JPH0638391B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH0638391B2 JPH0638391B2 JP60091227A JP9122785A JPH0638391B2 JP H0638391 B2 JPH0638391 B2 JP H0638391B2 JP 60091227 A JP60091227 A JP 60091227A JP 9122785 A JP9122785 A JP 9122785A JP H0638391 B2 JPH0638391 B2 JP H0638391B2
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- plasma
- extraction window
- gas
- exposure
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路製造のための微細パタン転写
用Ｘ線露光装置に関する。
用Ｘ線露光装置に関する。
本発明はプラズマＸ線源を用いるＸ線露光装置におい
て、Ｘ線取り出し窓の法線方向とプラズマを生成させる
一組の電極の中心軸とを相互に傾け、かつＸ線取り出し
窓の中心位置を生成されるプラズマの軸方向延長線から
ずらして設けることによって、プラズマからの粒子群に
よるＸ線引き出し窓の損傷を防ぎ、もってＸ線引き出し
窓の薄膜化によるＸ線の高効率引き出し、高速露光を可
能にしたＸ線露光装置の技術を開示したものである。な
お、この概要はあくまでも本発明の技術的内容に迅速に
アクセスするためにのみ供されるものであって、本発明
の技術的範囲および権利解釈に対しては何の影響も及ぼ
さないものである。
て、Ｘ線取り出し窓の法線方向とプラズマを生成させる
一組の電極の中心軸とを相互に傾け、かつＸ線取り出し
窓の中心位置を生成されるプラズマの軸方向延長線から
ずらして設けることによって、プラズマからの粒子群に
よるＸ線引き出し窓の損傷を防ぎ、もってＸ線引き出し
窓の薄膜化によるＸ線の高効率引き出し、高速露光を可
能にしたＸ線露光装置の技術を開示したものである。な
お、この概要はあくまでも本発明の技術的内容に迅速に
アクセスするためにのみ供されるものであって、本発明
の技術的範囲および権利解釈に対しては何の影響も及ぼ
さないものである。
集積回路の高密度化に伴ない、微細高精度な転写技術が
必要でありその一方法として、Ｘ線露光法がある。従
来、Ｘ線露光装置のＸ線源としては、アルミニウム、
銅、モリブデン、シリコン、パラジウム等の金属に電子
線を照射してＸ線を発生させる電子線励起方式が用いら
れていたが、Ｘ線発生効率が0.01％程度と低く、Ｘ線源
の高出力化が望めないため、生産性が低いという問題が
あった。これに比べＸ線発生効率が高く、高出力のＸ線
が得られるプラズマＸ線源が注目されている。プラズマ
Ｘ線源には細管放電，レーザ励起，プラズマフォーカ
ス，ガス注入型放電等があり、Ｘ線発生効率，出力安定
性等からガス注入型放電が有効である。
必要でありその一方法として、Ｘ線露光法がある。従
来、Ｘ線露光装置のＸ線源としては、アルミニウム、
銅、モリブデン、シリコン、パラジウム等の金属に電子
線を照射してＸ線を発生させる電子線励起方式が用いら
れていたが、Ｘ線発生効率が0.01％程度と低く、Ｘ線源
の高出力化が望めないため、生産性が低いという問題が
あった。これに比べＸ線発生効率が高く、高出力のＸ線
が得られるプラズマＸ線源が注目されている。プラズマ
Ｘ線源には細管放電，レーザ励起，プラズマフォーカ
ス，ガス注入型放電等があり、Ｘ線発生効率，出力安定
性等からガス注入型放電が有効である。
第２図に従来のガス注入型放電法の一例を示す。１は真
空室、２は真空ポンプ、３は高速開閉ガスバルブのガス
溜め、４はピストン、５はガス注入通路を有する上部電
極、６はメッシュ状又は孔を有する下部電極、７はピン
チしたプラズマ、８は発生Ｘ線、９は粒子群、10はＸ線
