JP3336389B2 - 露光方法及び装置 - Google Patents
露光方法及び装置Info
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- JP3336389B2 JP3336389B2 JP29183893A JP29183893A JP3336389B2 JP 3336389 B2 JP3336389 B2 JP 3336389B2 JP 29183893 A JP29183893 A JP 29183893A JP 29183893 A JP29183893 A JP 29183893A JP 3336389 B2 JP3336389 B2 JP 3336389B2
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- Japan
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- substrate
- scanning
- mask
- area
- shot
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばウエハ上の各シ
ョット領域を走査開始位置に位置決めした後、スリット
状の照明領域に対してレチクル及びウエハを同期して走
査することにより、レチクル上のパターンを各ショット
領域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・スキャン方
式の露光装置で露光を行う場合に適用して好適な露光方
法に関する。
ョット領域を走査開始位置に位置決めした後、スリット
状の照明領域に対してレチクル及びウエハを同期して走
査することにより、レチクル上のパターンを各ショット
領域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・スキャン方
式の露光装置で露光を行う場合に適用して好適な露光方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、ま
とめて「レチクル」という）のパターンを投影光学系を
介して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ（又はガ
ラスプレート等）上に露光する投影露光装置が使用され
ている。最近は、半導体素子の１個のチップパターン等
が大型化する傾向にあり、投影露光装置においては、レ
チクル上のより大きな面積のパターンを感光基板上に露
光する大面積化が求められている。
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、ま
とめて「レチクル」という）のパターンを投影光学系を
介して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ（又はガ
ラスプレート等）上に露光する投影露光装置が使用され
ている。最近は、半導体素子の１個のチップパターン等
が大型化する傾向にあり、投影露光装置においては、レ
チクル上のより大きな面積のパターンを感光基板上に露
光する大面積化が求められている。
【０００３】斯かる大面積化に応えるために、ウエハ上
の各ショット領域を走査開始位置にステッピングした
後、例えば矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（これ
を「スリット状の照明領域」という）に対してレチクル
及びウエハを同期して走査することにより、レチクル上
のそのスリット状の照明領域より広い面積のパターンを
各ショット領域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・
スキャン方式の投影露光装置が開発されている。以下で
は、ステップ・アンド・スキャン方式で露光を行う場合
を含めて、レチクルとウエハとを同期して走査しながら
露光を行う方式を、「スキャン露光方式」という。
の各ショット領域を走査開始位置にステッピングした
後、例えば矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（これ
を「スリット状の照明領域」という）に対してレチクル
及びウエハを同期して走査することにより、レチクル上
のそのスリット状の照明領域より広い面積のパターンを
各ショット領域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・
スキャン方式の投影露光装置が開発されている。以下で
は、ステップ・アンド・スキャン方式で露光を行う場合
を含めて、レチクルとウエハとを同期して走査しながら
露光を行う方式を、「スキャン露光方式」という。
【０００４】ところで、レチクルのパターン領域には、
複数の同一の（又は異なる）チップパターンが描画され
ている場合がある。この場合、通常の一括露光方式で
は、ウエハ上の周辺部のショット領域のように、レチク
ル上の複数個のチップパターン像の内の一部のチップパ
ターン像を投影する余地しかないようなショット領域
（以下、「欠けたショット領域」という）に対して露光
