JPS6298543A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
- Publication number
- JPS6298543A JPS6298543A JP23828585A JP23828585A JPS6298543A JP S6298543 A JPS6298543 A JP S6298543A JP 23828585 A JP23828585 A JP 23828585A JP 23828585 A JP23828585 A JP 23828585A JP S6298543 A JPS6298543 A JP S6298543A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- emitter
- ion source
- ion beam
- supply system
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明イオンビーム発生装置を以下の項目に従って説明
する６ Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ９従来技術［第２図、第３図］ Ｂ６発明が解決しようとする問題点 Ｅ０問題点を解決するための手段 Ｆ０作用 Ｇ、実施例［第１図］ Ｈ６発明の効果 （Ａ、！楽土の利用分野） 本発明は新規なイオンビーム発生装置、特にイオン源と
してヘリウム、水素あるいはアルゴン等のガスを用いる
気体イオン源方式のイオンビーム発生装置に関するもの
である。
する６ Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ９従来技術［第２図、第３図］ Ｂ６発明が解決しようとする問題点 Ｅ０問題点を解決するための手段 Ｆ０作用 Ｇ、実施例［第１図］ Ｈ６発明の効果 （Ａ、！楽土の利用分野） 本発明は新規なイオンビーム発生装置、特にイオン源と
してヘリウム、水素あるいはアルゴン等のガスを用いる
気体イオン源方式のイオンビーム発生装置に関するもの
である。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、気体イオン源方式のイオンビーム発生装置に
おいて、イオン源ガス供給系と針状電極との間の電位差
をＯないしはそれに近い値にすることによりイオン源ガ
ス供給系と針状電極との間で放電が起きないようにした
ものである。
おいて、イオン源ガス供給系と針状電極との間の電位差
をＯないしはそれに近い値にすることによりイオン源ガ
ス供給系と針状電極との間で放電が起きないようにした
ものである。
（ｃ、従来技術）［第２図、第３図］
ＶＬＳ Ｉ等の製造に不可欠なフォトリングラフィには
フォトレジスト膜に対して選択的に感光させる露光処理
が必要であり、その露光処理には露光源としてイオンビ
ームか用いられる傾向にある。
フォトレジスト膜に対して選択的に感光させる露光処理
が必要であり、その露光処理には露光源としてイオンビ
ームか用いられる傾向にある。
そして、イオンビームを発生するイオンビーム発生装置
として例えば第２図に示すものが用いられる。同図にお
いて、ａはイオンガンで、イオンビームを放射するエミ
ッターｂと、該エミッターｂからイオンビームを加速し
て引き出す引き出し電極Ｃとからなる。エミッターｂと
引き出し電極Ｃとの間には例えば３０ＫＶ程度の電圧が
印加されており、エミッターｂがプラス、引き出し電極
Ｃがマイナスになっている。尚、その引き出し電極Ｃは
接地よりも適宜高い電位にされている。ｄはイオンビー
ムを絞るアパーチャ、ｅはイオンビームを収束する収束
レンズ系、ｆはイオンビームを偏向させる偏向用静電レ
ンズ系、ｇは試料ステージｈ上に載置されたところのレ
ジストが塗布された半導体ウェハである。これ等はすべ
て図示しない真空装置内に設けられている。
として例えば第２図に示すものが用いられる。同図にお
いて、ａはイオンガンで、イオンビームを放射するエミ
ッターｂと、該エミッターｂからイオンビームを加速し
て引き出す引き出し電極Ｃとからなる。エミッターｂと
引き出し電極Ｃとの間には例えば３０ＫＶ程度の電圧が
印加されており、エミッターｂがプラス、引き出し電極
Ｃがマイナスになっている。尚、その引き出し電極Ｃは
接地よりも適宜高い電位にされている。ｄはイオンビー
ムを絞るアパーチャ、ｅはイオンビームを収束する収束
レンズ系、ｆはイオンビームを偏向させる偏向用静電レ
ンズ系、ｇは試料ステージｈ上に載置されたところのレ
ジストが塗布された半導体ウェハである。これ等はすべ
て図示しない真空装置内に設けられている。
第３図は第２図に示すイオンビーム発生装置の究来のイ
オンガンａの具体例を拡大して示すものである。同図に
おいて、ｉは真空槽、ｊは冷凍機、ｋは冷凍ａｊの真空
槽ｉ内部に位置する下端面に固着された銅等熱伝導性の
良い金属体、１は該金属体にの下端面に固着された絶縁
体で、該絶縁体ｔの中央部に無底筒状のエミッターホル
ダーｍを介して上記エミッターｂが垂下状に取り付けら
れている。絶縁体ｔの中央には上記エミッターホルダー
ｍの内部に連通ずるガス通孔ｎが貫設されている。０は
上記金属体ｋに形成されたガス通孔で、その一端がガス
通孔ｎに連通され、他端にはガス管ｐが連結されている
。カス管ｐはそれの反金属体に側の端部が真空槽ｉの内
部を貫通して槽ｉ外に導出され、リークバルブｑに連結
されている。そのリークバルブｑには更にガス管ｒが連
結され、該ガス管ｒはリークバルブｐを介してガスボン
ベしに繋がれている。該ガスボンベｔにはイオン源ガス
たる例えばヘリウム、水素あるいはアルゴン等のガスが
充填されており、そのガスがガス管ｒ、ｐを通して金属
体ｋ、絶縁体ｔのガス通孔０、ｎに送られ、更にガス通
孔ｏ、ｎからエミッターホルダーｍの孔を経てエミッタ
ーｂの基部側から先端側へ噴出される。そして、そのガ
スがイオン化され、引き出し電極Ｃのｆ動きによりイオ
ンビームとなってエミッターｂ先端から放射される。
オンガンａの具体例を拡大して示すものである。同図に
おいて、ｉは真空槽、ｊは冷凍機、ｋは冷凍ａｊの真空
槽ｉ内部に位置する下端面に固着された銅等熱伝導性の
良い金属体、１は該金属体にの下端面に固着された絶縁
体で、該絶縁体ｔの中央部に無底筒状のエミッターホル
ダーｍを介して上記エミッターｂが垂下状に取り付けら
れている。絶縁体ｔの中央には上記エミッターホルダー
ｍの内部に連通ずるガス通孔ｎが貫設されている。０は
上記金属体ｋに形成されたガス通孔で、その一端がガス
通孔ｎに連通され、他端にはガス管ｐが連結されている
。カス管ｐはそれの反金属体に側の端部が真空槽ｉの内
部を貫通して槽ｉ外に導出され、リークバルブｑに連結
されている。そのリークバルブｑには更にガス管ｒが連
結され、該ガス管ｒはリークバルブｐを介してガスボン
ベしに繋がれている。該ガスボンベｔにはイオン源ガス
たる例えばヘリウム、水素あるいはアルゴン等のガスが
充填されており、そのガスがガス管ｒ、ｐを通して金属
体ｋ、絶縁体ｔのガス通孔０、ｎに送られ、更にガス通
孔ｏ、ｎからエミッターホルダーｍの孔を経てエミッタ
ーｂの基部側から先端側へ噴出される。そして、そのガ
スがイオン化され、引き出し電極Ｃのｆ動きによりイオ
ンビームとなってエミッターｂ先端から放射される。
このような図示したイオンビーム発生装置はイオン源と
してヘリウム、水素、アルゴン等のクリーンなガスを用
いるため半導体ウェハｇ等の被照射体に対する汚染かな
く、リングラフィに適しているといえる。
してヘリウム、水素、アルゴン等のクリーンなガスを用
いるため半導体ウェハｇ等の被照射体に対する汚染かな
く、リングラフィに適しているといえる。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、第３
図に示したイオンガンによれば、金属体にのガス通孔Ｏ
とエミッターホルダーｍとの間で放電が生じる慣れがあ
るという問題があった。というのは、エミッターｂから
イオンビームを引き出すためエミッターｂには高い例え
ば３０ＫＶ程度の高い電位を与えなければならず、高い
電位を与えると必然的にエミッターｂと接地レベルの金
属体にとの間に３０ＫＶ程度の電位差が生じる。その結
果、エミッターｂを支持するエミッターホルダーｍと、
金属体にとの間でガス通孔ｎを通して放電が生じる。ま
た、ガス管ｐを絶縁材で形成し金属体にのガス通孔ｎに
通し、金属体にとエミッターホルダーｍとの間で放電が
生じないようにしたとすると、ガス管ｐ、ｒを通してリ
ークバルブｑ、ｓあるいはガスボンベｔとの間で放電が
生じる可能性がある。そして、放電が生じるとエミッタ
ーｂから発生する電流が放電によって変動し、イオンビ
ームの強さが不安定になる。そのため、リングラフィに
おける精度が低下するという問題がある。また、放電が
生じるとエミッターｂが放電によって損傷を受け、エミ
ッターｂの寿命が短かくなるという問題もある。
図に示したイオンガンによれば、金属体にのガス通孔Ｏ
とエミッターホルダーｍとの間で放電が生じる慣れがあ
るという問題があった。というのは、エミッターｂから
イオンビームを引き出すためエミッターｂには高い例え
ば３０ＫＶ程度の高い電位を与えなければならず、高い
電位を与えると必然的にエミッターｂと接地レベルの金
属体にとの間に３０ＫＶ程度の電位差が生じる。その結
果、エミッターｂを支持するエミッターホルダーｍと、
金属体にとの間でガス通孔ｎを通して放電が生じる。ま
た、ガス管ｐを絶縁材で形成し金属体にのガス通孔ｎに
通し、金属体にとエミッターホルダーｍとの間で放電が
生じないようにしたとすると、ガス管ｐ、ｒを通してリ
ークバルブｑ、ｓあるいはガスボンベｔとの間で放電が
生じる可能性がある。そして、放電が生じるとエミッタ
ーｂから発生する電流が放電によって変動し、イオンビ
ームの強さが不安定になる。そのため、リングラフィに
おける精度が低下するという問題がある。また、放電が
生じるとエミッターｂが放電によって損傷を受け、エミ
ッターｂの寿命が短かくなるという問題もある。
そこで、引き出し電極Ｃとエミッターｂとの間に印加す
る引き出し電圧を低くすることにより放電を生じにくく
することも考えられるが、引き出し電圧を低くするとイ
オンを充分に加速することができず、そのためレジスト
を所定パターン通りにきれいに露光することができず、
加工精度が悪くなるという問題をもたらす、従って、引
き出し電圧を下げることは好ましいことではない。
る引き出し電圧を低くすることにより放電を生じにくく
することも考えられるが、引き出し電圧を低くするとイ
オンを充分に加速することができず、そのためレジスト
を所定パターン通りにきれいに露光することができず、
加工精度が悪くなるという問題をもたらす、従って、引
き出し電圧を下げることは好ましいことではない。
本発明は上記問題点を解決すべく為されたもので、引き
出し電圧を高くしても針状電極側とイオン源ガス供給系
側との間で放電が生じることのないようにすることを目
的とするものである。
出し電圧を高くしても針状電極側とイオン源ガス供給系
側との間で放電が生じることのないようにすることを目
的とするものである。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明イオンビーム発生装置は、上記問題点を解決する
ため、イオン源ガス供給系の電位を針状電極の電位と同
程度まで高くしたことを特徴とするものである。
ため、イオン源ガス供給系の電位を針状電極の電位と同
程度まで高くしたことを特徴とするものである。
（Ｆ、作用）
従って、本発明イオンビーム発生装置によれば、イオン
源ガス供給系と針状電極との間の電位差を略Ｏにするこ
とができる。依って、イオン源ガスの供給経路において
放電が生じることを防止することができ、高い引き出し
電圧で充分にイオンを加速してイオンビームを発生する
ことができる。
源ガス供給系と針状電極との間の電位差を略Ｏにするこ
とができる。依って、イオン源ガスの供給経路において
放電が生じることを防止することができ、高い引き出し
電圧で充分にイオンを加速してイオンビームを発生する
ことができる。
（Ｇ、実施例）［第１図］
以下に、本発明イオンビーム発生装置を添附図面に示し
た実施例に従って詳細に説明する。
た実施例に従って詳細に説明する。
第１図は本発明イオンビーム発生装置の実施の一例の要
部を示すものである。
部を示すものである。
同図において、ｌはイオンビーム発生装置の真空槽、２
は冷凍機で、その下端部が真空槽１の上部を貫通して槽
ｌ内部に位置されている。３は冷凍機２の下端面に固着
された熱伝導性の良い銅等の金属からなる金属体、４は
該金属体の下端面に固着された例えば絶縁サフィアから
なる絶縁体で、該絶縁体４の下端面中央部にエミッター
ホルタ−５を介してエミッター６が垂下状に取着されて
いる。該エミッター６は例えば３０ＫＶ程度の高い電位
が与えられている。７は引き出し電極で、接地されてお
り、該引き出し電極７はエミッター６に対してマイナス
３０ＫＶの電位を持ちエミッター６からイオンビームを
引き出す、Ｅａは引き出し電圧発生源である。８は例え
ばステンレス等の金属からなるガス管で、その外端部は
高電圧用碍子９により真空槽１から絶縁分離されたうえ
で真空槽１外へ導出されており、その外端がガスリザー
バ１１に連結されている。１０はガス管８の碍子９はガ
スリザーバ１１との間の部分に設けられたガスリークバ
ルブで、このバルブｌＯの開き具合を調整することによ
りエミッターｂ先端部へ供給するイオン源ガスの量を調
節する。また、ガス管８の内端部はエミッターホルダー
５の基部近傍からその先端に垂下し、ガスをエミッター
６の先端部に向けて噴出し得るような向きで絶縁体４に
支持されている。ガスリザーバ１１は例えばステンレス
酸で上記引き出し電圧と略同じ電圧が接地との間に与え
られており、表面が例えばシリコンゴム等の絶縁物で被
覆されている。
は冷凍機で、その下端部が真空槽１の上部を貫通して槽
ｌ内部に位置されている。３は冷凍機２の下端面に固着
された熱伝導性の良い銅等の金属からなる金属体、４は
該金属体の下端面に固着された例えば絶縁サフィアから
なる絶縁体で、該絶縁体４の下端面中央部にエミッター
ホルタ−５を介してエミッター６が垂下状に取着されて
いる。該エミッター６は例えば３０ＫＶ程度の高い電位
が与えられている。７は引き出し電極で、接地されてお
り、該引き出し電極７はエミッター６に対してマイナス
３０ＫＶの電位を持ちエミッター６からイオンビームを
引き出す、Ｅａは引き出し電圧発生源である。８は例え
ばステンレス等の金属からなるガス管で、その外端部は
高電圧用碍子９により真空槽１から絶縁分離されたうえ
で真空槽１外へ導出されており、その外端がガスリザー
バ１１に連結されている。１０はガス管８の碍子９はガ
スリザーバ１１との間の部分に設けられたガスリークバ
ルブで、このバルブｌＯの開き具合を調整することによ
りエミッターｂ先端部へ供給するイオン源ガスの量を調
節する。また、ガス管８の内端部はエミッターホルダー
５の基部近傍からその先端に垂下し、ガスをエミッター
６の先端部に向けて噴出し得るような向きで絶縁体４に
支持されている。ガスリザーバ１１は例えばステンレス
酸で上記引き出し電圧と略同じ電圧が接地との間に与え
られており、表面が例えばシリコンゴム等の絶縁物で被
覆されている。
Ｅｂはガスリザーバ１１にその高い電位を与える電圧発
生源である。ｌＯはガス管８の碍子９とガスリザーバ１
１との間の部分に設けられたリークバルブである。ガス
リザーバ１１は切離し可能な連結部１２、ガス管１３、
バルブ１４を介してガスポンベ１５と連結されており、
イオンビームの発生に先立って予めガスポンベ１５から
ガスリザーバ１１ヘイオン源ガスである例えばヘリウム
ガスが供給され、その供給が終了するとガスリザーバ１
１とガスポンベ１５とが機械的に分離される。そして、
ガスリザーバ１１とガスポンベ１５とが分離された状態
でイオンビームの発生が行なわれる。従って、イオンビ
ーム発生時にガスポンベ１５が高電位になるということ
はなく、常に接地レベルに保たれ、触れても感電する惧
れはない。
生源である。ｌＯはガス管８の碍子９とガスリザーバ１
１との間の部分に設けられたリークバルブである。ガス
リザーバ１１は切離し可能な連結部１２、ガス管１３、
バルブ１４を介してガスポンベ１５と連結されており、
イオンビームの発生に先立って予めガスポンベ１５から
ガスリザーバ１１ヘイオン源ガスである例えばヘリウム
ガスが供給され、その供給が終了するとガスリザーバ１
１とガスポンベ１５とが機械的に分離される。そして、
ガスリザーバ１１とガスポンベ１５とが分離された状態
でイオンビームの発生が行なわれる。従って、イオンビ
ーム発生時にガスポンベ１５が高電位になるということ
はなく、常に接地レベルに保たれ、触れても感電する惧
れはない。
イオンガンが第１図に示したような構造のイオンビーム
発生装置によれば、イオン源ガス供給系であるガス管８
、バルブ１０、ガスリザーバ１１が電圧源Ｅｂによって
エミッター５と同じ電位に保たれるので、イオン源ガス
供給系とエミッターホルダー５、エミッター６との間の
電位差が略０になり、その間で放電が生じる余地がない
、従って、充分に引き出し電圧が高くても支障なくイオ
ンビームを発生することができる。
発生装置によれば、イオン源ガス供給系であるガス管８
、バルブ１０、ガスリザーバ１１が電圧源Ｅｂによって
エミッター５と同じ電位に保たれるので、イオン源ガス
供給系とエミッターホルダー５、エミッター６との間の
電位差が略０になり、その間で放電が生じる余地がない
、従って、充分に引き出し電圧が高くても支障なくイオ
ンビームを発生することができる。
尚、本実施例において、ガスリザーバ１１等のイオン源
ガス供給系の電位を電圧源Ｅｂによって高めているが、
その表面をシリコンゴム等絶縁材料で被覆するので感電
等の惧れがない。
ガス供給系の電位を電圧源Ｅｂによって高めているが、
その表面をシリコンゴム等絶縁材料で被覆するので感電
等の惧れがない。
また、本実施例においては、ガスリザーバ１１等イオン
源ガス供給系が真空槽、ｌ外に設けられているが、イオ
ン源ガス供給系を真空槽ｌ内に設けるようにしても良い
。そして、本実施例においては、ガスリザーバ１１の電
位とエミッター６の電位とが同じであったが、完全に同
じにする必要がなく、同程度であればその間に多少の電
位差が生じても放電は生じない。
源ガス供給系が真空槽、ｌ外に設けられているが、イオ
ン源ガス供給系を真空槽ｌ内に設けるようにしても良い
。そして、本実施例においては、ガスリザーバ１１の電
位とエミッター６の電位とが同じであったが、完全に同
じにする必要がなく、同程度であればその間に多少の電
位差が生じても放電は生じない。
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたところから明らかなように、本発明イオン
ビーム発生装設は、針状電極と引き出し電極との間に高
電圧を印加し、上記針状電極と引き出し電極との間の部
分にイオン源ガス供給系によりイオン源ガスを供給し、
上記イオン源ガスをイオン化してイオンビームを発生す
るイオンビーム発生装置において、上記イオン源ガス供
給系の電位を上記針状電極の電位と略同じにしたことを
特徴とするものである。
ビーム発生装設は、針状電極と引き出し電極との間に高
電圧を印加し、上記針状電極と引き出し電極との間の部
分にイオン源ガス供給系によりイオン源ガスを供給し、
上記イオン源ガスをイオン化してイオンビームを発生す
るイオンビーム発生装置において、上記イオン源ガス供
給系の電位を上記針状電極の電位と略同じにしたことを
特徴とするものである。
従って、本発明イオンビーム発生装置によれば、イオン
源ガス供給系と針状電極との間の電位差を略Ｏにするこ
とができる。依って、イオン源ガスの供給経路において
放電が生じることを防止することができ、高い引き出し
電圧で充分にイオンを加速してイオンビームを発生する
ことができる。
源ガス供給系と針状電極との間の電位差を略Ｏにするこ
とができる。依って、イオン源ガスの供給経路において
放電が生じることを防止することができ、高い引き出し
電圧で充分にイオンを加速してイオンビームを発生する
ことができる。
第１図は本発明イオンビーム発生装置の実施の一例の要
部を示す断面図、第２図及び第３図は従来技術を説明す
るためのもので、第２図はイオンビーム発生装置の全体
を示す断面図、第３図はイオンビーム発生装置の従来の
イオンガンを示す断面図である。 符号の説明 ６・・・針状電極、 ７・・・引き出し電極、８．１
０．１１・・・イオン源ガス供給系礒９ ズ ４ふあ乙イ矛ｄつ重Ｑｔと何日ジｒ ６ｖ 四］第
１図 ６・・・多↑択４六才版 ７・
・・・ｆ１４ムし４之ノ壺８．１０．１１・・・・／Ｉ
ｊ＞ネ刀・人偵に険表イオ渉”Ｌ−Ａ漏≦Ｌ李（１０６
図 第２図 第３図
部を示す断面図、第２図及び第３図は従来技術を説明す
るためのもので、第２図はイオンビーム発生装置の全体
を示す断面図、第３図はイオンビーム発生装置の従来の
イオンガンを示す断面図である。 符号の説明 ６・・・針状電極、 ７・・・引き出し電極、８．１
０．１１・・・イオン源ガス供給系礒９ ズ ４ふあ乙イ矛ｄつ重Ｑｔと何日ジｒ ６ｖ 四］第
１図 ６・・・多↑択４六才版 ７・
・・・ｆ１４ムし４之ノ壺８．１０．１１・・・・／Ｉ
ｊ＞ネ刀・人偵に険表イオ渉”Ｌ−Ａ漏≦Ｌ李（１０６
図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）針状電極と引き出し電極との間に高電圧を印加し
、 上記針状電極と引き出し電極との間の部分にイオン源ガ
ス供給系によりイオン源ガスを供給し、 上記イオン源ガスをイオン化してイオンビームを発生す
るイオンビーム発生装置において、上記イオン源ガス供
給系の電位を上記針状電極の電位と略同じにした ことを特徴とするイオンビーム発生装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23828585A JPS6298543A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23828585A JPS6298543A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298543A true JPS6298543A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17027917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23828585A Pending JPS6298543A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6298543A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021566A3 (en) * | 2000-09-05 | 2002-08-01 | Axcelis Tech Inc | Bulk gas delivery system for ion implanters |
| JP2002334663A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Vacuum Products Kk | 荷電粒子発生装置及びその発生方法 |
| WO2010132265A2 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Nts, Llc. | Gas delivery in a microscope system |
| KR20130124338A (ko) * | 2010-11-30 | 2013-11-13 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 원격 도펀트 소스를 포함하는 이온 주입기 시스템 및 방법 |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23828585A patent/JPS6298543A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021566A3 (en) * | 2000-09-05 | 2002-08-01 | Axcelis Tech Inc | Bulk gas delivery system for ion implanters |
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| WO2010132265A3 (en) * | 2009-05-12 | 2011-01-20 | Carl Zeiss Nts, Llc. | Gas delivery in an ion microscope system |
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| KR20130124338A (ko) * | 2010-11-30 | 2013-11-13 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 원격 도펀트 소스를 포함하는 이온 주입기 시스템 및 방법 |
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