KR100961202B1 - 원자진동을 이용한 불균일 이온주입장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 불균일 이온주입장치는, 이온빔을 발생시키는 이온빔 발생기와, 이온빔이 주입되는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼척과, 그리고 웨이퍼 내의 실리콘원자들을 진동시킬 수 있는 복수개의 원자진동장치들을 구비한다.
불균일 이온주입, 원자진동, 농도 프로파일
Description
본 발명은 반도체제조를 위한 이온주입장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 원자진동을 이용한 불균일 이온주입장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자, 예컨대 디램(DRAM; Dynamic Random Access Memory)과 같은 반도체 메모리소자를 제조하기 위해서는 많은 수의 단위공정들이 이루어져야 한다. 이 단위공정들은 적층공정, 식각공정, 이온주입공정 등을 포함하며, 통상적으로 웨이퍼 단위로 이루어진다. 이와 같은 단위공정들 중에서 이온주입공정은, 강한 전기장에 의해 보론, 아스닉 등과 같은 도펀트 이온들을 가속시켜 웨이퍼 표면을 통과시키는 공정기술로서, 이와 같은 이온주입을 통해 물질의 전기적인 특성을 변화시킬 수 있다.
일반적으로 웨이퍼에 대한 이온주입은, 웨이퍼를 Y방향으로 이동시키고 이온빔은 X방향으로 스캐닝하면서 웨이퍼로 주입하는 방법으로 이루어지는 것이 일반적이다. 그런데 이와 같은 이온주입방법을 수행하게 되면, 웨이퍼의 전 영역에 걸쳐서 대체로 동일한 도즈(dose) 및 에너지로 이온주입이 이루어진다. 이온주입공정만 을 고려하면 이는 바람직한 현상이지만, 다른 단위공정들과 연관시켜 볼 때 이는 오히려 바람직하지 않은 현상일 수 있다. 즉 여러 단위공정들을 수행하는데 있어서, 공정 결과가 웨이퍼 전체 면적에 걸쳐서 균일하게 나타나지 않는 경우가 일반적이다. 일 예로서, 웨이퍼상에 적층되는 막질의 두께나, 식각되는 정도 등은 웨이퍼 전체 면적에 걸쳐서 균일하지 않다. 이는 각 단위공정이 이루어지는 장비상의 문제에 의해 기인할 수도 있지만, 각 단위공정들이 갖고 있는 많은 변수들을 정확하게 제어하지 못하기 때문일 수도 있다.
일 예로서, 게이트전극을 형성하는데 있어서, 웨이퍼의 위치별로 게이트전극의 폭을 나타내는 임계치수(Critical Dimension; 이하 CD)가 차이가 날 수 있다. 예컨대 웨이퍼의 중심부에서는 게이트전극의 CD가 상대적으로 큰 반면에 웨이퍼의 가장자리부에서는 게이트전극의 CD가 상대적으로 작을 수 있다. 물론 반대의 경우도 발생할 수 있다. 이와 같이 게이트전극의 CD가 웨이퍼의 가장자리부에 비하여 중심부에서 더 큰 경우에는, 소자의 문턱전압도 웨이퍼의 가장자리부보다 웨이퍼의 중심부에서 상대적으로 더 높게 된다. 물론 반대의 경우, 소자의 문턱전압은 웨이퍼의 가장자리부보다 웨이퍼의 중심부에서 상대적으로 더 낮게 된다.
또 다른 예로서, 엘디디(LDD; Lightly Doped Drain) 구조의 소스/드레인을 형성하기 위하여, 게이트스택의 측면에 스페이서를 형성하고, 이 스페이서를 이온주입 장벽층으로 하여 소스/드레인 이온주입을 수행한다. 그런데 현실적으로 스페이서의 두께를 웨이퍼 전 면적에 대하여 균일하게 할 수 없으며, 이에 따라 엘디디 구조의 소스/드레인이 웨이퍼 전 면적에 걸쳐서 불균일한 프로파일을 갖게 되며, 결과적으로 트랜지스터의 특성도 웨이퍼의 위치에 따라 불균일한 특성을 나타낸다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 웨이퍼 내에 영역별로 서로 다른 주입 깊이로 이온주입이 이루어지도록 하는 불균일 이온주입장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 예에 따른 불균일 이온주입장치는, 이온빔을 발생시키는 이온빔 발생기와, 이온빔이 주입되는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼척과, 그리고 웨이퍼 내의 실리콘원자들을 진동시킬 수 있는 복수개의 원자진동장치들을 구비한다.
