JP5074480B2 - イオンビーム走査制御方法、及びイオンを均一に注入するためのシステム - Google Patents
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Description
本発明は、概してイオン注入システムに関し、より詳細には、被加工品の全域にわたってイオンビームを均一に走査することができるように構成されたシステム及び方法に関する。
半導体装置や他の製品の製造において、不純物を、半導体ウエハ、表示パネル、あるいは他の被加工品にドーピングするために、イオン注入が用いられる。イオン注入手段あるいはイオン注入システムは、イオンビームを被加工品に照射して被加工品内に、nまたはp型ドープ領域を形成したり、あるいは、保護層(passivation layers)を形成したりする。半導体のドーピングに用いる場合には、イオン注入システムは所望の外部材料(extrinsic material)を形成するために、選択されたイオン種を注入する。具体的には、アンチモン、ヒ素、あるいはリンから生成されたイオンを注入すると、半導体ウエハの領域内にn型外部材料を形成することができ、一方、ホウ素、ガリウム、あるいはインジウムから生成されたイオンを注入すると、p型外部材料を形成することができる。
ここでは、本発明について要約し、本発明の基本的な特徴についての理解を促すものである。尚、ここでの記載が、本発明の範囲を限定するものにはならないことを付言する。更に言えば、要約の目的は、本発明のいくつかの概念を簡易に示すものであり、詳細な説明については後述する。
図1Aは、スキャナと、並列化手段(parallelizer)と、線量測定システムとを有するイオン注入システムの一実施形態を示す。
本発明について、以下に説明する。使用する図面には、構成を示すための部材番号を付している。尚、図面の縮尺は、必ずしも正確ではない。
Claims (14)
- 帯状イオンビームのフラックスを測定するための測定方法であって、
走査経路にわたってイオンビームを所定の走査速度にて走査するための、時変のポテンシャルを有した走査波形を準備する工程aであって、当該走査経路上の当該イオンビームの或る箇所である第1の箇所に対応する当該時変のポテンシャルの値を第1の値とするとともに、当該走査経路上の当該イオンビームの当該第1の箇所とは異なる箇所である第2の箇所に対応する当該時変のポテンシャルの値を第2の値とする当該工程aと、
上記走査経路にわたって上記イオンビームが走査されるにつれて、複数のビーム電流値を含む複数のビーム電流信号を測定する工程bと、
上記ビーム電流信号から、上記第1の値に対応するビーム電流値を、第1のダイナミックビームプロファイルに割り当てる工程cであって、当該第1の値に対応するビーム電流値は、一定の電圧、一定の電流、または一定の位置のうちの1つを有した上記走査波形上の複数の点に対応する当該工程cと、
上記ビーム電流信号から、上記第2の値に対応するビーム電流値を、第2のダイナミックビームプロファイルに割り当てる工程dであって、当該第2の値に対応するビーム電流値は、一定の電圧、一定の電流、または一定の位置のうちの1つを有した上記走査波形上の複数の点に対応する当該工程dと、を含むことを特徴とする測定方法。 - 帯状イオンビームのフラックスを調整するための調整方法であって、
走査経路にわたってイオンビームを初期走査速度にて走査するための、時変のポテンシャルを有した走査波形を準備する工程Aであって、当該走査経路上の当該イオンビームの或る箇所である第1の箇所に対応する当該時変のポテンシャルの値を第1の値とするとともに、当該走査経路上の当該イオンビームの当該第1の箇所とは異なる箇所である第2の箇所に対応する当該時変のポテンシャルの値を第2の値とする当該工程Aと、
所定のプロファイル速度にて、上記走査経路と少なくとも部分的に重なっているプロファイル経路にわたってビームプロファイラーを移動させる工程Bと、
複数のビーム電流値を含む複数のビーム電流信号を、上記ビームプロファイラーを用いて測定する工程Cと、
上記ビーム電流信号から、上記第1の値に対応するビーム電流値を、第1のダイナミックビームプロファイルに割り当てる工程Dであって、当該第1の値に対応するビーム電流値は、一定の電圧、一定の電流、または一定の位置のうちの1つを有した上記走査波形上の複数の点に対応する当該工程Dと、
上記ビーム電流信号から、上記第2の値に対応するビーム電流値を、第2のダイナミックビームプロファイルに割り当てる工程Eであって、当該第2の値に対応するビーム電流値は、一定の電圧、一定の電流、または一定の位置のうちの1つを有した上記走査波形上の複数の点に対応する当該工程Eと、