取り出し窓、11はマスク、12はウェハ、13はコンデン
サ、14は放電スイッチ、15は高速開閉ガスバルブ、16は
リング状のガス通路、17はガス塊、18は下部電極を支持
し、かつ放電空間を形成する導電性の支持体で導体19に
よってコンデンサ13に接続されている。
空室、２は真空ポンプ、３は高速開閉ガスバルブのガス
溜め、４はピストン、５はガス注入通路を有する上部電
極、６はメッシュ状又は孔を有する下部電極、７はピン
チしたプラズマ、８は発生Ｘ線、９は粒子群、10はＸ線
取り出し窓、11はマスク、12はウェハ、13はコンデン
サ、14は放電スイッチ、15は高速開閉ガスバルブ、16は
リング状のガス通路、17はガス塊、18は下部電極を支持
し、かつ放電空間を形成する導電性の支持体で導体19に
よってコンデンサ13に接続されている。
ガス注入放電を起すにはまず、高速開閉ガスバルブ15中
のピストン４を高速に駆動し、瞬時にガス溜め３のガス
をを放電電極間に注入して、真空中に対向した電極５と
電極６の間にガス塊17を形成する。電極間にガス塊を形
成すると同時にスイッチ14を閉じて、充電されたコンデ
ンサ13により電極間に電圧を印加し、ガス塊17を電離し
て円柱状のプラズマを生成させる。さらに、円柱状プラ
ズマの中心軸方向（以後、プラズマ軸方向と言う）に沿
って流れる電流の作る磁場の圧力で上記のプラズマを自
己収束させ、プラズマを圧縮し、高温、高密度プラズマ
を生成する。この高密度プラズマ中のイオンと電子の相
互作用でＸ線を発生させる。
のピストン４を高速に駆動し、瞬時にガス溜め３のガス
をを放電電極間に注入して、真空中に対向した電極５と
電極６の間にガス塊17を形成する。電極間にガス塊を形
成すると同時にスイッチ14を閉じて、充電されたコンデ
ンサ13により電極間に電圧を印加し、ガス塊17を電離し
て円柱状のプラズマを生成させる。さらに、円柱状プラ
ズマの中心軸方向（以後、プラズマ軸方向と言う）に沿
って流れる電流の作る磁場の圧力で上記のプラズマを自
己収束させ、プラズマを圧縮し、高温、高密度プラズマ
を生成する。この高密度プラズマ中のイオンと電子の相
互作用でＸ線を発生させる。
高温、高密度プラズマからはＸ線のほかに光等の電磁波
やイオン、電子、高温ガス等が放出され、ベリリウム等
のＸ線取り出し窓に損傷を与える。特に、第２図に示す
ように、ガス塊17がプラズマ化され、電極の中心軸にプ
ラズマ７が形成されるとき、プラズマの軸方向には高エ
ネルギのイオンや電子の粒子群９が大量に放射される。
従来この粒子群の影響を避けるため、粒子群のプラズマ
径方向への放射が軸方向の1/100〜1/1,000であるのを利
用して第２図のようにＸ線取り出し窓10、マスク11、ウ
ェハ12等はピンチしたプラズマ７の径方向に設置し、Ｘ
線を支持体18に設けた孔から取り出して露光させてい
る。第３図はＸ線マスクの設置されている線源の径方向
から撮影したＸ線ピンホール写真によるＸ線源の形態で
ある。この様な径方向露光ではマスク・ウェハ間隙を10
〜20μｍとしてプロキシイミティ露光を行なった場合に
は、Ｘ線源形状が長い直線状であるため、半影ぼけが大
きくなり、微細パタン転写は不可能であった。
やイオン、電子、高温ガス等が放出され、ベリリウム等
のＸ線取り出し窓に損傷を与える。特に、第２図に示す
ように、ガス塊17がプラズマ化され、電極の中心軸にプ
ラズマ７が形成されるとき、プラズマの軸方向には高エ
ネルギのイオンや電子の粒子群９が大量に放射される。
従来この粒子群の影響を避けるため、粒子群のプラズマ
径方向への放射が軸方向の1/100〜1/1,000であるのを利
用して第２図のようにＸ線取り出し窓10、マスク11、ウ
ェハ12等はピンチしたプラズマ７の径方向に設置し、Ｘ
線を支持体18に設けた孔から取り出して露光させてい
る。第３図はＸ線マスクの設置されている線源の径方向
から撮影したＸ線ピンホール写真によるＸ線源の形態で
ある。この様な径方向露光ではマスク・ウェハ間隙を10