상기 원자진동장치는, 웨이퍼척 내부에 배치될 수 있다.
상기 원자진동장치는, 광 조사장치, 가열장치 및 파동발생장치 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다. 이 경우 상기 광 조사장치는, 장파, 단파, 초장파 또는 초단파의 파장을 갖는 광을 웨이퍼에 조사한다. 상기 가열장치는, 210℃ 이하의 온도의 열을 웨이퍼에 전달한다. 그리고 상기 파동발생장치는, 초음파 또는 메가소닉 대역의 파동을 웨이퍼에 전달한다.
본 발명에 있어서, 복수개의 원자진동장치들을 개별적으로 구동시키기 위한 컨트롤러를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 다른 예에 따른 불균일 이온주입방법은, 웨이퍼의 실리콘원자들을 일부 영역에 대해 선택적으로 진동시키는 단계와, 그리고 웨이퍼에 대한 이온빔을 조사하여 실리콘원자들이 진동되는 일부 영역과 다른 영역에서의 불순물이온의 깊 이에 따른 농도 프로파일이 서로 다르도록 하는 단계를 포함한다.
상기 실리콘원자들을 선택적으로 진동시키는 단계는, 웨이퍼의 일부 영역에 대해 광을 조사하여 수행할 수 있다.
상기 실리콘원자들을 선택적으로 진동시키는 단계는, 웨이퍼의 일부 영역에 대해 열을 가하여 수행할 수도 있다.
상기 실리콘원자들을 선택적으로 진동시키는 단계는, 웨이퍼의 일부 영역에 대해 파동을 전달하여 수행할 수도 있다.
본 발명의 또 다른 예에 따른 불균일 이온주입방법은, 웨이퍼 내에 불활성기체를 주입시키는 단계와, 웨이퍼의 일부 영역 내의 실리콘원자들 및 불활성기체를 진동시키는 단계와, 그리고 웨이퍼에 대한 이온빔을 조사하여 실리콘원자들 및 불활성기체가 진동되는 일부 영역과 다른 영역에서의 불순물이온의 깊이에 따른 농도 프로파일이 서로 다르도록 하는 단계를 포함한다.
상기 불활성기체로서 He, Ne, Ar, Kr, Xe 및 Rn 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.
본 발명의 또 다른 예에 따른 불균일 이온주입방법은, 웨이퍼 내의 실리콘원자들을 진동시키되, 웨이퍼의 일부 영역에서의 진동 강도와 다른 영역에서의 진동 강도를 다르게 하는 단계와, 그리고 웨이퍼에 대한 이온빔을 조사하여 진동 강도가 서로 다른 일부 영역 및 다른 영역에서의 불순물이온의 깊이에 따른 농도 프로파일이 서로 다르도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 웨이퍼 내의 실리콘원자들을 진동시키기 전에 웨이퍼에 불활성기체를 주입시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우 불활성기체로서 He, Ne, Ar, Kr, Xe 및 Rn 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼에 대해 불순물이온의 깊이에 따른 농도 프로파일이 영역별로 다르게 나타나도록 불순물이온을 주입할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼 전체에 걸쳐서 소자의 집적도 증가에 따른 특성 분포의 불균일도, 예컨대 드레인에 의한 장벽층 저하(DIBL; Drain Induced Barrier Lowering)의 분포의 불균일도의 정도를 개선시킬 수 있다는 이점이 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 불균일 이온주입장치의 일 예를 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 2는 도 1의 웨이퍼척을 보다 상세하게 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 불균일 이온주입장치는 이온빔(212)을 발생시키는 이온빔 발생기(210)와, 이 이온빔(212)이 주입되는 웨이퍼(100)를 지지하는 웨이퍼척(220)을 포함한다. 웨이퍼척(220)의 내부에는 웨이퍼(100) 내의 실리콘원자들을 진동시킬 수 있는 복수개의 원자진동장치(222)들이 배치된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 이온빔 발생기(210)와 웨이퍼척(220) 사이에는 이온빔(212)을 제어하기 위한 여러 가지 장치들, 예컨대 이온빔 가속기 등이 배치될 수도 있다. 본 실시예에서는 원자진동장치(222)들이 웨이퍼척(220) 내부에 배치되는 경우를 예로 들었지만, 경우에 따라서는 다른 위치, 예컨대 웨이퍼(100) 주위에 배치될 수도 있다는 것은 당연하다.
