JPH03201399A - Ｘ線発生方法 - Google Patents
Ｘ線発生方法Info
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- JPH03201399A JPH03201399A JP1339000A JP33900089A JPH03201399A JP H03201399 A JPH03201399 A JP H03201399A JP 1339000 A JP1339000 A JP 1339000A JP 33900089 A JP33900089 A JP 33900089A JP H03201399 A JPH03201399 A JP H03201399A
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- plasma
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Links
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線発生装置、特に、プラズマを利用したＸ
７ｍ発生装置に関するものである。
７ｍ発生装置に関するものである。
（従来の技術）
従来、Ｘ線発生装置として、電子線励起型のいわゆるＸ
線管を用いるものが普通であるが、最近の新技術として
、真空中の電極間の気体を大電流の放電でプラズマ化し
てＸ線を発生させるガスパフ・ＺピンチＸ線源も知られ
るようになっているが、研究レベルでの利用は始まって
いる程度で、普及には到っていない。さらに、金属表面
に高エネルギーのレーザを照射し、金属をプラズマ化し
てＸ線を発生させるレーザプラズマＸ線源の研究も進み
つつある。
線管を用いるものが普通であるが、最近の新技術として
、真空中の電極間の気体を大電流の放電でプラズマ化し
てＸ線を発生させるガスパフ・ＺピンチＸ線源も知られ
るようになっているが、研究レベルでの利用は始まって
いる程度で、普及には到っていない。さらに、金属表面
に高エネルギーのレーザを照射し、金属をプラズマ化し
てＸ線を発生させるレーザプラズマＸ線源の研究も進み
つつある。
しかしながら、電子線励起型Ｘ線管は、輝度が低く、十
分な効果を得るためには長い照射時間を要する問題があ
る。
分な効果を得るためには長い照射時間を要する問題があ
る。
ガスパフ・Ｚピンチ型Ｘ線発生装置では、Ｘ線発光源が
気体のために、使用できる元素は数種類に限られ、発生
できるＸ線の波長が限定されてしまう。現在用いられて
いる元素としては、Ａｒ。
気体のために、使用できる元素は数種類に限られ、発生
できるＸ線の波長が限定されてしまう。現在用いられて
いる元素としては、Ａｒ。
Ｋｒ、Ｃ，Ｎなど数種のみである。また、気体であるた
めに、固体に比べて生成するプラズマの密度が低く、輝
度にも限界がある。電子線励起型Ｘ線管よりは高い輝度
が得られるが、まだ十分ではない。
めに、固体に比べて生成するプラズマの密度が低く、輝
度にも限界がある。電子線励起型Ｘ線管よりは高い輝度
が得られるが、まだ十分ではない。
レーザプラズマＸ線は研究段階であり、実用には至って
いない。
いない。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、はと
んどの元素を用いることができ、より高い輝度でＸ線を
発生させることができるＸ線発生装置を提供することを
目的とするものである。
んどの元素を用いることができ、より高い輝度でＸ線を
発生させることができるＸ線発生装置を提供することを
目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、Ｘ線発生方法において、電極間に固体微粒子
を導入し、該電極間に発生させた放電により、前記固体
微粒子をプラズマ化させてＸ線を発生させることを特徴
とするものである。
を導入し、該電極間に発生させた放電により、前記固体
微粒子をプラズマ化させてＸ線を発生させることを特徴
とするものである。
固体微粒子は、単体元素に限らず、化合物、混合物、あ
るいは、合金などを用いることができる。
るいは、合金などを用いることができる。
固体微粒子として、金属の微粒子を用いることができる
。
。
固体微粒子の種類を変更することにより、発生するＸ線
の波長を変更することができる。
の波長を変更することができる。
（作 用）
本発明は、固体微粒子を電極間に導入し、該電極間に発
生させた放電により、電子と固体微粒子とが衝突し、固
体微粒子が強く電離されてプラズマ化し、プラズマから
Ｘ線が放出されるものである。
生させた放電により、電子と固体微粒子とが衝突し、固
体微粒子が強く電離されてプラズマ化し、プラズマから
Ｘ線が放出されるものである。
（実施例）
第１図は、本発明のＸ線発生方法の一実施例のＸ線発生
過程を説明するための説明図である。図中、１，２は電
極、３は導入パイプ、４は高速バルブ、５は大容量のコ
ンデンサー、６はスイッチ、７は固体微粒子、８は真空
放電、９は放射Ｘ線である。
過程を説明するための説明図である。図中、１，２は電
極、３は導入パイプ、４は高速バルブ、５は大容量のコ
ンデンサー、６はスイッチ、７は固体微粒子、８は真空
放電、９は放射Ｘ線である。
先ず、（Ａ）図に示すように、真空中の電極１゜２間に
、導入パイプより、ガス、液体など他の媒体に混合され
た固体微粒子を、高速バルブの制御により媒体と同時に
噴出させる。同時に、（Ｂ）図に示すように、スイッチ
６を閉じ、大容量のコンデンサー５に蓄えられた電荷を
電極間に印加し、大電流の真空放電８を起こさせる。こ
の放電によって、（Ｃ）図に示すように、電子と固体微
粒子の衝突が起こり、固体微粒子が強く電離されてプラ
ズマ化し、プラズマからＸ線９が放出される。
、導入パイプより、ガス、液体など他の媒体に混合され
た固体微粒子を、高速バルブの制御により媒体と同時に
噴出させる。同時に、（Ｂ）図に示すように、スイッチ
６を閉じ、大容量のコンデンサー５に蓄えられた電荷を
電極間に印加し、大電流の真空放電８を起こさせる。こ
の放電によって、（Ｃ）図に示すように、電子と固体微
粒子の衝突が起こり、固体微粒子が強く電離されてプラ
ズマ化し、プラズマからＸ線９が放出される。
第２図は、他の実施例の説明図である。第１図と同様な
部分は、同じ符号を付して説明を省略する。この実施例
においては、（Ａ）図に示すように、一方の電極２に、
固体微粒子７を載置し、電子線源１０による電子衝撃な
どの方法により固体微粒子をイオン化しておく。ついで
、（Ｂ）図に示すように、スイッチ６の開成による電界
の印加により、イオン化された固体微粒子は、電極１゜
２間に加速されて導入される。同時に、第１図（Ｂ）に
示す真空放電に移り、上述した第１図（Ｃ）に移行して
Ｘ線の放出が行なわれる。
部分は、同じ符号を付して説明を省略する。この実施例
においては、（Ａ）図に示すように、一方の電極２に、
固体微粒子７を載置し、電子線源１０による電子衝撃な
どの方法により固体微粒子をイオン化しておく。ついで
、（Ｂ）図に示すように、スイッチ６の開成による電界
の印加により、イオン化された固体微粒子は、電極１゜
２間に加速されて導入される。同時に、第１図（Ｂ）に
