JPH03240979A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 プラズマ発生装置に関し、 プラズマによる封止樹脂リングの劣化を防止することを
目的として、 プラズマ室と封止樹脂リングとの間に物理的障害を設け
るように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体製造装置（：係り、とりわけ酸素プラズ
マなどのプラズマ室を有する半導体製造装〔従来の技術
〕 従来のプラズマ発生装置の１例を第２図に示す。

このプラズマ発生装置はレジストのアッシング装置であ
るが、プラズマ室１は基台２と石英ガラス３により画成
され、基台２と石英ガラス３の間はパイトン（商品名）
又はシリコーンなどの樹脂製の封止樹脂リング４を用い
て気密封止されている。

５は電極、６は高周波電源、７は試料台、８は被処理ウ
ェーハである。

〔発明が解決しようとする課題〕

近年の半導体製造工程においては微細パターンの懲戒が
要求され、その為クリーン度を向上させる必要がある。

ところが、プラズマノンにさらされる封止樹脂リングの
パイトンやシリコーン樹脂が劣化し、発塵の原因となっ
ている。従来のプラズマ雰囲気ガスはハロゲン系であり
、これに対しては対策が構じられていたが、第１図の如
きアッソング装置ては酸素プラズマが用いられ、従来の
プラズマ発生装置はこれに対する対策が十分でないため
発塵が避けられｔヨいようである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達成するために、プラズマ室を封
止樹脂リングで気密封止した半導体製造装置において、
プラズマ室と封止樹脂リングの間にプラズマによる封止
樹脂リングの劣化を防止するための物理的障害を設けた
ことを特徴とする半導体製造装置を提供する。

〔作　用〕

プラズマ室と封止樹脂リングの間に物理的障害を設ける
ことにより、プラズマノンに封止樹脂リングがさらされ
にくくなり、発塵が減少する。

〔実施例〕

第２図は第１図のプラズマ発生装置の封止樹脂リングに
よる封止部分（図中のＡ部）を拡大したもので、基本的
に平坦な基台２上にこれまで基本的に平坦な底面を有す
る石英ガラス３が封止樹脂リング４を介して締め付けら
れている。リング４の直径は一般に５〜１０ｍｍφであ
るが、封止樹脂リング４の体積（厚み）分の隙間が石英
ガラス３と基台２の間が生じ、この隙間を介してプラズ
マノンが封止樹脂リング４に触れ、これを劣化させる原
因になっている。

第３図は第２図と同様の部分を、本発明に従い改良した
装置を示す。基台２′と石英ガラス３′のプラズマ室（
図の左側）から封止樹脂リング４までの間に、凹凸部を
設けてプラズマノンが封止樹脂リング４に到達するのを
困難にされている。

プラズマノンに対する物理的障害の形式や数は、第３図
の例に限られないことは明らかである。

本発明によれば、従来のプラズマアッシング装置の場合
と比べて発塵が減少し、半導体の汚染が防止される。

なお、本発明は各種のプラズマ発生装置に適用できるこ
とは明らかである。

〔発明の効果〕

本発明の半導体製造装置では、プラズマ室の気密封止用
リングがプラズマノンにさらされて劣化し、発塵するこ
とが防止され、半導体の品質向上に寄与する。

【図面の簡単な説明】

第１図はプラズマ発生装置の模式図、第２図は従来の気
密封止構造を示す図、第３図は本発明による気密封止構
造を示す図である。 １・・・プラズマ室、　　２・・・基台、３・・・石英
ガラス、　　４・・・封止樹脂リング、５・・・電極、
　　　　　６・・・高周波電源、７・・・試料台、　　
　　　８・・・ウェーハ。 アッシング装置 第　１川 封止部 第２０ 封止部 畠　３田

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．プラズマ室を封止樹脂リングで気密封止した半導体
   製造装置において、プラズマ室と封止樹脂リングの間に
   プラズマによる封止樹脂リングの劣化を防止するための
   物理的障害を設けたことを特徴とする半導体製造装置。