〜20μｍとしてプロキシイミティ露光を行なった場合に
は、Ｘ線源形状が長い直線状であるため、半影ぼけが大
きくなり、微細パタン転写は不可能であった。
一方、プラズマ軸方向露光では、Ｘ線源径が小さく半影
ぼけが小さくなり、微細パタン転写に適するが、プラズ
マ軸方向に飛来する大きなエネルギを持った粒子、光等
によるＸ線取り出し窓材の損傷が大きくなる。そのた
め、Ｘ線取り出し窓の口径を限定し、しかも厚い取り出
し窓材を使用する必要があったため、Ｘ線照射領域が小
さく、また、Ｘ線減衰も大きく、大面積での短時間露光
が困難であった。
ぼけが小さくなり、微細パタン転写に適するが、プラズ
マ軸方向に飛来する大きなエネルギを持った粒子、光等
によるＸ線取り出し窓材の損傷が大きくなる。そのた
め、Ｘ線取り出し窓の口径を限定し、しかも厚い取り出
し窓材を使用する必要があったため、Ｘ線照射領域が小
さく、また、Ｘ線減衰も大きく、大面積での短時間露光
が困難であった。
本発明は従来のＸ線露光装置のＸ線のプラズマ径方向取
り出しにおける半影ぼけを防止し、かつプラズマ軸方向
取り出しにおけるＸ線取り出し窓の損傷を防ぎ、Ｘ線取
り出し窓の薄膜化によって高速露光を可能にすることを
目的とする。
り出しにおける半影ぼけを防止し、かつプラズマ軸方向
取り出しにおけるＸ線取り出し窓の損傷を防ぎ、Ｘ線取
り出し窓の薄膜化によって高速露光を可能にすることを
目的とする。
本発明はＸ線取り出し窓の法線方向とプラズマを生成さ
せるための一組の電極との中心軸を相互に傾け、かつＸ
線取り出し窓の中心位置を発生されるプラズマ軸方向延
長線からずらすことによって上記目的を達成したもので
ある。
せるための一組の電極との中心軸を相互に傾け、かつＸ
線取り出し窓の中心位置を発生されるプラズマ軸方向延
長線からずらすことによって上記目的を達成したもので
ある。
Ｘ線取り出し窓材を損傷させる粒子群はプラズマ中心軸
方向に放出され、Ｘ線はプラズマから等方的に放出され
るので、上記手段によって、Ｘ線取り出し窓にＸ線のみ
を導くことができ、Ｘ線取り出し窓の損傷を防ぐことが
できる。
方向に放出され、Ｘ線はプラズマから等方的に放出され
るので、上記手段によって、Ｘ線取り出し窓にＸ線のみ
を導くことができ、Ｘ線取り出し窓の損傷を防ぐことが
できる。
実施例１ 第１図は本発明の一実施例であって、１は真空室、２は
真空室を排気する真空ポンプ、５は上部電極、６はメッ
シュ状又は孔を有する下部電極、７はピンチプラズマ、
８は発生Ｘ線、11はマスク、12はウェハ、13はコンデン
サ、14は放電スイッチ、15は高速開閉ガスバルブ、24は
充電電源、25は信号発生装置、26は遅延回路、27は高電
圧パルス発生装置、28は高速開閉ガスバルブ駆動用電
源、29は絶縁体、31はアライナー、32はＸ線露光パイプ
である。
真空室を排気する真空ポンプ、５は上部電極、６はメッ
シュ状又は孔を有する下部電極、７はピンチプラズマ、
８は発生Ｘ線、11はマスク、12はウェハ、13はコンデン
サ、14は放電スイッチ、15は高速開閉ガスバルブ、24は
充電電源、25は信号発生装置、26は遅延回路、27は高電
圧パルス発生装置、28は高速開閉ガスバルブ駆動用電
源、29は絶縁体、31はアライナー、32はＸ線露光パイプ
である。
これを動作するためには、真空室１を真空ポンプ２によ
り、10-4〜10-5Torr程度まで排気し、ガスボンベ30から
ネオンやクリプトン等の放電ガスを高速開閉ガスバルブ
15へ導入しておく。つぎに充電電源24によりコンデンサ
13を充電した後、信号発生装置25の信号により、高速開
閉ガスバルブ15の電源28を動作させ、高速開閉ガスバル
ブ15のピストン４を駆動し、高電圧が印加される上部電
極５と対向する下部電極６の間にガス塊17を形成する。
同時に信号発生器25の信号は、電極５と電極６の間に放
電用ガスが注入される時間と一致するように設定された
遅延パルサ26を通って、高電圧パルス発生装置27に入力
