KR950030218A - 불순물 농도분포의 개선을 위한 이온주입방법 - Google Patents
불순물 농도분포의 개선을 위한 이온주입방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 웨이퍼의 전면에 걸쳐 균일한 불순물 농도분포를 갖도록 이온을 주입하는 방법에 관한 것으로 종래의 이온주입장치의 X, Y방향 스캔에 의한 불순물 주입방법에 Z방향으로 스캔을 추가하여 불순물 농도분포의 균일성을 향상시키는 이온주입방법이다.
상기와 같은 본 발명의 이온주입방법은 X, Y 2방향스캔을 수행하는 동시에 웨이퍼를 자체적으로 회전시켜 Z방향 이온주입이 추가되게 함으로써 불순물 농도 분포의 균일성이 향상되어 웨이퍼의 대구경화에 대처할 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 전기적 스캔방식을 설명하기 위한 개략도, 제5도는 본 발명의 하이브리드 스캔방식을 설명하기 위한 개략도, 제6도는 본 발명의 기계적 스캔방식을 설명하기 위한 개략도이다.
Claims (3)
- 전기적 스캔방식에 의한 이온주입 방법에 있어서, 웨이퍼에 조사되는 이온빔을 전기적으로 편향시켜 X, Y방향으로 스캔하는 동시에 상기 웨이퍼를 회전시켜 Z방향 스캔이 추가되도록 하는 불순물 농도분포의 균일성 향상을 위한 이온조입방법.
- 하이브리드 스캔방식에 의한 이온주입 방법에 있어서, 웨이퍼에 조사되는 이온빔을 전기적으로 편향시켜 X방향으로 스캔하며, 상기 웨이퍼가 장착된 디스크를 회전시켜 Y방향으로 스캔하는 동시에, 상기 웨이퍼를 회전시켜 Z방향 스캔이 추가되도록 하는 불순물 농도분포의 균일성 향상을 위한 이온주입방법.
- 기계적 스캔방식에 의한 이온주입 방법에 있어서, 웨이퍼에 조사되는 이온빔을 상기 웨이퍼가 장착된 디스클 회전시켜 X방향으로 스캔하며, 상기 웨이퍼가 장착된 디스크를 상·하수직으로 선형운동시켜 Y방향으로 스캔하는 동시에, 상기 웨이퍼를 회전시켜 Z방향 스캔이 추가되도록 하는 불순물 농도분포의 균일성 향상을 위한 이온주입방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008915A KR950030218A (ko) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 불순물 농도분포의 개선을 위한 이온주입방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019940008915A KR950030218A (ko) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 불순물 농도분포의 개선을 위한 이온주입방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR950030218A true KR950030218A (ko) | 1995-11-24 |
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| KR1019940008915A KR950030218A (ko) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 불순물 농도분포의 개선을 위한 이온주입방법 |
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| KR (1) | KR950030218A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100675891B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2007-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불균일 이온주입장치 및 불균일 이온주입방법 |
| US7825015B2 (en) | 2004-05-10 | 2010-11-02 | Hynix Semiconductor, Inc. | Method for implanting ions in semiconductor device |
-
1994
- 1994-04-27 KR KR1019940008915A patent/KR950030218A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7825015B2 (en) | 2004-05-10 | 2010-11-02 | Hynix Semiconductor, Inc. | Method for implanting ions in semiconductor device |
| US8951857B2 (en) | 2004-05-10 | 2015-02-10 | SK Hynix Inc. | Method for implanting ions in semiconductor device |
| KR100675891B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2007-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불균일 이온주입장치 및 불균일 이온주입방법 |
| US8343859B2 (en) | 2005-05-04 | 2013-01-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Non-uniform ion implantation apparatus and method thereof |
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