示す真空放電に移り、上述した第１図（Ｃ）に移行して
Ｘ線の放出が行なわれる。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、固体
微粒子を用いることにより、金属元素など非常に多種類
の元素をＸ線放出体とすることができ、Ｘ線波長選択の
自由度が増加する。また、固体をプラズマ化することに
より非常に高密度のプラズマが得られ、高輝度のＸ線が
得られる効果がある。
微粒子を用いることにより、金属元素など非常に多種類
の元素をＸ線放出体とすることができ、Ｘ線波長選択の
自由度が増加する。また、固体をプラズマ化することに
より非常に高密度のプラズマが得られ、高輝度のＸ線が
得られる効果がある。
本発明のＸ線発生方法は、例えば、半導体のＸ線リソグ
ラフィー、Ｘ線顕微鏡等、従来Ｘ線が用いられている全
ての分野に応用でき、高輝度のＸ線が得られるため、測
定時間や、処理時間が大幅に短縮できる。
ラフィー、Ｘ線顕微鏡等、従来Ｘ線が用いられている全
ての分野に応用でき、高輝度のＸ線が得られるため、測
定時間や、処理時間が大幅に短縮できる。
第１図は、本発明のＸ線発生方法の一実施例の説明図、
第２図は、他の実施例の説明図である。 １．２・・・電極、３・・・導入パイプ、４・・・高速
バルブ、５・・・大容量のコンデンサー、６・・・スイ
ッチ、７・・・固体微粒子、８・・・真空放電、９・・
・放射Ｘ線。
第２図は、他の実施例の説明図である。 １．２・・・電極、３・・・導入パイプ、４・・・高速
バルブ、５・・・大容量のコンデンサー、６・・・スイ
ッチ、７・・・固体微粒子、８・・・真空放電、９・・
・放射Ｘ線。
Claims (1)
- 電極間に固体微粒子を導入し、該電極間に発生させた放
電により、前記固体微粒子をプラズマ化させてＸ線を発
生させることを特徴とするＸ線発生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339000A JPH03201399A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Ｘ線発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339000A JPH03201399A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Ｘ線発生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201399A true JPH03201399A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18323321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1339000A Pending JPH03201399A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Ｘ線発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201399A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10221499A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | レーザプラズマｘ線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法 |
| WO2006056917A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method and apparatus for generating radiation in the wavelength range from about 1 nm to about 30 nm, and use in a lithography device or in metrology |
| JP2007525799A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 特にｅｕｖ放射及び／又は軟ｘ線放射を発生する方法及び装置 |
| JP2008522379A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気放電装置を動作させる方法及び機器 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1339000A patent/JPH03201399A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10221499A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | レーザプラズマｘ線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法 |
| JP2007525799A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 特にｅｕｖ放射及び／又は軟ｘ線放射を発生する方法及び装置 |
| WO2006056917A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method and apparatus for generating radiation in the wavelength range from about 1 nm to about 30 nm, and use in a lithography device or in metrology |
| JP2008522355A (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 約１ｎｍから約３０ｎｍの波長範囲の放射線を発生させる方法および機器、ならびにリソグラフィー装置または測定装置での使用 |
| US7688948B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for generating radiation in the wavelength range from about 1 nm to about 30 nm, and use in a lithography device or in metrology |
| TWI393486B (zh) * | 2004-11-29 | 2013-04-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | 用以產生約１奈米到約３０奈米的波長範圍之輻射之方法及裝置以及在一微影器件中或一度量衡中之使用 |
| JP2008522379A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気放電装置を動作させる方法及び機器 |
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