JP2000150407A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000150407A JP2000150407A JP10315864A JP31586498A JP2000150407A JP 2000150407 A JP2000150407 A JP 2000150407A JP 10315864 A JP10315864 A JP 10315864A JP 31586498 A JP31586498 A JP 31586498A JP 2000150407 A JP2000150407 A JP 2000150407A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板表面の複数に分割された領域に異
なるドーズ量のイオン注入を行って電気的特性の異なる
デバイスを形成する際に、イオン注入マスクを複数回形
成する必要があり、工程が煩雑になるとともに、コスト
もアップする。 【解決手段】 半導体基板１の表面に複数の分割された
領域を設け、各領域の半導体基板内に領域毎に異なるド
ーズ量のイオンビーム２を、走査速度を変えながら連続
的に照射する。各領域には、走査速度に対応した異なる
ドーズ量のイオンが注入されているので、それぞれ異な
る電気的特性をもつ半導体デバイスが形成でき、開発段
階での試作工程数を削減でき、試作時間が短縮され、開
発コストを大幅に引き下げることができる。
なるドーズ量のイオン注入を行って電気的特性の異なる
デバイスを形成する際に、イオン注入マスクを複数回形
成する必要があり、工程が煩雑になるとともに、コスト
もアップする。 【解決手段】 半導体基板１の表面に複数の分割された
領域を設け、各領域の半導体基板内に領域毎に異なるド
ーズ量のイオンビーム２を、走査速度を変えながら連続
的に照射する。各領域には、走査速度に対応した異なる
ドーズ量のイオンが注入されているので、それぞれ異な
る電気的特性をもつ半導体デバイスが形成でき、開発段
階での試作工程数を削減でき、試作時間が短縮され、開
発コストを大幅に引き下げることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するもので、特に半導体装置の開発段階で有用
なイオン注入方法に関する。
方法に関するもので、特に半導体装置の開発段階で有用
なイオン注入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、そのデバイス構造や配線
構造に応じて、半導体基板やその上に形成された膜の特
定の領域に不純物を導入して形成されている。そして、
不純物の導入は、一般にはイオン注入技術が使われてい
る。
構造に応じて、半導体基板やその上に形成された膜の特
定の領域に不純物を導入して形成されている。そして、
不純物の導入は、一般にはイオン注入技術が使われてい
る。
【０００３】この半導体装置内に導入される不純物の量
は、半導体装置の電気特性のみならず、信頼性や歩留ま
りなどを考慮して最適な値に設計されている。この最適
な値を決めるには、量産前の開発段階において、不純物
の量を変えた半導体装置を試作し、その電気的特性等を
評価して、不純物量の最適設計を行うのが普通である。
は、半導体装置の電気特性のみならず、信頼性や歩留ま
りなどを考慮して最適な値に設計されている。この最適
な値を決めるには、量産前の開発段階において、不純物
の量を変えた半導体装置を試作し、その電気的特性等を
評価して、不純物量の最適設計を行うのが普通である。
【０００４】不純物量の異なる半導体装置を試作するの
に、それぞれ半導体基板（ウエハ）を１枚ずつ使用する
ことは通常しない。１枚のウエハには、複数の同じ半導
体装置（いわゆる半導体チップ）が繰り返し並んで形成
されており、電気的特性等の評価には、たくさんの同じ
半導体チップは必要ないからである。そこで、不純物量
の最適設計を行う開発段階においては、１枚のウエハを
用いて、それを複数の領域に分け、各領域毎に不純物量
の異なるイオン注入を行って、不純物の量を変えた半導
体装置を製造していた。
に、それぞれ半導体基板（ウエハ）を１枚ずつ使用する
ことは通常しない。１枚のウエハには、複数の同じ半導
体装置（いわゆる半導体チップ）が繰り返し並んで形成
されており、電気的特性等の評価には、たくさんの同じ
半導体チップは必要ないからである。そこで、不純物量
の最適設計を行う開発段階においては、１枚のウエハを
用いて、それを複数の領域に分け、各領域毎に不純物量
の異なるイオン注入を行って、不純物の量を変えた半導
体装置を製造していた。
【０００５】図４は、領域毎に不純物量を変えてイオン
注入する従来の方法を示したもので、半導体ウエハを４
つの領域に分けて、各領域内のイオン注入ドーズ量を変
えて行う方法の例を、各工程の平面図で示したものであ
る。半導体ウエハ中の特定の領域にイオン注入するに
は、レジストをイオン注入マスクに用いる。図４(a)
は、半導体ウエハ１上にレジスト４を塗布し、領域Ａを
開口するようにレジストを露光し、現像を行って領域Ａ
上のレジストを除去したものである。そして、この状態
で、イオン注入を行えば、領域Ａにのみ不純物が導入さ
れる。
注入する従来の方法を示したもので、半導体ウエハを４
つの領域に分けて、各領域内のイオン注入ドーズ量を変
えて行う方法の例を、各工程の平面図で示したものであ
る。半導体ウエハ中の特定の領域にイオン注入するに
は、レジストをイオン注入マスクに用いる。図４(a)
は、半導体ウエハ１上にレジスト４を塗布し、領域Ａを
開口するようにレジストを露光し、現像を行って領域Ａ
上のレジストを除去したものである。そして、この状態