され、高電圧パルスで放電スイッチ14を動作させ、絶縁
体29で絶縁されている電極５と電極６の間に高電圧を印
加し、ガス塊17によって放電させる。ガスは放電により
プラズマ化し、プラズマを流れる電流が作る磁場とプラ
ズマ中のイオン・電子の相互作用により、プラズマの中
心方向へ収束し、電極中心軸上で高温、高密度プラズマ
となりＸ線８が照射される。
り、10-4〜10-5Torr程度まで排気し、ガスボンベ30から
ネオンやクリプトン等の放電ガスを高速開閉ガスバルブ
15へ導入しておく。つぎに充電電源24によりコンデンサ
13を充電した後、信号発生装置25の信号により、高速開
閉ガスバルブ15の電源28を動作させ、高速開閉ガスバル
ブ15のピストン４を駆動し、高電圧が印加される上部電
極５と対向する下部電極６の間にガス塊17を形成する。
同時に信号発生器25の信号は、電極５と電極６の間に放
電用ガスが注入される時間と一致するように設定された
遅延パルサ26を通って、高電圧パルス発生装置27に入力
され、高電圧パルスで放電スイッチ14を動作させ、絶縁
体29で絶縁されている電極５と電極６の間に高電圧を印
加し、ガス塊17によって放電させる。ガスは放電により
プラズマ化し、プラズマを流れる電流が作る磁場とプラ
ズマ中のイオン・電子の相互作用により、プラズマの中
心方向へ収束し、電極中心軸上で高温、高密度プラズマ
となりＸ線８が照射される。
第４図は放電電極部の詳細図である。４はガス開閉のピ
ストン、５は上部電極、６は下部電極、16はリング状の
ガス注入通路、17は高速開閉ガスバルブから注入される
ガス塊、７はピンチしたプラズマ、８は発生したＸ線、
９は粒子群である。電極間でピンチしたプラズマ７から
はＸ線８の他に高密度プラズマの崩壊過程で生ずるイオ
ンや電子、高温ガス等が放出される。Ｘ線がプラズマの
各点から周囲へほぼ等方的に放射されるのに対し、イオ
ン、電子、高温ガス等はプラズマ軸方向を中心に放出さ
れる。
ストン、５は上部電極、６は下部電極、16はリング状の
ガス注入通路、17は高速開閉ガスバルブから注入される
ガス塊、７はピンチしたプラズマ、８は発生したＸ線、
９は粒子群である。電極間でピンチしたプラズマ７から
はＸ線８の他に高密度プラズマの崩壊過程で生ずるイオ
ンや電子、高温ガス等が放出される。Ｘ線がプラズマの
各点から周囲へほぼ等方的に放射されるのに対し、イオ
ン、電子、高温ガス等はプラズマ軸方向を中心に放出さ
れる。
プラズマ軸方向、下部電極より約150mm離れた位置にア
ルミニウム箔を置いて、プラズマからの粒子群によるア
ルミニウム箔の損傷の様子を調べると、第５図に示すよ
うにアルミニウム箔の損傷は、中心部分に集中してお
り、中心から２〜３cmのところでは、損傷の割合が急激
に減少している。本実施例では、Ｘ線取り出し窓が、プ
ラズマ軸方向から一定の角度の位置に設置された構造と
なっているため、プラズマからの粒子群による損傷をほ
とんど無視できる。
ルミニウム箔を置いて、プラズマからの粒子群によるア
ルミニウム箔の損傷の様子を調べると、第５図に示すよ
うにアルミニウム箔の損傷は、中心部分に集中してお
り、中心から２〜３cmのところでは、損傷の割合が急激
に減少している。本実施例では、Ｘ線取り出し窓が、プ
ラズマ軸方向から一定の角度の位置に設置された構造と
なっているため、プラズマからの粒子群による損傷をほ
とんど無視できる。
一方、Ｘ線露光では第６図に示すようにＸ線源径2r、ウ
ェハ・マスク間隔ｓ、Ｘ線源からマスクまでの距離Ｄに
よって、半影ぼけδ＝2rs/Dが生ずる。またＸ線源径は
第６図からもわかるように、プラズマ軸方向から一定の
角度に設置したＸ線取り出し窓から見ると長円形とな
り、Ｘ線源径が大きくなる。しかし、本実施例では、Ｘ
線源径の増加は、Ｘ線のプラズマ軸方向取り出しに比
べ、2.5倍の５mm程度となるが、Ｘ線の強度分布は中心
部分が強くなっており、実質上のＸ線源径は３mm程度又
はそれ以下となる。このときの半影ぼけδ＝0.15μｍ以
