JP2006313732A - 不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも2箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。複数のワイドイオンビームのうち少なくとも一つのワイドイオンビームは、少なくともいずれか他のワイドイオンビームと異なるドーズを有する。
【選択図】図5
Description
Claims (26)
- ウエハの全体領域のうち少なくとも2箇所以上の領域にそれぞれ照射される複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、
前記ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、前記ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、
を備えることを特徴とする不均一イオン注入装置。 - 前記複数のワイドイオンビームのうち、少なくともいずれか一つのワイドイオンビームは、少なくともいずれか他のワイドイオンビームと異なるドーズを有することを特徴とする請求項1に記載の不均一イオン注入装置。
- ウエハの第1領域及び第2領域にそれぞれ照射される第1ワイドイオンビーム及び第2ワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、
前記ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、前記ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、
を備えることを特徴とする不均一イオン注入装置。 - 前記第1ワイドイオンビーム及び第2ワイドイオンビームは、互いに異なるドーズを有することを特徴とする請求項3に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1領域及び第2領域は、前記ウエハの全体面積の1/2に該当する領域であることを特徴とする請求項3に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1領域及び第2領域は、垂直方向への境界線により区分されることを特徴とする請求項5に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1領域は、前記境界線を基準に前記ウエハの周縁部に隣接する領域であり、前記第2領域は、前記境界線を基準に前記ウエハの中央に隣接する領域であることを特徴とする請求項6に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1領域及び第2領域は、前記ウエハの全体面積に該当する領域であることを特徴とする請求項3に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1領域及び第2領域は、垂直方向への第1境界線及び第2境界線により区分されることを特徴とする請求項8に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1領域は、前記第1境界線及び第2境界線を基準に前記ウエハの周縁部に隣接する領域であり、前記第2領域は、前記第1境界線及び第2境界線を基準に前記ウエハの中央に隣接する領域であることを特徴とする請求項9に記載の不均一イオン注入装置。
- 一連の複数個の単位第1マグネトロンから構成される第1マグネトロンと、これら単位第1マグネトロンと一定間隔だけ離れて相対向するように配置される一連の複数個の単位第2マグネトロンから構成される第2マグネトロンと、を備えてなり、前記第1マグネトロン及び第2マグネトロン間のウエハの領域に照射されるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、
前記ワイドイオンビーム生成器により形成されるワイドイオンビームが照射されるウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、
を備えることを特徴とする不均一イオン注入装置。 - 前記第1マグネトロンを構成する単位マグネトロンは、第1バイアスが印加される第1グループの第1単位マグネトロンと、前記第1バイアスと異なる大きさの第2バイアスが印加される第2グループの第1単位マグネトロンと、を含み、
前記第2マグネトロンを構成する単位マグネトロンは、前記第1バイアスが印加される第1グループの第2単位マグネトロンと、前記第2バイアスが印加される第2グループの第2単位マグネトロンと、を含むことを特徴とする請求項11に記載の不均一イオン注入装置。 - 前記第1グループの第1単位マグネトロンと前記第1グループの第2単位マグネトロンとの間に、第1ドーズを有する第1ワイドイオンビームが生成され、前記第2グループの第1単位マグネトロンと前記第2グループの第2単位マグネトロンとの間には、前記第1ドーズと異なる大きさの第2ドーズを有する第2ワイドイオンビームが生成されるように、前記第1グループの第1単位マグネトロン及び第1グループの第2単位マグネトロンが相対向するように配置され、前記第2グループの第1単位マグネトロン及び前記第2グループの第2単位マグネトロンが相対向するように配置されることを特徴とする請求項12に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1マグネトロンを構成する単位マグネトロンは、互いに離れて配置されて第1バイアスが印加される第1グループ及び第2グループの第1単位マグネトロンと、前記第1グループ及び第2グループの第1単位マグネトロンの間に配置されて前記第1バイアスと異なる大きさの第2バイアスが印加される第3グループの第1単位マグネトロンと、を有することを特徴とする請求項11に記載の不均一イオン注入装置。
- 前記第1及び第2グループの第1単位マグネトロンと前記第1及び第2グループの第2単位マグネトロンとの間に、第1ドーズを有する第1ワイドイオンビームが生成され、前記第3グループの第1単位マグネトロン及び前記第3グループの第2単位マグネトロンとの間には、前記第1ドーズと異なる大きさの第2ドーズを有する第2ワイドイオンビームが生成されるように、前記第1及び第2グループの第1単位マグネトロンと第1及び第2グループの第2単位マグネトロンがそれぞれ相対向するように配置され、前記第3グループの第1単位マグネトロン及び前記第3グループの第2単位マグネトロンが相対向して配置されることを特徴とする請求項14に記載の不均一イオン注入装置。
- 相異なる第1ドーズ及び第2ドーズを有する第1ワイドイオンビーム及び第2ワイドイオンビームからなるワイドイオンビームをウエハに照射する段階と、
前記ワイドイオンビームが前記ウエハに照射される間に、前記ウエハを一定方向に回転させる段階と、を備えることを特徴とする不均一イオン注入方法。 - 前記ワイドイオンビームと前記ウエハの全体面積のうち最大限でも半分以下の領域が重なるように前記ウエハを配置する段階をさらに備えることを特徴とする請求項16に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記第1ワイドイオンビームは、前記ウエハの周縁部に隣接する領域と重なり、前記第2ワイドイオンビームは、前記ウエハの中心に隣接する領域と重なるようにすることを特徴とする請求項17に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記ウエハを初期状態から上下または左右に一定距離だけ移動させて配置する段階をさらに備えることを特徴とする請求項17に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記第1ワイドイオンビームは、前記第2ワイドイオンビームの両側に分けて形成されることを特徴とする請求項16に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記ワイドイオンビームと前記ウエハの全体領域が重なるように前記ウエハを配置する段階をさらに備えることを特徴とする請求項20に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記第1ワイドイオンビームは、前記ウエハの両縁部に隣接する領域と重なり、前記第2ワイドイオンビームは、前記ウエハの中心に隣接する領域に重なるようにすることを特徴とする請求項21に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記ウエハを初期状態で上下または左右に一定距離だけ移動させて配置する段階をさらに備えることを特徴とする請求項21に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記ウエハは、20〜1500rpmの速度で回転されることを特徴とする請求項16に記載の不均一イオン注入方法。
- 前記ウエハは、複数回回転されることを特徴とする請求項16に記載の不均一イオン注入方法。
- 相異なるドーズを有する複数のワイドイオンビームをウエハに照射する段階と、
前記ワイドイオンビームが前記ウエハに照射される間に、前記ウエハを一定方向に回転させる段階と、
を備えることを特徴とする不均一イオン注入方法。
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