웨이퍼척(220) 내부에 배치되는 원자진동장치(222)들은 각각 별개로 구동될 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼척(220) 상부의 웨이퍼(100)에 대해 부분적으로 실리콘원자의 진동을 유발시킬 수 있다. 즉 웨이퍼(100)의 일정 영역에 대해서 실리콘원자들의 진동을 유발시키고 다른 영역에서는 실리콘원자들의 진동을 유발시키지 않을 수 있다. 또는 웨이퍼(100)의 전체 영역에 대해 실리콘원자들의 진동을 유발시키더라도, 일정 영역에 대해서는 상대적으로 쎈 강도로 실리콘원자들을 진동시키고, 다른 영역에 대해서는 상대적으로 약한 강도로 실리콘원자들을 진동시킬 수 있다. 이와 같은 부분적 원자진동이 이루어지도록, 원자진동장치(222)들은 컨트롤러(240)에 의해 개별적으로 구동될 수 있다. 컨트롤러(240)는 원자진동장치(222)들을 구동시키는 파워(미도시)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 원자진동장치(222)는 광 조사장치일 수 있다. 이 경우 광 조사 장치는 장파, 단파, 초장파 또는 초단파의 파장을 갖는 광을 웨이퍼(100)에 조사할 수 있다. 다른 예에서, 원자진동장치(222)는 가열장치일 수 있다. 이 경우 포토레지스트막과 같은 웨이퍼(100)상의 다른 물질막에 영향을 끼치지 않을 정도의 낮은 온도, 예컨대 대략 210℃ 이하의 온도의 열을 웨이퍼(100)에 전달한다. 또 다른 예에서, 원자진동장치(222)는 파동발생장치일 수 있다. 이 경우 초음파 또는 메가소닉 대역의 파동을 웨이퍼(100)에 전달한다. 경우에 따라서는 원자진동장치(222)는 광조사장치, 가열장치 및 파동발생장치 중 적어도 2개 이상 조합되어 이루어질 수도 있다. 어느 경우이던지 원자진동장치(222)들을 구동시키기 전에 웨이퍼(100)상에 불활성 기체, 예컨대 He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn 등을 주입시키면, 후속의 원자진동장치(222)의 구동에 의해 주입된 불활성 기체 또한 진동되도록 할 수 있다.
도 3 및 도 4는 원자진동에 의해 주입되는 불순물이온의 영향을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 먼저 도 3에 나타낸 바와 같이, 통상의 실리콘격자 구조를 갖는 실리콘웨이퍼 내의 실리콘원자(310)들은 최밀방향, 즉 A 방향으로는 서로 근접하게 배치되지만, 다른 방향, 예컨대 B 방향으로는 일정 간격 떨어져 있는 상태를 유지한다. 웨이퍼에 대해 주입되는 불순물이온(320)은 실리콘원자(310)들 사이의 빈공간을 통과하게 된다. B 방향으로 실리콘원자(310)들 사이의 간격은 대략 3.07Å이다. 일 예로, 주입하고자 하는 불순물이온으로서 보론(B) 이온(320)을 사용하는 경우, 보론(B) 이온은 대략 0.36Å의 직경을 가지므로, 실리콘원자(310)들 사이의 공간, 즉 한 변이 대략 0.36Å인 정사각형(330) 내에는 대략 44.48개의 보론(B) 이온(320)들이 통과할 수 있다. 이와 같이 실리콘원자(330)들 사이의 빈 공간을 그대로 통과하는 보론(B) 이온(320)들은 실리콘원자(330)와 충돌되는 보론(B) 이온(320)들보다 더 깊은 깊이로 주입되고, 이와 같이 깊이 주입되는 보론(B) 이온들은 불순물농도 프로파일을 변형시키는 채널링(channeling) 현상의 주된 원인으로 작용한다.
