JP2007184596A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子の製造時に必要な多様な工程に対して必要とする多様な工程評価にかかるウェーハ枚数及びコストを最小化するように1枚のウェーハに対して多様な条件を適用して多様な構造及び多様な条件を有する素子を具現しうる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の複数の領域に各領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するステップを有する。または、半導体基板上の所定形状に区分された複数の領域に、各領域ごとに相異なる形状を有する複数の配線層を形成するステップと、前記配線層の形成後、前記複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するステップと、前記各小領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するように前記複数の小領域内にイオンビームを走査するステップとを有する。
【選択図】 図17
【解決手段】半導体基板の複数の領域に各領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するステップを有する。または、半導体基板上の所定形状に区分された複数の領域に、各領域ごとに相異なる形状を有する複数の配線層を形成するステップと、前記配線層の形成後、前記複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するステップと、前記各小領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するように前記複数の小領域内にイオンビームを走査するステップとを有する。
【選択図】 図17
Description
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子を構成する単位素子の製造時に具現しようとする最終製品に適した最適の工程条件の確立に必要なテスト用半導体素子を形成するに当って、1枚のウェーハ上に多様な条件下で製造される多様な単位素子を含む半導体素子の製造方法に関する。
半導体製造工程で最適の工程条件を探すか、または所定の工程条件で工程を進めた結果が望ましいか否かを確認するためのテスト工程を経る。テスト工程中には、工程結果物の厚さ、抵抗、粒子などを測定しなければならないが、その測定過程中にウェーハが破壊されるなどの理由によって、実際素子を具現したウェーハを対象とした工程テストを行えない場合が多い。
この場合、各工程の適当な位置に工程評価のための別途のブランク(blank)ウェーハをテスト用ウェーハとして使用し、これに対して実際のウェーハに対して行う工程と同様に行った後、このブランクウェーハに対して評価対象項目を、代わりに測定して該当工程を評価する。
この場合、各工程の適当な位置に工程評価のための別途のブランク(blank)ウェーハをテスト用ウェーハとして使用し、これに対して実際のウェーハに対して行う工程と同様に行った後、このブランクウェーハに対して評価対象項目を、代わりに測定して該当工程を評価する。
テスト用ウェーハは、テストの必要な工程数の増大によって増加し、その結果、半導体チップの生産コストが高まる。特に、イオン注入工程が含まれる一連の工程を経たテストウェーハは実質的に再使用することが難しい。
従来の技術による工程評価方法では、イオン注入工程に対する工程評価のために1枚のウェーハ上に1つの工程条件を適用してテスト用素子を具現した。それにより、テストの必要なイオン注入条件の数によってそれに対応する枚数のウェーハを使用し、各ウェーハごとに異なるイオン注入条件を適用してテストした。
そして、1枚のウェーハに対してはウェーハ全面に亙って均一な条件でイオン注入するために1つの条件で制御されたイオンビームを均一な速度でウェーハ全面にスキャンニングするか、1つの条件で制御されたイオンビームが所定位置に固定された状態でウェーハを均一な速度で移動させた。
従来の技術による工程評価方法では、イオン注入工程に対する工程評価のために1枚のウェーハ上に1つの工程条件を適用してテスト用素子を具現した。それにより、テストの必要なイオン注入条件の数によってそれに対応する枚数のウェーハを使用し、各ウェーハごとに異なるイオン注入条件を適用してテストした。
そして、1枚のウェーハに対してはウェーハ全面に亙って均一な条件でイオン注入するために1つの条件で制御されたイオンビームを均一な速度でウェーハ全面にスキャンニングするか、1つの条件で制御されたイオンビームが所定位置に固定された状態でウェーハを均一な速度で移動させた。
上記のような従来技術によって工程評価を実施する場合、テストに必要なウェーハ数は、生産される実際のウェーハの物量とイオン注入工程の回数とが増加することによって増加する。また、イオン注入工程と大きな連関性を有する他の工程、例えば、フォトリソグラフィ工程でテストしようとする多様な工程変数とイオン注入工程でテストしようとする多様な工程変数とを組み合わせたあらゆる場合に対して工程評価をしようとする場合には、工程評価にかかるウェーハ枚数が幾何級数的に増加する。その結果、半導体チップの生産コストが過度に増大し、また、工程評価用ウェーハに対して評価のための所定の工程を行うのに長時間がかかって生産性向上の側面で望ましくないという問題があった。
そこで、本発明は上記従来の半導体素子の製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、半導体素子の製造時に必要な多様な工程に対して必要とする多様な工程評価にかかるウェーハ枚数及びコストを最小化するように1枚のウェーハに対して多様な条件を適用して多様な構造及び多様な条件を有する素子を具現しうる半導体素子の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明による半導体素子の製造方法は、半導体基板の複数の領域に各領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するステップを有することを特徴とする。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量、ドーパントの種類、イオン注入エネルギー、イオン注入角度、及びイオン注入時の半導体基板のノッチ方向からなる群から選択される少なくとも1つであることが好ましい。