走査された上記イオンビームから測定された上記第1のダイナミックビームプロファイルおよび上記第2のダイナミックビームプロファイルに基づいて、上記初期走査速度とは異なる修正走査速度を算出する工程Fとを含むことを特徴とする調整方法。 - 上記修正走査速度にて上記イオンビームを走査して、修正帯状イオンビームを得る工程を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の調整方法。
- 上記第1のダイナミックビームプロファイルおよび上記第2のダイナミックビームプロファイルを限られた時間内に求めることができるように、上記初期走査速度を上記所定のプロファイル速度よりも十分に速く構成していることを特徴とする請求項2に記載の調整方法。
- 上記第1のダイナミックビームプロファイルおよび上記第2のダイナミックビームプロファイルは、限られた時間内で求められるとともに、上記修正走査速度の正確な算出を可能にする十分な情報を有していることを特徴とする請求項2に記載の調整方法。
- 走査された上記イオンビームから測定された上記第1のダイナミックビームプロファイルおよび上記第2のダイナミックビームプロファイルに基づいて上記修正走査速度を算出する上記工程Fは、
帯状ビームフラックスプロファイルと所望の帯状ビームフラックスプロファイルとの差を算出する工程F(a)と、
瞬間走査速度によって上記ダイナミックビームプロファイルと上記差とを関連付ける工程F(b)と、
上記修正走査速度を算出する工程F(c)とを含むことを特徴とする請求項2に記載の調整方法。 - 走査された上記イオンビームから測定された上記第1のダイナミックビームプロファイルおよび上記第2のダイナミックビームプロファイルに基づいて上記修正走査速度を算出する上記工程Fは、更に、
上記帯状ビームフラックスプロファイルが要望に沿っているかを判定する工程と、
上記帯状ビームフラックスプロファイルが要望に沿っていない場合には、要望に沿っていると判断されるまで、上記工程F(a)、上記工程F(b)、及び上記工程F(c)を繰り返すことを特徴とする請求項6に記載の調整方法。 - 上記第1のダイナミックビームプロファイルおよび上記第2のダイナミックビームプロファイルは、限られた時間内で求めることができることを特徴とする請求項2に記載の調整方法。
- 上記限られた時間とは、90秒未満であることを特徴とする請求項8に記載の調整方法。
- 上記限られた時間とは、15秒未満であることを特徴とする請求項8に記載の調整方法。
- 上記限られた時間とは、上記プロファイル経路をわたる上記ビームプロファイラーの3回のパスに相当する時間よりも短いことを特徴とする請求項8に記載の調整方法。
- 上記限られた時間とは、プロファイラーの単一パスに相当する時間とほぼ等しいか、それ未満であることを特徴とする請求項8に記載の調整方法。
- 上記第1のダイナミックビームプロファイルおよび上記第2のダイナミックビームプロファイルから追加のダイナミックビームプロファイルを補間する工程Gを更に含むことを特徴とする請求項5に記載の調整方法。
- イオン注入システムにおいて走査されたイオンビームを較正するための較正システムであって、
時変の走査波形を用いて、走査経路にわたってイオンビームを走査するスキャナと、
上記走査経路と少なくとも部分的に重なっているプロファイル経路を横断するように構成されているとともに、走査されたイオンビームのビーム電流を測定するためのビームプロファイラーと、
コントローラーと、を備えており、
上記コントローラーは、
1) 上記ビームプロファイラーによって測定された、上記時変の走査波形の第1の値であるビーム電流測定値を、第1のダイナミックビームプロファイルに割り当てる構成となっており、当該第1の値である当該ビーム電流測定値は、一定の電圧、一定の電流、または一定の位置のうちの1つを有した上記走査波形上の複数の点に対応し、
2) 上記ビームプロファイラーによって測定された、上記時変の走査波形の第2の値であるビーム電流測定値を、第2のダイナミックビームプロファイルに割り当てる構成となっており、当該第2の値である当該ビーム電流測定値は、一定の電圧、一定の電流、または一定の位置のうちの1つを有した上記走査波形上の複数の点に対応する、
ことを特徴とする較正システム。
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