で、イオン注入を行えば、領域Ａにのみ不純物が導入さ
れる。
【０００６】次に、いったん塗布したレジストを除去
し、図４(b)に示すように、今度は領域Ｂのみを開口し
たレジストパターン５を形成し、領域Ｂに、領域Ａとは
異なるドーズ量のイオン注入を行う。図４(c)、(d)に示
す領域Ｃ、Ｄも同様の工程を繰り返して、それぞれ異な
るドーズ量のイオン注入を行う。その結果、１枚のウエ
ハ内の４つの領域に、異なるドーズ量のイオン注入がさ
れたことになる。
し、図４(b)に示すように、今度は領域Ｂのみを開口し
たレジストパターン５を形成し、領域Ｂに、領域Ａとは
異なるドーズ量のイオン注入を行う。図４(c)、(d)に示
す領域Ｃ、Ｄも同様の工程を繰り返して、それぞれ異な
るドーズ量のイオン注入を行う。その結果、１枚のウエ
ハ内の４つの領域に、異なるドーズ量のイオン注入がさ
れたことになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すような従来
の方法では、各領域のイオン注入工程毎に、レジストの
パターン形成、及びレジスト除去や洗浄を行わなければ
ならず、工程的に複雑になり、開発コストの上昇や、開
発期間の増加という問題が生じる。実際の半導体装置の
製造工程においては、そのデバイス構造に応じて種々の
不純物導入が行われており、それぞれの不純物量の異な
るデバイスを製造し評価しようとすると、その組み合わ
せの数は指数関数的に増加してしまうので、最適設計を
図る上で、開発段階での工程の簡略化は不可欠である。
の方法では、各領域のイオン注入工程毎に、レジストの
パターン形成、及びレジスト除去や洗浄を行わなければ
ならず、工程的に複雑になり、開発コストの上昇や、開
発期間の増加という問題が生じる。実際の半導体装置の
製造工程においては、そのデバイス構造に応じて種々の
不純物導入が行われており、それぞれの不純物量の異な
るデバイスを製造し評価しようとすると、その組み合わ
せの数は指数関数的に増加してしまうので、最適設計を
図る上で、開発段階での工程の簡略化は不可欠である。
【０００８】また、一般にイオン注入をする場合には、
所定の領域にのみ選択的に行うのが通常である。すなわ
ち、半導体ウエハ上にレジストを塗布した後、露光、現
像を行い、所定の領域にのみ開口されたレジストパター
ンを形成し、このレジストパターンをイオン注入マスク
にして、開口された所定領域にのみイオンを注入する。
所定の領域にのみ選択的に行うのが通常である。すなわ
ち、半導体ウエハ上にレジストを塗布した後、露光、現
像を行い、所定の領域にのみ開口されたレジストパター
ンを形成し、このレジストパターンをイオン注入マスク
にして、開口された所定領域にのみイオンを注入する。
【０００９】このように予めレジストパターンが形成さ
れたウエハを用いて、図４に示すような複数領域に異な
るドーズ量のイオン注入を行おうとすると、各領域で行
われるレジスト開口、イオン注入、レジスト除去の一連
の工程で、予め形成されたレジストパターンも除去され
てしまうので、結局４回のレジストパターン形成の工程
を行わなければならなくなり、非常に煩雑な工程になる
だけでなく、フォトリソ工程を多数繰り返すことによる
開発コストの大幅なアップにもなる。
れたウエハを用いて、図４に示すような複数領域に異な
るドーズ量のイオン注入を行おうとすると、各領域で行
われるレジスト開口、イオン注入、レジスト除去の一連
の工程で、予め形成されたレジストパターンも除去され
てしまうので、結局４回のレジストパターン形成の工程
を行わなければならなくなり、非常に煩雑な工程になる
だけでなく、フォトリソ工程を多数繰り返すことによる
開発コストの大幅なアップにもなる。
【００１０】本発明は、上記従来の問題を解決するため
に、複数の領域に異なる量の不純物を導入する簡便な方
法を提供するもので、本発明により、開発段階での半導
体装置の試作工程数を削減し、それによって開発コスト
を引き下げかつ試作時間を短縮させようとするものであ
る。
に、複数の領域に異なる量の不純物を導入する簡便な方
法を提供するもので、本発明により、開発段階での半導
体装置の試作工程数を削減し、それによって開発コスト
を引き下げかつ試作時間を短縮させようとするものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
表面に複数の分割された領域を設け、各領域の半導体基
板内に各領域毎に異なるドーズ量のイオン注入を連続し
て行うようにしたものである。これによって、各領域内
に形成される半導体デバイスが、異なるドーズ量で形成
されたことになり、異なる電気的特性を有する半導体デ
バイスが形成できる。
表面に複数の分割された領域を設け、各領域の半導体基
板内に各領域毎に異なるドーズ量のイオン注入を連続し
て行うようにしたものである。これによって、各領域内
に形成される半導体デバイスが、異なるドーズ量で形成
されたことになり、異なる電気的特性を有する半導体デ
バイスが形成できる。
【００１２】また、異なるドーズ量の連続したイオン注
入は、各領域内におけるイオンビームの走査速度を変え
ることによって実現しようとするものである。
入は、各領域内におけるイオンビームの走査速度を変え
ることによって実現しようとするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１を参照して説明する。
て、図１を参照して説明する。
【００１４】図１(a)〜(d)は、図４に示した従来の技術
と同様に、半導体ウエハ１の領域を４分割して、各領域
に異なるドーズ量のイオン注入を行う方法を示したもの
である。
と同様に、半導体ウエハ１の領域を４分割して、各領域
