JPH05291107A - レーザ露光システム - Google Patents

レーザ露光システム

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Publication number
JPH05291107A
JPH05291107A JP4096335A JP9633592A JPH05291107A JP H05291107 A JPH05291107 A JP H05291107A JP 4096335 A JP4096335 A JP 4096335A JP 9633592 A JP9633592 A JP 9633592A JP H05291107 A JPH05291107 A JP H05291107A
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JP
Japan
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laser
exposure
laser beam
bus
mirror
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JP4096335A
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English (en)
Inventor
Junichiro Okada
淳一郎 岡田
Yoshihiko Yamamoto
吉彦 山本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、露光生産性を向上できるととも
に、低価格化を図ることができるレーザ露光システムを
得ることを目的とする。 【構成】 エキシマレーザ30のレーザ出力端には、レ
ーザバス400が配設され、このレーザバス400内に
は、ビームスプリッタ32とミラー33とが配設されて
いる。ステッパ101a(101b)は、ミラー5a
(5b)、コンデンサレンズ7a(7b)および対物レ
ンズ8a(8b)からなる縮小投影光学系とシャッタ3
a(3b)とで構成されている。ビームスプリッタ32
とミラー33とで反射されるレーザビーム300を入射
できる位置のそれぞれにステッパ101a、101bが
配設され、制御装置12a、12bのシャッタ3a、3
bの開閉制御によりレーザビーム300を取り込むよう
に構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、集積形半導体(LS
I)の製造プロセスに用いられるレーザ装置、例えばエ
キシマレーザを光源とする複数の縮小投影形露光装置を
備えたレーザ露光システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】LSI製造プロセスにおいて、シリコン
ウエハ上への回路パターンの露光が重要プロセスであ
り、この露光には、従来水銀ランプを光源とする縮小投
影形露光装置(以下、ステッパという)が使用されてい
た。
【0003】また、LSIは複雑な電子回路を持つため
に、1つのLSIが完成するまでに電子回路を構成する
複数のパターンのそれぞれを描いたレチクルと呼ばれる
複数のマスクを通して、シリコンウエハ上に複数のパタ
ーンを作製している。つまり、ステッパを用いて1つの
レチクルを通してシリコンウエハ上にパターンが露光さ
れ、次にパターンが露光されたシリコンウエハにエッチ
ング等の処理をして、1つのパターンをウエハ上に作製
する。さらに、次のレチクルを使用して露光し、エッチ
ング等の処理をして、新たなパターンをウエハ上に作製
する。この工程を順次繰り返し行い、LSIを完成させ
ている。
【0004】このように、シリコンウエハは、目的のL
SIの構造に仕上がるまでに何回かステッパにより露光
されることになり、通常LSI量産ラインには、複数台
のステッパが設置されている。
【0005】図4は従来のステッパの一例を示す基本構
成図、図5はシリコンウエハ上のパターン形成状態を示
す平面図であり、図において1は光源としての水銀ラン
プであり、LSIのパターンの微細化の進展に対応でき
るように、g線(436nm)やi線(365nm)の
短波長光を出す水銀ランプが用いられる。2は水銀ラン
プ1から出射される光ビーム、3は光ビーム2の縮小投