前記イオンビームを走査するステップは、静電スキャン方式、機械的スキャン方式、またはハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置を使用して行われることが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板上で所定方向に沿ってイオンビームのスキャン速度を変化させるステップをさらに有することが好ましい。
前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より長いことが好ましい。
また、前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より短いことが好ましい。
また、前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップをさらに有することが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を垂直方向に移動させることが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を水平方向に移動させることが好ましい。
前記イオンビームを走査するステップは、静電スキャン方式、機械的スキャン方式、またはハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置を使用して行われることが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板上で所定方向に沿ってイオンビームのスキャン速度を変化させるステップをさらに有することが好ましい。
前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より長いことが好ましい。
また、前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より短いことが好ましい。
また、前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップをさらに有することが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を垂直方向に移動させることが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を水平方向に移動させることが好ましい。
前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことが好ましい。
ここで、前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
また、前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことが好ましい。
ここで、前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として前記半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
前記イオンビームの走査後、前記複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するステップと、各小領域ごとに相異なる形状を有するように前記複数の小領域内に複数の配線層を形成するステップとをさらに有することが好ましい。
前記配線層は、ワードライン、ビットライン、キャパシタの電極、ヒューズ、または導電性パッドを構成することが好ましい。
前記配線層は、ワードラインであり、前記ワードラインは、前記各小領域によって相異なるライン幅を有することが好ましい。
ここで、前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
また、前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことが好ましい。
ここで、前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として前記半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
前記イオンビームの走査後、前記複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するステップと、各小領域ごとに相異なる形状を有するように前記複数の小領域内に複数の配線層を形成するステップとをさらに有することが好ましい。
前記配線層は、ワードライン、ビットライン、キャパシタの電極、ヒューズ、または導電性パッドを構成することが好ましい。
前記配線層は、ワードラインであり、前記ワードラインは、前記各小領域によって相異なるライン幅を有することが好ましい。
また、上記目的を達成するためになされた本発明による半導体素子の製造方法は、半導体基板上の所定形状に区分された複数の領域に、各領域ごとに相異なる形状を有する複数の配線層を形成するステップと、前記配線層の形成後、前記複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するステップと、前記各小領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するように前記複数の小領域内にイオンビームを走査するステップとを有することを特徴とする。
前記配線層は、ゲート電極層であり、該ゲート電極層は、前記各領域ごとに相異なるゲート長を有することが好ましい。
前記イオンビーム走査により前記ゲート電極層の下で前記半導体基板内にゲート電極層により構成されるトランジスタのスレッショルド電圧調節用イオン注入領域、ソース及びドレイン領域、浅いイオン注入(shallow ion implant)領域、及びLDD(lightly doped drain)領域からなる群から選択される1つの領域を形成することが好ましい。
前記イオンビームの走査により前記配線層に不純物イオンがドーピングされることが好ましい。
前記イオンビームを走査するステップは、静電スキャン方式、機械的スキャン方式、またはハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置を使用して行われることが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の小領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板上で所定方向に沿ってイオンビームのスキャン速度を変化させるステップをさらに有することが好ましい。
前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より長いことが好ましい。
前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より短いことが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の小領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップをさらに有することが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を垂直方向に移動させることが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を水平方向に移動させることが好ましい。
前記イオンビーム走査により前記ゲート電極層の下で前記半導体基板内にゲート電極層により構成されるトランジスタのスレッショルド電圧調節用イオン注入領域、ソース及びドレイン領域、浅いイオン注入(shallow ion implant)領域、及びLDD(lightly doped drain)領域からなる群から選択される1つの領域を形成することが好ましい。
前記イオンビームの走査により前記配線層に不純物イオンがドーピングされることが好ましい。
前記イオンビームを走査するステップは、静電スキャン方式、機械的スキャン方式、またはハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置を使用して行われることが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の小領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板上で所定方向に沿ってイオンビームのスキャン速度を変化させるステップをさらに有することが好ましい。
前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より長いことが好ましい。
前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より短いことが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記複数の小領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップをさらに有することが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を垂直方向に移動させることが好ましい。
前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を水平方向に移動させることが好ましい。
前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことが好ましい。
前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことが好ましい。
前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことが好ましい。
前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことが好ましい。
本発明に係る半導体素子の製造方法によれば、1枚の半導体ウェーハに対して所望の領域によって多様な条件を適用して多様な構造及び多様な条件を有する素子を製造することによって、1枚のウェーハを使用して多様な工程評価を実施できるという効果がある。したがって、半導体素子の製造時に必要な多様な工程に対して必要とする多様な工程評価にかかるウェーハ枚数及びコストを最小化できるという効果がある。また、本発明によれば、単純な方法により多様な工程評価を行うことによって、TAT(turn around time)を短縮し、多様な工程評価を試みることが容易であるので、工程評価の効率及び正確性を向上できるという効果がある。したがって、開発製品の早期量産性の確保に寄与できるという効果がある。
次に、本発明に係る半導体素子の製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するための概略的なフローチャートである。
図1は、本発明の第1の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するための概略的なフローチャートである。
図1を参照すると、(ステップS12)で、半導体基板の複数の領域に各領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査する。
このために、半導体基板を多様な形状を有する複数の領域に区分しうる。
このために、半導体基板を多様な形状を有する複数の領域に区分しうる。
図2〜図7は、半導体基板100を複数の領域に区分した多様な例を示す図面である。
図2、図3及び図4は、半導体基板100を多様な形状を有する3個の領域に区分し、これら3つの領域に各々A1、A2及びA3の相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査した場合を例示した図面である。
図2、図3及び図4は、半導体基板100を多様な形状を有する3個の領域に区分し、これら3つの領域に各々A1、A2及びA3の相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査した場合を例示した図面である。
図5は、半導体基板100を4つの領域に区分し、これら4つの領域に各々A1、A2、A3及びA4の相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査した場合を例示した図面である。図6は、半導体基板100を5個の領域に区分し、これら5つの領域に各々A1、A2、A3、A4及びA5の相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査した場合を例示した図面である。図7は、半導体基板100を9個の領域に区分し、これら9つの領域に各々A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8及びA9の相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査した場合を例示した図面である。
図2〜図7において、参照符号“100a”は、ノッチを示す。図2〜図7において、それぞれの区分された複数の領域とノッチ100aとの位置関係は、図に示したものに制限されるものではなく、複数の領域を多様な方向に区分しうる。また、図2〜図7に例示されているそれぞれの区分された領域の形状及び数は、これらに制限されるものではなく、多様な形状及び領域数を有するように複数の領域に区分しうる。
A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8及びA9で表示されるイオン注入条件は、各々イオン注入時のドーズ量、ドーパントの種類、イオン注入エネルギー、イオン注入角度、イオン注入時の半導体基板のノッチ方向などイオン注入工程時に考慮されるべき工程変数のうち、選択される少なくとも1つの条件を意味する。
図2〜図7に例示された複数の領域に対してイオンビームを走査するに当っては、静電スキャン(electrostatic scan)方式、機械的スキャン(mechanical scan)方式、及びハイブリッドスキャン(hybrid scan)方式を含む多様なイオン注入装置を利用しうる。
図8は、本発明による半導体素子の製造方法によってイオンビーム30を半導体基板100に走査するために静電スキャン方式のイオン注入装置を用いる場合を例示した概略図である。静電スキャン方式のイオン注入装置では、駆動軸102に設けられた静電チャック(図示せず)に半導体基板100が固定された状態でイオンビーム30の経路でX方向、すなわち、水平方向に沿って往復スキャンを反復して半導体基板100にイオンビームが走査される。
図8を参照すれば、所定長さLaを有するスリット42aを通じてイオンビーム30を半導体基板100に走査する時、イオン注入条件のうち、イオン注入時のドーズ量を半導体基板100上に区分された複数の領域によって各々異ならせるために、半導体基板100上に走査されるイオンビームのスキャン速度を変化させうる。図8には、イオンビームの走査時にイオンビームのドーズ量を変化させるためにイオンビームのスキャン速度が変化する過程を矢印52、54、56で図式化した。図8で、各矢印52、54、56の厚さがイオンビームスキャン速度に比例することを示す。図8に例示されたようにイオンビームスキャン速度を変化させた場合、図3に例示されたように区分された複数の領域に各々相異なるドーズ量を有するイオンビームを走査しうる。
図8に例示したイオンビームスキャンの場合において、イオンビーム30がスリット42aを通じて半導体基板100に走査されてX方向に1回スキャンされる時のスキャン長Laは、半導体基板100の直径より大きくなる。しかし、本発明はこれに限定されない。すなわち、イオンビーム30を走査する時、イオンビーム30の1回スキャン長は、半導体基板100の直径より小さく設定することもできる。
図9は、イオンビーム30を走査する時、イオンビーム30の1回スキャン長を多様に設定するためのイオン注入装置を使用する場合を例示した概略図である。すなわち、図9の例では、イオンビーム30が半導体基板100に走査されてX方向に1回スキャンされる時のスキャン長Laが半導体基板100の直径より大きくなるスリット42aを含むことに加えて、イオンビーム30を走査する時、イオンビーム30の1回スキャン長を半導体基板100の直径より小さく設定するために、イオンビーム30の1回スキャン長が半導体基板100の直径より小さい長さLb、Lcを有するスリット42b、42cがさらに含まれているイオン注入装置を使用する場合を例示した図面である。
図9で、半導体基板100上には、スリット42b、42cのそれぞれの長さLb、Lcにより制限される領域の幅ほどイオンビームが走査されうる。必要によって、図9に例示したように多様なスキャン長La、Lb、Lcを有する複数のスリット42a、42b、43cを備えるか、これらのうち、少なくとも2個のスリットを備えたイオン注入装置を使用しうる。これら複数のスリット42a、42b、43cのうち、必要なスリットを選択的に使用するか、これらを順次に組み合わせて使用しつつ、半導体基板100にイオンビームを走査することによって、半導体基板100上の所望の位置で所望の幅ほどイオン注入を行える。
また、複数のスリット42a、42b、43cを通過するイオンビーム30は、図8に例示したようにそのスキャン方向に沿って可変する速度でスキャンされてX方向に沿うスキャン距離によってスキャン速度を変化させうる。
図9に例示したイオン注入方法によって半導体基板100にイオンビームを走査する場合には、スリット長、位置及び幅を必要によって選択的に適用することによって、そのスリットを通過するイオンビームが半導体基板100上に走査される領域の位置及び幅を自由に制御しうる。このために所望の多様な種類のスリットを備えるカスタマイズ型イオン注入装置を使用しうる。
図9に例示したイオン注入方法によって半導体基板100にイオンビームを走査する場合には、スリット長、位置及び幅を必要によって選択的に適用することによって、そのスリットを通過するイオンビームが半導体基板100上に走査される領域の位置及び幅を自由に制御しうる。このために所望の多様な種類のスリットを備えるカスタマイズ型イオン注入装置を使用しうる。
図10は、本発明による半導体素子の製造方法によってイオンビーム30を半導体基板100に走査するために機械的スキャン方式のイオン注入装置を用いる場合を例示した概略図である。機械的スキャン方式のイオン注入装置では、イオンビーム30の位置が固定された状態で半導体基板100の位置をX方向に沿う水平方向またはY方向に沿う垂直方向に移動させるか、半導体基板100を回転移動させつつ、イオンビーム30を走査する。
図10を参照すると、位置決めされているイオンビーム30を半導体基板100に走査する時、イオン注入条件のうち、イオン注入時のドーズ量を半導体基板100上に区分された複数の領域によって各々異ならせるために、イオンビーム30に対する半導体基板100の相対的な位置を可変する速度で移動させうる。
図10には、イオンビームの走査時にイオンビームのドーズ量を変化させるために半導体基板100の水平方向の移動速度が変化する過程を矢印151、152、153、156、155、154で図式化した。また、図10には、イオンビームの走査時にイオンビームのドーズ量を変化させるために半導体基板100の垂直方向の移動速度が変化する過程を矢印161、162、163、166、165、164で図式化した。図10で、各矢印で表示した方向及び移動速度は必要なイオン注入条件によって多様に選択されうる。
図10で、各矢印の厚さは、半導体基板100の移動速度に比例することを示す。図10に例示したように、半導体基板100の移動速度を変化させた場合、半導体基板100上に区分された複数の領域に各々異なるドーズ量を有するイオンビームを走査しうる。
図10で、各矢印の厚さは、半導体基板100の移動速度に比例することを示す。図10に例示したように、半導体基板100の移動速度を変化させた場合、半導体基板100上に区分された複数の領域に各々異なるドーズ量を有するイオンビームを走査しうる。
上記説明で、図8〜図10を参照して説明したイオン注入方法は、混合スキャン(hybrid scan)方式のイオン注入装置を用いても同じ効果が得られる。混合スキャン方式のイオン注入装置では、イオンビームが平面上である一方向にのみ移動し、半導体基板100がこれと直交して移動しつつ、イオンビームが半導体基板100に走査される。
また、図8〜図10を参照して説明したイオン注入方法、または混合スキャン方式のイオン注入装置を用いる場合の各々において、イオンビームの所定方向へのスキャン速度を変化させるのに、半導体基板100の回転移動を組み合わせるか、または半導体基板100の所定方向への移動速度を変化させるのに、半導体基板100の回転移動を組み合わせることによって、半導体基板上に多様なイオン注入条件を有する複数の領域を形成しうる。
図11〜図13は、図8または図9に例示した静電スキャン方式、または図10に例示した機械的スキャン方式で半導体基板100に線形的な経路によってイオンビームを走査する場合と、半導体基板100を回転させる場合を順次に組み合わせて半導体基板100に多様な条件でイオン注入された複数の領域を形成する過程を順次に説明するための図面である。
図11を参照すると、まず半導体基板100を3つの領域に区分し、これら3つの領域に各々A、B、及びCの相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査する。A、B、及びCで表示されるイオン注入条件は、各々イオン注入時のドーズ量、ドーパントの種類、イオン注入エネルギー、イオン注入角度、イオン注入時の半導体基板のノッチ方向などイオン注入工程時に考慮せねばならない工程変数のうちから、選択される少なくとも1つの条件を意味する。その後、半導体基板100を矢印R1方向に沿って90゜回転させる。
図12を参照すると、図11でのように半導体基板100が回転された結果としてノッチ100aの方向が90゜転換された状態で、半導体基板100を再び3つの領域に区分し、これら3つの領域に各々a、b、及びcの相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査する。a、b、及びcで表示されるイオン注入条件は、各々イオン注入時のドーズ量、ドーパントの種類、イオン注入エネルギー、イオン注入角度などイオン注入工程時に考慮せねばならない工程変数のうちから選択される少なくとも1つの条件を意味する。
a、b、及びcの相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査した結果、半導体基板100上で、図11で区分された3つの領域が各々3つの領域に分けられ、半導体基板100には相異なるイオン注入条件でイオン注入された9個の領域が形成される。その後、半導体基板100を矢印R2方向に沿って90゜回転させる。
a、b、及びcの相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査した結果、半導体基板100上で、図11で区分された3つの領域が各々3つの領域に分けられ、半導体基板100には相異なるイオン注入条件でイオン注入された9個の領域が形成される。その後、半導体基板100を矢印R2方向に沿って90゜回転させる。
図13を参照すると、図12のように半導体基板100が回転された結果としてノッチ100aの方向が90゜転換された状態で、半導体基板100を再び3つの領域に区分し、これら3つの領域に各々I、II、及びIIIの相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査する。I、II、及びIIIで表示されるイオン注入条件は、各々イオン注入時のドーズ量、ドーパントの種類、イオン注入エネルギー、イオン注入角度などイオン注入工程時に考慮せねばならない工程変数のうちから、選択される少なくとも1つの条件を意味する。その結果、半導体基板100上には、図7に例示したような相異なるイオン注入条件でイオン注入された9個の領域が形成される。
図11〜図13において、それぞれの区分された複数の領域とノッチ100aとの位置関係は、図に示したところに制限されるものではなく、複数の領域を多様な方向に区分しうる。また、図11〜図13に例示したそれぞれの区分された領域の形状及び数は、これらに制限されず、多様な形状及び領域数を有するように複数の領域に区分しうる。
再び図1を参照すると、(ステップS12)で相異なるイオン注入条件で半導体基板100にイオンビームを走査して、半導体基板100に相異なるイオン注入条件を有する複数の領域が形成されたならば、(ステップS14)で半導体基板100上の複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を再び複数の小領域に区分する。
その後、(ステップS16)で、各小領域ごとに相異なる形状を有するように複数の配線層を形成する。
次に、(ステップS18)で、相異なるイオン注入条件でイオンビームが走査された半導体基板100上の複数の領域または複数の小領域のパラメータを測定して工程評価を行う。
その後、(ステップS16)で、各小領域ごとに相異なる形状を有するように複数の配線層を形成する。
次に、(ステップS18)で、相異なるイオン注入条件でイオンビームが走査された半導体基板100上の複数の領域または複数の小領域のパラメータを測定して工程評価を行う。
図14〜図16は、半導体基板100を複数の領域に区分し、これら複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を多様な方法で複数の小領域に区分した後、これら区分された各小領域に相異なる条件で配線層を形成した場合を例示した図面である。
図14は、図6に例示したようにA1、A2、A3、A4及びA5の相異なるイオン注入条件でイオンビームが各々走査されて5つの領域に区分された半導体基板100を再び3つの小領域、すなわち、第1小領域SUB−1、第2小領域SUB−2及び第3小領域SUB−3に区分し、これら3つの小領域に相異なる3つの条件、すなわち、P1、Q1及びR1のフォトリソグラフィ工程によって配線層を形成した結果を示す図面である。
図15は、図6に例示したようにA1、A2、A3、A4及びA5の相異なるイオン注入条件でイオンビームが各々走査されて5つの領域に区分された半導体基板を再び3つの小領域、すなわち、第1小領域SUB−1、第2小領域SUB−2及び第3小領域SUB−3に区分し、これら3つの小領域に相異なる3つの条件、すなわち、P2、Q2及びR2のフォトリソグラフィ工程によって配線層を形成した結果を示す図面である。
図16は、図2に例示したようにA1、A2及びA3の相異なるイオン注入条件でイオンビームが各々走査されて3つの領域に区分された半導体基板100を再び3つの小領域、すなわち、第1小領域SUB−1、第2小領域SUB−2及び第3小領域SUB−3に区分し、これら3つの小領域に相異なる3つの条件、すなわち、P3、Q3及びR3のフォトリソグラフィ工程によって配線層を形成した結果を示す図面である。
図14、図15及び図16それぞれの場合において、P1、Q1及びR1の条件、P2、Q2及びR2の条件、そしてP3、Q3及びR3の条件は、各々異なるフォトリソグラフィ工程の結果として得られた相異なる幅を有する配線層を意味しうる。例えば、配線層は、半導体素子の製造に必要なワードライン、ビットライン、キャパシタの電極、ヒューズ、導電性パッドなど多様な部分を構成しうる。配線層がゲート電極を構成するワードラインである場合、各小領域ごとにゲート長が互いに異なるように相異なるフォトリソグラフィ工程を適用しうる。
図1に例示したフローチャートでは半導体基板100上に多様なイオン注入条件をまず適用した複数の領域を区分した後、複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分し、これら小領域に相異なる形状の複数の配線層を形成する順序によって半導体素子を形成する工程を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、半導体基板上に具現しようとする単位素子の種類によってイオン注入工程と配線層形成のためのフォトリソグラフィ工程の順序を互いに変えても良い。
図17は、本発明の第2の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するための概略的なフローチャートである。図17を参照して説明する第2の実施形態は、半導体基板100上に多様なフォトリソグラフィ工程条件が適用された配線層をまず形成した後、半導体基板100上に多様な条件のイオン注入工程を適用することを除いては、第1の実施形態と類似している。
図17を参照して本発明の第2の実施形態による半導体素子の製造方法についてさらに詳細に説明すれば次の通りである。
まず、(ステップS82)で、半導体基板上の所定形状に区分された複数の領域に各領域ごとに相異なる形状を有する複数の配線層を形成する。
まず、(ステップS82)で、半導体基板上の所定形状に区分された複数の領域に各領域ごとに相異なる形状を有する複数の配線層を形成する。
このために図18〜図20に例示したように多様な形状を有する複数の領域に相異なるフォトリソグラフィ条件を適用して各領域ごとに多様な配線層を形成しうる。
図18は、半導体基板100を3個の領域に区分し、これら領域に各々P1、Q1及びR1の相異なるフォトリソグラフィ条件を適用して複数の配線層を形成した場合を示す。図19は、半導体基板100を3つの領域に区分し、これら領域に各々P2、Q2及びR2の相異なるフォトリソグラフィ条件を適用して複数の配線層を形成した場合を示す。図20は、半導体基板100を4つの領域に区分し、これら領域に各々P3、Q3、R3及びS3の相異なるフォトリソグラフィ条件を適用して複数の配線層を形成した場合を示す。
図18は、半導体基板100を3個の領域に区分し、これら領域に各々P1、Q1及びR1の相異なるフォトリソグラフィ条件を適用して複数の配線層を形成した場合を示す。図19は、半導体基板100を3つの領域に区分し、これら領域に各々P2、Q2及びR2の相異なるフォトリソグラフィ条件を適用して複数の配線層を形成した場合を示す。図20は、半導体基板100を4つの領域に区分し、これら領域に各々P3、Q3、R3及びS3の相異なるフォトリソグラフィ条件を適用して複数の配線層を形成した場合を示す。
図17の(ステップS84)で、配線層の形成後、複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分する。この際、半導体基板で少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するために、図2〜図7に例示した場合を同一に適用しうる。
図17の(ステップS86)で、各小領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームが走査されるように複数の小領域内にイオンビームを走査する。この際、図8〜図10、そして図11〜図13に例示したような多様な組合わせのイオン注入条件を適用しうる。
図17の(ステップS86)で、各小領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームが走査されるように複数の小領域内にイオンビームを走査する。この際、図8〜図10、そして図11〜図13に例示したような多様な組合わせのイオン注入条件を適用しうる。
例えば、(ステップS82)で形成した配線層がゲート電極層である場合、(ステップS86)で行ったイオンビームの走査によりゲート電極層下で半導体基板内にゲート電極層により構成されるトランジスタのスレッショルド電圧調節用イオン注入領域、ソース及びドレイン領域、浅いイオン注入(shallow ion implant)領域、またはLDD(lightly doped drain)領域が形成されうる。または、(ステップS86)で行ったイオンビーム走査により(ステップS82)で形成した配線層が不純物イオンでドーピングされることもある。
その結果、(ステップS82)で多様な方法で区分されうる複数の領域と、(ステップS84)で多様な方法で区分されうる複数の小領域との組み合わせの結果で得られる多様な場合の数ほど半導体基板100上に多様な条件が適用された半導体素子が具現される。
次に、(ステップS88)で、複数の領域または複数の小領域のパラメータを測定する。
次に、(ステップS88)で、複数の領域または複数の小領域のパラメータを測定する。
図21は、図1または図17を参照して説明した本発明による半導体素子の製造方法によって図16に例示した条件で半導体基板上にテスト用半導体素子を具現した場合と従来技術の場合を示す表である。
図21から分かるように、従来技術によって各条件ごとに相異なるウェーハを使用して半導体素子を具現する場合、9枚のウェーハがかかる一方、本発明による方法により半導体素子を製造した場合、9種の条件を1枚のウェーハに具現することが可能であるということが分かる。
図21から分かるように、従来技術によって各条件ごとに相異なるウェーハを使用して半導体素子を具現する場合、9枚のウェーハがかかる一方、本発明による方法により半導体素子を製造した場合、9種の条件を1枚のウェーハに具現することが可能であるということが分かる。
前述の実施形態では、半導体素子の製造のための工程条件としてイオン注入条件及びフォトリソグラフィ条件を適用する場合と、これらを組み合わせた場合のみを例として説明したが、本発明はこれに限定されない。当業者ならば、本発明の範囲内で本発明の基本思想を逸脱せず、半導体素子の製造に必要な多様な工程条件を適用することができ、また多様な工程のうち、選択される複数の相異なる工程を組み合わせ、これを組み合わせに使われた各工程に対して各々多様な条件を適用した半導体素子を1枚のウェーハに具現可能なことを理解できるであろう。
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
本発明による半導体素子の製造方法は、大規模、高集積半導体回路素子の製造に有効に適用されうる。
30 イオンビーム
42a、42b、42c スリット
100 半導体基板
102 駆動軸
100a ノッチ
42a、42b、42c スリット
100 半導体基板
102 駆動軸
100a ノッチ
Claims (32)
- 半導体基板の複数の領域に各領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するステップを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量、ドーパントの種類、イオン注入エネルギー、イオン注入角度、及びイオン注入時の半導体基板のノッチ方向からなる群から選択される少なくとも1つであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームを走査するステップは、静電スキャン方式、機械的スキャン方式、またはハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置を使用して行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、
前記複数の領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板上で所定方向に沿ってイオンビームのスキャン速度を変化させるステップをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より長いことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より短いことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、
前記複数の領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を垂直方向に移動させることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を水平方向に移動させることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、
前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、
前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、
前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として前記半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームの走査後、前記複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するステップと、
各小領域ごとに相異なる形状を有するように前記複数の小領域内に複数の配線層を形成するステップとをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記配線層は、ワードライン、ビットライン、キャパシタの電極、ヒューズ、または導電性パッドを構成することを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記配線層は、ワードラインであり、前記ワードラインは、前記各小領域によって相異なるライン幅を有することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子の製造方法。
- 半導体基板上の所定形状に区分された複数の領域に、各領域ごとに相異なる形状を有する複数の配線層を形成するステップと、
前記配線層の形成後、前記複数の領域のうち、少なくとも1つの領域を複数の小領域に区分するステップと、
前記各小領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するように前記複数の小領域内にイオンビームを走査するステップとを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記配線層は、ゲート電極層であり、該ゲート電極層は、前記各領域ごとに相異なるゲート長を有することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビーム走査により前記ゲート電極層の下で前記半導体基板内にゲート電極層により構成されるトランジスタのスレッショルド電圧調節用イオン注入領域、ソース及びドレイン領域、浅いイオン注入(shallow ion implant)領域、及びLDD(lightly doped drain)領域からなる群から選択される1つの領域を形成することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームの走査により前記配線層に不純物イオンがドーピングされることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量、ドーパントの種類、イオン注入エネルギー、イオン注入角度、及びイオン注入時の半導体基板のノッチ方向からなる群から選択される少なくとも1つであることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームを走査するステップは、静電スキャン方式、機械的スキャン方式、またはハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置を使用して行われることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、
前記複数の小領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板上で所定方向に沿ってイオンビームのスキャン速度を変化させるステップをさらに有することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より長いことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームの走査時の前記イオンビームの1回スキャン長は、前記半導体基板の直径より短いことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、
前記複数の小領域で各領域ごとにイオン注入ドーズ量を異ならせるために、前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップをさらに有することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を垂直方向に移動させることを特徴とする請求項26に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体基板の位置を可変する速度で移動させるステップでは、前記半導体基板の位置を水平方向に移動させることを特徴とする請求項26に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、
前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオン注入条件を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入条件は、イオン注入時のドーズ量であり、
前記イオンビームを走査するステップは、前記半導体基板のノッチが第1方向に向う位置で半導体基板上の第1進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップと、
前記半導体基板のノッチが前記第1方向と異なる第2方向に向う位置で半導体基板上で前記第1進行方向とは異なる第2進行方向に沿って前記イオンビームのスキャン速度を変化させつつ、半導体基板にイオンビームを走査するステップとを含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板のノッチを前記第1方向から前記第2方向に変位させるために前記半導体基板の中心を回転軸として半導体基板を所定角度ほど回転させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項31に記載の半導体素子の製造方法。
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