JPH02236940A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH02236940A JPH02236940A JP1056644A JP5664489A JPH02236940A JP H02236940 A JPH02236940 A JP H02236940A JP 1056644 A JP1056644 A JP 1056644A JP 5664489 A JP5664489 A JP 5664489A JP H02236940 A JPH02236940 A JP H02236940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- holder
- clamper
- ion implantation
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 24
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイスの製造工程においてその試料
の所定箇所にイオンを打ち込むのＫ適したイオン注入装
置Ｋ関するものである。
の所定箇所にイオンを打ち込むのＫ適したイオン注入装
置Ｋ関するものである。
従来、この種のイオン注入装置の概要を第３図，第４図
を参照して説明する。第３図はこのイオン注入装置のホ
ルダ一部分の上面図であシ、第４図はその一部破断断面
図である。これらの図において、１はホルダー ２はこ
のホルダー１に試料３つま〕半導体ウエハを固定するた
めのクランパー４はイオン源（図示せず）よシ試料３の
表面に照射されるイオンビーム、５はクランパー２を上
下させるためのクランパー支持棒、６はイオン打ち込み
中Ｋ発生する試料３０発熱を効率よくホルダー１へ熱伝
導させるためのシリコンラバー、７は試料３とクランパ
ー２の接触を緩和するためのテフロン膜である。
を参照して説明する。第３図はこのイオン注入装置のホ
ルダ一部分の上面図であシ、第４図はその一部破断断面
図である。これらの図において、１はホルダー ２はこ
のホルダー１に試料３つま〕半導体ウエハを固定するた
めのクランパー４はイオン源（図示せず）よシ試料３の
表面に照射されるイオンビーム、５はクランパー２を上
下させるためのクランパー支持棒、６はイオン打ち込み
中Ｋ発生する試料３０発熱を効率よくホルダー１へ熱伝
導させるためのシリコンラバー、７は試料３とクランパ
ー２の接触を緩和するためのテフロン膜である。
このように構成されたイオン注入装置は、第３図及び第
４図に示すように、ホルダー１Ｋクランパー２で固定さ
れた試料３の表面にイオンビーム４を照射しながら、こ
のイオンビーム４を試料３の全面Ｋ照射するためＫ１ホ
ルダー１全体を矢印ａの方向Ｋ回転させかつｘｙ方向に
移動させたり、イオンビーム４自体を走査する方法が用
いられている。なお、図中符号ｂはホルダー１の移動方
向を、セしてＣはクランパー支持棒５の移動方向をそれ
ぞれ示している。
４図に示すように、ホルダー１Ｋクランパー２で固定さ
れた試料３の表面にイオンビーム４を照射しながら、こ
のイオンビーム４を試料３の全面Ｋ照射するためＫ１ホ
ルダー１全体を矢印ａの方向Ｋ回転させかつｘｙ方向に
移動させたり、イオンビーム４自体を走査する方法が用
いられている。なお、図中符号ｂはホルダー１の移動方
向を、セしてＣはクランパー支持棒５の移動方向をそれ
ぞれ示している。
ところが、上述した従来のイオン注入装置では、試料３
が表面に絶縁物を有する半導体ウエハにイオン注入を行
う場合、その所定箇所のみにイオン注入が行われるだけ
でなく、絶縁脱上にもイオン注入が行われるため、絶縁
膜のチャージアップによりその電位が次第に上昇し、遂
には絶縁膜の耐圧を越え、絶縁膜破壊される現象が発生
する。
が表面に絶縁物を有する半導体ウエハにイオン注入を行
う場合、その所定箇所のみにイオン注入が行われるだけ
でなく、絶縁脱上にもイオン注入が行われるため、絶縁
膜のチャージアップによりその電位が次第に上昇し、遂
には絶縁膜の耐圧を越え、絶縁膜破壊される現象が発生
する。
この現象は、特にイオンビーム照射部８１が試料３よシ
も小さい場合であり、かつその照射部８１が試料３内に
位置した際Ｋ発生する。また、第４図のように、クラン
バー２と試料３の表面との間に絶縁物であるテフロン膜
７などがコートされていると顕著にこの現象が現れる。
も小さい場合であり、かつその照射部８１が試料３内に
位置した際Ｋ発生する。また、第４図のように、クラン
バー２と試料３の表面との間に絶縁物であるテフロン膜
７などがコートされていると顕著にこの現象が現れる。
この原因は、例えば二酸化シリコンがどの絶縁膜にイオ
ン注入を行なうと、絶縁膜表面近傍においてそのイオン
のエネルギーが吸収されて電子●正子１対が発生し、そ
の電子あるいは正召がキャリアとなって注入イオンの電
荷を運搬する。しかし、前述のように、イオンピーム照
射部８１が試料３内に位置した時や、Ｆｌ縁層が試料表
面とクランパー２の間に入っていると、注入イオンの電
荷を接地されているホルダー１へ運搬することができず
、絶縁膜破壊を引き起こすという問題があった。
ン注入を行なうと、絶縁膜表面近傍においてそのイオン
のエネルギーが吸収されて電子●正子１対が発生し、そ
の電子あるいは正召がキャリアとなって注入イオンの電
荷を運搬する。しかし、前述のように、イオンピーム照
射部８１が試料３内に位置した時や、Ｆｌ縁層が試料表
面とクランパー２の間に入っていると、注入イオンの電
荷を接地されているホルダー１へ運搬することができず
、絶縁膜破壊を引き起こすという問題があった。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、上記のよう
なイオン注入による絶縁破壊の問題点を解消したイオン
注入装置を提供することを目的とする。
なイオン注入による絶縁破壊の問題点を解消したイオン
注入装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、ホルダーに保持
した試料にイオンビームを照射し、そのイオンビームを
前記ホルダーＫ対して相対的に走査して試料全面にイオ
ンを照射させることにより、試料の所定部にイオンを打
ち込むイオン注入装置Ｋおいて、前記ホルダーに試料を
固定するクランパーにより、該クランパーで押えられた
試料表面を接地するとともに、該試料に照射されるイオ
ンビームの照射領域をその試料径よりも大きくなるよう
にしたものである。
