JPH0587010B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0587010B2 JPH0587010B2 JP60186600A JP18660085A JPH0587010B2 JP H0587010 B2 JPH0587010 B2 JP H0587010B2 JP 60186600 A JP60186600 A JP 60186600A JP 18660085 A JP18660085 A JP 18660085A JP H0587010 B2 JPH0587010 B2 JP H0587010B2
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- JP
- Japan
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- shutter
- fly
- exposure
- speed
- light
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Shutters For Cameras (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は露光装置、特に半導体素子焼付用露光
装置のシャツターに関するものである。
装置のシャツターに関するものである。
[発明の背景]
半導体素子、IC,LSI,VLSI等のパターンの
微細化と高集積化の結果現在ではパターンの形成
に1μmの線幅が要求されるようになつている。
微細化と高集積化の結果現在ではパターンの形成
に1μmの線幅が要求されるようになつている。
そこで必要とされるのは1μmの微細パターンの
焼付を可能とし、複数工程にわたる各パターンを
焼付線幅の数分の1の精度で正確にアライメント
することができ、しかもウエハに欠陥を発生させ
ることが少なく、しかも生産性の高い露光装置で
ある。これまでもこれらの要求に答えるよう各種
方式の微小投影露光装置(ステツパー)が開発さ
れてきた。
焼付を可能とし、複数工程にわたる各パターンを
焼付線幅の数分の1の精度で正確にアライメント
することができ、しかもウエハに欠陥を発生させ
ることが少なく、しかも生産性の高い露光装置で
ある。これまでもこれらの要求に答えるよう各種
方式の微小投影露光装置(ステツパー)が開発さ
れてきた。
ところでステツパーは、微細パターンを焼付る
ためどうしても投影光学系の画角が小さくなる。
そのため分割して焼付ねばならないが、このこと
が原因となつて他のアライナーと比較して生産性
が劣る。ステツパーの生産性を向上することを狙
いとして1枚のウエハに対し数十回繰り返し動作
を行なうシヤツターの高速化を提案するものであ
る。
ためどうしても投影光学系の画角が小さくなる。
そのため分割して焼付ねばならないが、このこと
が原因となつて他のアライナーと比較して生産性
が劣る。ステツパーの生産性を向上することを狙
いとして1枚のウエハに対し数十回繰り返し動作
を行なうシヤツターの高速化を提案するものであ
る。
従来のステツパー用シヤツターは、露光光の集
光点に配置された回転ブレードであり、以下のよ
うな問題点がある。
光点に配置された回転ブレードであり、以下のよ
うな問題点がある。
(1) 回転型のシヤツターの高速化を行なうには、
モータの高速化が必要である。
モータの高速化が必要である。
(2) モータの高速化が困難な場合、シヤツターに
増速機構が必要となる。シヤツターの動作がn
倍に増速するとシヤツターの慣性質量もn倍と
なり、その結果モータを高トルク化し、大型化
しなければならなくなる。
増速機構が必要となる。シヤツターの動作がn
倍に増速するとシヤツターの慣性質量もn倍と
なり、その結果モータを高トルク化し、大型化
しなければならなくなる。
(3) ブレードの慣性質量が大きく、しかもブレー
ドの回転角(移動量)が大きいため、立上がり
時間と立下がり時間が大きくなり(第2図参
照)、そのため高速化が困難である。
ドの回転角(移動量)が大きいため、立上がり
時間と立下がり時間が大きくなり(第2図参
照)、そのため高速化が困難である。
[発明の目的]
本発明の目的は、露光装置、特に半導体素子焼
付用露光装置の高速シヤツターを提供することで
ある。
付用露光装置の高速シヤツターを提供することで
ある。
この目的は本発明に従つて露光装置のフライズ
アイズレンズの集光点位置にフライズアイズレン
ズ配列と同じ配列のピンホールを有する2枚の遮
光板と、これらの遮光板を相対的に動かす駆動手
段とを備える露光装置用高速シヤツターによつて
達成される。
アイズレンズの集光点位置にフライズアイズレン
ズ配列と同じ配列のピンホールを有する2枚の遮
光板と、これらの遮光板を相対的に動かす駆動手
段とを備える露光装置用高速シヤツターによつて
達成される。
[実施例]
第1図は本発明による高速シヤツターを装備し
た縮小投影露光装置の略図である。
た縮小投影露光装置の略図である。
第1図において1は水銀ランプ光を反射させる
楕円ミラー、2は楕円ミラーの1つの焦点位置に
配置された水銀ランプ、3は反射ミラー、4は楕
円ミラーの別の焦点に配置された照度ムラをなく
すためのフライズアイズレンズ、5はフライズア
イズレンズの集光点に集光光径よりわずかに大き
い径で、フライズアイズレンズ4と同じピツチで
配置したピンホールを有する固定遮光板、6はこ
の固定遮光板5と同じピンホールを有する可動遮
光板、7はフライズアイズレンズを通過した光を
広げるコンデンサーレンズ、8は情報パターンを
有する原板(レチクル)、9はレチクル8を投影
する投影光学系、10は情報パターンを記録する
担体(ウエハ)、11はウエハ10を移動さるX
−Yステージ、12はX−Yステージの位置決め
信号を受け取りシヤツターの動作命令を出す制御
部、13は制御部よりの命令によりシヤツターを
動作させるための電源部、14はシヤツターを作
動させる駆動部、15は信号ケーブルである。
楕円ミラー、2は楕円ミラーの1つの焦点位置に
配置された水銀ランプ、3は反射ミラー、4は楕
円ミラーの別の焦点に配置された照度ムラをなく
すためのフライズアイズレンズ、5はフライズア
イズレンズの集光点に集光光径よりわずかに大き
い径で、フライズアイズレンズ4と同じピツチで
配置したピンホールを有する固定遮光板、6はこ
の固定遮光板5と同じピンホールを有する可動遮
光板、7はフライズアイズレンズを通過した光を
広げるコンデンサーレンズ、8は情報パターンを
有する原板(レチクル)、9はレチクル8を投影
する投影光学系、10は情報パターンを記録する
担体(ウエハ)、11はウエハ10を移動さるX
−Yステージ、12はX−Yステージの位置決め
信号を受け取りシヤツターの動作命令を出す制御
部、13は制御部よりの命令によりシヤツターを
動作させるための電源部、14はシヤツターを作
動させる駆動部、15は信号ケーブルである。
つぎにこの露光装置の動作を説明する。
ウエハ10をのせたX−Yステージ12の位置
決め完了信号及びフオーカス完了信号を制御部1
1が受信した後露光のため制御部はあらかじめ設
定された露光量、あるいはシヤツター開放時間を
指示するシヤツター動作命令を出す。
決め完了信号及びフオーカス完了信号を制御部1
1が受信した後露光のため制御部はあらかじめ設
定された露光量、あるいはシヤツター開放時間を
指示するシヤツター動作命令を出す。
この制御部からの動作信号により2枚のピンホ
ールを有する板を水平方向に相対運動させること
により(この実施例では固定遮光板5に対し可動
遮光板6を動かすことにより)シヤツターを開閉
する。すなわち2枚の遮光板のピンホールが一致
した時シヤツターは開となり、一致しない時シヤ
ツターは閉となる。これによつてあらかじめ装置
にセツトされたレチクル8上のパターンをウエハ
10上に投影する。
ールを有する板を水平方向に相対運動させること
により(この実施例では固定遮光板5に対し可動
遮光板6を動かすことにより)シヤツターを開閉
する。すなわち2枚の遮光板のピンホールが一致
した時シヤツターは開となり、一致しない時シヤ
ツターは閉となる。これによつてあらかじめ装置
にセツトされたレチクル8上のパターンをウエハ
10上に投影する。
以上の動作を繰り返しレチクルパターンをウエ
ハ上に次々に投影していく。
ハ上に次々に投影していく。
[発明の効果]
本発明の高速シヤツターにより半導体露光装
置、特に縮小投影露光装置の生産性の向上が達成
される。
置、特に縮小投影露光装置の生産性の向上が達成
される。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置用
高速シヤツターを設置した縮小投影露光装置の構
成図、第2図は、従来のシヤツターの動作特性を
説明するグラフである。 1……楕円ミラー、2……水銀ランプ、3……
反射ミラー、4……フライズアイズレンズ、5…
…固定遮光板、6……可動遮光板、7……コンデ
ンサーレンズ、8……レチクル、9……投影光学
系、10……ウエハ、11……X−Yステージ、
12……制御部、13……駆動部の電源、14…
…駆動部、15……信号ケーブル。
高速シヤツターを設置した縮小投影露光装置の構
成図、第2図は、従来のシヤツターの動作特性を
説明するグラフである。 1……楕円ミラー、2……水銀ランプ、3……
反射ミラー、4……フライズアイズレンズ、5…
…固定遮光板、6……可動遮光板、7……コンデ
ンサーレンズ、8……レチクル、9……投影光学
系、10……ウエハ、11……X−Yステージ、
12……制御部、13……駆動部の電源、14…
…駆動部、15……信号ケーブル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 露光装置のフライズアイズレンズの集光点位
置にフライズアイズレンズ配列と同じ配列のピン
ホールを有する2枚の遮光板と、 これらの遮光板を相対的に動かす駆動手段とを
備えることを特徴とする露光装置用高速シヤツタ
ー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60186600A JPS6247124A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 露光装置用高速シヤツタ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60186600A JPS6247124A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 露光装置用高速シヤツタ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6247124A JPS6247124A (ja) | 1987-02-28 |
JPH0587010B2 true JPH0587010B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=16191396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60186600A Granted JPS6247124A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 露光装置用高速シヤツタ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6247124A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2540904B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1996-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 表面被覆硬質材料製切削工具 |
JP2540905B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1996-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 表面被覆硬質材料製切削工具 |
FR2890461B1 (fr) * | 2005-09-05 | 2008-12-26 | Sagem Defense Securite | Obturateur et illuminateur d'un dispositif de photolithographie |
JP5326928B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
FR2996015B1 (fr) * | 2012-09-25 | 2014-09-12 | Sagem Defense Securite | Illuminateur de dispositif de photolithographie permettant la diffraction controlee |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP60186600A patent/JPS6247124A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6247124A (ja) | 1987-02-28 |
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