이에 반해 도 4에서 점선(410)으로 나타낸 바와 같이, 실리콘원자(310)에 진동을 유발시키면, 실리콘원자(310)의 진동에 의해 실리콘원자(310)들 사이의 간격이 좁아지는 효과가 나타난다. 그 결과 실리콘원자(330)들 사이의 빈 공간을 그대로 통과하는 보론(B) 이온(320)들의 수는 줄어드는 반면에, 실리콘원자(330)와 충돌되는 보론(B) 이온(320)들의 수는 늘어나게 된다. 따라서 실리콘원자(310)의 진 동을 유발시키면 불순물이온인 보론(B) 이온(320)이 실리콘원자(330)들 사이의 빈 공간을 그대로 통과하는 채널링 현상이 억제된다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 불균일 이온주입방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들로서, 도 5는 웨이퍼척을 나타내고, 도 6은 웨이퍼를 나타낸다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 웨이퍼척(220) 위에 웨이퍼(미도시)가 안착될 영역(102)을 내부영역(220a) 및 외부영역(220b)으로 구분한다. 웨이퍼척(220)의 내부영역(220a)과 외부영역(220b)은 각각 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a) 및 제2 영역(100b)과 중복되는 영역이다. 본 실시예에서는 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a)과 제2 영역(100b)을 웨이퍼(100)의 중심부 및 가장자리부로 구분하였지만, 경우에 따라서 상부 및 하부 등과 같이 다르게 설정할 수도 있다. 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a)과 제2 영역(100b)은 문턱전압과 같은 트랜지스터 특성이 서로 다르게 나타내며, 따라서 제1 영역(100a)에 주입되는 불순물이온의 주입깊이와 제2 영역(100b)에 주입되는 불순물이온의 주입깊이를 서로 다르게 할 필요가 있다. 본 실시예에서는 제1 영역(100a)에서의 불순물이온의 주입깊이를 상대적으로 얕게 하고 제2 영역(100b)에서의 불순물이온의 주입깊이를 상대적으로 깊게 하는 경우를 예로 들기로 한다. 이 경우 웨이퍼척(220) 내의 원자진동장치(도 1 및 도 2의 222)들 중 내부영역(220a) 내에 있는 원자진동장치(222)들을 구동시키고, 외부영역(220b) 내에 있는 원자진동장치(222)들은 구동시키지 않는다. 이와 같이 원자진동장치(222)들을 영역별로 구동시키는 동작은 원자진동장치(222)를 제어하는 컨트롤러(도 1의 240)를 통해 이루어진다.
비록 본 실시예에서는 외부영역(220b)에 대해서는 원자진동장치(222)들을 구동시키지 않는 경우를 예로 들었지만, 경우에 따라서는 외부영역(220b)에 대해서도 원자진동장치(222)들을 구동시킬 수도 있다. 단지 이 경우 내부영역(220a)에서의 원자진동장치(222)들의 구동 파워와 외부영역(220b)에서의 원자진동장치(222)들의 구동 파워를 다르게 한다. 이와 같이 영역별로 서로 다른 구동 파워에 의해, 내부영역(220a)에 대응되는 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a) 내의 실리콘원자들의 진동 강도와, 외부영역(220b)에 대응되는 웨이퍼(100)의 제2 영역(100b) 내의 실리콘원자들의 진동 강도가 서로 달라지게 되며, 이 상태에서 불순물이온주입을 수행하게 되면, 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a) 및 제2 영역(100b)에서의 불순물이온의 깊이에 따른 농도 프로파일은 서로 다르게 나타난다.
도 7 및 도 8은 도 6의 웨이퍼의 제1 영역 및 제2 영역에서의 불순물이온주입과정을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 먼저 도 7에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼척(도 5의 220) 내의 원자진동장치(도 1 및 도 2의 222)들 중 내부영역(220a) 내에 있는 원자진동장치(222)들이 구동됨에 따라, 도면에서 점선으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a) 내의 실리콘원자(310a)들은 진동하게 된다. 따라서 주입되는 불순물이온(320a)들 중 일부는 실리콘원자(310a)들 사이의 공간을 관통하여 통과하지만 일부는 실리콘원자(310a)들과 충돌하여 실리콘원자(310a)들 사이의 빈 공간에 위치한다. 이때 실리콘원자(310a)들이 진동함에 따라 실리콘원자(310a)들과 충돌하는 불순물이온(320a)들의 수는 실리콘원자(310a)들이 진동하지 않는 경우에 비하여 더 증가하는 반면에, 실리콘원자(310a)들 사이의 그 대로 통과하는 불순물이온(320a)들의 수는 감소된다. 따라서 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a)에서의 불순물이온(320a)의 주입깊이는 상대적으로 낮아진다.