に異なるドーズ量のイオン注入を行う方法を示したもの
である。
【００１５】まず、図１(a)に示すように、イオンビー
ム２をウエハの端から走査し、ウエハ上の４分の１の領
域を連続的に走査して、所定のドーズ量のイオン注入を
行う。
ム２をウエハの端から走査し、ウエハ上の４分の１の領
域を連続的に走査して、所定のドーズ量のイオン注入を
行う。
【００１６】次に、図１(b)に示すように、図１(a)の走
査と連続して、イオンビーム２を次の４分の１の領域を
走査し、先のドーズ量と異なるドーズ量のイオン注入を
行う。ドーズ量の変更は、イオンビームの走査速度を変
えることによって行うことができる。
査と連続して、イオンビーム２を次の４分の１の領域を
走査し、先のドーズ量と異なるドーズ量のイオン注入を
行う。ドーズ量の変更は、イオンビームの走査速度を変
えることによって行うことができる。
【００１７】同様に、図１(c)、(d)に示すように、順
次、残りの４分の１の領域を、イオンビームの走査速度
を変えて走査し、異なるドーズ量のイオン注入を完了す
る。
次、残りの４分の１の領域を、イオンビームの走査速度
を変えて走査し、異なるドーズ量のイオン注入を完了す
る。
【００１８】なお、上記イオンビームは、いわゆる”一
筆書き”的に連続して行われるが、走査の方向や順序は
適宜変えて行っても良い。
筆書き”的に連続して行われるが、走査の方向や順序は
適宜変えて行っても良い。
【００１９】また、連続と言っても、常にイオンビーム
を走査し続けるという厳密な意味ではなく、分割された
領域を実質的な一連のイオンビーム走査でイオン注入を
行えば足り、途中でイオンビームの走査を一時中断して
も構わない。
を走査し続けるという厳密な意味ではなく、分割された
領域を実質的な一連のイオンビーム走査でイオン注入を
行えば足り、途中でイオンビームの走査を一時中断して
も構わない。
【００２０】本発明の他の実施の形態を図２、３に示
す。一般に半導体デバイスは、半導体基板中、あるいは
基板上に形成された膜中の特定の領域に不純物領域を形
成して、所定の構造のデバイスを完成している。そし
て、特定の領域に不純物を形成する方法としては、レジ
ストパターンをマスクとしてイオン注入を行うのが一般
的である。
す。一般に半導体デバイスは、半導体基板中、あるいは
基板上に形成された膜中の特定の領域に不純物領域を形
成して、所定の構造のデバイスを完成している。そし
て、特定の領域に不純物を形成する方法としては、レジ
ストパターンをマスクとしてイオン注入を行うのが一般
的である。
【００２１】図２は、半導体基板１中に、不純物領域を
形成する方法を示すもので、基板上にレジスト５を塗布
して、露光、現像を行いレジストパターン３を形成す
る。図３は、半導体基板１の表面上に形成されたレジス
トパターン３を示す。このレジストパターンをマスクに
して、イオン２を基板中に注入して不純物領域４を形成
する。
形成する方法を示すもので、基板上にレジスト５を塗布
して、露光、現像を行いレジストパターン３を形成す
る。図３は、半導体基板１の表面上に形成されたレジス
トパターン３を示す。このレジストパターンをマスクに
して、イオン２を基板中に注入して不純物領域４を形成
する。
【００２２】図３に示すように、レジストパターンが形
成された半導体基板１に対して、４分割された領域に異
なるドーズ量のイオン注入を行うには、図１に示したよ
うに、イオンビームを、各領域毎に異なる走査速度で連
続して走査させてイオン注入を行えばよい。この時、半
導体基板上に形成されたレジストパターンは、一連のイ
オン注入工程で共通に使用できるので、一度のレジスト
パターン形成ですむ。
成された半導体基板１に対して、４分割された領域に異
なるドーズ量のイオン注入を行うには、図１に示したよ
うに、イオンビームを、各領域毎に異なる走査速度で連
続して走査させてイオン注入を行えばよい。この時、半
導体基板上に形成されたレジストパターンは、一連のイ
オン注入工程で共通に使用できるので、一度のレジスト
パターン形成ですむ。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、半導体基板の表面に複数の分
割された領域を設け、各領域の半導体基板内に各領域毎
に異なるドーズ量のイオン注入を連続して行うことによ
って、簡便な方法でもって、各領域内に異なる電気的特
性を有する半導体デバイスを形成でき、開発段階での半
導体装置の試作工程数を削減し、それによって開発コス
トを引き下げ、かつ試作時間を短縮することができると
いう格別の効果を奏し、実用的価値の高いものである。
割された領域を設け、各領域の半導体基板内に各領域毎
に異なるドーズ量のイオン注入を連続して行うことによ
って、簡便な方法でもって、各領域内に異なる電気的特
性を有する半導体デバイスを形成でき、開発段階での半
導体装置の試作工程数を削減し、それによって開発コス
トを引き下げ、かつ試作時間を短縮することができると
いう格別の効果を奏し、実用的価値の高いものである。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する工程図
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する断面図
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明する断面図
【図４】従来のイオン注入方法を説明する工程図
１ 半導体基板 ２ イオンビーム ３ レジストマスク ４ 不純物領域 ５ レジスト
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板の表面に複数の分割された領域
を設け、各領域の半導体基板内に各領域毎に異なるドー
ズ量のイオン注入を連続して行い、前記各領域内に形成
される半導体デバイスが異なる電気的特性を有するよう
にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体基板の表面に所定の開口部を有する
イオン注入マスクを形成した後、前記半導体基板の表面
に複数の分割された領域を設け、各領域内に形成された
前記イオン注入マスクの開口部下の半導体基板内に各領
域毎に異なるドーズ量のイオン注入を連続して行い、前
記各領域内に形成される半導体デバイスが異なる電気的
特性を有するようにしたことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】各領域内のイオン注入が連続したイオンビ
ームの走査で行われ、各領域内のドーズ量をイオンビー
ムの走査速度を変化させることによって変えることを特
徴とする請求項１、または請求項２記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10315864A JP2000150407A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10315864A JP2000150407A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150407A true JP2000150407A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18070520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10315864A Withdrawn JP2000150407A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150407A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086530A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sony Corp | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| US6750462B2 (en) | 2001-10-26 | 2004-06-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion implanting method and apparatus |
| JP2005285518A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
| JP2005328048A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-24 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体基板へのイオン注入方法及び半導体素子の製造方法 |
| KR100699889B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-03-28 | 삼성전자주식회사 | 가변적인 이온주입 조건이 수반되는 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2008513955A (ja) * | 2004-09-14 | 2008-05-01 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 制御されたドーズ量のイオン注入 |
| JP2008270419A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Nec Electronics Corp | サンプルウェハの製造方法 |
| US8017922B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-09-13 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implantation method and apparatus |
| CN109817541A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 上海精测半导体技术有限公司 | 扫描方法、控制装置、检测单元及生产系统 |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP10315864A patent/JP2000150407A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8951857B2 (en) | 2004-05-10 | 2015-02-10 | SK Hynix Inc. | Method for implanting ions in semiconductor device |
| JP2008513955A (ja) * | 2004-09-14 | 2008-05-01 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 制御されたドーズ量のイオン注入 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040319 |