JP2005328048A - 半導体基板へのイオン注入方法及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
基板の全面にわたり均一にイオン注入を行うことによって生じる、基板の中央部分のしきい電圧と周辺部分のしきい電圧との差を補償することができる半導体基板へのイオン注入方法、及び基板内のトランジスタ特性のばらつきを改善することができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板の平面に平行な、相互に直交する2方向であるX方向及びY方向にイオンビームをスキャンして前記半導体基板にイオンを注入する方法であって、前記X方向のスキャン速度及び前記Y方向のスキャン速度の各々を、前記半導体基板の中央部分と周辺部分とで異なる速度にしてイオン注入し、該中央部分と該周辺部分とでイオン注入されるドーズ量を異なる値にする。
【選択図】 図2
Description
このローテーションには、Y方向のスキャンとスキャンとの間に一度以上回転を行う段階的ローテーション、又はY方向のスキャンの間に連続して回転を行う連続的ローテーションがある。
12 ホルダー
13 イオンビーム
14 駆動装置
15 駆動軸
11A スキャン領域
Claims (22)
- 不均一な濃度のイオン注入により半導体基板に局部的に異なる量のイオンを注入することを特徴とする半導体基板へのイオン注入方法。
- 半導体素子の特性の偏差を減少させるために、不均一な濃度のイオン注入により半導体基板に局部的に異なる量のイオンを注入することを特徴とする半導体基板へのイオン注入方法。
- MOSFET半導体素子の特性の偏差を減少させるために、不均一な濃度のイオン注入により前記MOSFET半導体素子のチャネル部位に局部的に異なる量のイオンを注入することを特徴とする半導体基板へのイオン注入方法。
- MOSFET半導体素子の特性の偏差を減少させるために、不均一な濃度のイオン注入により前記MOSFET半導体素子のソース/ドレイン部位に局部的に異なる量のイオンを注入することを特徴とする半導体基板へのイオン注入方法。
- MOSFET半導体素子の特性の偏差を減少させるために、不均一な濃度のイオン注入により前記MOSFET半導体素子のLDD(Lightly Doped Drain)部位、又は、SDE(Source Drain Extension)部位に局部的に異なる量のイオンを注入することを特徴とする半導体基板へのイオン注入方法。
- 半導体基板の平面に平行な、相互に直交する2方向であるX方向及びY方向にイオンビームをスキャンして前記半導体基板にイオンを注入する方法であって、
前記X方向のスキャン速度及び前記Y方向のスキャン速度のうち何れか一方を、前記半導体基板の中央部分と周辺部分とで異なる速度にしてイオン注入し、該中央部分と該周辺部分とでイオン注入されるドーズ量を異なる値にすることを特徴とする半導体基板へのイオン注入方法。 - 前記イオン注入が、前記中央部分でのドーズ量を、前記周辺部分でのドーズ量よりも増大させることを特徴とする請求項6に記載の半導体基板へのイオン注入方法。
- 前記イオン注入が、前記周辺部分でのドーズ量を、前記中央部分でのドーズ量よりも増大させることを特徴とする請求項6に記載の半導体基板へのイオン注入方法。
- 前記イオン注入が、注入される前記ドーズ量の分布が円形状、長方形状、左右対称の形状及び上下対称の形状からなる群の中から選択されるいずれかの形状の分布となるように行われることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体基板へのイオン注入方法。
- 半導体基板の平面に平行な、相互に直交する2方向であるX方向及びY方向にイオンビームをスキャンして前記半導体基板にイオンを注入する方法であって、
前記X方向のスキャン速度及び前記Y方向のスキャン速度の各々を、前記半導体基板の中央部分と周辺部分とで異なる速度にしてイオン注入し、該中央部分と該周辺部分とでイオン注入されるドーズ量を異なる値にすることを特徴とする半導体基板へのイオン注入方法。 - 前記イオン注入が、前記中央部分でのドーズ量を、前記周辺部分でのドーズ量よりも増大させることを特徴とする請求項10に記載の半導体基板へのイオン注入方法。
- 前記イオン注入が、前記周辺部分でのドーズ量を、前記中央部分でのドーズ量よりも増大させることを特徴とする請求項10に記載の半導体基板へのイオン注入方法。
- 前記イオン注入が、注入される前記ドーズ量の分布が円形状、長方形状、左右対称の形状及び上下対称の形状からなる群の中から選択されるいずれかの形状の分布となるように行われることを特徴とする請求項11または12に記載の半導体基板へのイオン注入方法。
- 半導体基板の所定領域に、トランジスタのソース/ドレイン接合を形成するためのイオン注入を行うステップと、
前記半導体基板上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、前記ソース/ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入を行うステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板の中央部分に対して、前記補償イオン注入を行うことを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体基板の周辺部分に対して、前記補償イオン注入を行うことを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ソース/ドレイン接合を形成するために導入したマスクをそのまま残した状態で、又は追加の別のマスクを用いて、前記補償イオン注入を行うことを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- 局部的に前記イオン注入が行われるように前記基板の平面に平行なX方向にイオンビームをスキャンする領域、及び前記基板に平行であり、前記X方向にほぼ直交するY方向にイオンビームをスキャンする領域を設定した後、前記X方向のスキャン速度、前記Y方向のスキャン速度、又は前記X方向のスキャン速度及び前記Y方向のスキャン速度を調整して、前記補償イオン注入を行うことを特徴とする請求項14から17のいずれかの項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記補償イオン注入を、イオン注入するドーズ量の比率を前記X方向及び前記Y方向に対して個別に異なるように調整して行うことを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の製造方法。
- N−又はN+接合に対する前記補償イオン注入に用いられる不純物が、31P又は75Asであることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- P+接合に対する前記補償イオン注入に用いられる不純物が、11B、49BF2及び30BFからなる群の中から選択されるいずれかひとつであることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記補償イオン注入において、チルト、ローテーション及びマルチモードからなる群の中から選択されるいずれかひとつを用いることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006313732A (ja) * | 2005-05-04 | 2006-11-16 | Hynix Semiconductor Inc | 不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法 |
WO2010055724A1 (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-20 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
KR101141899B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-06-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 선량 프로파일 제어 시스템 및 방법 |
JP2012160386A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
KR20120109332A (ko) * | 2011-03-23 | 2012-10-08 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입방법 및 이온주입장치 |
JP2012204327A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sen Corp | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
KR20120138676A (ko) * | 2011-06-14 | 2012-12-26 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
JP2013531333A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-08-01 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | ビームがスキャンされるイオン注入装置における処理量の増大 |
JP2016537785A (ja) * | 2013-11-20 | 2016-12-01 | ティーイーエル エピオン インコーポレイテッド | Gcibシステムのための基板エッジプロファイル補正のためのマルチステップ場所特異的プロセス |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004063691B4 (de) * | 2004-05-10 | 2019-01-17 | Hynix Semiconductor Inc. | Verfahren zum Implantieren von Ionen in einem Halbleiterbauelement |