下であり、現用装置に比べ大きな値ではなく、0.5μｍ
パタン転写用Ｘ線露光装置として障害となることはな
い。
ェハ・マスク間隔ｓ、Ｘ線源からマスクまでの距離Ｄに
よって、半影ぼけδ＝2rs/Dが生ずる。またＸ線源径は
第６図からもわかるように、プラズマ軸方向から一定の
角度に設置したＸ線取り出し窓から見ると長円形とな
り、Ｘ線源径が大きくなる。しかし、本実施例では、Ｘ
線源径の増加は、Ｘ線のプラズマ軸方向取り出しに比
べ、2.5倍の５mm程度となるが、Ｘ線の強度分布は中心
部分が強くなっており、実質上のＸ線源径は３mm程度又
はそれ以下となる。このときの半影ぼけδ＝0.15μｍ以
下であり、現用装置に比べ大きな値ではなく、0.5μｍ
パタン転写用Ｘ線露光装置として障害となることはな
い。
Ｘ線引き出し窓の法線と上部電極、下部電極の中心軸の
なす角度は45°をこえると上述した径方向露光の欠点、
すなわち半影ぼけが大きくなるので好ましくない。有効
な傾き角の下限は露光装置の構成によって異なるが、通
常の装置構成では２°〜３°で充分である。また露光む
ら、パターンずれを防ぐためにはＸ線取り出し窓の周縁
部、マスク、ウェハの周縁部をＸ線源に関して対称関係
を保つようにするのは当然である。
なす角度は45°をこえると上述した径方向露光の欠点、
すなわち半影ぼけが大きくなるので好ましくない。有効
な傾き角の下限は露光装置の構成によって異なるが、通
常の装置構成では２°〜３°で充分である。また露光む
ら、パターンずれを防ぐためにはＸ線取り出し窓の周縁
部、マスク、ウェハの周縁部をＸ線源に関して対称関係
を保つようにするのは当然である。
実施例２ 第７図はＸ線源部を傾斜する代りに、プラズマ軸からあ
る傾斜角をもつ方向にＸ線取り出し窓を複数個設置し、
その延長上にウェハとマスクを設置させる構造としたも
ので、５は上部電極、６は下部電極、７はピンチしたプ
ラズマ、８は発生したＸ線、９は粒子群、10はＸ線取り
出し窓、11はマスク、12はウェハである。ピンチしたプ
ラズマ７から発生する粒子群９はほとんどがプラズマ軸
方向に集中しているため、プラズマ軸方向にＸ線取り出
し窓を設置するものに比べ、Ｘ線取り出し窓10に加わる
損傷が小さく、ベリリウム等のＸ線取り出し窓を薄くす
ることが可能である。さらにＸ線取り出し窓10を複数個
有しているため、１回の露光により複数枚のウェハを露
光することができる。本実施例では下部電極のプラズマ
軸方向に孔をあけていないが、当然プラズマ軸方向に孔
あけしても効果は変らない。
る傾斜角をもつ方向にＸ線取り出し窓を複数個設置し、
その延長上にウェハとマスクを設置させる構造としたも
ので、５は上部電極、６は下部電極、７はピンチしたプ
ラズマ、８は発生したＸ線、９は粒子群、10はＸ線取り
出し窓、11はマスク、12はウェハである。ピンチしたプ
ラズマ７から発生する粒子群９はほとんどがプラズマ軸
方向に集中しているため、プラズマ軸方向にＸ線取り出
し窓を設置するものに比べ、Ｘ線取り出し窓10に加わる
損傷が小さく、ベリリウム等のＸ線取り出し窓を薄くす
ることが可能である。さらにＸ線取り出し窓10を複数個
有しているため、１回の露光により複数枚のウェハを露
光することができる。本実施例では下部電極のプラズマ
軸方向に孔をあけていないが、当然プラズマ軸方向に孔
あけしても効果は変らない。
第７図の実施例において、Ｘ線取り出し窓、マスク及び
ウェハの法線を上部電極、下部電極の中心軸と平行に配
設すると、マスクの位置によってＸ線強度が異なるので
露光むらを生じ、また電極中心軸に近いマスク周縁部と
電極中心軸から遠いマスク周縁部とでマスクに対するＸ
線の入射角が異なるのでパタンずれを生ずる。窓、マス
ク、ウェハのそれぞれをその周縁部がＸ線源に対して対
称関係にあるように配設することはいうまでもない。
ウェハの法線を上部電極、下部電極の中心軸と平行に配
設すると、マスクの位置によってＸ線強度が異なるので
露光むらを生じ、また電極中心軸に近いマスク周縁部と