を行う際にも、レチクルの全パターンの像が露光されて
いた。
複数の同一の（又は異なる）チップパターンが描画され
ている場合がある。この場合、通常の一括露光方式で
は、ウエハ上の周辺部のショット領域のように、レチク
ル上の複数個のチップパターン像の内の一部のチップパ
ターン像を投影する余地しかないようなショット領域
（以下、「欠けたショット領域」という）に対して露光
を行う際にも、レチクルの全パターンの像が露光されて
いた。
【０００５】同様に、スキャン露光方式でそのような複
数のチップパターンが走査方向に分割して形成されたレ
チクルＲを、ウエハ上の欠けたショット領域に露光する
際には、レチクル及びウエハをそれぞれレチクル上の全
部のチップパターンの像を露光する場合と同じ長さ（フ
ルフィールドの長さ）分だけ走査して露光を行ってい
た。
数のチップパターンが走査方向に分割して形成されたレ
チクルＲを、ウエハ上の欠けたショット領域に露光する
際には、レチクル及びウエハをそれぞれレチクル上の全
部のチップパターンの像を露光する場合と同じ長さ（フ
ルフィールドの長さ）分だけ走査して露光を行ってい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
において、スキャン露光方式でウエハ上の欠けたショッ
ト領域にレチクル上の一部のチップパターン像を露光す
る際には、その欠けたショット領域の近傍の不要な領域
（例えばウエハの端部等）もスリット状の照明領域に対
して共役な露光領域に対して走査されていた。従って、
不要な領域を走査している無駄な時間が発生しているこ
ととなり、露光時間が長く露光工程のスループットが低
いという不都合があった。
において、スキャン露光方式でウエハ上の欠けたショッ
ト領域にレチクル上の一部のチップパターン像を露光す
る際には、その欠けたショット領域の近傍の不要な領域
（例えばウエハの端部等）もスリット状の照明領域に対
して共役な露光領域に対して走査されていた。従って、
不要な領域を走査している無駄な時間が発生しているこ
ととなり、露光時間が長く露光工程のスループットが低
いという不都合があった。
【０００７】本発明は斯かる点に鑑み、走査方向に対し
て複数個の回路パターン（チップパターン）が分割して
形成されたレチクルのパターンをステップ・アンド・ス
キャン方式でウエハ上の各ショット領域に露光する際
に、露光時間を短縮して露光工程のスループットを向上
できる露光方法、及び露光装置を提供することを目的と
する。
て複数個の回路パターン（チップパターン）が分割して
形成されたレチクルのパターンをステップ・アンド・ス
キャン方式でウエハ上の各ショット領域に露光する際
に、露光時間を短縮して露光工程のスループットを向上
できる露光方法、及び露光装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の露光
方法は、例えば図１及び図６に示すように、所定形状の
照明領域（２１）を照明する照明光学系（１〜５，８）
と、この照明領域に対して所定の走査方向に転写用のパ
ターンが形成されたマスク（Ｒ）を走査するマスクステ
ージ（９）と、感光性の基板（Ｗ）を載置してこの基板
を２次元的に位置決めすると共にこの基板をその所定の
走査方向に対応する方向に走査する基板ステージ（１
４）とを用い、この基板ステージのステッピング動作に
よりマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）上の複数のショット領域
内の露光対象とするショット領域とを走査露光の加速開
始位置まで位置合わせした後、基板ステージ（１４）及
びマスクステージ（９）を介して照明領域（２１）に対
してその走査方向にマスク（Ｒ）及び基板（Ｗ）を同期
して走査することにより、マスク（Ｒ）のパターンを逐
次基板（Ｗ）上の各ショット領域に転写露光する露光方
法に関する。
方法は、例えば図１及び図６に示すように、所定形状の
照明領域（２１）を照明する照明光学系（１〜５，８）
と、この照明領域に対して所定の走査方向に転写用のパ
ターンが形成されたマスク（Ｒ）を走査するマスクステ
ージ（９）と、感光性の基板（Ｗ）を載置してこの基板
を２次元的に位置決めすると共にこの基板をその所定の
走査方向に対応する方向に走査する基板ステージ（１
４）とを用い、この基板ステージのステッピング動作に
よりマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）上の複数のショット領域
内の露光対象とするショット領域とを走査露光の加速開
始位置まで位置合わせした後、基板ステージ（１４）及
びマスクステージ（９）を介して照明領域（２１）に対
してその走査方向にマスク（Ｒ）及び基板（Ｗ）を同期
して走査することにより、マスク（Ｒ）のパターンを逐
次基板（Ｗ）上の各ショット領域に転写露光する露光方
法に関する。
【０００９】そして、本発明は、マスク（Ｒ）上に複数
の回路パターンがその走査方向に分割されて形成されて
いる場合で、且つ基板（Ｗ）上のショット領域内でマス
ク（Ｒ）の複数の回路パターン中の一部の回路パターン