した試料にイオンビームを照射し、そのイオンビームを
前記ホルダーＫ対して相対的に走査して試料全面にイオ
ンを照射させることにより、試料の所定部にイオンを打
ち込むイオン注入装置Ｋおいて、前記ホルダーに試料を
固定するクランパーにより、該クランパーで押えられた
試料表面を接地するとともに、該試料に照射されるイオ
ンビームの照射領域をその試料径よりも大きくなるよう
にしたものである。
したがって、本発明によれば、イオン注入Ｋよシ絶縁膜
表面近傍で発生する電子・正引対により、イオン注入の
電荷を試料表面からクランパーを通じ、接地されたホル
ダーへと電荷が流れることになる。
表面近傍で発生する電子・正引対により、イオン注入の
電荷を試料表面からクランパーを通じ、接地されたホル
ダーへと電荷が流れることになる。
以下、本発明の実施例を第１図，第２図について説明す
る。
る。
この実施例のイオン注入装置は、ホルダー１にクランパ
ー２で固定された試料３の表面にイオンビーム４を照射
し、かつイオンビーム４を試料３全面に照射するために
、ホルダー１全体を回転させかつＸＹ方向に移動させる
ように構成されている点は、第３図及び第４図に示した
従来例のものと同様であるが、ホルダー１やクランパー
２を金属のような導体から形成するとともに、試料３表
面Ｋ接触する部分を導体から形成し、そのクランバー２
がホルダー１を通じて接地（アース）点９Ｋ接地される
。そして、イオンビーム４の試料３表面部分での照射部
８は細長の矩形とし、かつその長手方向の長さＬは試料
３の直径Ｄよシも長くして、常にイオンビーム照射部８
の一部が導体から成るクランパー２及びホルダー１に照
射されるようになっている。なお、図中同一符号は同一
または相当部分を示している。
ー２で固定された試料３の表面にイオンビーム４を照射
し、かつイオンビーム４を試料３全面に照射するために
、ホルダー１全体を回転させかつＸＹ方向に移動させる
ように構成されている点は、第３図及び第４図に示した
従来例のものと同様であるが、ホルダー１やクランパー
２を金属のような導体から形成するとともに、試料３表
面Ｋ接触する部分を導体から形成し、そのクランバー２
がホルダー１を通じて接地（アース）点９Ｋ接地される
。そして、イオンビーム４の試料３表面部分での照射部
８は細長の矩形とし、かつその長手方向の長さＬは試料
３の直径Ｄよシも長くして、常にイオンビーム照射部８
の一部が導体から成るクランパー２及びホルダー１に照
射されるようになっている。なお、図中同一符号は同一
または相当部分を示している。
かかる実施例構造のイオン注入装置によると、イオン注
入により絶縁膜表面近傍で発生する電子●正孔対により
、イオン注入の電荷を試料表面からクランバー２を通じ
、接地されたホルダー１へと電荷が流れるため、イオン
注入を行っても、チャージアップによるＰ縁膜の電位上
昇がなく、絶縁膜破壊の発生が防止でき、高品質のイオ
ン注入が可能Ｋなる。
入により絶縁膜表面近傍で発生する電子●正孔対により
、イオン注入の電荷を試料表面からクランバー２を通じ
、接地されたホルダー１へと電荷が流れるため、イオン
注入を行っても、チャージアップによるＰ縁膜の電位上
昇がなく、絶縁膜破壊の発生が防止でき、高品質のイオ
ン注入が可能Ｋなる。
以上説明したように本発明は、イオン注入装置Ｋおいて
ホルダーに試料を固定するクランパーと試料表面とを接
地するとともに、試料に照射されるイオンピームの照射
領域をその試料径よシも大きくするととＫより、イオン
注入時Ｋ発生する絶縁膜破壊を防止することができ、こ
れによって、高品質のイオン注入が実現できる効果があ
る。
ホルダーに試料を固定するクランパーと試料表面とを接
地するとともに、試料に照射されるイオンピームの照射
領域をその試料径よシも大きくするととＫより、イオン
注入時Ｋ発生する絶縁膜破壊を防止することができ、こ
れによって、高品質のイオン注入が実現できる効果があ
る。
第１図及び第２図は本発明の一実施例によるイオン注入
装置のホルダ一部分の上面図及びその一部破断断面図、
第３図及び第４図は従来例によるイオン注入装置のホル
ダ一部分の上面図及びその一部破断断面図である。 １●●●●ホルダ＋ ２−●●●クランバー３・・・・
試料（半導体ウエハ）、４●●・●イオンビーム、５●
●拳●クランパー支持捧、６●●●●シリコンラバー
８●●●●イオンビーム照射部、９・・・・接地点。
装置のホルダ一部分の上面図及びその一部破断断面図、
第３図及び第４図は従来例によるイオン注入装置のホル
ダ一部分の上面図及びその一部破断断面図である。 １●●●●ホルダ＋ ２−●●●クランバー３・・・・
試料（半導体ウエハ）、４●●・●イオンビーム、５●
●拳●クランパー支持捧、６●●●●シリコンラバー
８●●●●イオンビーム照射部、９・・・・接地点。
Claims (1)
- ホルダーに保持した試料にイオンビームを照射し、そ
のイオンビームを前記ホルダーに対して相対的に走査し
て試料全面にイオンを照射させることにより、試料の所
定部にイオンを打ち込むイオン注入装置において、前記
ホルダーに試料を固定するクランパーにより、該クラン
パーで押えられた試料表面を接地するとともに、該試料
に照射されるイオンビームの照射領域をその試料径より
も大きくなるようにしたことを特徴とするイオン注入装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056644A JPH02236940A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056644A JPH02236940A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02236940A true JPH02236940A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13033052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1056644A Pending JPH02236940A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02236940A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013410A1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-02-22 | Ibis Technology Corporation | Wafer holder assembly |