電極中心軸から遠いマスク周縁部とでマスクに対するＸ
線の入射角が異なるのでパタンずれを生ずる。窓、マス
ク、ウェハのそれぞれをその周縁部がＸ線源に対して対
称関係にあるように配設することはいうまでもない。
以上説明したように、円柱状のプラズマのプラズマ軸方
向に対して、角度をもってＸ線を取り出すことにより、
プラズマから発生するイオンや電子、高温ガス等による
Ｘ線取り出し窓の損傷を少なくでき、薄膜のＸ線取り出
し窓が使用できると同時にＸ線源距離を短かくできるた
め、プラズマから発生するＸ線を高効率で利用できる利
点がある。
向に対して、角度をもってＸ線を取り出すことにより、
プラズマから発生するイオンや電子、高温ガス等による
Ｘ線取り出し窓の損傷を少なくでき、薄膜のＸ線取り出
し窓が使用できると同時にＸ線源距離を短かくできるた
め、プラズマから発生するＸ線を高効率で利用できる利
点がある。
さらに、高効率Ｘ線取り出しによりスループットの向上
が図れると同時に、Ｘ線源径が径方向取り出しに比べ小
さいため、プロキシイミティ露光でサブミクロン転写が
可能である。
が図れると同時に、Ｘ線源径が径方向取り出しに比べ小
さいため、プロキシイミティ露光でサブミクロン転写が
可能である。
このような、Ｘ線の傾き取り出し構成は、Ｘ線分析装
置、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線励起による化学反応装置、Ｘ線励
起を利用する膜形成装置ならびにＸ線励起を利用するエ
ッチング装置に適用してそれら装置の小型化、反応の促
進等に用いることもできる。
置、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線励起による化学反応装置、Ｘ線励
起を利用する膜形成装置ならびにＸ線励起を利用するエ
ッチング装置に適用してそれら装置の小型化、反応の促
進等に用いることもできる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、 第２図は従来のプラズマＸ線源の構成図、 第３図は従来のプラズマＸ線源の形態を示す図、 第４図は第１図の放電電極部分の拡大図、 第５図はプラズマ軸方向におけるプラズマからの粒子群
によるダメイジの様子を示す図、 第６図はＸ線露光における半影ぼけδを説明する図、 第７図は本発明の他の実施例を示す図である。 １……真空室、 ２……真空ポンプ、 ３……ガス溜め、 ４……ピストン、 ５……上部電極、 ６……下部電極、 ７……ピンチしたプラズマ、 ８……発生したＸ線、 ９……粒子群、 10……Ｘ線取り出し窓、 11……マスク、 12……ウェハ、 13……コンデンサ、 14……放電スイッチ、 15……高速開閉ガスバルブ、 17……ガス塊、 24……充電電源、 25……信号発生装置、 26……遅延パルサ、 27……高電圧パルス発生器、 28……高速開閉ガスバルブ駆動用電源、 29……絶縁体、 30……ガスボンベ、 31……アライナー、 32……Ｘ線露光パイプ。
によるダメイジの様子を示す図、 第６図はＸ線露光における半影ぼけδを説明する図、 第７図は本発明の他の実施例を示す図である。 １……真空室、 ２……真空ポンプ、 ３……ガス溜め、 ４……ピストン、 ５……上部電極、 ６……下部電極、 ７……ピンチしたプラズマ、 ８……発生したＸ線、 ９……粒子群、 10……Ｘ線取り出し窓、 11……マスク、 12……ウェハ、 13……コンデンサ、 14……放電スイッチ、 15……高速開閉ガスバルブ、 17……ガス塊、 24……充電電源、 25……信号発生装置、 26……遅延パルサ、 27……高電圧パルス発生器、 28……高速開閉ガスバルブ駆動用電源、 29……絶縁体、 30……ガスボンベ、 31……アライナー、 32……Ｘ線露光パイプ。
Claims (2)
- 【請求項１】プラズマＸ線源を用いるＸ線露光装置にお
いて、Ｘ線取り出し窓の法線方向とプラズマ発生のため
