JPS607723A - プラズマｘ線露光装置 - Google Patents
プラズマｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS607723A JPS607723A JP58116511A JP11651183A JPS607723A JP S607723 A JPS607723 A JP S607723A JP 58116511 A JP58116511 A JP 58116511A JP 11651183 A JP11651183 A JP 11651183A JP S607723 A JPS607723 A JP S607723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- plasma
- iris
- cylindrical
- ray source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路製造のための微細ツクタン転
写用プラズマＸ線露光装置に１１．１するものである。
写用プラズマＸ線露光装置に１１．１するものである。
プラズマＸ線源の一方法として、電栓間にＫｒ ｙ Ａ
ｒ 、 Ｎｅ等のガスを瞬間的に噴射させ、同時に電極
間で放電させることによシ、プラズマを発生し、さらに
、プラズマの軸方向に沿って流れる電流によシ、電流が
つくる磁場でプラズマを圧縮しく２ピンチ）高温、高密
度のプラズマを形成して、軟Ｘ線を発生させる方式があ
る（ Ｐ、 Ｇ、 Ｂｕｒｋｈａｌｔｅｒ ｅｔａｌ、
Ｊ、 Ａｐｐｌ、 ｐｈｙｓ。
ｒ 、 Ｎｅ等のガスを瞬間的に噴射させ、同時に電極
間で放電させることによシ、プラズマを発生し、さらに
、プラズマの軸方向に沿って流れる電流によシ、電流が
つくる磁場でプラズマを圧縮しく２ピンチ）高温、高密
度のプラズマを形成して、軟Ｘ線を発生させる方式があ
る（ Ｐ、 Ｇ、 Ｂｕｒｋｈａｌｔｅｒ ｅｔａｌ、
Ｊ、 Ａｐｐｌ、 ｐｈｙｓ。
５０ （７） １９ ７９ ）。
従来、この種の露光装置は第１図に示すような構成にな
っている。第１図において、１は真空室、２は高圧（１
１１電極、３は接地側電極、４はガスバルブ、５はコン
デンサ、６は放電スイッチ、７はＸ線取出し窓、８はウ
ェハ、９はマスク、１０は真空ポンプ、１１は放電グラ
ズマ、１２はピンチプラズマによるＸ！発生部である。
っている。第１図において、１は真空室、２は高圧（１
１１電極、３は接地側電極、４はガスバルブ、５はコン
デンサ、６は放電スイッチ、７はＸ線取出し窓、８はウ
ェハ、９はマスク、１０は真空ポンプ、１１は放電グラ
ズマ、１２はピンチプラズマによるＸ！発生部である。
これらを動作するためには、真空ポンプ１０によシ真空
室１を１０−５〜１０−’ Ｔｏｒｒ台に真空引きする
。つぎに、ガスバルブ４を瞬間的に開いて円筒状ガスを
形成し、同時に放電スイッチ６を閉じることによシ、高
圧側電極２と接地側電極３との間に放電ンラズマ１１を
形成する。
室１を１０−５〜１０−’ Ｔｏｒｒ台に真空引きする
。つぎに、ガスバルブ４を瞬間的に開いて円筒状ガスを
形成し、同時に放電スイッチ６を閉じることによシ、高
圧側電極２と接地側電極３との間に放電ンラズマ１１を
形成する。
この高密度プラズマがら発生するイオンと電子の相互作
用によシ軟Ｘｉを発生させる。この方法では、軟Ｘ線が
長さｔの円柱状になっているため、第２図に示すように
、Ｘ線発生部１２の長さ、マスク９、ウェハ８の幾何学
的位置関係から決まるぼけ量δ（δ＝〕ａ／Ｄ ）が太
きくなる欠点がある。ぼけ量の増加は、転写バタン品質
の劣化を生じ、Ｘ線露光の特長の−っである高精度微細
バタン転写が困難となる。
用によシ軟Ｘｉを発生させる。この方法では、軟Ｘ線が
長さｔの円柱状になっているため、第２図に示すように
、Ｘ線発生部１２の長さ、マスク９、ウェハ８の幾何学
的位置関係から決まるぼけ量δ（δ＝〕ａ／Ｄ ）が太
きくなる欠点がある。ぼけ量の増加は、転写バタン品質
の劣化を生じ、Ｘ線露光の特長の−っである高精度微細
バタン転写が困難となる。
本発明はこれらの欠点を除去するため、高温。
高密度プラズマから発生する軟Ｘ線をＸ線源とし、この
Ｘ線源と、Ｘ線がＸ線取出し窓を介して照射される露光
用マスク等に代表されるＸ線の被照射物との間に、所望
の開口部を有するしはシを設け、このしぼシの開口部の
寸法および形状を、しはシ駆動機構によシ変化せしめる
ととによシ、見かけ上のＸ線源径を小さくするようにし
た軟Ｘ線露光用プラズマＸｉ露光装置を提供するもので
、以下図面について詳細に説明する。
Ｘ線源と、Ｘ線がＸ線取出し窓を介して照射される露光
用マスク等に代表されるＸ線の被照射物との間に、所望
の開口部を有するしはシを設け、このしぼシの開口部の
寸法および形状を、しはシ駆動機構によシ変化せしめる
ととによシ、見かけ上のＸ線源径を小さくするようにし
た軟Ｘ線露光用プラズマＸｉ露光装置を提供するもので
、以下図面について詳細に説明する。
第３図は、本発明の一実施例の縦断面略図で、第４図は
その上面図である。第３図、第４図において１は真空室
、２は高圧側電極、３は接地側１１［，４はガスバルブ
、５はコンデンサ、６は放電スイッチ、７はｘｉ取出し
窓、８はウェハ、９はＸ ＷＳ’Ａがｘ’５取出し窓を
介して照射されるＸ線の被照射物である露光用マスク、
１２は直径が極めて小さい円柱状のピンチプラズマによ
るＸ線発生部、１３は所望の開口部を有するしはシ、１
４はしはシの開口部の寸法および形状を変化せしめるた
めのしはシ駆動機構である。
その上面図である。第３図、第４図において１は真空室
、２は高圧側電極、３は接地側１１［，４はガスバルブ
、５はコンデンサ、６は放電スイッチ、７はｘｉ取出し
窓、８はウェハ、９はＸ ＷＳ’Ａがｘ’５取出し窓を
介して照射されるＸ線の被照射物である露光用マスク、
１２は直径が極めて小さい円柱状のピンチプラズマによ
るＸ線発生部、１３は所望の開口部を有するしはシ、１
４はしはシの開口部の寸法および形状を変化せしめるた
めのしはシ駆動機構である。
これを動作するためには、真空室１を１０−５〜１０−
’ Ｔｏｒｒ台の真空にし、ガスパルブイと放電スイッ
チ６とをほぼ同時に動作させることによシ、高電圧側電
極２と接地側電極３の間に、円柱状のＸ線発生部１２を
得る。
’ Ｔｏｒｒ台の真空にし、ガスパルブイと放電スイッ
チ６とをほぼ同時に動作させることによシ、高電圧側電
極２と接地側電極３の間に、円柱状のＸ線発生部１２を
得る。
本装置では、Ｘ線発生部１２とＸ線取出し窓７の間で、
かつ、Ｘａ１発生部１２に近いところにセラミックス、
石英等の絶縁性、耐熱性の高い材料から成るしはシ１３
を有している。このしはシ１３は、Ｘ線発生部１２を囲
む円筒形をしておシ、かつ、円筒部が、しはシ開ロ部に
相当する微小空隙をはさんで、上下に２分割されている
。すなわ始、シはシ１３は２つの円筒状のＸ線じゃへい
物を同一中心軸上に、微少な空隙をあけて近接させた構
造であシ、かつ円柱状のＸ線源に中心軸を一致させて配
置されている。
かつ、Ｘａ１発生部１２に近いところにセラミックス、
石英等の絶縁性、耐熱性の高い材料から成るしはシ１３
を有している。このしはシ１３は、Ｘ線発生部１２を囲
む円筒形をしておシ、かつ、円筒部が、しはシ開ロ部に
相当する微小空隙をはさんで、上下に２分割されている
。すなわ始、シはシ１３は２つの円筒状のＸ線じゃへい
物を同一中心軸上に、微少な空隙をあけて近接させた構
造であシ、かつ円柱状のＸ線源に中心軸を一致させて配
置されている。
さらに、円柱状のＸ線発生部１２の長手方向に上記空隙
の大きさを変化させるためのしはシ駆動機構１４を有し
ている。なお、円柱状のＸ線発生部１２の直径は放電時
の２ピンチによシ、圧縮されているため、１■以下とな
りている。
の大きさを変化させるためのしはシ駆動機構１４を有し
ている。なお、円柱状のＸ線発生部１２の直径は放電時
の２ピンチによシ、圧縮されているため、１■以下とな
りている。
したがって、円柱状のＸ線発生部１２の直径方向の大き
さは十分小さくほけ量δには影響を与えない。しだがっ
て、Ｌｌ’！ｊｂｚｓＯ窒隙の間隔を狭めるととによ’
）、ＸＭｙ取出し窓７から見たＸ線源を点状のＸ線源に
近づけることができる。
さは十分小さくほけ量δには影響を与えない。しだがっ
て、Ｌｌ’！ｊｂｚｓＯ窒隙の間隔を狭めるととによ’
）、ＸＭｙ取出し窓７から見たＸ線源を点状のＸ線源に
近づけることができる。
またたとえば、非常に微細なバタン転写をする場合はし
はシ１３を狭めて、はけ景δを小さくし露光する。まだ
、はけ量が間組とならない程度の大きいバタンを転写す
る場合は、しは９１３を開いて、Ｘ線強度を強め、露光
時間の短縮を図る。このように、転写バタンの大小によ
シ、ぼけ量を制御できる利点もある。
はシ１３を狭めて、はけ景δを小さくし露光する。まだ
、はけ量が間組とならない程度の大きいバタンを転写す
る場合は、しは９１３を開いて、Ｘ線強度を強め、露光
時間の短縮を図る。このように、転写バタンの大小によ
シ、ぼけ量を制御できる利点もある。
さらに、円柱状のＸ線源の周囲で、かつ放電方向と直角
方向の同一平面上に複数個のＸ線取出し窓を設けること
によシ、１回の露光で同時に複数個の被照射試料例えば
ウェハを露光することが可能である。したがって、スル
ープットの向上にも役立つという利点もある。
方向の同一平面上に複数個のＸ線取出し窓を設けること
によシ、１回の露光で同時に複数個の被照射試料例えば
ウェハを露光することが可能である。したがって、スル
ープットの向上にも役立つという利点もある。
以上説明したように、Ｘ線源とマスクの間に、可変しぼ
シを設けることにより、ウェハ面から見た円柱状または
線状のＸ線源の長さを制御できるため、Ｘ線源の長さｔ
、ターゲット距離り。
シを設けることにより、ウェハ面から見た円柱状または
線状のＸ線源の長さを制御できるため、Ｘ線源の長さｔ
、ターゲット距離り。
ウェハ・マスク間隔Ｓからきまるぼけ量δ（δ＝ Ａｓ
／Ｄ ）を小さくすることが可能であシ、バタン品質の
向上が図れる。
／Ｄ ）を小さくすることが可能であシ、バタン品質の
向上が図れる。
さらに１放電方向と直角の水平面内に、複数個のＸ線取
出し窓を有しているため、同時に多数枚のウェハを露光
でき、スループットの向上に役立つ利点がある。
出し窓を有しているため、同時に多数枚のウェハを露光
でき、スループットの向上に役立つ利点がある。
なお２、本願発明では、円柱状または線状のＸ線源の長
さを、児かけ上短かくして点状のＸ線源に近づけること
により、転写パタンの埋は量を低減化する実施例につい
て述べたが、他の形状を有するＸ線源に対しても、例え
ば、しはシの開口部形状を２次元的に狭くする等の工夫
により、容易に見かけ上点状のｘｂ源に近づけるととが
可能であることは言うまでもない。
さを、児かけ上短かくして点状のＸ線源に近づけること
により、転写パタンの埋は量を低減化する実施例につい
て述べたが、他の形状を有するＸ線源に対しても、例え
ば、しはシの開口部形状を２次元的に狭くする等の工夫
により、容易に見かけ上点状のｘｂ源に近づけるととが
可能であることは言うまでもない。
第１図は、従来のプラズマＸ線露光装置の概略図、第２
図は、プラズマＸ線露光装置のはけ景δの説明図、第３
図は本発明装置の一実施例の概略図、第４図は、第３図
の装置の上面図である。 １・・・真空室、２・・・高圧側＠、極、３・・・接地
側電極、４・・・ガスバルブ、５・・・コンデンサ、６
・・・放電スイッチ、７・・・Ｘ ｆｆｆ！取出し后、
８・・・ウェハ、９・・・マスク、１０・・・真空醪ン
ゾ、１１・・・放電プラズマ、１２・・・Ｘ線発生部、
１３・・・しはシ、１４・・・しはシ駆動機構。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 番 第２ 図 第３図 第４図 只
図は、プラズマＸ線露光装置のはけ景δの説明図、第３
図は本発明装置の一実施例の概略図、第４図は、第３図
の装置の上面図である。 １・・・真空室、２・・・高圧側＠、極、３・・・接地
側電極、４・・・ガスバルブ、５・・・コンデンサ、６
・・・放電スイッチ、７・・・Ｘ ｆｆｆ！取出し后、
８・・・ウェハ、９・・・マスク、１０・・・真空醪ン
ゾ、１１・・・放電プラズマ、１２・・・Ｘ線発生部、
１３・・・しはシ、１４・・・しはシ駆動機構。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 番 第２ 図 第３図 第４図 只
Claims (3)
- （１）電極間に放電プラズマを発生させ、該プラズマに
流れ−る電流の作る磁場による圧縮効果によシ直径が極
めて小さい円柱状の高温、高密度プラズマを形成し、そ
のプラズマから発生する軟Ｘ線をＸ線源とする軟Ｘ線露
光用プラズマＸ線露光装置において、該Ｘ線源と、該Ｘ
線がＸ線取出し窓を介して照射される露光用マスク等に
代表される該Ｘ線の被照射物との間に、所望の開口部を
有するしぼシと、該開口部の寸法および形状を変化せし
めるための、Ｌ？ｙＤ屈動杭構とを有することを特徴と
するプラズマＸ線り光装置。 - （２）シぼシが２つの円筒状のｘＢＬやへい物を同一中
心軸上に、微小な空隙をあけて近接させた構造であり、
かつ該円柱状のＸ線源に中心軸を一致させて配置されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラ
ズマＸ線露光装置。 - （３）円柱状のｘ ｘ、ｔｉ源の周囲に複数個のＸ線取
出し窓を設け、同時に複数個のイル照射試料を露光する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
Ｘ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116511A JPS607723A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | プラズマｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116511A JPS607723A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | プラズマｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607723A true JPS607723A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14688952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116511A Pending JPS607723A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | プラズマｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607723A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154527A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-14 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS61161718A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS61200695A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-05 | マツクスウエル・ラボラトリ−ズ・インコ−ポレ−テツド | 軟ｘ線を発生する装置 |
| JPS61251033A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光装置 |
| US4882220A (en) * | 1988-02-02 | 1989-11-21 | Kanebo, Ltd. | Fibrous structures having a durable fragrance |
| JPH02100310A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Oputo Chem Kk | 近接型ｘ線リソグラフィ装置 |
| US7265907B2 (en) * | 2003-09-03 | 2007-09-04 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing microlens, microlens, optical film, screen for projection, and projector system |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP58116511A patent/JPS607723A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154527A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-14 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH0542806B2 (ja) * | 1984-01-24 | 1993-06-29 | Canon Kk | |
| JPS61161718A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS61200695A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-05 | マツクスウエル・ラボラトリ−ズ・インコ−ポレ−テツド | 軟ｘ線を発生する装置 |
| JPS61251033A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光装置 |
| US4882220A (en) * | 1988-02-02 | 1989-11-21 | Kanebo, Ltd. | Fibrous structures having a durable fragrance |
| US4917920A (en) * | 1988-02-02 | 1990-04-17 | Kanebo, Ltd. | Fibrous structures having a durable fragrance and a process for preparing the same |
| JPH02100310A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Oputo Chem Kk | 近接型ｘ線リソグラフィ装置 |
| US7265907B2 (en) * | 2003-09-03 | 2007-09-04 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing microlens, microlens, optical film, screen for projection, and projector system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3434894A (en) | Fabricating solid state devices by ion implantation | |
| JP3647506B2 (ja) | 半導体基板に絶縁物層を形成する方法 | |
| JP4178330B2 (ja) | プラズマ注入システム | |
| JPS607723A (ja) | プラズマｘ線露光装置 | |
| JPS5975549A (ja) | Ｘ線管球 | |
| KR20170046072A (ko) | 지지 케이스 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 | |
| US7049612B2 (en) | Electron beam treatment apparatus | |
| JPH0614456B2 (ja) | 超微細形状用軟ｘ線発生装置および発生方法 | |
| JPS5875869A (ja) | 集積回路のメタライゼイシヨン | |
| JPS61250948A (ja) | Ｘ線発生装置およびｘ線露光法 | |
| JP2018501626A (ja) | 担体発生空間から電荷担体を抽出する装置及びその装置の動作方法 | |
| Sultan | Development of small-pitch, thin 3D sensors for pixel detector upgrades at HL-LHC | |
| TW529082B (en) | Electron-beam exposure apparatus, electron-beam shaping member, and the manufacturing method of electron-beam shaping member | |
| JPH0638391B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0372183B2 (ja) | ||
| JPH0373982B2 (ja) | ||
| KR20240046627A (ko) | 균일한 플라즈마 선형 이온 공급원 | |
| JPS6298543A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| Contarato | Silicon detectors for particle tracking at future high-energy physics experiments | |
| KR100620225B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| Marchal | Development of pixel detectors for novel imaging applications | |
| KR20230029980A (ko) | 이온 빔 프로세싱 시스템 및, 이의 플라즈마 플레이트 어셈블리 및 차단기 어셈블리를 제조하는 방법들 | |
| JPH0757683A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH03240979A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02117131A (ja) | 集束イオンビーム加工装置 |