다음에 도 8을 참조하면, 웨이퍼척(도 5의 220) 내의 원자진동장치(도 1 및 도 2의 222)들 중 외부영역(220b) 내에 있는 원자진동장치(222)들은 구동되지 않으며, 따라서 웨이퍼(100)의 제2 영역(100b) 내의 실리콘원자(310b)들에 대한 인위적인 진동을 발생하지 않는다. 물론 이 경우에도 주입되는 불순물이온(320b)들 중 일부는 실리콘원자(310b)들 사이의 공간을 관통하여 통과하지만 일부는 실리콘원자(310b)들과 충돌하여 실리콘원자(310b)들 사이의 빈 공간에 위치한다. 그러나 실리콘원자(310b)들이 진동하는 경우에 비하여, 실리콘원자(310b)들 사이의 그대로 통과하는 불순물이온(320b)들의 수는 증가하며, 따라서 웨이퍼(100)의 제2 영역(100b)에서의 불순물이온(320b)의 주입깊이는 상대적으로 깊어진다.
도 9는 원자진동여부에 따라 주입된 불순물이온의 농도분포를 나타내 보인 그래프이다. 도 9에서 참조부호 "910"으로 나타낸 선들은 원자진동이 발생한 영역, 즉 웨이퍼의 제1 영역(도 6의 100a)에서의 불순물이온 농도분포를 나타내고, 참조부호 "920"으로 나타낸 선은 원자진동이 발생하지 않은 영역, 즉 웨이퍼의 제2 영역(도 6의 100b)에서의 불순물이온 농도분포를 나타낸다. 도면에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼의 제1 영역(도 6의 100a)에서는 원자진동이 발생하여 불순물이온이 실리콘원자들 사이를 관통하는 채널링 현상이 억제되고, 그 결과 깊이가 2000Å 이상의 깊이에서는 상대적으로 낮은 농도를 나타낸다. 반면에 웨이퍼의 제2 영역(도 6의 100b)에서는 원자진동이 발생하지 않으므로 채널링 현상이 상대적으로 쉽게 발 생되며, 그 결과 깊이가 2000Å 이상의 깊이에서는 상대적으로 높은 농도를 나타낸다. 이와 같이 웨이퍼에 대해 부분적으로 원자진동을 유발시킴으로써, 원자진동이 발생한 영역과 그렇지 않은 영역 사이의 불순물이온의 농도분포를 서로 다르게 형성할 수 있다는 것을 알 수 있다.
도 10은 도 6의 웨이퍼의 제1 영역에서의 불순물이온주입의 다른 예를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 본 예에서는 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a)에 원자진동을 유발시키기 전에 불활성기체를 웨이퍼에 주입시키는 단계를 더 포함한다. 주입되는 불활성기체의 양은 불활성기체의 진동에 의해 불순물이온의 채널링 억제 확률이 증가되는 정도면 충분하다. 불활성기체는 웨이퍼의 전체 영역에 걸쳐서 고르게 주입될 수도 있으며, 또는 웨이퍼의 원자진동 대상영역, 즉 제1 영역(100a)에 대해 선택적으로 주입시킬 수도 있다. 불활성기체(350)로는 He, Ne, Ar, Kr, Xe 및 Rn 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다. 주입된 불활성기체(350)는 실리콘원자(310a)들을 밀어내면서 실리콘원자(310a)들 사이에 배치된다.
불활성기체(350)를 주입시킨 후에는 웨이퍼척(도 5의 220) 내의 원자진동장치(도 1 및 도 2의 222)들 중 내부영역(220a) 내에 있는 원자진동장치(222)들을 구동시킨다. 그러면 도면에서 점선으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(100)의 제1 영역(100a) 내의 실리콘원자(310a)들과 불활성기체(350)는 진동하게 된다. 따라서 주입되는 불순물이온(320a)들 중 일부는 실리콘원자(310a)들 사이의 공간을 관통하여 통과하지만 일부는 실리콘원자(310a)들 및 불활성기체(350)와 충돌하여 실리콘원자(310a)들 사이의 빈 공간 또는 실리콘원자(310a)와 불활성기체(350) 사이의 빈 공간에 위치한다. 이때 실리콘원자(310a)들 및 불활성기체(350)들이 진동함에 따라 실리콘원자(310a)들 및 불활성기체(350)들과 충돌하는 불순물이온(320a)들의 수는 실리콘원자(310a)들이 진동하지 않는 경우나, 또는 실리콘원자(310a)들만 진동하는 경우에 비하여 더 증가하게 된다. 웨이퍼(100)의 다른 영역, 즉 원자진동이 이루어지지 않는 영역에 대해서는 도 8을 참조하여 설명한 바와 동일하다.
도 1은 본 발명에 따른 불균일 이온주입장치의 일 예를 나타내 보인 도면이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼척을 보다 상세하게 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 3 및 도 4는 원자진동에 의해 주입되는 불순물이온의 영향을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 불균일 이온주입방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 7 및 도 8은 도 6의 웨이퍼의 제1 영역 및 제2 영역에서의 불순물이온주입과정을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 9는 원자진동여부에 따라 주입된 불순물이온의 농도분포를 나타내 보인 그래프이다.
도 10은 도 6의 웨이퍼의 제1 영역에서의 불순물이온주입의 다른 예를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
Claims (16)
- 이온빔을 발생시키는 이온빔 발생기;상기 이온빔이 주입되는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼척; 및상기 웨이퍼 내의 실리콘원자들을 진동시킬 수 있는 복수개의 원자진동장치들을 구비하는 불균일 이온주입장치.
- 제1항에 있어서,상기 원자진동장치들은 상기 웨이퍼척 내부에 배치되는 불균일 이온주입장치.
- 제1항에 있어서,상기 원자진동장치는, 광 조사장치, 가열장치 및 파동발생장치 중 적어도 어느 하나로 이루어지는 불균일 이온주입장치.
- 제3항에 있어서,상기 광 조사장치는, 장파, 단파, 초장파 또는 초단파의 파장을 갖는 광을 상기 웨이퍼에 조사하는 불균일 이온주입장치.
- 삭제
- 제3항에 있어서,상기 파동발생장치는, 초음파 또는 메가소닉 대역의 파동을 상기 웨이퍼에 전달하는 불균일 이온주입장치.
- 제1항에 있어서,상기 복수개의 원자진동장치들을 개별적으로 구동시키기 위한 컨트롤러를 더 구비하는 불균일 이온주입장치.
- 웨이퍼의 실리콘원자들을 일부 영역에 대해 선택적으로 진동시키는 단계; 및상기 웨이퍼에 대한 이온빔을 조사하여 상기 실리콘원자들이 진동되는 일부 영역과 다른 영역에서의 불순물이온의 깊이에 따른 농도 프로파일이 서로 다르도록 하는 단계를 포함하는 불균일 이온주입방법.
- 제8항에 있어서,상기 실리콘원자들을 선택적으로 진동시키는 단계는, 상기 웨이퍼의 일부 영역에 대해 광을 조사하여 수행하는 불균일 이온주입방법.
- 제8항에 있어서,상기 실리콘원자들을 선택적으로 진동시키는 단계는, 상기 웨이퍼의 일부 영역에 대해 열을 가하여 수행하는 불균일 이온주입방법.
- 제8항에 있어서,상기 실리콘원자들을 선택적으로 진동시키는 단계는, 상기 웨이퍼의 일부 영역에 대해 파동을 전달하여 수행하는 불균일 이온주입방법.
- 웨이퍼 내에 불활성기체를 주입시키는 단계;상기 웨이퍼의 일부 영역 내의 실리콘원자들 및 불활성기체를 진동시키는 단계; 및상기 웨이퍼에 대한 이온빔을 조사하여 상기 실리콘원자들 및 불활성기체가 진동되는 일부 영역과 다른 영역에서의 불순물이온의 깊이에 따른 농도 프로파일이 서로 다르도록 하는 단계를 포함하는 불균일 이온주입방법.
- 제12항에 있어서,상기 불활성기체로서 He, Ne, Ar, Kr, Xe 및 Rn 중 적어도 어느 하나를 사용하는 불균일 이온주입방법.
- 웨이퍼 내의 실리콘원자들을 진동시키되, 상기 웨이퍼의 일부 영역에서의 진 동 강도와 다른 영역에서의 진동 강도를 다르게 하는 단계; 및상기 웨이퍼에 대한 이온빔을 조사하여 상기 진동 강도가 서로 다른 일부 영역 및 다른 영역에서의 불순물이온의 깊이에 따른 농도 프로파일이 서로 다르도록 하는 단계를 포함하는 불균일 이온주입방법.
- 제14항에 있어서,상기 웨이퍼 내의 실리콘원자들을 진동시키기 전에 상기 웨이퍼에 불활성기체를 주입시키는 단계를 더 포함하는 불균일 이온주입방법.
- 제15항에 있어서,상기 불활성기체로서 He, Ne, Ar, Kr, Xe 및 Rn 중 적어도 어느 하나를 사용하는 불균일 이온주입방법.
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