JP5263601B2 - イオン注入を補助する装置、イオン注入システム、及びイオンビームと加工物との相対的方位を確定するための方法 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 109
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 73
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 68
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
- H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
- H01J2237/24528—Direction of beam or parts thereof in view of the optical axis, e.g. beam angle, angular distribution, beam divergence, beam convergence or beam landing angle on sample or workpiece
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24578—Spatial variables, e.g. position, distance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
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Description
本発明の他の構成、利点、および新規な特徴は、添付する図面にとともに以下で詳細に説明される。
また、ここで用いられる「典型的」は、最善のものというよりも、単に一例であることを意味する。
Claims (20)
- イオンビーム内を走行するイオンが、選択された位置で加工物に衝突するように、前記加工物を前記イオンビームに対して位置決めするために構成されたエンドステーションに連動する測定コンポーネントを含み、
該測定コンポーネントは、前記イオンビームと前記加工物との相対的方位を容易に決定し、前記測定コンポーネントは、イオン注入するために前記加工物が載置されるスキャンアーム上に取り付けられ、前記測定コンポーネントの表面またはこの表面に直交する方向が、前記加工物の表面に対して既知の角度に位置していることを特徴するイオン注入を補助する装置。 - 前記測定コンポーネントは、
イオンビームとの相対的方位によって前記イオンビームが通過する量を変えることができるマスクと、
該マスクの後方に位置するイオン検出部とからなり、
前記イオンビームが前記マスクを通過した後に、変化した量のイオンビームが前記イオン検出部に衝突することを特徴とする請求項1記載の装置。 - 前記マスクは、イオンビームが通過する量を変えることができるそれぞれのスロットによって分離された複数の刃先を含み、前記イオンビームの変化する量は、これらの刃先と前記イオンビームとの間の相対的方位によることを特徴とする請求項2記載の装置。
- 前記イオンビームは、水平リボンビームまたはスキャンされたリボン状ビームであり、これらのリボンビームの垂直曲げ角度を測定するために用いられることを特徴とする請求項2記載の装置。
- 前記少なくとも1つのスロットは、1〜10mmの間隔で複数の刃先を分離し、前記刃先は、5〜50mmの長さを有することを特徴とする請求項3記載の装置。
- 前記測定コンポーネントと加工物との既知の関係に基づいて、垂直方向に曲げられるリボン状イオンビームに対する前記加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物を水平軸の回りに傾斜すること、
さらに、垂直方向に曲げられる前記リボン状イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物の表面に直交する軸回りに前記加工物をねじ曲げること、
前記測定コンポーネントと前記加工物との既知の関係に基づいて、イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、前記リボン状イオンビームの垂直曲げ角度を調整すること、の少なくとも1つを容易にすることを特徴とする請求項4記載の装置。 - 前記測定コンポーネントと加工物との既知の関係に基づいて、垂直方向に曲げられるリボン状イオンビームに対する前記加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物を水平軸の回りに傾斜すること、
さらに、垂直方向に曲げられる前記リボン状イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物の表面に直交する軸回りに前記加工物をねじ曲げること、
前記測定コンポーネントと前記加工物との既知の関係に基づいて、イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、前記リボン状イオンビームの垂直曲げ角度を調整すること、の少なくとも1つを容易にすることを特徴とする請求項5記載の装置。 - イオンを発生するためのイオン源と、
このイオン源によって発生したイオンからイオンビームを生じさせ、そして、走行経路に沿ってイオンを方向付けるためのビームラインアセンブリと、
イオンビーム内で走行するイオンが選択した位置で加工物に衝突するように、前記走行経路に対して加工物を位置付けるためのエンドステーションと、
前記エンドステーション内のスキャンアーム上に取り付けられた測定コンポーネントとを含み、
イオン注入中、前記加工物が前記スキャンアーム上に載置されており、前記測定コンポーネントの表面またはこの表面に直交する方向が、前記イオンビームと前記加工物との間の相対的方位を決定することを容易にするように、前記加工物の表面に対して既知の角度に位置していることを特徴とするイオン注入システム。 - 前記測定コンポーネントは、イオンビームとの方位に応じて、加工物に衝突するイオンビームの強さを測定し、前記測定コンポーネントと前記イオンビームとの間の特定の方位が、衝突する前記イオンビームに対する測定ツールを移動させることによって確定することを特徴とする請求項8記載のシステム。
- 前記測定コンポーネントは、加工物に対する既知の関係で方向付けられ、これにより、前記加工物とイオンビームとの間の相対的方位が、確定されることを特徴とする請求項9記載のシステム。
- 前記測定コンポーネントは、エンドステーションのコンポーネントに固定して関連付けられ、加工物が、前記エンドステーションに関連して作動することを特徴とする請求項10記載のシステム。
- 前記測定コンポーネントは、
イオンビームとの相対的方位によってイオンビームの通過する量を変えることができるマスクと、
該マスクの後方に位置するイオン検出部とからなり、
前記イオンビームが前記マスクを通過した後に、前記イオンビームの変化量が前記イオン検出部上に衝突することを特徴とする請求項11記載のシステム。 - 前記マスクは、イオンビームの通過する量を変えることができるそれぞれのスロットによって分離された複数の刃先を含み、前記イオンビームの変化する量は、これらの刃先と前記イオンビームとの相対的方位によることを特徴とする請求項12記載のシステム。
- 前記イオン検出部は、イオンビームが衝突する量を示す電流を出力することを特徴とする請求項13記載のシステム。
- 少なくとも1つの刃先は、グラファイトからなり、前記スロットは、1〜10mmの間隔で複数の刃先を分離し、前記刃先は、5〜50mmの長さを有することを特徴とする請求項14記載のシステム。
- 加工物が、測定コンポーネントと加工物との既知の関係に基づいて、垂直方向に曲げられるリボン状イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、水平軸の回りに傾斜されること、
さらに、前記加工物が、垂直方向に曲げられる前記リボン状イオンビームに対する前記加工物の所望の方位を確定するために、1つの軸回りにねじ曲げられること、
前記測定コンポーネントと前記加工物との既知の関係に基づいて、イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、リボン状ビームの垂直曲げ角度が調整されること、の少なくとも1つを有することを特徴とする請求項9記載のシステム。 - イオンビームによってイオンが加工物内に注入され、前記加工物へのより正確なドーピングを行うために、前記イオンビームと前記加工物との相対的方位を確定するための方法であって、
スキャンアーム上に取り付けられかつ前記加工物に対する既知の関係を有する測定コンポーネントに、前記イオンビームを指向させ、
衝突するイオンビームに対して測定ツールを移動し、
前記イオンビームが前記測定コンポーネントに対する特定方位を有するときに、前記イオンビームと前記加工物の相対的方位を確定することを特徴とする方法。 - さらに、前記加工物と前記測定コンポーネントとの既知の関係と、前記測定コンポーネントと前記イオンビームとの前記決められた方位とが与えられて、前記加工物をイオンビームに対して指向させることを特徴とする請求項17記載の方法。
- 水平軸の回りに加工物を傾斜させること、
垂直軸回りに前記加工物をねじり曲げること、
前記イオンビームの垂直曲げ角度を調整すること、の少なくとも1つによって、前記加工物を前記イオンビームに対して指向させることを特徴とする請求項18記載の方法。 - 前記イオンビームが前記加工物に直接衝突する方向に、前記加工物と前記イオンビームが配置されるように、イオン注入システムのゼロ角度を設定することを特徴とする請求項19記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/290,344 | 2005-11-30 | ||
US11/290,344 US7361914B2 (en) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | Means to establish orientation of ion beam to wafer and correct angle errors |
PCT/US2006/044891 WO2007064515A2 (en) | 2005-11-30 | 2006-11-17 | Means to establish orientation of ion beam to wafer and correct angle errors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009517849A JP2009517849A (ja) | 2009-04-30 |
JP5263601B2 true JP5263601B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=38086550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008543331A Active JP5263601B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-17 | イオン注入を補助する装置、イオン注入システム、及びイオンビームと加工物との相対的方位を確定するための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7361914B2 (ja) |
EP (1) | EP1955352A2 (ja) |
JP (1) | JP5263601B2 (ja) |
KR (1) | KR101423787B1 (ja) |
CN (1) | CN101322219B (ja) |
TW (1) | TWI428935B (ja) |
WO (1) | WO2007064515A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9502210B2 (en) | 2014-08-08 | 2016-11-22 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus |
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-
2005
- 2005-11-30 US US11/290,344 patent/US7361914B2/en active Active
-
2006
- 2006-11-03 TW TW095140723A patent/TWI428935B/zh active
- 2006-11-17 KR KR1020087015958A patent/KR101423787B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-17 WO PCT/US2006/044891 patent/WO2007064515A2/en active Application Filing
- 2006-11-17 JP JP2008543331A patent/JP5263601B2/ja active Active
- 2006-11-17 EP EP06838058A patent/EP1955352A2/en not_active Withdrawn
- 2006-11-17 CN CN2006800451194A patent/CN101322219B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007064515A3 (en) | 2007-10-11 |
TWI428935B (zh) | 2014-03-01 |
CN101322219A (zh) | 2008-12-10 |
JP2009517849A (ja) | 2009-04-30 |
US20070120067A1 (en) | 2007-05-31 |
KR101423787B1 (ko) | 2014-07-25 |
TW200802411A (en) | 2008-01-01 |
CN101322219B (zh) | 2012-11-21 |
US7361914B2 (en) | 2008-04-22 |
EP1955352A2 (en) | 2008-08-13 |
WO2007064515A2 (en) | 2007-06-07 |
KR20080073360A (ko) | 2008-08-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091019 |
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