側(または右側)の部分からなるように尖端が断ち切られる。適当な側面上の2つのドーズカップ230,232の1つによってドーズ量がモニターされる。図9は、ウエハ24の前にあるエンドステーションに配置されたドーズ量監視装置を示し、この装置は、注入中にオーバースキャン電流を監視するために、走査されたビーム42の側に配置された2つの小さいカップ230,232からなる。エネルギーシールド板234が、ビームの部分(頂部から底部まで)を妨げるために、側面からビーム42内に挿入され、注入のエネルギーを制御する。
モータ180により、ビームがウエハの中心に到達し、そして逆方向に戻るまで、スキャンの一端から加工物を走査させる。不均一のドーズ量領域は、獲得されたビームの高さと距離にあり、一方向のスキャンを停止させ、そして、モータを駆動して所望の走査速度で加工物を反対側に移動させる。両方のドーズ量カップが用いられ、同一の各図の低速スキャンで、全体のウエハに必要な注入が行われる。制御電子機器26のプログラマブルコントローラで実行するソフトウエアは、ウエハの頂部または底部の半分内に注入を特定するように作られるフィールドを含む。
プロフィールを制御するために高速スキャナーを用いる場合
通常の高速スキャン周波数が1000Hzの場合、ウエハを横切る各ストライプは、500μ秒間隔である。スキャンの各端部で500μ秒の遅れがあると、低速の走査速度が変化しない場合、2つのファクターによりドーズ量が減少する。これは、縞模様の危険がないように密接したスキャンを可能にする。1つの例示的な方法は、ウエハを直線的に横切るスキャンの各端部での遅れが、0〜500マイクロ秒に増加するとき、一定のY方向の走査速度でオープンループで作動させる。ドーズ量は、通常のドーズ量から通常の1/2に頂部から底部へ直線的にドーズ量が変化する。また、非直線的なドーズ量分布が生じる。
注入セットアップの処理は、低速の走査速度と特定のドーズ量を達成するために必要とされるスキャンの全体数を計算する。ソフトウェアは、モータ180の速度を変えるために用いられ、ウエハの中央位置での走査速度を標準値に設定し、この標準値をウエハの頂部と底部での値が標準値+頂部のX%−底部のX%にさせる。これは、ウエハを横切る2X%のリニアドーズ量の変動を与える。さらに、注入は、低速の走査速度プロフィールを用いてオープンループで走らせることができる。代わりに、ドーズ量プロフィールのレシピを特定することができ、クローズドループ制御としてドーズカップ電流を用いて、ドーズ量プロフィールを達成するために、機械的または低速の走査速度をY位置の関数として変化させる。
上記注入は、ウエハの種々の部分に、異なるドーズ量、注入角度、エネルギー、またはイオン種を受け入れることが可能である。ドーズ量または角度が、スキャンの間、異なる場合、ウエハチャック102からウエハを取り除くことなく,
ウエハの種々の部分を注入できるように作ることが有効である。イオン種又はエネルギーの変更は、多くのウエハ上で同一の連続する注入が行われる場合、ビームを再調整することは有効ではない。エネルギーの変化は、エネルギーシールド板234の位置を変えることによって実行でき、また、イオン種の変更は、異なるイオン源材料の置き換えによって作ることができる。これらの例では、一群のウエハ全体を処理するために、また、注入のためのイオン種またはエネルギーを変更するのにより有効である。
Claims (6)
- イオン源とイオン注入室を有するイオン注入機に用いる装置であって、該装置は、
(a) イオン注入室内を移動するリボン型の薄いイオンビームを生じさせるために、イオンをスキャン動作の端から端に走査するビーム形成構造体と、
(b) 前記イオン注入室内に、円形の加工物を配置するための加工物支持体と、
(c) 前記加工物に制御されたビーム処理を生じさせるため、前記加工物支持体を前記薄いイオンビームの中を通って前後に移動するための駆動体と、
(d) 注入が可変なスキャン速度か、または、均一なスキャン速度かを決定する手段と、
(e) 制御装置とを含み、
該制御装置は、均一な注入を選択した場合に、
i) 前記加工物の幅よりも小さい幅にイオンビームの幅を減少するために、スキャン動作の端から端への走査範囲を制限する前記ビーム形成構造体に接続され、これにより、前記加工物のイオンビーム処理を前記加工物の特定領域に制限する第1制御出力と、
ii) 前記駆動体に接続され、前記加工物の前後移動を特定の量に制御する第2制御出力を含み、前記第1、第2制御出力により、前記イオンビームを前記加工物の全表面よりも小さい領域に衝突させるように操作可能であり、
更に、制御装置は、
1) イオンビームの大きさを制限し、かつ、前記加工物支持体の前後移動を制限して、前記イオンビームがスキャンサイクル中に、前記円形の加工物の選択された1つの4分円にイオンを注入させ、
2) 前記加工物の他の4分円上に付加的なスキャンサイクルを実行し、前後移動のスキャン速度の速さを調整することによって、前記ウエハの異なる4分円において、ドーズ量を異なる値に制御することを特徴とする装置。 - 前記制御装置は、前記駆動体が不均一な速度で前記加工物支持体を前後移動させることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記加工物の領域において、前記注入室を通過する電流を監視するために、2つの電流センサが前記加工物支持体の対向側面に間隔を置いて配置されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- ビームを作り出すイオンが加工物の処理表面に衝突する際の注入角度を調整するための傾斜駆動体をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記加工物の特定部分の処理を実行するために、前記加工物を1つの軸回りに回転させるためのねじり駆動体をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- イオン注入を実行する方法であって、
イオンを発生して初期軌道に沿ってイオンを移動させ、
制御された量でイオンを端から端まで走査して、リボン型の薄いイオンビームを作り出し、
加工物の注入表面を横切る異なる位置に間隔を置いて配置した半導体素子を作り出すための構造を有する前記加工物を用意し、
前記薄いイオンビームをインターセプトするために排気された室内に前記加工物を配置し、
イオンが前記加工物の表面を横切って走査するとき、前記薄いイオンビームのイオンが前記加工物に衝突するように、前記加工物を前記薄いイオンビームの中を通って前後に移動させ、
1) 加工物の前後移動は、不均一な移動速度で実行され、処理される加工物の制限された部分を横切って、不均一なドーズ量注入が達成されるか、或いは、
2) 前記前後移動は、ステップ関数で適用され、前記移動の第1部分は、均一な速度であり、前記移動の第2部分は、異なる均一速度であるか、を決定し、
不均一なドーズ量注入を選択した場合は、更に、前記薄いイオンビームを通る前記加工物の前後移動を制御して、前記加工物の注入表面上の異なる位置に異なる素子を形成するための注入ドーズ量を調整する、各ステップを有し、前記前後移動の制御は、
i) 前記加工物の端から端への走査の範囲を、前記加工物の幅よりも小さい幅にイオンビームの幅を減少するために制限し、これにより、前記加工物のイオンビーム処理を前記加工物の特定領域に制限し、
ii) 前記加工物の前後移動を特定の量に制御して、前記イオンビームを前記加工物の全表面よりも小さい領域に衝突させることを特徴とする方法。
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