の一組の電極の中心軸とを傾け、かつ前記Ｘ線取り出し
窓の中心位置を発生されるプラズマの軸方向延長線から
ずらして設けたことを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】Ｘ線取り出し窓が複数であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091227A JPH0638391B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Ｘ線露光装置 |
| US06/857,112 US4771447A (en) | 1985-04-30 | 1986-04-29 | X-ray source |
| DE86105914T DE3688946T2 (de) | 1985-04-30 | 1986-04-29 | Röntgenstrahlungsquelle. |
| EP86105914A EP0201034B1 (en) | 1985-04-30 | 1986-04-29 | X-ray source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091227A JPH0638391B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251033A JPS61251033A (ja) | 1986-11-08 |
| JPH0638391B2 true JPH0638391B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=14020534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60091227A Expired - Lifetime JPH0638391B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638391B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4860328A (en) * | 1987-08-25 | 1989-08-22 | Hampshire Instruments, Inc. | Target positioning for minimum debris |
| WO2006056917A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method and apparatus for generating radiation in the wavelength range from about 1 nm to about 30 nm, and use in a lithography device or in metrology |
| DE102004058500A1 (de) * | 2004-12-04 | 2006-06-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer elektrischen Entladevorrichtung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607723A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマｘ線露光装置 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60091227A patent/JPH0638391B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61251033A (ja) | 1986-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |