JPS60154527A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS60154527A JPS60154527A JP59010544A JP1054484A JPS60154527A JP S60154527 A JPS60154527 A JP S60154527A JP 59010544 A JP59010544 A JP 59010544A JP 1054484 A JP1054484 A JP 1054484A JP S60154527 A JPS60154527 A JP S60154527A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- exposing
- light
- light source
- stages
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
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- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マスクパターンをウニＩ・へ転写するための
半導体焼付は装置に適用される露光装置に関する。
半導体焼付は装置に適用される露光装置に関する。
ＩＣ，ｌ、８１等の半導体素子を製造するために種々の
型式の半導体焼付は装置が使用されている０この半導体
焼付は装置検装置に固有の露光光源を備え、露光光源か
らでた光によって、マスク又祉レチクルに描かれた回路
パターンをフォトレジストを塗布されたウェハへ焼４−
Ｊけるよ５に構成されている。
型式の半導体焼付は装置が使用されている０この半導体
焼付は装置検装置に固有の露光光源を備え、露光光源か
らでた光によって、マスク又祉レチクルに描かれた回路
パターンをフォトレジストを塗布されたウェハへ焼４−
Ｊけるよ５に構成されている。
更に良く知られているとおり半導体焼付は装置は、露光
ステージへのウェハの搬入、マスクとウェハの相対的な
位置アライメント、露光、露光ステージからのウェハの
搬送等の種々の作業゛工程を繰シ返すことによって、パ
ターンを焼付けたウェハを量産する。
ステージへのウェハの搬入、マスクとウェハの相対的な
位置アライメント、露光、露光ステージからのウェハの
搬送等の種々の作業゛工程を繰シ返すことによって、パ
ターンを焼付けたウェハを量産する。
つま如露光工程は、ウェハに回路パターンを焼付けるの
に必要な全作業工程の一部にすぎないわけである。しか
るに現在の半導体焼付は装置においては各装置ごとに露
光光源を備え、露光用光を安定させるためにこの露光光
源を常時点灯しておき、前述したとおり位置アライメン
ト等の露光工程以外の工程においてはシャッター等の遮
光部材を使用することによって露光用光が露光ステージ
上のウェハに達するのを防いでいた。
に必要な全作業工程の一部にすぎないわけである。しか
るに現在の半導体焼付は装置においては各装置ごとに露
光光源を備え、露光用光を安定させるためにこの露光光
源を常時点灯しておき、前述したとおり位置アライメン
ト等の露光工程以外の工程においてはシャッター等の遮
光部材を使用することによって露光用光が露光ステージ
上のウェハに達するのを防いでいた。
そのため焼付は装置自体の装備が大がかりなものとなっ
てしまい、特に一般の半導体製造工場では焼付は装置が
複数台皿べて使用されていること、を考慮すれば占有す
る空間が大きいのは好ましくない。これに加えて露光光
源が必要なＮ元工程以外においても点灯しているためエ
ネルギーの無駄製化並びに露光用光の有効利用を可能と
する露光装置を提供することにある。
てしまい、特に一般の半導体製造工場では焼付は装置が
複数台皿べて使用されていること、を考慮すれば占有す
る空間が大きいのは好ましくない。これに加えて露光光
源が必要なＮ元工程以外においても点灯しているためエ
ネルギーの無駄製化並びに露光用光の有効利用を可能と
する露光装置を提供することにある。
本発明に従うと上述した目的を達成するために、共通の
露光光源からでた露光用光ｈａ数の露光ステージへ差し
向けられる０このように露光光源を複数の露光ステージ
に関して共有すれば、焼付は装置ごとに別個に露光光源
を備える必要はなくなり焼付は装置の軽装化に役立つ。
露光光源からでた露光用光ｈａ数の露光ステージへ差し
向けられる０このように露光光源を複数の露光ステージ
に関して共有すれば、焼付は装置ごとに別個に露光光源
を備える必要はなくなり焼付は装置の軽装化に役立つ。
ここで露光ステージは一台の焼付は装置に一台備わって
いる場合に限らず、一台の焼付は装置に複数の露光ステ
ージが備わっている場合も考えられる。この場合にも複
数の露光ステージに対して露光光源を共有することにな
る。
いる場合に限らず、一台の焼付は装置に複数の露光ステ
ージが備わっている場合も考えられる。この場合にも複
数の露光ステージに対して露光光源を共有することにな
る。
又露光用光を複数の露光ステージへ掘り向けることとす
れば一つの露光光關に対する露光工程時間が全体的に増
加することになるため、露光エネルギーの損失を極めて
減少させることも可能である。更に近年半導体製造工場
においては焼付は装置の集中管理体制を進める方向にあ
るが、露光光源を共有することによって焼付は装置の集
中管理も一層容易となるのは明らかである。
れば一つの露光光關に対する露光工程時間が全体的に増
加することになるため、露光エネルギーの損失を極めて
減少させることも可能である。更に近年半導体製造工場
においては焼付は装置の集中管理体制を進める方向にあ
るが、露光光源を共有することによって焼付は装置の集
中管理も一層容易となるのは明らかである。
更に本発明の好ましい％ｇＬＫ従５と、共通のＷｋ１元
元源はレーザーを連続発振する。レーザーは光束の指光
性の点において水銀２ンプより優れているため、露光光
源から露光ステージへ光を導くために、簡単な光学素子
を配置するだけで十分である。
元源はレーザーを連続発振する。レーザーは光束の指光
性の点において水銀２ンプより優れているため、露光光
源から露光ステージへ光を導くために、簡単な光学素子
を配置するだけで十分である。
更に本発明の好ましい特徴に従うと＼共通の露光光源は
レーザーをパルス状発振する。露光光源から露光ステー
ジへ光を導（ために簡単な光学素子を配置するだけで良
いのは上述したとおりである。これに加えてレーザーが
パルス状発振されるため、各露光ステージでの露光タイ
ミングに合わせてパルス発振させるタイミングを調整す
れば露光エネルギーの損失を完全になくすことができる
。
レーザーをパルス状発振する。露光光源から露光ステー
ジへ光を導（ために簡単な光学素子を配置するだけで良
いのは上述したとおりである。これに加えてレーザーが
パルス状発振されるため、各露光ステージでの露光タイ
ミングに合わせてパルス発振させるタイミングを調整す
れば露光エネルギーの損失を完全になくすことができる
。
更に本発明の好ましい特徴に従うと、露光用光は露光ス
テージの各々の露光タイミングに合わせて選択的に差し
向けられる。焼付は装置のうちの一台が不測の事故等に
より焼付は作業を停止させる必要が生じた場合、予ヤ設
足された露光スケジュールを急に変更しなければならな
い。このようなとき所望の露光ステージへ露光用光を選
択的に導くように制御できれば何ら問題はなくなる。
テージの各々の露光タイミングに合わせて選択的に差し
向けられる。焼付は装置のうちの一台が不測の事故等に
より焼付は作業を停止させる必要が生じた場合、予ヤ設
足された露光スケジュールを急に変更しなければならな
い。このようなとき所望の露光ステージへ露光用光を選
択的に導くように制御できれば何ら問題はなくなる。
次に本発明の好ましい実施例について説明する。
第１図において参照番号６，７．８．９は露光ステージ
を示し、参照番号１はこれらの露光ステージ６．７．ａ
、９に共通の露光光源である。露光光源１からでた光社
平面ミラー等の光学素子２゜３．４．５によって露光ス
テージ６．７，８．９へそれぞれ差し向けられる。
を示し、参照番号１はこれらの露光ステージ６．７．ａ
、９に共通の露光光源である。露光光源１からでた光社
平面ミラー等の光学素子２゜３．４．５によって露光ス
テージ６．７，８．９へそれぞれ差し向けられる。
図示された光学素子のうち最後尾の光学素子５以外の光
学素子２，３．４は、露光用光を露光ステージ６ 、７
、８へ差し向けるための位置と露光用光を通過させる
ための位置との間を交互に移動することができる。
学素子２，３．４は、露光用光を露光ステージ６ 、７
、８へ差し向けるための位置と露光用光を通過させる
ための位置との間を交互に移動することができる。
光学素子２，６．４の移動は、制御装置１０によって所
望の露光ステージ６．７，８．９へ光を導くように制御
されるのが好ましい。
望の露光ステージ６．７，８．９へ光を導くように制御
されるのが好ましい。
本実施例においては最後尾に配置された光学素子５は、
光をステージ９へ差し向けるよ５な位置に固定しである
が他の光学素子２，５．４と同様可動にしても良いのは
明らかである。
光をステージ９へ差し向けるよ５な位置に固定しである
が他の光学素子２，５．４と同様可動にしても良いのは
明らかである。
露光光源１としては水銀ランプ、レーザー等が考えられ
る。水銀ラングからの光束は指向性の点において劣るた
め光路を長（すると光束が広がってしまう。そこで露光
光源１と露光ステージ６゜７．８．９との間に適当な光
学系を配置する必要はある。この点においてレーザーの
場合は光束の指向性が良いためｆ？ｔｉ単な構成のｙＣ
学系で十分である。
る。水銀ラングからの光束は指向性の点において劣るた
め光路を長（すると光束が広がってしまう。そこで露光
光源１と露光ステージ６゜７．８．９との間に適当な光
学系を配置する必要はある。この点においてレーザーの
場合は光束の指向性が良いためｆ？ｔｉ単な構成のｙＣ
学系で十分である。
更にレーザーのうちでも発振状態を選択することによっ
て、露光エネルギーの損失を減少させるという本発明の
効果は一層顕著なものとなる。
て、露光エネルギーの損失を減少させるという本発明の
効果は一層顕著なものとなる。
近年パルス状発振のレーザーとしてエキシマレーザ−が
知られている０この場合各露光ステージにおける露光タ
イミングに合わせてパルスの発掘タイミングを制御すれ
ば、露光光源１を常時作動させておいても霧光エネルギ
ーを無駄にすることは全（ない。エキシマレーザ−は出
力が大きいので、例えばステップアンドリピート方式の
アライナ−（いわゆるステッパー）の場合には露光はフ
ォトレジストの種類と諸条件にもよるが１シヨツト１〜
数パルスぐらいで十分であり露光時間が短かくなる。
知られている０この場合各露光ステージにおける露光タ
イミングに合わせてパルスの発掘タイミングを制御すれ
ば、露光光源１を常時作動させておいても霧光エネルギ
ーを無駄にすることは全（ない。エキシマレーザ−は出
力が大きいので、例えばステップアンドリピート方式の
アライナ−（いわゆるステッパー）の場合には露光はフ
ォトレジストの種類と諸条件にもよるが１シヨツト１〜
数パルスぐらいで十分であり露光時間が短かくなる。
そのため−金白たシの露光に要する時間は短か（、共通
光源で多数の露光ステージに位置したウニ・・を露光す
ることが可能である。
光源で多数の露光ステージに位置したウニ・・を露光す
ることが可能である。
なお第１図には露光ステージを順に露光する実施例を示
したが、露光光源１からの光を分割して差し向け、同時
に複数の露光ステージを露光することができるの社明ら
かである。
したが、露光光源１からの光を分割して差し向け、同時
に複数の露光ステージを露光することができるの社明ら
かである。
第１図は本発明を説明するための図である。
１・・・露光光源 ２，３，４．５・・・光学素子６．
７，８，９・Φ・露光ステージ １０・・・制御装置 出願人 キャノン株式会社
７，８，９・Φ・露光ステージ １０・・・制御装置 出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）マスクパターンをウニノーへ転写するための半導
体焼付は装置において使用される露光装置であって、前
記露光装置社、パターンをウニノーへ焼き付けるための
露光用光を出す複数の露光ステージに共通の光臨と、 前記光源からでた露光用光を複数の露光ステージへ差し
向けるための手段とを有することを特徴とする露光装置
０ （２前記露光用元は連続発振寄れたレーザーであること
を特徴とする特許わ請求の範囲第１項記載の露光装置。 （６）前記露光用光はパルス状発振されたレーザーであ
ることを特徴とする特許結末の範囲第１項記載の露光装
置。 （４）前記手段は、露光ステージの各々の露光タイミン
グに応じて選択的に作動するように制御されるごとを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010544A JPS60154527A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 露光装置 |
| US06/690,940 US4653903A (en) | 1984-01-24 | 1985-01-14 | Exposure apparatus |
| GB08501765A GB2155648B (en) | 1984-01-24 | 1985-01-24 | An exposure apparatus |
| DE19853502339 DE3502339A1 (de) | 1984-01-24 | 1985-01-24 | Belichtungsvorrichtung |
| GB08723949A GB2195031A (en) | 1984-01-24 | 1987-10-12 | Exposing wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010544A JPS60154527A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154527A true JPS60154527A (ja) | 1985-08-14 |
| JPH0542806B2 JPH0542806B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=11753198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010544A Granted JPS60154527A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154527A (ja) |
| DE (1) | DE3502339A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312342A (ja) * | 1995-02-10 | 1995-11-28 | Nikon Corp | 半導体製造装置 |
| US6754302B2 (en) | 2001-04-02 | 2004-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| US6781672B2 (en) | 1999-03-08 | 2004-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and illumination apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100238377B1 (ko) * | 1997-05-03 | 2000-01-15 | 김영환 | 광학배향장치 및 방법 |
| DE102004013886A1 (de) | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem |
| DE102015212878A1 (de) * | 2015-07-09 | 2017-01-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Strahlführungsvorrichtung |
| CN105467779A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光机及曝光方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583232A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method and apparatus for x ray exposure |
| JPS57169242A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | X-ray transferring device |
| JPS607723A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマｘ線露光装置 |
| JPS60110121A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-06-15 | フアインフオ−クス・レントゲンジユステ−メ・ゲ−エムベ−ハ− | Ｘ線リトグラフ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2134144A1 (de) * | 1970-07-09 | 1972-01-20 | Thomson Csf | Opto-elektrisches Schreibsystem zur Herstellung von Mikroschaltungen |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59010544A patent/JPS60154527A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-24 DE DE19853502339 patent/DE3502339A1/de active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583232A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method and apparatus for x ray exposure |
| JPS57169242A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | X-ray transferring device |
| JPS607723A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマｘ線露光装置 |
| JPS60110121A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-06-15 | フアインフオ−クス・レントゲンジユステ−メ・ゲ−エムベ−ハ− | Ｘ線リトグラフ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312342A (ja) * | 1995-02-10 | 1995-11-28 | Nikon Corp | 半導体製造装置 |
| US6781672B2 (en) | 1999-03-08 | 2004-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and illumination apparatus |
| US6754302B2 (en) | 2001-04-02 | 2004-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542806B2 (ja) | 1993-06-29 |
| DE3502339A1 (de) | 1985-08-14 |
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