US8461030B2 (en) * | 2009-11-17 | 2013-06-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controllably implanting workpieces |
US9023722B2 (en) * | 2011-05-13 | 2015-05-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Compound semiconductor growth using ion implantation |
US9899188B2 (en) * | 2015-07-23 | 2018-02-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Selective processing of a workpiece using ion beam implantation and workpiece rotation |
US10377665B2 (en) | 2015-11-19 | 2019-08-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Modifying bulk properties of a glass substrate |
JP6517163B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-05-22 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びスキャン波形作成方法 |
CN112259448B (zh) * | 2020-10-14 | 2022-11-29 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 栅极形成后的离子注入方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01123474A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Nec Corp | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JPH06168696A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Sony Corp | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JPH07193018A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | 高耐圧半導体素子の製造方法 |
JP2000150407A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003086530A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sony Corp | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
JP2003132835A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JP2003332254A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | National Institute For Materials Science | 静電走査型コンビナトリアルイオン注入方法 |
JP2005235682A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JP2006503434A (ja) * | 2002-10-16 | 2006-01-26 | バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド | アニール不均一性を補償するための方法及びシステム |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856416A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5308780A (en) * | 1993-07-22 | 1994-05-03 | United Microelectronics Corporation | Surface counter-doped N-LDD for high hot carrier reliability |
KR950030218A (ko) | 1994-04-27 | 1995-11-24 | 김광호 | 불순물 농도분포의 개선을 위한 이온주입방법 |
JPH08315765A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Sony Corp | 静電スキャン式イオン注入方法 |
KR0172275B1 (ko) | 1995-06-02 | 1999-02-01 | 김주용 | 플래쉬 이이피롬 셀의 접합부 형성방법 |
KR0167271B1 (ko) * | 1995-11-30 | 1998-12-15 | 문정환 | 비균등 도우프 채널 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법 |
KR0166806B1 (ko) | 1995-12-29 | 1999-02-01 | 문정환 | 불순물 주입방법 |
US5793088A (en) * | 1996-06-18 | 1998-08-11 | Integrated Device Technology, Inc. | Structure for controlling threshold voltage of MOSFET |
DE69737966D1 (de) * | 1997-04-21 | 2007-09-13 | St Microelectronics Srl | Ein Verfahren zur Herstellung von MOSFET-Transistoren mittels geneigten Implantierungen |
JP3727047B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2005-12-14 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
JP3504196B2 (ja) | 1999-10-25 | 2004-03-08 | 株式会社本間組 | 浚渫装置とその浚渫方法 |
KR20010082784A (ko) | 2000-02-10 | 2001-08-31 | 윤종용 | 이온 주입장치 |
KR20010084282A (ko) | 2000-02-24 | 2001-09-06 | 윤종용 | 이온 주입 방법 |
US6677599B2 (en) | 2000-03-27 | 2004-01-13 | Applied Materials, Inc. | System and method for uniformly implanting a wafer with an ion beam |
US6580083B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-06-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High efficiency scanning in ion implanters |
US6730583B2 (en) * | 2000-10-26 | 2004-05-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating semiconductor device |
US6573518B1 (en) | 2000-10-30 | 2003-06-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Bi mode ion implantation with non-parallel ion beams |
JP4252237B2 (ja) | 2000-12-06 | 2009-04-08 | 株式会社アルバック | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
CN1165076C (zh) | 2001-04-24 | 2004-09-01 | 华邦电子股份有限公司 | 以离子注入形成抗穿通区的晶体管及其制造方法 |
US6586294B1 (en) * | 2002-01-02 | 2003-07-01 | Intel Corporation | Method of fabricating MOSFET transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks |
AT411265B (de) | 2002-02-14 | 2003-11-25 | Voest Alpine Ind Anlagen | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von metallen und/oder metallvorprodukten |
KR100445055B1 (ko) * | 2002-05-16 | 2004-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 삼중웰 구조를 갖는 반도체소자의 제조 방법 |
KR100607649B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2006-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 삼중웰 구조를 갖는 반도체소자의 제조 방법 |
US7049210B2 (en) * | 2002-09-23 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method |
US7099244B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wobble demodulator and wobble demodulation method |
US7274076B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Threshold voltage adjustment for long channel transistors |
DE102004063691B4 (de) | 2004-05-10 | 2019-01-17 | Hynix Semiconductor Inc. | Verfahren zum Implantieren von Ionen in einem Halbleiterbauelement |
JP2006168696A (ja) | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nippon Mini Motor Kk | 防水性および防塵性に優れたミラー駆動装置 |
JP4543432B2 (ja) | 2006-01-18 | 2010-09-15 | ヤマハ株式会社 | 電子音楽装置、サーバおよびプログラム |
KR101008278B1 (ko) | 2010-07-19 | 2011-01-13 | 명화지리정보(주) | 지형별 지상물의 위치변동 여부를 감지해 수치화하는 측지측량시스템 |
-
2004
- 2004-12-28 DE DE102004063691.5A patent/DE102004063691B4/de active Active
- 2004-12-30 US US11/026,294 patent/US7825015B2/en active Active
- 2004-12-31 TW TW093141583A patent/TWI278942B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-05-06 JP JP2005135135A patent/JP2005328048A/ja active Pending
-
2010
- 2010-10-27 US US12/913,267 patent/US8951857B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-04 JP JP2012150286A patent/JP2012212928A/ja not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-02-04 JP JP2013019147A patent/JP2013128133A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01123474A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Nec Corp | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JPH06168696A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Sony Corp | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JPH07193018A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | 高耐圧半導体素子の製造方法 |
JP2000150407A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003086530A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sony Corp | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
JP2003132835A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JP2003332254A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | National Institute For Materials Science | 静電走査型コンビナトリアルイオン注入方法 |
JP2006503434A (ja) * | 2002-10-16 | 2006-01-26 | バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド | アニール不均一性を補償するための方法及びシステム |
JP2005235682A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8343859B2 (en) | 2005-05-04 | 2013-01-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Non-uniform ion implantation apparatus and method thereof |
JP2006313732A (ja) * | 2005-05-04 | 2006-11-16 | Hynix Semiconductor Inc | 不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法 |
WO2010055724A1 (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-20 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
JP2010118235A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
US8368036B2 (en) | 2008-11-12 | 2013-02-05 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
KR101849387B1 (ko) | 2010-05-05 | 2018-04-16 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 스캔빔 이온 주입장치에 있어서의 스루풋 증대 |
JP2013531333A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-08-01 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | ビームがスキャンされるイオン注入装置における処理量の増大 |
KR101141899B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-06-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 선량 프로파일 제어 시스템 및 방법 |
JP2012160386A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
KR20120109332A (ko) * | 2011-03-23 | 2012-10-08 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입방법 및 이온주입장치 |
JP2012204327A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sen Corp | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
US8772741B2 (en) | 2011-03-28 | 2014-07-08 | Sen Corporation | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
JP2013004610A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Sen Corp | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
KR20120138676A (ko) * | 2011-06-14 | 2012-12-26 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
US9601314B2 (en) | 2011-06-14 | 2017-03-21 | Sen Corporation | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
KR101911055B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2018-10-24 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
JP2016537785A (ja) * | 2013-11-20 | 2016-12-01 | ティーイーエル エピオン インコーポレイテッド | Gcibシステムのための基板エッジプロファイル補正のためのマルチステップ場所特異的プロセス |
Also Published As
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---|---|
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