| US6423975B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-07-23 | Ibis Technology, Inc. | Wafer holder for simox processing |
| US6433342B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-08-13 | Ibis Technology Corporation | Coated wafer holding pin |
| US6452195B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-09-17 | Ibis Technology Corporation | Wafer holding pin |
| WO2005036636A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Ibis Technology Corporation | Thermosetting resin wafer-holding pin |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP1056644A patent/JPH02236940A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013410A1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-02-22 | Ibis Technology Corporation | Wafer holder assembly |
| US6423975B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-07-23 | Ibis Technology, Inc. | Wafer holder for simox processing |
| US6433342B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-08-13 | Ibis Technology Corporation | Coated wafer holding pin |
| US6452195B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-09-17 | Ibis Technology Corporation | Wafer holding pin |
| WO2005036636A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Ibis Technology Corporation | Thermosetting resin wafer-holding pin |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3407548B2 (ja) | イオン打込み装置及びこれを用いた半導体製造方法 | |
| EP0082639A2 (en) | Processing method using a focused ion beam | |
| TW201101374A (en) | Techniques for processing a substrate | |
| JPH02236940A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH05106037A (ja) | イオン注入装置及びその制御方法 | |
| Yavas et al. | Field emitter array fabricated using focused ion and electron beam induced reaction | |
| JPH06275229A (ja) | イオン注入と同時に電子シャワーを照射するイオン注入装置 | |
| JP2002517068A (ja) | 低エネルギーイオン注入のための方法及び装置 | |
| US6037599A (en) | Ion implantation apparatus and fabrication method for semiconductor device | |
| JPH06104164A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH09167593A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH06302535A (ja) | 電子ビームによるアニール方法 | |
| JP2005026189A (ja) | イオンビーム照射装置 | |
| US5731593A (en) | Ion implantation method and ion implantation system used therefor | |
| JPH05136078A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS58131731A (ja) | エネルギ−線照射方法 | |
| KR100499172B1 (ko) | 이온 주입 공정의 기판 경사각 측정 방법 | |
| JP3339516B2 (ja) | イオン注入方法及びイオン注入装置 | |
| JPH0638391B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH02117131A (ja) | 集束イオンビーム加工装置 | |
| JPH10255714A (ja) | イオン注入装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH07169434A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS61208738A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH05160059A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及び装置 | |
| JP2790219B2 (ja) | 電界放出型電子放出素子 |