JP5767983B2 - イオン注入方法及びイオン注入装置 - Google Patents
イオン注入方法及びイオン注入装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5767983B2 JP5767983B2 JP2012015034A JP2012015034A JP5767983B2 JP 5767983 B2 JP5767983 B2 JP 5767983B2 JP 2012015034 A JP2012015034 A JP 2012015034A JP 2012015034 A JP2012015034 A JP 2012015034A JP 5767983 B2 JP5767983 B2 JP 5767983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- ion
- region
- wafer
- implanted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 589
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 113
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 276
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 228
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 54
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 claims description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 240
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 24
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
- H01J37/3172—Maskless patterned ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
2 引出電極
3 質量分析磁石装置
4 質量分析スリット
5 静電レンズ
6 ビームスキャナー
7 パラレルレンズ
8 ウエハ領域ビーム測定装置
9 半導体ウエハ
10 ウエハ保持装置
11 イオン注入領域
12 部分的イオン注入領域
13 全幅イオン非注入領域
15 イオン電流値
20 イオン注入回避用電極
Claims (18)
- イオン源で発生したイオンをイオンビームとしてウエハまで輸送し、イオンビームを輸送途中において直線状のスキャン方向に往復スキャンするとともにスキャンされたイオンビームを偏向して同じ方向に揃えることが可能であり、かつ前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向にウエハを移動することが可能なイオン注入装置を用いたイオン注入方法において、
ウエハ面上に、前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向に少なくとも一回以上交互に並んだ2種類の面内領域を設定し、
そのうちの一つの種類の面内領域は、設定された面内領域の全ての幅にわたって、イオンが注入されない全幅イオン非注入領域とし、そのうちのもう一つの種類の面内領域は、イオンが注入される領域(以下、イオン注入領域と呼ぶ)とイオンが注入されない領域が交互に繰り返す部分的イオン注入領域とし、
前記2種類のそれぞれの面内領域で、異なる条件のイオン注入処理を行うことで、ウエハ面内の所定の位置にのみイオンを注入し、それ以外の位置にはイオンを注入しないよう構成し、
前記部分的イオン注入領域の作成時には、ウエハを固定してイオン注入を行ない、前記全幅イオン非注入領域の作成時には、イオン注入を行わずに、ウエハを移動させ、
前記ウエハの固定と前記ウエハの移動を複数回繰り返すことを特徴とするイオン注入方法。 - 請求項1のイオン注入方法において、
一つの前記部分的イオン注入領域の中に複数個設定される前記イオン注入領域におけるウエハ面内に対するイオン注入角度が、どの前記イオン注入領域でも互いに平行であるイオン注入方法。 - 請求項1のイオン注入方法において、
複数の前記部分的イオン注入領域の中に設定される前記イオン注入領域におけるウエハ面内に対するイオン注入角度が、どの前記イオン注入領域でも互いに平行であるイオン注入方法。 - 請求項2または3のイオン注入方法において、
ウエハへイオン注入を行なう前に予め測定されたビーム電流値と前記イオン注入領域の設定ドーズ量から、必要なイオンビームのスキャン回数を計算によって求め、
前記部分的イオン注入領域では、ウエハを固定したまま、求められたスキャン回数分だけイオンビームをスキャンさせることにより、設定したイオン注入領域のドーズ量を実現するイオン注入方法。 - 請求項4のイオン注入方法において、
前記イオンビームのスキャン回数は、往復スキャンを基本単位とした場合に、整数または半整数であるイオン注入方法。 - 請求項1から5のいずれか1項のイオン注入方法において、
前記全幅イオン非注入領域の作成時に、前記イオン源からウエハまでのイオン輸送領域の所定場所に設置された電極に電圧を印加してイオンビームの軌道を偏向することにより、ウエハへのイオンビーム照射を中断するイオン注入方法。 - 請求項6のイオン注入方法において、
前記部分的イオン注入領域の作成時であって、前記イオン注入領域の作成開始時に、ウエハ上のあらかじめ定めた位置座標で、前記電極への電圧印加を除去し、かつ、前記イオン注入領域の作成終了時に、ウエハ上の別に定めた位置座標で、前記電極に電圧を印加し、ウエハへのイオンビーム照射を中断するイオン注入方法。 - 請求項6または7のイオン注入方法において、
1枚のウエハへのイオン注入時に、前記複数個設定される部分的イオン注入領域ごとに、前記電極に電圧を印加する時間、または電圧を除去する時間のパターンを複数種類保持しており、かつ、イオンビームのスキャン回数のパターンを複数種類保持しているイオン注入方法。 - イオン源で発生したイオンをイオンビームとしてウエハまで輸送し、イオンビームを輸送途中において直線状のスキャン方向に往復スキャンするとともにスキャンされたイオンビームを偏向して同じ方向に揃えることが可能であり、かつ前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向にウエハを移動することが可能なイオン注入装置を用いたイオン注入方法において、
ウエハ面上に、前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向に少なくとも一回以上交互に並んだ2種類の面内領域を設定し、
そのうちの一つの種類の面内領域は、設定された面内領域の全ての幅にわたって、イオンが注入されない全幅イオン非注入領域とし、そのうちのもう一つの種類の面内領域は、イオンが注入される領域(以下、イオン注入領域と呼ぶ)とイオンが注入されない領域が交互に繰り返す部分的イオン注入領域とし、
前記2種類のそれぞれの面内領域で、異なる条件のイオン注入処理を行うことで、ウエハ面内の所定の位置にのみイオンを注入し、それ以外の位置にはイオンを注入しないよう構成し、
スキャンされたイオンビームのスキャン方向に直交する方向のビーム幅と単位時間に単位面積を通過するビーム電流値を測定するために行われる、ウエハへイオン注入を行なう前のイオンビーム確認時のイオンビームのスキャン周波数と、ウエハ面内へのイオン注入中のイオンビームのスキャン周波数が互いに異なっているイオン注入方法。 - 請求項9のイオン注入方法において、
ウエハへイオン注入を行なう前のイオンビーム確認時のイオンビームのスキャン周波数として、40Hz以上のスキャン周波数を用い、
ウエハ面内へのイオン注入中のイオンビームのスキャン周波数として、1Hz以下のスキャン周波数を用いるイオン注入方法。 - 請求項1から請求項10のいずれか1項のイオン注入方法において、
ウエハ面内に、イオンビームのスキャン方向のイオン注入領域長、イオンビームのスキャン方向に直交する方向のイオン注入領域長、イオン注入領域のドーズ量のうち、いずれか一つ、もしくは複数の値が異なる、複数種類のイオン注入領域が作成されるイオン注入方法。 - 請求項11のイオン注入方法において、イオンビームのスキャン方向のイオン注入領域長が、2mm以上80mm以下で設定されるイオン注入方法。
- 請求項11または12のイオン注入方法において、イオンビームのスキャン方向に直交する方向のイオン注入領域長が、2mm以上80mm以下で設定されるイオン注入方法。
- 請求項11から請求項13のいずれか1項のイオン注入方法において、イオン注入領域のドーズ量が、1E13/cm2以上1E17/cm2以下で設定されるイオン注入方法。
- イオン源で発生したイオンをイオンビームとしてウエハまで輸送するビームラインを備え、該ビームラインの途中にはイオンビームを直線状に往復スキャンするビームスキャナーを設置し、前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向にウエハを移動させる駆動手段と、前記ビームスキャナーと前記駆動手段を制御する制御手段と、を備えたイオン注入装置において、
前記制御手段は、
ウエハ面上に、前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向に、一回以上交互に並んだ2種類の面内領域、すなわち、全幅イオン非注入領域と部分的イオン注入領域を作成し、
前記全幅イオン非注入領域は、設定された注入領域の全ての幅にわたって、イオンが注入されない面内領域とし、
前記部分的イオン注入領域は、イオンが注入されるイオン注入領域とイオンが注入されない領域が交互に繰り返す面内領域とし、
それぞれの面内領域で、異なるイオン注入処理制御を実行することで、ウエハ面内の所定の位置にのみイオンを注入し、それ以外の位置にはイオンを注入しないようにし、
前記制御手段は更に、
前記部分的イオン注入領域の作成時には、ウエハを固定してイオン注入を行ない、前記全幅イオン非注入領域の作成時には、イオン注入を行わずに、ウエハを移動させ、
前記ウエハの固定と前記ウエハの移動を複数回繰り返すイオン注入処理制御を実行するイオン注入装置。 - 請求項15のイオン注入装置において、
前記制御手段は、
一つの前記部分的イオン注入領域の中に複数個設定される前記イオン注入領域におけるウエハ面内に対するイオン注入角度が、どの前記イオン注入領域でも互いに平行になり、
かつ、複数の前記部分的イオン注入領域の中に設定される前記イオン注入領域におけるウエハ面内に対するイオン注入角度も、どの前記イオン注入領域でも互いに平行になる処理制御を実行するイオン注入装置。 - 請求項16のイオン注入装置において、
前記制御手段は、
ウエハへのイオン注入前に予め測定されたビーム電流値とイオン注入領域の設定ドーズ量から、必要なイオンビームのスキャン回数を計算によって求め、
前記部分的イオン注入領域では、ウエハを固定したまま、求められたイオンビームのスキャン回数分だけイオンビームをスキャンさせることにより、設定したイオン注入領域のドーズ量を実現するイオン注入装置。 - イオン源で発生したイオンをイオンビームとしてウエハまで輸送するビームラインを備え、該ビームラインの途中にはイオンビームを直線状に往復スキャンするビームスキャナーを設置し、前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向にウエハを移動させる駆動手段と、前記ビームスキャナーと前記駆動手段を制御する制御手段と、を備えたイオン注入装置において、
前記制御手段は、
ウエハ面上に、前記イオンビームのスキャン方向に直交する方向に、一回以上交互に並んだ、2種類の面内領域、すなわち、全幅イオン非注入領域と部分的イオン注入領域を作成し、
前記部分的イオン注入領域の作成時には、ウエハを固定してイオン注入を行ない、前記全幅イオン非注入領域の作成時には、イオン注入を行わずに、ウエハを移動させ、
前記ウエハの固定と前記ウエハの移動を複数回繰り返すことで、ウエハ面内の所定の位置にのみイオン注入を行ない、それ以外の位置にはイオンを注入しないイオン注入処理制御を実行し、かつ、前記イオン源で発生したイオンをウエハまで輸送し、イオンビームを直線状に往復スキャンしながら、イオンビームのスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルに連続的にスキャンさせ、ウエハ全面に均一なイオン注入を行うイオン注入装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012015034A JP5767983B2 (ja) | 2012-01-27 | 2012-01-27 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
US13/748,288 US9305784B2 (en) | 2012-01-27 | 2013-01-23 | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
CN201310028336.4A CN103227087B (zh) | 2012-01-27 | 2013-01-24 | 离子注入方法及离子注入装置 |
TW102102649A TWI585829B (zh) | 2012-01-27 | 2013-01-24 | 離子植入方法及離子植入設備 |
KR1020130009038A KR102021005B1 (ko) | 2012-01-27 | 2013-01-28 | 이온주입방법 및 이온주입장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012015034A JP5767983B2 (ja) | 2012-01-27 | 2012-01-27 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013157373A JP2013157373A (ja) | 2013-08-15 |
JP5767983B2 true JP5767983B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=48837487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012015034A Active JP5767983B2 (ja) | 2012-01-27 | 2012-01-27 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9305784B2 (ja) |
JP (1) | JP5767983B2 (ja) |
KR (1) | KR102021005B1 (ja) |
CN (1) | CN103227087B (ja) |
TW (1) | TWI585829B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10381192B2 (en) | 2017-09-04 | 2019-08-13 | Toshiba Memory Corporation | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9962533B2 (en) | 2013-02-14 | 2018-05-08 | William Harrison Zurn | Module for treatment of medical conditions; system for making module and methods of making module |
JP6195538B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-09-13 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
US9343312B2 (en) * | 2014-07-25 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High temperature intermittent ion implantation |
TWI670758B (zh) * | 2014-11-28 | 2019-09-01 | 漢辰科技股份有限公司 | 提升晶圓離子植入劑量比例的離子佈植方法與系統 |
US10483086B2 (en) * | 2014-12-26 | 2019-11-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam profiling speed enhancement for scanned beam implanters |
US9738968B2 (en) * | 2015-04-23 | 2017-08-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controlling implant process |
JP6689544B2 (ja) | 2016-09-06 | 2020-04-28 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
WO2020073218A1 (en) | 2018-10-10 | 2020-04-16 | Applied Materials, Inc. | Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation |
CN110712094B (zh) * | 2019-09-06 | 2021-07-23 | 中国兵器科学研究院宁波分院 | 降低离子束抛光光学元件表面污染的方法 |
CN111540679B (zh) * | 2020-05-19 | 2023-10-20 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 逆导型igbt器件的制造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2699170B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1998-01-19 | イクリプス・イオン・テクノロジー・インコーポレイテッド | イオンビーム走査方法および装置 |
US4922106A (en) * | 1986-04-09 | 1990-05-01 | Varian Associates, Inc. | Ion beam scanning method and apparatus |
JPH08213339A (ja) | 1995-02-02 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JP3353064B2 (ja) | 2000-02-17 | 2002-12-03 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | イオン注入装置および方法 |
US7982195B2 (en) * | 2004-09-14 | 2011-07-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Controlled dose ion implantation |
US7005657B1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
KR20060102525A (ko) * | 2005-03-22 | 2006-09-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 이온빔을 이용한 기판 이온주입 |
GB0505829D0 (en) * | 2005-03-22 | 2005-04-27 | Applied Materials Inc | Implanting a substrate using an ion beam |
JP5242937B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-07-24 | 株式会社Sen | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
KR100877108B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불균일 에너지 이온주입장치 및 이를 이용한 불균일 에너지이온주입방법 |
JP5071499B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2012-11-14 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射方法およびイオンビーム照射装置 |
-
2012
- 2012-01-27 JP JP2012015034A patent/JP5767983B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-23 US US13/748,288 patent/US9305784B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-24 CN CN201310028336.4A patent/CN103227087B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-24 TW TW102102649A patent/TWI585829B/zh active
- 2013-01-28 KR KR1020130009038A patent/KR102021005B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10381192B2 (en) | 2017-09-04 | 2019-08-13 | Toshiba Memory Corporation | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201346995A (zh) | 2013-11-16 |
KR102021005B1 (ko) | 2019-09-16 |
US9305784B2 (en) | 2016-04-05 |
KR20130087441A (ko) | 2013-08-06 |
TWI585829B (zh) | 2017-06-01 |
JP2013157373A (ja) | 2013-08-15 |
CN103227087B (zh) | 2017-04-26 |
US20130196492A1 (en) | 2013-08-01 |
CN103227087A (zh) | 2013-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5767983B2 (ja) | イオン注入方法及びイオン注入装置 | |
JP5185137B2 (ja) | リボンビームの均一性向上のための装置、担体およびその方法 | |
TWI455185B (zh) | 用於離子植入器中之束角度調整之系統及方法 | |
CN101553897B (zh) | 用于离子注入器的新型且改进的束线架构 | |
KR100722159B1 (ko) | 이온주입방법 및 그 장치 | |
JP4997756B2 (ja) | イオンビーム照射装置およびビーム均一性調整方法 | |
JP5074480B2 (ja) | イオンビーム走査制御方法、及びイオンを均一に注入するためのシステム | |
JP5941377B2 (ja) | イオン注入方法およびイオン注入装置 | |
US7696494B2 (en) | Beam angle adjustment in ion implanters | |
JP5469091B2 (ja) | 軸傾斜を用いて改善された大傾斜注入角度性能 | |
JP2017510023A (ja) | 可変エネルギー制御を伴うイオン注入システムおよび方法 | |
KR102523948B1 (ko) | 이온주입방법 및 이온주입장치 | |
JP6517163B2 (ja) | イオン注入装置及びスキャン波形作成方法 | |
JP5257576B2 (ja) | イオンを加工物に注入するシステム及びその方法 | |
JP2017069055A (ja) | イオン注入装置 | |
JP2020525973A (ja) | ドリフトおよび減速モードにおけるビーム角度制御を有するイオン注入システム | |
JP2005285518A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
JP2006351312A (ja) | イオン注入装置 | |
JP2014022347A (ja) | イオン注入方法およびイオン注入装置 | |
JP2005353537A (ja) | イオン注入装置 | |
JP5057008B2 (ja) | イオン注入装置 | |
WO2024116746A1 (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
WO2024116747A1 (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
TWI682420B (zh) | 離子植入系統及具有可變能量控制的方法 | |
JP2005235812A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20140414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150603 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150622 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5767983 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |