JP2001229871A - イオン注入装置 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1475—Scanning means magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオンビームのスキャンによる軌道を磁場に
よって調整すること。 【解決手段】 イオン源１００からのイオンビーム１０
０を質量分離器１２でＸＺ面に沿って偏向して、特定の
質量のイオンビームを抽出し、このイオンビーム１００
を後段加速管１６で加速し、このイオンビーム１００に
対してスキャン用電磁石１８で磁場強度を時間的に変化
させてイオンビーム１００をＸＺ面に沿ってスキャンす
る。スキャンされたイオンビーム１００に対して角度補
正用電磁石２０で磁場強度を時間的に変化させてイオン
ビーム１００のスキャン面におけるスキャン角度を補正
し、補正されたイオンビーム１００をウエハ３４に注入
する。
よって調整すること。 【解決手段】 イオン源１００からのイオンビーム１０
０を質量分離器１２でＸＺ面に沿って偏向して、特定の
質量のイオンビームを抽出し、このイオンビーム１００
を後段加速管１６で加速し、このイオンビーム１００に
対してスキャン用電磁石１８で磁場強度を時間的に変化
させてイオンビーム１００をＸＺ面に沿ってスキャンす
る。スキャンされたイオンビーム１００に対して角度補
正用電磁石２０で磁場強度を時間的に変化させてイオン
ビーム１００のスキャン面におけるスキャン角度を補正
し、補正されたイオンビーム１００をウエハ３４に注入
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置に
係り、特に、イオンビームをスキャンしながら注入対象
にイオンを注入するに好適なイオン注入装置に関する。
係り、特に、イオンビームをスキャンしながら注入対象
にイオンを注入するに好適なイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハ（基板）にイオンを注入す
るイオン注入装置として、ウエハを複数個回転円板に取
付け、回転円板とともに回転するウエハに対してイオン
源からのイオンビームを伝送するときに、磁場を用いて
イオンビームをスキャンしながらウエハ全面にイオンを
注入するようにした磁場スキャン型イオン注入装置が知
られている。この磁場スキャン型イオン注入装置は、イ
オン源から発生したイオンビームに対して質量分離器で
固定磁場を与えてイオンビームを偏向し、イオン源から
発生したイオンビームの中から特定の質量のイオンビー
ム、例えば、Ｏ＋のイオンビームを分離して抽出し、抽
出されたイオンビームに対してスキャン用電磁石によっ
て固定磁場を与えて質量分離器の偏向面（ＸＺ面）に対
して垂直な面（ＹＺ面）に偏向し、偏向されたイオンビ
ームに対して角度補正用電磁石によって固定磁場を与え
て、ＹＺ面内でウエハのどの面内でも同じ注入角度にな
るようにイオンビームを偏向し、偏向されたイオンビー
ムをウエハに注入するようになっている。この場合、ス
キャン用電磁石と角度補正用電磁石は時間的に磁場強度
が変化しない固定磁場を形成しているので、スキャン用
電磁石と角度補正用電磁石において、質量分離器の偏向
面（ＸＺ面）に対して直角方向にスキャンするに際し
て、スキャン用電磁石と角度補正用電磁石の磁極のうち
イオンビームの伝送路を形成する磁極の端面がわん曲面
に加工されており、このわん曲面の形状によってスキャ
ンしたイオンビームのビーム幅の変化を補正することが
できる。
るイオン注入装置として、ウエハを複数個回転円板に取
付け、回転円板とともに回転するウエハに対してイオン
源からのイオンビームを伝送するときに、磁場を用いて
イオンビームをスキャンしながらウエハ全面にイオンを
注入するようにした磁場スキャン型イオン注入装置が知
られている。この磁場スキャン型イオン注入装置は、イ
オン源から発生したイオンビームに対して質量分離器で
固定磁場を与えてイオンビームを偏向し、イオン源から
発生したイオンビームの中から特定の質量のイオンビー
ム、例えば、Ｏ＋のイオンビームを分離して抽出し、抽
出されたイオンビームに対してスキャン用電磁石によっ
て固定磁場を与えて質量分離器の偏向面（ＸＺ面）に対
して垂直な面（ＹＺ面）に偏向し、偏向されたイオンビ
ームに対して角度補正用電磁石によって固定磁場を与え
て、ＹＺ面内でウエハのどの面内でも同じ注入角度にな
るようにイオンビームを偏向し、偏向されたイオンビー
ムをウエハに注入するようになっている。この場合、ス
キャン用電磁石と角度補正用電磁石は時間的に磁場強度
が変化しない固定磁場を形成しているので、スキャン用
電磁石と角度補正用電磁石において、質量分離器の偏向
面（ＸＺ面）に対して直角方向にスキャンするに際し
て、スキャン用電磁石と角度補正用電磁石の磁極のうち
イオンビームの伝送路を形成する磁極の端面がわん曲面
に加工されており、このわん曲面の形状によってスキャ
ンしたイオンビームのビーム幅の変化を補正することが
できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、ス
キャン用電磁石と角度補正用電磁石は時間的に磁場強度
が変化しない固定磁場を形成するようになっているの
で、イオンビームをスキャンするために、スキャン用電
磁石と角度補正用電磁石の磁極の端面をわん曲面に加工
しなければならず、磁極の加工が困難であるとともに加
工作業に多くの時間を要していた。また、スキャン用電
磁石と角度補正用電磁石の位置はイオンビームの収束点
などから決定され、決定された位置に各磁石が固定され
るため、イオンビームのビーム形状がイオン源の引出条
件で変化し、設計時のイオンビームの軌道と違う場合で
も、イオンビームの軌道を補正することが困難であり、
ウエハに注入されたイオンの均一性が悪化する。さら
に、各磁石の磁極の形状によってはイオンビームのスキ
ャンに伴ってイオンビームの形状が変化する割合が大き
くなる。
キャン用電磁石と角度補正用電磁石は時間的に磁場強度
が変化しない固定磁場を形成するようになっているの
で、イオンビームをスキャンするために、スキャン用電
磁石と角度補正用電磁石の磁極の端面をわん曲面に加工
しなければならず、磁極の加工が困難であるとともに加
工作業に多くの時間を要していた。また、スキャン用電
磁石と角度補正用電磁石の位置はイオンビームの収束点
などから決定され、決定された位置に各磁石が固定され
るため、イオンビームのビーム形状がイオン源の引出条
件で変化し、設計時のイオンビームの軌道と違う場合で
も、イオンビームの軌道を補正することが困難であり、
ウエハに注入されたイオンの均一性が悪化する。さら
に、各磁石の磁極の形状によってはイオンビームのスキ
ャンに伴ってイオンビームの形状が変化する割合が大き
くなる。
【０００４】本発明の目的は、イオンビームのスキャン
による軌道を磁場によって調整することができるイオン
注入装置を提供することにある。
による軌道を磁場によって調整することができるイオン
注入装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、イオン源から発生したイオンビームに対
して磁場を与えて前記イオンビームを偏向し前記イオン
源から発生したイオンビームの中から特定の質量のイオ
ンビームを分離して抽出する質量分離手段と、この質量
分離手段により抽出されたイオンビームに対して磁場強
度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビームをスキ
ャンするスキャン手段と、このスキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームのスキャン面におけるスキャン
角度を補正し補正されたイオンビームを注入対象に注入
する角度補正手段とを備えてなるイオン注入装置を構成
したものである。
に、本発明は、イオン源から発生したイオンビームに対
して磁場を与えて前記イオンビームを偏向し前記イオン
源から発生したイオンビームの中から特定の質量のイオ
ンビームを分離して抽出する質量分離手段と、この質量
分離手段により抽出されたイオンビームに対して磁場強
度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビームをスキ
ャンするスキャン手段と、このスキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームのスキャン面におけるスキャン
角度を補正し補正されたイオンビームを注入対象に注入
する角度補正手段とを備えてなるイオン注入装置を構成
したものである。
【０００６】前記イオン注入装置を構成するに際して
は、前記角度補正手段として、前記スキャン手段により
スキャンされたイオンビームに対して磁場強度が時間的
に変化する磁場を与えてイオンビームのスキャン面にお
けるスキャン角度を補正し補正されたイオンビームを注
入対象に注入する機能を有するもので構成することがで
きる。
は、前記角度補正手段として、前記スキャン手段により
スキャンされたイオンビームに対して磁場強度が時間的
に変化する磁場を与えてイオンビームのスキャン面にお
けるスキャン角度を補正し補正されたイオンビームを注
入対象に注入する機能を有するもので構成することがで
きる。
【０００７】前記各イオン注入装置を構成するに際して
は、以下の要素を付加することができる。
は、以下の要素を付加することができる。
【０００８】（１）前記スキャン手段は、スキャンに伴
うイオンビームのスキャン面を前記質量分離手段の偏向
によるイオンビームの偏向面に合わせてなる。
うイオンビームのスキャン面を前記質量分離手段の偏向
によるイオンビームの偏向面に合わせてなる。
【０００９】（２）前記スキャン手段は、前記質量分離
手段により抽出されたイオンビームに対して磁場を与え
るスキャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生する
スキャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信
号に応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大き
さを時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備
え、前記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームに対して磁場を与える角度補正
用電磁石と、角度補正用制御信号を発生する角度補正用
制御信号発生手段と、前記角度補正用制御信号に応答し
て前記角度補正用電磁石に流れる電流の大きさを時間的
に変化させる角度補正電流制御手段とを備えてなる。
手段により抽出されたイオンビームに対して磁場を与え
るスキャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生する
スキャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信
号に応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大き
さを時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備
え、前記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームに対して磁場を与える角度補正
用電磁石と、角度補正用制御信号を発生する角度補正用
制御信号発生手段と、前記角度補正用制御信号に応答し
て前記角度補正用電磁石に流れる電流の大きさを時間的
に変化させる角度補正電流制御手段とを備えてなる。
【００１０】（３）前記スキャン手段は、前記質量分離
手段により抽出されたイオンビームに対して磁場を与え
るスキャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生する
スキャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信
号に応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大き
さを時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備
え、前記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームに対して磁場を与える角度補正
用電磁石と、角度補正用制御信号を発生する角度補正用
制御信号発生手段と、前記角度補正用制御信号の位相を
前記スキャン用制御信号に対して１８０度ずらす位相制
御手段と、位相制御手段により位相制御された角度補正
用制御信号に応答して前記角度補正用電磁石に流れる電
流の大きさを時間的に変化させる角度補正電流制御手段
とを備えてなる。
手段により抽出されたイオンビームに対して磁場を与え
るスキャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生する
スキャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信
号に応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大き
さを時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備
え、前記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームに対して磁場を与える角度補正
用電磁石と、角度補正用制御信号を発生する角度補正用
制御信号発生手段と、前記角度補正用制御信号の位相を
前記スキャン用制御信号に対して１８０度ずらす位相制
御手段と、位相制御手段により位相制御された角度補正
用制御信号に応答して前記角度補正用電磁石に流れる電
流の大きさを時間的に変化させる角度補正電流制御手段
とを備えてなる。
【００１１】（４）前記スキャン手段は、前記質量分離
手段により抽出されたイオンビームに対して磁場を与え
るスキャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生する
スキャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信
号に応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大き
さを時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備
え、前記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームに対して磁場を与える角度補正
用電磁石と、前記スキャン用制御信号に対して位相が１
８０度ずれた角度補正用制御信号を発生する角度補正用
制御信号発生手段と、前記角度補正用制御信号に応答し
て前記角度補正用電磁石に流れる電流の大きさを時間的
に変化させる角度補正電流制御手段とを備えてなる。
手段により抽出されたイオンビームに対して磁場を与え
るスキャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生する
スキャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信
号に応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大き
さを時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備
え、前記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームに対して磁場を与える角度補正
用電磁石と、前記スキャン用制御信号に対して位相が１
８０度ずれた角度補正用制御信号を発生する角度補正用
制御信号発生手段と、前記角度補正用制御信号に応答し
て前記角度補正用電磁石に流れる電流の大きさを時間的
に変化させる角度補正電流制御手段とを備えてなる。
【００１２】前記した手段によれば、イオン源から発生
したイオンビームの中から特定の質量のイオンビームを
分離して抽出し、抽出されたイオンビームに対して磁場
強度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビームをス
キャンし、スキャンされたイオンビームのスキャン面に
おけるスキャン角度を補正し、補正されたイオンビーム
を注入対象に注入するようにしたため、イオンビームの
スキャンによる軌道がずれた場合でもイオンビームのス
キャンによる軌道を磁場によって調整することができ、
注入対象に対する注入均一性を高めることができ、歩留
まりの向上に寄与することが可能になる。さらに、スキ
ャン手段にスキャン用電磁石を用いたり、角度補正手段
に角度補正用電磁石を用いた場合、磁石の磁極形状が簡
便になり、磁石を容易に製作することができる。
したイオンビームの中から特定の質量のイオンビームを
分離して抽出し、抽出されたイオンビームに対して磁場
強度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビームをス
キャンし、スキャンされたイオンビームのスキャン面に
おけるスキャン角度を補正し、補正されたイオンビーム
を注入対象に注入するようにしたため、イオンビームの
スキャンによる軌道がずれた場合でもイオンビームのス
キャンによる軌道を磁場によって調整することができ、
注入対象に対する注入均一性を高めることができ、歩留
まりの向上に寄与することが可能になる。さらに、スキ
ャン手段にスキャン用電磁石を用いたり、角度補正手段
に角度補正用電磁石を用いた場合、磁石の磁極形状が簡
便になり、磁石を容易に製作することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形
態を示すイオン注入装置の上面（ＹＺ面）図、（ｂ）は
イオン注入装置の側面（ＸＺ面）図である。図１におい
て、本実施形態におけるイオン注入装置は、例えば、Ｓ
ＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎ
ｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）基板作成用の大電流酸素イオン注
入装置として、１００ｍＡもの大電流の酸素イオンビー
ムを注入対象に注入するために、イオン源１０、質量分
離器１２、質量分離スリット１４、後段加速管１６、ス
キャン用電磁石１８、角度補正用電磁石２０、電流制御
器２２、２４、位相制御器２６、スキャン用制御信号発
生器２８、角度補正用制御信号発生器３０、回転円板３
２を備えて構成されており、回転円板３２には注入対象
としてウエハ３４が複数個配列されている。
に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形
態を示すイオン注入装置の上面（ＹＺ面）図、（ｂ）は
イオン注入装置の側面（ＸＺ面）図である。図１におい
て、本実施形態におけるイオン注入装置は、例えば、Ｓ
ＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎ
ｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）基板作成用の大電流酸素イオン注
入装置として、１００ｍＡもの大電流の酸素イオンビー
ムを注入対象に注入するために、イオン源１０、質量分
離器１２、質量分離スリット１４、後段加速管１６、ス
キャン用電磁石１８、角度補正用電磁石２０、電流制御
器２２、２４、位相制御器２６、スキャン用制御信号発
生器２８、角度補正用制御信号発生器３０、回転円板３
２を備えて構成されており、回転円板３２には注入対象
としてウエハ３４が複数個配列されている。
【００１４】イオン源１０は、前段加速管としての機能
を有し、イオンビームを生成するとともに、生成された
イオンビームを加速し、加速したイオンビーム１００を
質量分離器１２側に向けて照射するようになっている。
質量分離器１２は、イオン源１０から発生したイオンビ
ーム１００に対して固定磁場を与えてイオンビーム１０
０を偏向し、質量分離スリット１４側に出力するように
なっている。この偏向はＸＺ面を偏向面として行なわ
れ、イオンビーム１００の軌道はイオンビーム１００の
エネルギと質量分離器１２の磁場強度によって決定され
る。すなわち、イオンビーム１００にＯ＋、Ｏ２ ＋、Ｎ
＋が含まれていることを考慮し、Ｏ＋の軌道が指定の軌
道となるように質量分離器１２の磁場強度が設定されて
おり、Ｏ＋のみが質量分離スリット１４を通過できるよ
うに質量分離スリット１４が配置されている。質量分離
器１２と質量分離スリット１４は、イオン源１０から発
生したイオンビーム１００の中から特定の質量のイオン
ビーム（Ｏ＋）を分離して抽出する質量分離手段として
構成されている。そして質量分離スリット１４を通過し
たイオンビーム１００は後段加速管１６で加速された
後、スキャン用電磁石１８内に入射される。
を有し、イオンビームを生成するとともに、生成された
イオンビームを加速し、加速したイオンビーム１００を
質量分離器１２側に向けて照射するようになっている。
質量分離器１２は、イオン源１０から発生したイオンビ
ーム１００に対して固定磁場を与えてイオンビーム１０
０を偏向し、質量分離スリット１４側に出力するように
なっている。この偏向はＸＺ面を偏向面として行なわ
れ、イオンビーム１００の軌道はイオンビーム１００の
エネルギと質量分離器１２の磁場強度によって決定され
る。すなわち、イオンビーム１００にＯ＋、Ｏ２ ＋、Ｎ
＋が含まれていることを考慮し、Ｏ＋の軌道が指定の軌
道となるように質量分離器１２の磁場強度が設定されて
おり、Ｏ＋のみが質量分離スリット１４を通過できるよ
うに質量分離スリット１４が配置されている。質量分離
器１２と質量分離スリット１４は、イオン源１０から発
生したイオンビーム１００の中から特定の質量のイオン
ビーム（Ｏ＋）を分離して抽出する質量分離手段として
構成されている。そして質量分離スリット１４を通過し
たイオンビーム１００は後段加速管１６で加速された
後、スキャン用電磁石１８内に入射される。
【００１５】スキャン用電磁石１８は、後段加速管１６
からのイオンビーム１００に対して磁場強度が時間的に
変化する磁場を与えてイオンビーム１００をスキャンす
るスキャン手段の１要素として構成されている。このス
キャン用電磁石１８の電磁コイルにはスキャン電流制御
手段としての電流制御器２２が接続されており、電流制
御器２２は位相制御器２６を介してスキャン用制御信号
発生器２８に接続されている。スキャン用制御信号発生
器２８は、振幅が時間的に変化する交流信号としてのス
キャン用制御信号を発生するスキャン用制御信号発生手
段として構成されており、この制御信号発生器２８から
出力されたスキャン用制御信号は位相制御器２６を介し
て電流制御器２２に入力されるようになっている。入力
される制御信号にしたがって電流制御器２２の入力電圧
が０〜１０Ｖ変化すると、この変化に応じて電磁石１８
の電磁コイルに流れる電流が変化し、この電流の変化に
応じて磁場強度が変化する。磁場強度が変化すると、こ
の磁場強度に応じて偏向半径ｒ１が変化し、この偏向半
径ｒ１の大きさに応じてイオンビーム１００の軌道が変
化し、イオンビーム１００がＸＺ面をスキャン面として
偏向される。このときのスキャン速度は１Ｈｚ以下に設
定されている。すなわち、１００ｍＡものイオンビーム
１００をウエハ３４に注入する場合、スキャン速度を大
きくすると、イオンビーム１００による誘導電場が発生
し、イオンビーム１００のもつ空間電荷の影響が顕著に
なり、イオンビーム１００のスキャンに伴ってイオンビ
ーム１００のビーム形状が変化する。このため、スキャ
ン速度は、イオンビーム１００のビーム形状の変化が起
きにくい周波数として、１Ｈｚ以下、例えば、０．２〜
０．８Ｈｚの範囲に設定されている。
からのイオンビーム１００に対して磁場強度が時間的に
変化する磁場を与えてイオンビーム１００をスキャンす
るスキャン手段の１要素として構成されている。このス
キャン用電磁石１８の電磁コイルにはスキャン電流制御
手段としての電流制御器２２が接続されており、電流制
御器２２は位相制御器２６を介してスキャン用制御信号
発生器２８に接続されている。スキャン用制御信号発生
器２８は、振幅が時間的に変化する交流信号としてのス
キャン用制御信号を発生するスキャン用制御信号発生手
段として構成されており、この制御信号発生器２８から
出力されたスキャン用制御信号は位相制御器２６を介し
て電流制御器２２に入力されるようになっている。入力
される制御信号にしたがって電流制御器２２の入力電圧
が０〜１０Ｖ変化すると、この変化に応じて電磁石１８
の電磁コイルに流れる電流が変化し、この電流の変化に
応じて磁場強度が変化する。磁場強度が変化すると、こ
の磁場強度に応じて偏向半径ｒ１が変化し、この偏向半
径ｒ１の大きさに応じてイオンビーム１００の軌道が変
化し、イオンビーム１００がＸＺ面をスキャン面として
偏向される。このときのスキャン速度は１Ｈｚ以下に設
定されている。すなわち、１００ｍＡものイオンビーム
１００をウエハ３４に注入する場合、スキャン速度を大
きくすると、イオンビーム１００による誘導電場が発生
し、イオンビーム１００のもつ空間電荷の影響が顕著に
なり、イオンビーム１００のスキャンに伴ってイオンビ
ーム１００のビーム形状が変化する。このため、スキャ
ン速度は、イオンビーム１００のビーム形状の変化が起
きにくい周波数として、１Ｈｚ以下、例えば、０．２〜
０．８Ｈｚの範囲に設定されている。
【００１６】また、スキャン用電磁石１８の磁極１８ａ
は、イオンビーム１００を曲げたときに、磁極の端面に
対してイオンビーム１００が９０度となるように、断面
が台形形状に形成されている。
は、イオンビーム１００を曲げたときに、磁極の端面に
対してイオンビーム１００が９０度となるように、断面
が台形形状に形成されている。
【００１７】角度補正用電磁石２０は、スキャン用電磁
石１８によってスキャンされたイオンビーム１００に対
して磁場強度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビ
ーム１００のスキャン面（ＸＺ面）におけるスキャン角
度を補正し、補正されたイオンビーム１００をウエハ３
４に注入する角度補正手段の１要素として構成されてい
る。角度補正用電磁石２０の電流コイルは電流制御器
（角度補正電流制御手段）２４に接続されており、電流
制御器２４は位相制御器２６を介して角度補正用制御信
号発生器３０に接続されている。角度補正用制御信号発
生器３０は、振幅の大きさが時間的に変化する交流信号
としての角度補正用制御信号を発生する角度補正用制御
信号発生手段として構成されており、この制御信号が位
相制御器２６に入力されている。位相制御器２６は、角
度補正用制御信号発生器３０からの制御信号の位相をス
キャン用制御信号発生器２８からの制御信号に対して１
８０度ずらす位相制御手段として構成されており、位相
補正された制御信号が電流制御器２４に入力されてい
る。電流制御器２４に入力される制御信号のレベルは０
〜１０Ｖの範囲で変化し、この変化に応じて電磁石２０
の電磁コイルに供給される電流の大きさが時間的に変化
するようになっている。そして電磁コイルに流れる電流
が変化すると磁場強度が電流の大きさに応じて変化し、
この磁場強度の大きさに応じて偏向半径ｒ２が変化する
ようになっている。磁場強度に応じて偏向半径ｒ２が変
化すると、電磁石２０に入射されたイオンビーム１００
の偏向角度が偏向半径ｒ２の大きさに応じて補正され、
ウエハ３４に入射されるイオンビームの注入角度がどの
面内でも同じ角度になるように補正される。また角度補
正用電磁石２０の磁極２０ａは、入射するイオンビーム
１００と出射するイオンビーム１００が磁極２０ａの端
面に対して９０度となるように断面が長方形形状に形成
されている。
石１８によってスキャンされたイオンビーム１００に対
して磁場強度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビ
ーム１００のスキャン面（ＸＺ面）におけるスキャン角
度を補正し、補正されたイオンビーム１００をウエハ３
４に注入する角度補正手段の１要素として構成されてい
る。角度補正用電磁石２０の電流コイルは電流制御器
（角度補正電流制御手段）２４に接続されており、電流
制御器２４は位相制御器２６を介して角度補正用制御信
号発生器３０に接続されている。角度補正用制御信号発
生器３０は、振幅の大きさが時間的に変化する交流信号
としての角度補正用制御信号を発生する角度補正用制御
信号発生手段として構成されており、この制御信号が位
相制御器２６に入力されている。位相制御器２６は、角
度補正用制御信号発生器３０からの制御信号の位相をス
キャン用制御信号発生器２８からの制御信号に対して１
８０度ずらす位相制御手段として構成されており、位相
補正された制御信号が電流制御器２４に入力されてい
る。電流制御器２４に入力される制御信号のレベルは０
〜１０Ｖの範囲で変化し、この変化に応じて電磁石２０
の電磁コイルに供給される電流の大きさが時間的に変化
するようになっている。そして電磁コイルに流れる電流
が変化すると磁場強度が電流の大きさに応じて変化し、
この磁場強度の大きさに応じて偏向半径ｒ２が変化する
ようになっている。磁場強度に応じて偏向半径ｒ２が変
化すると、電磁石２０に入射されたイオンビーム１００
の偏向角度が偏向半径ｒ２の大きさに応じて補正され、
ウエハ３４に入射されるイオンビームの注入角度がどの
面内でも同じ角度になるように補正される。また角度補
正用電磁石２０の磁極２０ａは、入射するイオンビーム
１００と出射するイオンビーム１００が磁極２０ａの端
面に対して９０度となるように断面が長方形形状に形成
されている。
【００１８】回転円板３２は、角度補正用電磁石２０か
らのイオンビーム１００がウエハ３４に対してほぼ９０
度の角度で入射されるようにウエハ３４を支持し、回転
軸の中心とウエハ３４の中心とを結ぶ距離を回転半径Ｒ
として回転するようになっている。この場合、回転円板
３２の回転周期はスキャン周期よりも大きくし、スキャ
ン速度と相互干渉してウエハ３４の特定の部分に多くの
イオンビームが注入されるのを防止している。さらに、
ＳＩＭＯＸでは、ウエハ３４を加熱しながらイオンビー
ム１００を注入するため、回転円板３２の回転数をあま
り高くすると、ウエハ３４の加熱が困難になるので、回
転円板３２は、例えば、４００〜５００ｒｐｍで回転す
るようなっている。
らのイオンビーム１００がウエハ３４に対してほぼ９０
度の角度で入射されるようにウエハ３４を支持し、回転
軸の中心とウエハ３４の中心とを結ぶ距離を回転半径Ｒ
として回転するようになっている。この場合、回転円板
３２の回転周期はスキャン周期よりも大きくし、スキャ
ン速度と相互干渉してウエハ３４の特定の部分に多くの
イオンビームが注入されるのを防止している。さらに、
ＳＩＭＯＸでは、ウエハ３４を加熱しながらイオンビー
ム１００を注入するため、回転円板３２の回転数をあま
り高くすると、ウエハ３４の加熱が困難になるので、回
転円板３２は、例えば、４００〜５００ｒｐｍで回転す
るようなっている。
【００１９】上記構成において、イオン源１０から発生
したイオンビーム１００が質量分離器１２に入射される
と、イオンビーム１００のうち特定の質量のイオンビー
ム（Ｏ＋）が分離されて抽出され、このイオンビーム１
００が後段加速管１６で加速された後、スキャン用電磁
石１８に入射される。スキャン用電磁石１８に入射した
イオンビーム１００は、磁場強度の変化に応じてスキャ
ンされ、スキャンされたイオンビーム１００が順次角度
補正用電磁石２０に入射される。角度補正用電磁石２０
に入射されたイオンビーム１００は、磁場強度の変化に
応じてスキャン角度が補正され、補正されたイオンビー
ム１００がウエハ３２に順次注入される。
したイオンビーム１００が質量分離器１２に入射される
と、イオンビーム１００のうち特定の質量のイオンビー
ム（Ｏ＋）が分離されて抽出され、このイオンビーム１
００が後段加速管１６で加速された後、スキャン用電磁
石１８に入射される。スキャン用電磁石１８に入射した
イオンビーム１００は、磁場強度の変化に応じてスキャ
ンされ、スキャンされたイオンビーム１００が順次角度
補正用電磁石２０に入射される。角度補正用電磁石２０
に入射されたイオンビーム１００は、磁場強度の変化に
応じてスキャン角度が補正され、補正されたイオンビー
ム１００がウエハ３２に順次注入される。
【００２０】このように、本実施形態においては、イオ
ンビーム１００に対してスキャン用電磁石１８と角度補
正用電磁石２０で磁場強度を変化させてイオンビーム１
００をスキャンするとともに、スキャンされたイオンビ
ーム１００の軌道を補正するようにしているため、スキ
ャン用電磁石１８、角度補正用電磁石２０として簡単な
形状のものを用いることができるとともに、ウエハ３４
の全面に渡ってイオンを均一に注入することができる。
しかも、スキャン用電磁石１８によるスキャン面（ＸＺ
面）を質量分離器１２のスキャン面（ＸＺ面）に合わせ
ているため、ウエハ３４の全面にイオンをより均一に注
入することができる。
ンビーム１００に対してスキャン用電磁石１８と角度補
正用電磁石２０で磁場強度を変化させてイオンビーム１
００をスキャンするとともに、スキャンされたイオンビ
ーム１００の軌道を補正するようにしているため、スキ
ャン用電磁石１８、角度補正用電磁石２０として簡単な
形状のものを用いることができるとともに、ウエハ３４
の全面に渡ってイオンを均一に注入することができる。
しかも、スキャン用電磁石１８によるスキャン面（ＸＺ
面）を質量分離器１２のスキャン面（ＸＺ面）に合わせ
ているため、ウエハ３４の全面にイオンをより均一に注
入することができる。
【００２１】また、従来装置で８インチウエハの中心か
ら±１５０ｍｍのスキャンを行なうと、ウエハの中心の
ビーム幅に対してスキャンされた最大位置でのビーム形
状は１．３３％増加する。これに対して本実施形態によ
れば、イオンビーム１００をスキャンしても、イオンビ
ーム１００の形状には変化は起らなかった。
ら±１５０ｍｍのスキャンを行なうと、ウエハの中心の
ビーム幅に対してスキャンされた最大位置でのビーム形
状は１．３３％増加する。これに対して本実施形態によ
れば、イオンビーム１００をスキャンしても、イオンビ
ーム１００の形状には変化は起らなかった。
【００２２】次に、スキャン用電磁石１８および角度補
正用電磁石２０をそれぞれ別々の制御信号を用いて独立
に制御するに際しては、スキャン用制御信号発生器２８
の制御信号として、図２に示す波形の制御信号２８ａを
用い、角度補正用制御信号発生器３０の制御信号とし
て、図２に示す波形の制御信号３０ａを用いることがで
きる。
正用電磁石２０をそれぞれ別々の制御信号を用いて独立
に制御するに際しては、スキャン用制御信号発生器２８
の制御信号として、図２に示す波形の制御信号２８ａを
用い、角度補正用制御信号発生器３０の制御信号とし
て、図２に示す波形の制御信号３０ａを用いることがで
きる。
【００２３】図２の制御信号２８ａ、３０ａは、ウエハ
３４の一端より外側からウエハ３４内を通過し、さらに
ウエハ３４を通り過ぎたところで反転し、再度ウエハ３
４内を通過し最初の位置へ戻るまでの１スキャン分の制
御波形を示したものである。実際には、この波形出力を
繰り返すことで連続したスキャンが可能になる。図２中
のＢ１はイオンビーム１００がウエハ３４の中心に位置
するときの磁場強度を示す。
３４の一端より外側からウエハ３４内を通過し、さらに
ウエハ３４を通り過ぎたところで反転し、再度ウエハ３
４内を通過し最初の位置へ戻るまでの１スキャン分の制
御波形を示したものである。実際には、この波形出力を
繰り返すことで連続したスキャンが可能になる。図２中
のＢ１はイオンビーム１００がウエハ３４の中心に位置
するときの磁場強度を示す。
【００２４】制御信号２８ａ、３０ａにしたがってスキ
ャン用電磁石１８と角度補正用電磁石２０の電磁コイル
に流れる電流が時間的に変化すると、この電流の変化に
応じて磁場強度が変化する。例えば、スキャン用電磁石
１８の磁場強度がＢ１より増加しているときは、スキャ
ン用電磁石１８内でイオンビーム１００の偏向半径ｒ１
が小さくなっていることを示し、逆に、磁場強度がＢ１
より減少しているときには、スキャン用電磁石１８内で
イオンビーム１００の偏向半径ｒ１が大きくなっている
ことを示している。この場合、スキャン用電磁石１８の
偏向半径ｒ１は磁場強度に応じて変化するが、イオンビ
ーム１００は１方向に偏向される。
ャン用電磁石１８と角度補正用電磁石２０の電磁コイル
に流れる電流が時間的に変化すると、この電流の変化に
応じて磁場強度が変化する。例えば、スキャン用電磁石
１８の磁場強度がＢ１より増加しているときは、スキャ
ン用電磁石１８内でイオンビーム１００の偏向半径ｒ１
が小さくなっていることを示し、逆に、磁場強度がＢ１
より減少しているときには、スキャン用電磁石１８内で
イオンビーム１００の偏向半径ｒ１が大きくなっている
ことを示している。この場合、スキャン用電磁石１８の
偏向半径ｒ１は磁場強度に応じて変化するが、イオンビ
ーム１００は１方向に偏向される。
【００２５】一方、制御信号２８ａとは位相が１８０度
ずれている制御信号３０ａにしたがって角度補正用電磁
石２０の電磁コイルに流れる電流を制御すると、この電
流の変化に応じて磁場強度が変化する。例えば、角度補
正用電磁石２０は、スキャン用電磁石１８の磁場強度が
Ｂ１より弱くなり、ウエハ３４の中心にイオンビーム１
００が到達する軌道に対して大きい偏向半径ｒ２で偏向
されると、スキャン用電磁石１８の偏向方向と同じ方向
にイオンビーム１００を偏向してイオンビーム１００の
角度補正を行なう。逆に、スキャン電磁石１８の磁場強
度がＢ１より強くなり、ウエハ３４の中心のイオンビー
ム１００が到達する軌道に対して小さい偏向半径ｒ２で
偏向されると、角度補正用電磁石２０は、スキャン用電
磁石１８の偏向方向とは逆の方向にイオンビーム１００
を偏向してイオンビーム１００の角度補正を行なう。
ずれている制御信号３０ａにしたがって角度補正用電磁
石２０の電磁コイルに流れる電流を制御すると、この電
流の変化に応じて磁場強度が変化する。例えば、角度補
正用電磁石２０は、スキャン用電磁石１８の磁場強度が
Ｂ１より弱くなり、ウエハ３４の中心にイオンビーム１
００が到達する軌道に対して大きい偏向半径ｒ２で偏向
されると、スキャン用電磁石１８の偏向方向と同じ方向
にイオンビーム１００を偏向してイオンビーム１００の
角度補正を行なう。逆に、スキャン電磁石１８の磁場強
度がＢ１より強くなり、ウエハ３４の中心のイオンビー
ム１００が到達する軌道に対して小さい偏向半径ｒ２で
偏向されると、角度補正用電磁石２０は、スキャン用電
磁石１８の偏向方向とは逆の方向にイオンビーム１００
を偏向してイオンビーム１００の角度補正を行なう。
【００２６】制御信号２８ａ、３０ａにしたがって電磁
石１８、２０の磁場強度を変化させてイオンビーム１０
０をウエハ３４の全面に均一に注入にするに際しては、
イオンビーム１００がウエハ３４から完全に抜け切るよ
うにスキャンされ、イオンビーム１００が照射される時
間は、タイミングｔ１からタイミングｔ２の間と、タイ
ミングｔ３からタイミングｔ４の間となる。また角度補
正用電磁石２０は、磁場強度を、０を中心に正負の値に
変化させることにより、発生する磁場の極性を変えるよ
うになっている。これにより、電磁石２０を通過したイ
オンビーム１００はウエハ３４内のどの面でも同じ注入
角度で注入される。
石１８、２０の磁場強度を変化させてイオンビーム１０
０をウエハ３４の全面に均一に注入にするに際しては、
イオンビーム１００がウエハ３４から完全に抜け切るよ
うにスキャンされ、イオンビーム１００が照射される時
間は、タイミングｔ１からタイミングｔ２の間と、タイ
ミングｔ３からタイミングｔ４の間となる。また角度補
正用電磁石２０は、磁場強度を、０を中心に正負の値に
変化させることにより、発生する磁場の極性を変えるよ
うになっている。これにより、電磁石２０を通過したイ
オンビーム１００はウエハ３４内のどの面でも同じ注入
角度で注入される。
【００２７】また、制御信号２８ａ、３０ａの制御波形
は以下のことが考慮されて設定されている。すなわち、
回転板３２にウエハ３４を取付け、回転円板３２を回転
しながらイオンビーム１００をスキャンしてウエハ３４
にイオンを注入する場合、回転円板３２の中心からイオ
ンビーム１００までの距離（回転半径＝Ｒ）がスキャン
により随時変化する。このため、イオンビーム１００の
位置によってウエハ３４がイオンビーム１００を横切る
時間が変化する。この結果、イオンビーム１００を、例
えば、三角波などを用いて等速度でスキャンした場合、
回転円板３２の回転中心側では注入量が多く、逆に回転
円板３２の外周側では注入量が少なくなる。このため、
イオンビーム１００と回転円板３２の中心との距離（回
転半径：Ｒ）に比例してスキャン速度を変えるいわゆる
１／Ｒ制御が実行できるように、制御信号２８ａ、３０
ａの波形が設定されている。
は以下のことが考慮されて設定されている。すなわち、
回転板３２にウエハ３４を取付け、回転円板３２を回転
しながらイオンビーム１００をスキャンしてウエハ３４
にイオンを注入する場合、回転円板３２の中心からイオ
ンビーム１００までの距離（回転半径＝Ｒ）がスキャン
により随時変化する。このため、イオンビーム１００の
位置によってウエハ３４がイオンビーム１００を横切る
時間が変化する。この結果、イオンビーム１００を、例
えば、三角波などを用いて等速度でスキャンした場合、
回転円板３２の回転中心側では注入量が多く、逆に回転
円板３２の外周側では注入量が少なくなる。このため、
イオンビーム１００と回転円板３２の中心との距離（回
転半径：Ｒ）に比例してスキャン速度を変えるいわゆる
１／Ｒ制御が実行できるように、制御信号２８ａ、３０
ａの波形が設定されている。
【００２８】さらに、注入結果を基に、制御信号２８
ａ、３０ａの制御波形を変更する。例えば、イオンビー
ム１００の形状が小さくなり注入量が多くなったときに
はウエハ３４内の点では速くスキャンし、イオンビーム
１００の形状が大きくなり注入量が少なくなるウエハ３
４内の点ではゆっくりスキャンするように波形を変更す
る。このような波形の変更処理を行なうと、イオンビー
ムの形状の変化による均一性の低下を緩和することがで
き、均一なイオン注入が可能になる。
ａ、３０ａの制御波形を変更する。例えば、イオンビー
ム１００の形状が小さくなり注入量が多くなったときに
はウエハ３４内の点では速くスキャンし、イオンビーム
１００の形状が大きくなり注入量が少なくなるウエハ３
４内の点ではゆっくりスキャンするように波形を変更す
る。このような波形の変更処理を行なうと、イオンビー
ムの形状の変化による均一性の低下を緩和することがで
き、均一なイオン注入が可能になる。
【００２９】また、角度補正用制御信号の位相をスキャ
ン用制御信号に対して位相を１８０度ずらすに際して
は、位相制御器２６を用いる代わりにマイクロコンピュ
ータあるいはパーソナルコンピュータを用いれば簡便に
行なうことができる。さらに、位相制御器２６を用いる
代わりに、角度補正用制御信号発生器として、スキャン
用制御信号の位相に対して１８０度位相のずれた制御信
号を発生するものを用いることもできる。
ン用制御信号に対して位相を１８０度ずらすに際して
は、位相制御器２６を用いる代わりにマイクロコンピュ
ータあるいはパーソナルコンピュータを用いれば簡便に
行なうことができる。さらに、位相制御器２６を用いる
代わりに、角度補正用制御信号発生器として、スキャン
用制御信号の位相に対して１８０度位相のずれた制御信
号を発生するものを用いることもできる。
【００３０】また、前記実施形態におけるイオン注入装
置を用いて、例えば、１８０ｋＶ、１００ｍＡのボロン
イオンおよび酸素イオンの注入を行なって注入の均一性
を測定したところ、実用に十分な±２％以下の均一性が
得られた。
置を用いて、例えば、１８０ｋＶ、１００ｍＡのボロン
イオンおよび酸素イオンの注入を行なって注入の均一性
を測定したところ、実用に十分な±２％以下の均一性が
得られた。
【００３１】前記実施形態においては、スキャン用電磁
石１８、角度補正用電磁石２０として磁場強度を時間的
に変化させるものを用いるものについて述べたが、一方
の電磁石については固定磁場のものを用いることも可能
である。例えば、スキャン用電磁石として、図３（ａ）
に示すように、わん曲面の磁極を有するスキャン用電磁
石３６を用いることができ、角度補正用電磁石として、
図３（ｂ）に示すように、わん曲面の磁極を有する角度
補正用電磁石３８を用いることができる。
石１８、角度補正用電磁石２０として磁場強度を時間的
に変化させるものを用いるものについて述べたが、一方
の電磁石については固定磁場のものを用いることも可能
である。例えば、スキャン用電磁石として、図３（ａ）
に示すように、わん曲面の磁極を有するスキャン用電磁
石３６を用いることができ、角度補正用電磁石として、
図３（ｂ）に示すように、わん曲面の磁極を有する角度
補正用電磁石３８を用いることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオン源から発生したイオンビームの中から特定の質量
のイオンビームを分離して抽出し、抽出されたイオンビ
ームに対して磁場強度が時間的に変化する磁場を与えて
イオンビームをスキャンし、スキャンされたイオンビー
ムのスキャン面におけるスキャン角度を補正し、補正さ
れたイオンビームを注入対象に注入するようにしたた
め、イオンビームのスキャンによる軌道がずれた場合で
もイオンビームのスキャンによる軌道を磁場によって調
整することができ、注入対象に対する注入均一性を高め
ることができ、歩留まりの向上に寄与することが可能に
なる。
イオン源から発生したイオンビームの中から特定の質量
のイオンビームを分離して抽出し、抽出されたイオンビ
ームに対して磁場強度が時間的に変化する磁場を与えて
イオンビームをスキャンし、スキャンされたイオンビー
ムのスキャン面におけるスキャン角度を補正し、補正さ
れたイオンビームを注入対象に注入するようにしたた
め、イオンビームのスキャンによる軌道がずれた場合で
もイオンビームのスキャンによる軌道を磁場によって調
整することができ、注入対象に対する注入均一性を高め
ることができ、歩留まりの向上に寄与することが可能に
なる。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態を示すイオン注
入装置の上面図、（ｂ）はイオン注入装置の側面図であ
る。
入装置の上面図、（ｂ）はイオン注入装置の側面図であ
る。
【図２】制御信号の制御波形を説明するための図であ
る。
る。
【図３】（ａ）は、スキャン用電磁石の他の実施形態を
示す上面図、（ｂ）は角度補正用電磁石の他の実施形態
を示す上面図である。
示す上面図、（ｂ）は角度補正用電磁石の他の実施形態
を示す上面図である。
１０ イオン源 １２ 質量分離器 １４ 質量分離スリット １６ 後段加速管 １８ スキャン用電磁石 ２０ 角度補正用電磁石 ２２、２４ 電流制御器 ２６ 位相制御器 ２８ スキャン用制御信号発生器 ３０ 角度補正用制御信号発生器 ３２ 回転円板 ３４ ウエハ ３６ スキャン用電磁石 ３８ 角度補正用電磁石 １００ イオンビーム
Claims (6)
- 【請求項１】 イオン源から発生したイオンビームに対
して磁場を与えて前記イオンビームを偏向し前記イオン
源から発生したイオンビームの中から特定の質量のイオ
ンビームを分離して抽出する質量分離手段と、この質量
分離手段により抽出されたイオンビームに対して磁場強
度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビームをスキ
ャンするスキャン手段と、このスキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームのスキャン面におけるスキャン
角度を補正し補正されたイオンビームを注入対象に注入
する角度補正手段とを備えてなるイオン注入装置。 - 【請求項２】 イオン源から発生したイオンビームに対
して磁場を与えて前記イオンビームを偏向し前記イオン
源から発生したイオンビームの中から特定の質量のイオ
ンビームを分離して抽出する質量分離手段と、この質量
分離手段により抽出されたイオンビームに対して磁場強
度が時間的に変化する磁場を与えてイオンビームをスキ
ャンするスキャン手段と、このスキャン手段によりスキ
ャンされたイオンビームに対して磁場強度が時間的に変
化する磁場を与えてイオンビームのスキャン面における
スキャン角度を補正し補正されたイオンビームを注入対
象に注入する角度補正手段とを備えてなるイオン注入装
置。 - 【請求項３】 前記スキャン手段は、スキャンに伴うイ
オンビームのスキャン面を前記質量分離手段の偏向によ
るイオンビームの偏向面に合わせてなる請求項１または
２に記載のイオン注入装置。 - 【請求項４】 前記スキャン手段は、前記質量分離手段
により抽出されたイオンビームに対して磁場を与えるス
キャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生するスキ
ャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信号に
応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大きさを
時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備え、前
記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキャンさ
れたイオンビームに対して磁場を与える角度補正用電磁
石と、角度補正用制御信号を発生する角度補正用制御信
号発生手段と、前記角度補正用制御信号に応答して前記
角度補正用電磁石に流れる電流の大きさを時間的に変化
させる角度補正電流制御手段とを備えてなることを特徴
とする請求項２に記載のイオン注入装置。 - 【請求項５】 前記スキャン手段は、前記質量分離手段
により抽出されたイオンビームに対して磁場を与えるス
キャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生するスキ
ャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信号に
応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大きさを
時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備え、前
記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキャンさ
れたイオンビームに対して磁場を与える角度補正用電磁
石と、角度補正用制御信号を発生する角度補正用制御信
号発生手段と、前記角度補正用制御信号の位相を前記ス
キャン用制御信号に対して１８０度ずらす位相制御手段
と、位相制御手段により位相制御された角度補正用制御
信号に応答して前記角度補正用電磁石に流れる電流の大
きさを時間的に変化させる角度補正電流制御手段とを備
えてなることを特徴とする請求項２に記載のイオン注入
装置。 - 【請求項６】 前記スキャン手段は、前記質量分離手段
により抽出されたイオンビームに対して磁場を与えるス
キャン用電磁石と、スキャン用制御信号を発生するスキ
ャン用制御信号発生手段と、前記スキャン用制御信号に
応答して前記スキャン用電磁石に流れる電流の大きさを
時間的に変化させるスキャン電流制御手段とを備え、前
記角度補正手段は、前記スキャン手段によりスキャンさ
れたイオンビームに対して磁場を与える角度補正用電磁
石と、前記スキャン用制御信号に対して位相が１８０度
ずれた角度補正用制御信号を発生する角度補正用制御信
号発生手段と、前記角度補正用制御信号に応答して前記
角度補正用電磁石に流れる電流の大きさを時間的に変化
させる角度補正電流制御手段とを備えてなることを特徴
とする請求項２に記載のイオン注入装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000036016A JP2001229871A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | イオン注入装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000036016A JP2001229871A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001229871A true JP2001229871A (ja) | 2001-08-24 |
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ID=18560114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000036016A Pending JP2001229871A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | イオン注入装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2001229871A (ja) |
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- 2001-01-10 US US09/756,922 patent/US20010013578A1/en not_active Abandoned
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