影光学系への取り込みを制御するシャッタ、4はアパー
チャ、5はミラー、6は整形レンズ、7はコンデンサレ
ンズ、8は露光パターンが形成されたレチクル、9は対
物レンズ、10はウエハ20を搭載するXYテーブル、
11はXYテーブル10を駆動するモータ、12はモー
タ11の駆動を制御するとともにシャッタ3の開閉を制
御する制御装置である。
【0006】ここで、ステッパ100は、光ビーム2の
縮小投影光学系への取り込みを制御するシャッタ3と、
アパーチャ4、ミラー5、整形レンズ6、コンデンサレ
ンズ7および対物レンズ9からなる縮小投影光学系と、
XYテーブル10と、モータ11と、制御装置12とか
ら構成されている。
【0007】つぎに、上記従来のステッパ100の動作
について説明する。まず、レチクル8をセットし、感光
剤(レジスト)が塗布されたウエハ20をXYテーブル
10に搭載し、制御装置12の制御によりモータ11を
駆動して、XYテーブル10を適性な位置に移動させ
る。その後、シャッタ3を開閉制御して水銀ランプ1か
ら出射される光ビーム2を縮小投影光学系に取り込む。
【0008】この光ビーム2は、アパーチャ4を通り、
ミラー5で反射され、整形レンズ6で適切なビーム形状
に整形された後、コンデンサレンズ7に入射される。コ
ンデンサレンズ7で拡張された光ビーム2は、レチクル
8を通過し、レチクル8に形成されたLSI回路パター
ン情報が備わり、大きな開口率を持つ対物レンズ9で縮
小された後、ウエハ20上に投射される。この光ビーム
2は、ウエハ20上のレジストが感光するに十分な時間
投射された後、シャッタ3により遮断される。この時、
ウエハ20のレジスト上には、精密なパターン像が形成
され、図2中でP1の位置にLSI1チップ分の露光が
終了する。
【0009】ついで、ウエハ20のP2の位置に露光で
きるように、制御装置12によりモータ11を駆動して
XYテーブル10を移動させる。そこで、上記露光操作
を繰り返して、ウエハ20のP2の位置にLSI1チッ
プ分の露光を行う。このようにして上記露光操作を順次
繰り返して行い、1枚のウエハ20上にLSIの所定チ
ップ分の露光が終了した後、制御装置12によりモータ
11を駆動して、つぎのウエハ20と交換し、同様に露
光操作を行っている。
【0010】一般に、ウエハ20は、直径5〜6インチ
のシリコンが用いられ、1枚で数十個のLSIが生産さ
れる。また、LSIチップは、10mm程度の正方形が
多く、LSIの大規模化にともないその寸法は次第に大
きくなっている。このように、LSIの大規模化、複雑
化が進み、集積度の向上やパターンの微細化の要求か
ら、高精度のパターンが必要となってきた。そこで、ス
テッパには、より微細化するパターンを適正に露光でき
るように、対物レンズ9の開口率の増大や、光源の短波
長化が要求され、特に水銀ランプ1を光源とする上記従
来のステッパでは、適用できないという課題があった。
【0011】そこで、水銀ランプ1に比べて短波長の光
ビームを出射するレーザ、例えばエキシマレーザを光源
とするステッパが提案され、特にコヒーレンスの向上に
よって発生するスペックルを低減させるレーザ装置(特
開平2ー98919号公報)あるいはエキシマレーザの
狭帯域化手段を備えた露光装置(特開平2ー10173
0号公報)が提案されている。
【0012】図6は従来のステッパの他の例を示す構成
図であり、図において30は波長248nmのレーザビ
ームを出射する光源としてのエキシマレーザである。図
6に示す上記ステッパ101は、制御装置12の指令に
より必要な時間レーザビーム300を出射し、図4に示
した上記従来のステッパ100と同様の動作で、ウエハ
20上にレチクル8のパターンを縮小投射するものであ
る。この従来のステッパ101によれば、エキシマレー
ザ30は水銀ランプ1に比べて短波長のビームを出射す
るので、高精度で、より微細なパターンを露光すること
ができ、大規模で複雑なLSIを製造することができ
る。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】従来のステッパは以上
のように、光源として水銀ランプ1を用いているので、
LSIの大規模化、複雑化が進み、集積度の向上やパタ
ーンの微細化の要求にともなう高精度のパターンの露光
に対応できないという課題があった。
【0014】また、光源としてエキシマレーザ30を用
いた場合には、高精度のパターンを露光でき、LSIの
大規模化、複雑化に十分対応することができるが、エキ
シマレーザ30は高度な技術や高精度の部品を使用し、
かつ、高度な制御をする装置であることから、水銀ラン
プ1に比べて高価となり、ステッパが高価になるという
課題があった。
【0015】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、露光生産性を向上できるととも
に、低価格化を図ることができるレーザ露光システムを
得ることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の発明に
係るレーザ露光システムは、レーザ装置と、このレーザ
装置のレーザ出力端に設置されたレーザバスと、このレ
ーザバス内に配設され、レーザ装置から出射されたレー
ザビームを透過および反射する光分配器と、レーザバス
内に配設され、光分配器を透過したレーザビームを反射
するミラーと、光分配器およびミラーで反射されたレー
ザビームを入射する位置のそれぞれに配設され、シャッ
タとレーザビームで縮小投影する縮小投影光学系とから
構成される複数の縮小投影形露光装置と、シャッタの開
閉を制御し、縮小投影形露光装置へのレーザビームの入
射を制御する制御装置とを備えたものである。
【0017】また、この発明の第2の発明に係るレーザ
露光システムは、レーザ装置と、このレーザ装置のレー
ザ出力端に設置されたレーザバスと、このレーザバス内
に配設され、レーザ装置から出射されたレーザビームを
反射する複数の可動ミラーと、可動ミラーを駆動し、レ
ーザビームの反射を制御する制御装置と、複数の可動ミ
ラーで反射されたレーザビームを入射する位置のそれぞ
れに配設された複数の縮小投影形露光装置とを備えたも
のである。
【0018】
【作用】この発明の第1の発明においては、光分配器と
ミラーとがレーザ装置のレーザ出力端に設置されたレー
ザバス内に配設され、複数の縮小投影形露光装置が光分
配器およびミラーで反射されたレーザビームを入射する
位置のそれぞれに配設され、さらにシャッタの開閉を制
御する制御装置が配設されているので、制御装置のシャ
ッタの開閉制御により、光分配器とミラーとのそれぞれ
で反射されたレーザビームを複数の縮小投影形露光装置
に選択的に取り込み露光でき、1台のレーザ装置を複数
の縮小投影系露光装置で共有することができるととも
に、レーザ装置で出射されるレーザビームを用いている
ので、高精度、より微細なパターンを露光することがで
きる。
【0019】また、この発明の第2の発明においては、
複数の可動ミラーがレーザ装置のレーザ出力端に設置さ
れたレーザバス内に配設され、複数の縮小投影形露光装
置が複数の可動ミラーで反射されたレーザビームを入射
する位置のそれぞれに配設され、さらに複数の可動ミラ
ーを駆動する制御装置が配設されているので、制御装置
の可動ミラーの駆動制御により、複数の可動ミラーのそ
れぞれで反射されたレーザビームを複数の縮小投影形露
光装置に選択的に取り込み露光することができる。
【0020】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例1.図1はこの発明の第1の発明に係る一実施例
を示すレーザ露光システムの構成図であり、図において
図4および図6に示した従来のステッパと同一または相
当部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図に
おいて、32はエキシマレーザ30のレーザ出力端に設
けられたレーザバス400を通るエキシマレーザ30の
レーザビーム300を透過光と反射光とに分ける光分配
器としてのビームスプリッタ、33はビームスプリッタ
32の後段に配設され、ビームスプリッタ32を透過し
たレーザビーム300を反射するミラー、34はエキシ
マレーザ30の発振を制御するエキシマレーザ制御装
置、101aおよび101bはそれぞれステッパであ
る。
【0021】ここで、ステッパ101aは、制御装置1
2aにより開閉制御され、レーザビーム300の縮小投
影光学系への取り込みを制御するシャッタ3aと、一対
のミラー5a、コンデンサレンズ7aおよび対物レンズ
9aから構成される縮小投影光学系と、XYテーブル1
0aと、モータ11aと、制御装置12aとで構成され
ており、ステッパ101bも同様に構成されている。
【0022】つぎに、上記実施例1の動作について説明
する。まず、一方のステッパ101aにおいて、レチク
ル8aをセットし、感光剤(レジスト)が塗布されたウ
エハ20aをXYテーブル10aに搭載し、制御装置1
2aの制御によりモータ11aを駆動して、XYテーブ
ル10aを適性な位置に移動させる。さらに、他方のス
テッパ101bにおいて、同様にレチクル8bおよびウ
エハ20bをセットする。その後、制御装置12a、1
2bからエキシマレーザ制御装置34に通信し、必要な
時期にレーザビーム300を出射させる。
【0023】このレーザビーム300は、レーザーバス
400を通り、ビームスプリッタ32で透過光と反射光
に分けられ、ビームスプリッタ32を透過したレーザビ
ーム300はミラー33で反射される。そこで、ステッ
パ101aにおいて、制御装置12aの制御によりシャ
ッタ3aを開ける。ビームスプリッタ32で反射された
レーザビーム300は、ステッパ101aに入射し、一
対のミラー5aを介してコンデンサレンズ7aに入射さ
れる。コンデンサレンズ7aで拡張されたレーザビーム
300は、レチクル8aを通過し、レチクル8aに形成
されたLSI回路パターン情報が備わり、大きな開口率
を持つ対物レンズ9aで縮小された後、ウエハ20a上
に投射される。
【0024】一方、ステッパ101bにおいては、制御
装置12bの制御によりシャッタ3bが閉じられ、ミラ
ー33で反射されたレーザビーム300は、シャッタ3
bで遮断される。また、必要に応じてシャッタ3bが開
けられると、ミラー33で反射されたレーザビーム30
0は、ステッパ101bに入射し、同様にして、ウエハ
20b上に投射される。
【0025】このようにして、ウエハ20a、20bの
レジスト上に、LSI1チップ分の露光が終了する。つ
いで、制御装置12a、12bの制御によりモータ11
a、11bを駆動してXYテーブル10a、10bを移
動し、ウエハ20a、20bを所望の位置に移動させ
る。さらに、上述の露光操作を繰り返し、最終的にウエ
ハ20a、20bの全面にLSIを露光する。しかる
後、ウエハを交換し、上述の露光操作を実施する。
【0026】ここで、ウエハ20を次の位置に移動する
間(約1sec)およびウエハ20を交換する間(約数
十sec)は、ステッパ101a、101bにとってレ
ーザビーム300は必要なく、エキシマレーザ30およ
びステッパ101a、101bをつぎのように駆動制御
する必要がある。また、露光時間は約200msecで
ある。
【0027】つぎに、エキシマレーザ30およびステッ
パ101a、101bの駆動方法について説明する。第
1の駆動方法は、エキシマレーザ30を連続運転して、
レーザバス400内にレーザビーム300を常に供給さ
せておき、制御装置12a、12bによりステッパ10
1a、101bがレーザビーム300を必要とするか否
かを判断し、つまり露光フェイズかどうかを判断し、必
要な時(露光フェイズ)にのみシャッタ3a、3bを開
けて、ステッパ101a、101b内にレーザビーム3
00を導入し、それ以外の時にはシャッタ3a、3bを
閉じて、レーザビーム300の導入を遮断するものであ
る。
【0028】第2の駆動方法は、制御装置12a、12
aにより、ステッパ101a、101bがレーザビーム
300を必要とするか否かを判断し、必要な時にのみエ
キシマレーザ30を駆動してレーザバス400内にレー
ザビーム300を供給するとともに、シャッタ3a、3
bを開閉制御して、ステッパ101a、101bにレー
ザビーム300を導入するものである。
【0029】つまり、制御装置12a、12bからエキ
シマレーザ制御装置34に発振要求信号を送信する。エ
キシマレーザ制御装置34は発振要求信号の受信と同時
あるいは一定時間後にエキシマレーザ30を駆動させ
て、レーザバス400内にレーザビーム300を供給す
るとともに、発振開始信号を制御装置12a、12bに
送信する。制御装置12a、12bは、発振開始信号を
受信すると、シャッタ3a、3bを開けて、ステッパ1
01a、101b内にレーザビーム300を導入する。
露光終了後、制御装置12a、12bは、発振停止信号
をエキシマレーザ制御装置34に送信するとともに、シ
ャッタ3a、3bを閉じる。エキシマレーザ制御装置3
4は、発振停止信号を受信して、エキシマレーザ30の
駆動を停止させる。
【0030】このように、上記第2の駆動方法は、レー
ザビーム300が必要な時にのみレーザビーム300を
導入するように、エキシマレーザ30を間欠運転させる
とともに、シャッタ3a、3bを開閉制御するものであ
るので、エキシマレーザ30を連続運転している第1の
駆動方法に比べて、発振コストを低下することができ
る。
【0031】上記実施例1によれば、光源として水銀ラ
ンプ1に比べて短波長のエキシマレーザ30を用いてい
るので、LSIの大規模化、複雑化が進み、集積度の向
上やパターンの微細化の要求にともなう高精度のパター
ンの露光に対応することができる。
【0032】また、レーザバス400内にビームスプリ
ッタ32とミラー33とを配設し、ビームスプリッタ3
2とミラー33とのそれぞれから反射されたレーザビー
ム300をそれぞれ入射できるようにステッパ101
a、101bを配設しているので、1台のエキシマレー
ザ30により2台のステッパ101a、101bでウエ
ハ20の露光作業がなされ、露光生産性を向上できると
ともに、低価格化を図ることができる。
【0033】実施例2.この実施例2は、この発明の第
1の発明に係る他の実施例である。上記実施例1では、
レーザバス400内にビームスプリッタ32とミラー3
3とを配設し、ビームスプリッタ32とミラー33との
それぞれから反射されたレーザビーム300をそれぞれ
入射できるようにステッパ101a、101bを配設
し、さらにシャッタ3a、3bの開閉操作によりステッ
パ101a、101bへのレーザビーム300の取り込
みを制御するものとしているが、この実施例2では、図
2に示すように、ステッパ101a、101bに対応し
てレーザバス400の出力口にシャッタ35a、35b
を配設するものとしている。
【0034】上記実施例2では、レーザバス400の出
力口に設けられたシャッタ35a、35bを、エキシマ
レーザ制御装置34により開閉制御できるように構成し
ており、ステッパ101a、101bに設けられたシャ
ッタ3a、3bの開閉制御とともにシャッタ35a、3
5bの開閉制御により、ステッパ101a、101bへ
のレーザビーム300の取り込みを2重に制御すること
ができ、上記実施例1の効果に加えて、安全性を向上す
ることができる。
【0035】実施例3.この実施例3は、この発明の第
2の発明に係る一実施例である。図3はこの発明の実施
例3に係るレーザ露光システムを示す構成図であり、図
において36a、36bはそれぞれレーザバス400内
に回転可能に設けられた可動ミラー、37a、37bは
それぞれ制御装置12a、12bの制御により可動ミラ
ー36a、36bを回転駆動するミラー駆動装置であ
る。
【0036】つぎに、上記実施例3の動作について説明
する。なお、エキシマレーザ30の駆動方法は、上記実
施例1と同様に2方式あるが、ここでは間欠運転方式に
ついて説明する。まず、ステッパ101a内にレチクル
8aをセットするとともに、感光剤(レジスト)が塗布
されたウエハ20aをXYテーブル10aに搭載し、制
御装置12aの制御によりモータ11aを駆動して、X
Yテーブル10aを適性な位置に移動させる。同様に、
ステッパ101b内にもレチクル8b、ウエハ20bを
セットする。
【0037】ついで、ステッパ101aが露光ステージ
にあるか否かを制御装置12aにより判断し、露光ステ
ージにある場合には、制御装置12aからエキシマレー
ザ制御装置34に発振要求信号を送信する。エキシマレ
ーザ制御装置34は、発振要求信号を受信すると、エキ
シマレーザ30を駆動してレーザバス400にレーザビ
ーム300を出射するとともに、発振開始信号を制御装
置12aに送信する。制御装置12aでは、発振開始信
号を受信すると、ミラー駆動装置37aを駆動して可動
ミラー36aをレーザビーム300に対して45°の角
度まで回転させる。ついで、シャッタ3aを開けて、可
動ミラー36aで反射されたレーザビーム300をステ
ッパ101a内に取り込み、縮小投影光学系によりレチ
クル8a上のパターンをウエハ20a上に投影露光す
る。
【0038】露光が終了すると、制御装置12aは、シ
ャッタ3aを閉じ、ミラー駆動装置37aを駆動して可
動ミラー36aを回転し、レーザビーム300の光路を
解放するとともに、エキシマレーザ制御装置34に発振
停止信号を送信する。エキシマレーザ制御装置34は、
発振停止信号を受信するとエキシマレーザ30の発振を
停止させる。ついで、制御装置12aは、モータ11a
を駆動しXYテーブル10aを移動して、ウエハ20a
をつぎの露光位置に移動させる。さらに、上述の露光操
作を順次繰り返し、最終的にウエハ20aの全面にLS
Iを露光する。しかる後、ウエハを交換し、上述の露光
操作を実施する。
【0039】一方、ステッパ101bにおいても、同様
に、露光ステージにあるか否かを制御装置12bにより
判断し、露光ステージにある場合には、エキシマレーザ
制御装置34を介してエキシマレーザ30を駆動し、ミ
ラー駆動装置37bを介して可動ミラー36bを回転さ
せ、シャッタ3bを開けて、レーザビーム300を取り
込み、露光ステージにない場合には、エキシマレーザ制
御装置34を介してエキシマレーザ30を発振停止し、
ミラー駆動装置37bを介して可動ミラー36bをレー
ザビーム300の光路を解放するように回転し、シャッ
タ3bを閉じるように動作している。
【0040】ここで、可動ミラー36a、36bがレー
ザバス400内に直列に配設されているので、レーザビ
ーム300を反射するように可動ミラー36aを回転駆
動した場合には、レーザビーム300が可動ミラー36
bまで到達されない。そこで、ステッパ101a、10
1bでの露光フェイズが重複しないようにシステムを動
作させる必要がある。つまり、各ステッパのフェイズを
監視し、一方のステッパにおいて露光フェイズとし、他
方のステッパにおいてウエハの移動もしくは交換フェイ
ズとなるように、システム全体を調停制御することにな
り、高効率の露光システムが実現できる。なお、このよ
うな調停制御は、簡単なシーケンス制御で実現できる。
【0041】上記実施例3によれば、レーザバス400
内に可動ミラー36a、36bを回転可能に配設し、レ
ーザビーム300を反射するように制御装置12a、1
2bにより可動ミラー36a、36bを回転制御し、さ
らに可動ミラー36a、36bのそれぞれから反射され
たレーザビーム300をそれぞれ入射できるようにステ
ッパ101a、101bを配設しているので、上記実施
例1の効果に加え、レーザビーム300は可動ミラー3
6a、36bのそれぞれでロスなく反射されて、2台の
ステッパ101a、101bのそれぞれに100%のパ
ワーのレーザビーム300が取り込まれ、各ステッパに
おける露光条件が等しくなり、露光効率が高められ、露
光作業性を向上することができる。
【0042】なお、上記各実施例では、ステッパ101
の光源としてエキシマレーザ30を用いるものとして説
明しているが、光源としてはエキシマレーザ30に限ら
ず、水銀ランプ1より短波長のレーザであれば、同様の
効果を奏する。
【0043】また、上記各実施例では、ステッパ101
を2台設置するものとして説明しているが、設置するス
テッパ101は3台以上であってもよく、例えば3台の
ステッパ101を設置する場合には、レーザバス400
内に2つのビームスプリッタ32と1つのミラー33と
を配設する、もしくはレーザバス400内に3つの可動
ミラー36を回転可能に配設すればよい。
【0044】さらに、上記各実施例では、各ステッパ1
01に設けられた制御装置12によりシャッタ3、エキ
シマレーザ制御装置34あるいはミラー駆動装置37を
制御するものとして説明しているが、複数の制御装置を
配設してそれぞれを個々に制御するようにしてもよく、
1つの制御装置を配設して全体を統合して制御するよう
にしてもよい。
【0045】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【0046】この発明の第1の発明によれば、レーザ装
置と、このレーザ装置のレーザ出力端に設置されたレー
ザバスと、このレーザバス内に配設され、レーザ装置か
ら出射されたレーザビームを透過および反射する光分配
器と、レーザバス内に配設され、光分配器を透過したレ
ーザビームを反射するミラーと、光分配器およびミラー
で反射されたレーザビームを入射する位置のそれぞれに
配設され、シャッタとレーザビームで縮小投影する縮小
投影光学系とから構成される複数の縮小投影形露光装置
と、シャッタの開閉を制御し、縮小投影形露光装置への
レーザビームの入射を制御する制御装置とを備えている
ので、1台のレーザ装置により複数の縮小投影形露光装
置で露光作業を実施でき、低価格化を図るとともに、生
産性を高めることができる。
【0047】また、この発明の第2の発明によれば、レ
ーザ装置と、このレーザ装置のレーザ出力端に設置され
たレーザバスと、このレーザバス内に配設され、レーザ
装置から出射されたレーザビームを反射する複数の可動
ミラーと、可動ミラーを駆動し、レーザビームの反射を
制御する制御装置と、複数の可動ミラーで反射されたレ
ーザビームを入射する位置のそれぞれに配設された複数
の縮小投影形露光装置とを備えているので、複数の縮小
投影形露光装置のそれぞれに取り込むレーザビームの強
度を等しくできるとともに強くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1を示すレーザ露光システム
の構成図である。
【図2】この発明の実施例2を示すレーザ露光システム
の構成図である。
【図3】この発明の実施例3を示すレーザ露光システム
の構成図である。
【図4】従来の縮小投影形露光装置の一例を示す構成図
である。
【図5】シリコンウエハ上のパターン形成状態を示す平
面図である。
【図6】従来の縮小投影形露光装置の他の例を示す構成
図である。
【符号の説明】
3a、3b シャッタ 5a、5b ミラー(縮小投影光学系) 7a、7b コンデンサレンズ(縮小投影光学系) 9a、9b 対物レンズ(縮小投影光学系) 12a、12b 制御装置 30 エキシマレーザ 32 ビームスプリッタ(光分配器) 33 ミラー 36a、36b 可動ミラー 101a、101b ステッパ(縮小投影形露光装置) 300 レーザビーム 400 レーザバス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/101 8934−4M

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ装置と、前記レーザ装置のレーザ
    出力端に設置されたレーザバスと、前記レーザバス内に
    配設され、前記レーザ装置から出射されたレーザビーム
    を透過および反射する光分配器と、前記レーザバス内に
    配設され、前記光分配器を透過した前記レーザビームを
    反射するミラーと、前記光分配器および前記ミラーで反
    射された前記レーザビームを入射する位置のそれぞれに
    配設され、シャッタと前記レーザビームで縮小投影する
    縮小投影光学系とから構成される複数の縮小投影形露光
    装置と、前記シャッタの開閉を制御し、前記縮小投影形
    露光装置への前記レーザビームの入射を制御する制御装
    置とを備えたことを特徴とするレーザ露光システム。
  2. 【請求項2】 レーザ装置と、前記レーザ装置のレーザ
    出力端に設置されたレーザバスと、前記レーザバス内に
    配設され、前記レーザ装置から出射されたレーザビーム
    を反射する複数の可動ミラーと、前記可動ミラーを駆動
    し、前記レーザビームの反射を制御する制御装置と、複
    数の前記可動ミラーで反射された前記レーザビームを入
    射する位置のそれぞれに配設された複数の縮小投影形露
    光装置とを備えたことを特徴とするレーザ露光システ
    ム。
JP4096335A 1992-04-16 1992-04-16 レーザ露光システム Pending JPH05291107A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017508183A (ja) * 2014-02-25 2017-03-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ビーム分配光学デバイス、このタイプのビーム分配光学デバイスを含む照明光学ユニット、このタイプの照明光学ユニットを含む光学系、及びこのタイプの光学系を含む投影照明装置
KR20190047450A (ko) * 2017-10-27 2019-05-08 세메스 주식회사 분배기 및 기판 처리 장치
US20220084847A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Semes Co., Ltd. Substrate treating equipment

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