のみが露光できる一部が欠けたショット領域（ＳＡ１）
にマスク（Ｒ）のパターンを露光する場合に、マスク
（Ｒ）と基板（Ｗ）上の一部が欠けたショット領域（Ｓ
Ａ１）とを加速開始位置に位置合わせし、マスクステー
ジ（９）を介して照明領域（２１）に対してその走査方
向にマスク（Ｒ）をその一部が欠けたショット領域（Ｓ
Ａ１）に露光される回路パターンの長さ分だけ移動する
のと同期して、基板ステージ（１４）を介して基板
（Ｗ）をその一部が欠けたショット領域（ＳＡ１）上に
露光される回路パターンに対応する長さ分だけ走査した
後（軌跡Ｔ１）、マスクステージ（９）を介してマスク
（Ｒ）を次の加速開始位置に設定すると共に、基板ステ
ージ（１４）を介して基板（Ｗ）を次に露光するショッ
ト領域（ＳＡ２）の加速開始位置に設定するようにした
ものである。
の回路パターンがその走査方向に分割されて形成されて
いる場合で、且つ基板（Ｗ）上のショット領域内でマス
ク（Ｒ）の複数の回路パターン中の一部の回路パターン
のみが露光できる一部が欠けたショット領域（ＳＡ１）
にマスク（Ｒ）のパターンを露光する場合に、マスク
（Ｒ）と基板（Ｗ）上の一部が欠けたショット領域（Ｓ
Ａ１）とを加速開始位置に位置合わせし、マスクステー
ジ（９）を介して照明領域（２１）に対してその走査方
向にマスク（Ｒ）をその一部が欠けたショット領域（Ｓ
Ａ１）に露光される回路パターンの長さ分だけ移動する
のと同期して、基板ステージ（１４）を介して基板
（Ｗ）をその一部が欠けたショット領域（ＳＡ１）上に
露光される回路パターンに対応する長さ分だけ走査した
後（軌跡Ｔ１）、マスクステージ（９）を介してマスク
（Ｒ）を次の加速開始位置に設定すると共に、基板ステ
ージ（１４）を介して基板（Ｗ）を次に露光するショッ
ト領域（ＳＡ２）の加速開始位置に設定するようにした
ものである。
【００１０】この場合、その照明光学系中に照明領域
（２１）の形状を変更する可変視野絞り（６Ａ，６Ｂ，
７）を設け、マスクステージ（９）を介して照明領域
（２１）に対してその走査方向にマスク（Ｒ）をその一
部が欠けたショット領域（ＳＡ１）に露光される回路パ
ターンの長さ分だけ移動するのと同期して、基板ステー
ジ（１４）を介して基板（Ｗ）をその一部が欠けたショ
ット領域（ＳＡ１）上に露光される回路パターンに対応
する長さ分だけ走査する際に、その視野絞りを介して照
明領域（２１）の形状を変更することにより、マスク
（Ｒ）中で基板（Ｗ）上のその一部が欠けたショット領
域（ＳＡ１）にはせいぜい一部のパターンのみが露光さ
れる回路パターン（ＰＡ２，ＰＡ３）上を照明領域（２
１）が通過しないようにすることが望ましい。 また、本
発明の別の露光方法は、基板（Ｗ）上の複数のショット
領域の各々を、複数の部分パターン（ＰＡ１〜ＰＡ３）
が形成されたマスク（Ｒ）とその基板とを同期して走査
することによって走査露光する露光方法において、その
基板上の第１ショット領域を露光するときのその基板の
走査距離と、その基板上のその第１ショット領域と異な
る第２ショット領域を露光するときのその基板の走査距
離とを異ならせるものである。また、本発明の更に別の
露光方法は、基板（Ｗ）上の複数のショット領域の各々
を、複数の部分パターン（ＰＡ１〜ＰＡ３）が形成され
たマスク（Ｒ）とその基板とを同期して走査することに
よって走査露光する露光方法において、その基板上の周
辺部のショット領域を露光するときのその基板の走査距
離を、その複数の部分パターンのうちでその基板上に投
影可能な部分パターンの数に応じて決定するものであ
る。次に、本発明の露光装置は、基板（Ｗ）上の複数の
ショット領域の各々を、複数の部分パターン（ＰＡ１〜
ＰＡ３）が形成されたマスク（Ｒ）とその基板とを同期
して走査することによって走査露光する露光装置におい
て、そのマスクに照明光を照射するための照明光学系
と、そのマスクとその基板とを同期して走査するための
走査手段と、この走査手段を制御する制御手段とを備
え、この制御手段は、その基板上の外周部のショット領
域を露光するときに、そのマスク上に形成 された複数の
部分パターンの配列、又は個数を考慮してその走査手段
を制御するものである。また、本発明の別の露光装置
は、基板（Ｗ）上の複数のショット領域の各々を、複数
の部分パターン（ＰＡ１〜ＰＡ３）が形成されたマスク
（Ｒ）とその基板とを同期して走査することによって走
査露光する露光装置において、そのマスクに照明光を照
射するための照明光学系と、その複数の部分パターンの
配列方向にそのマスクを走査するとともに、そのマスク
の走査に同期してその基板を走査する走査手段と、その
複数のショット領域のその基板上での配列に基づいてそ
の走査手段を制御する制御手段とを備えたものである。
また、本発明の更に別の露光装置は、基板（Ｗ）上の複
数のショット領域の各々を、複数の部分パターン（ＰＡ
１〜ＰＡ３）が形成されたマスク（Ｒ）とその基板とを
同期して走査することによって走査露光する露光装置に
おいて、そのマスクに照明光を照射するための照明光学
系と、そのマスクのその基板とを同期して走査する走査
手段と、その基板上にその複数の部分パターンのうちの
一部のパターンの像しか投影する余地がない外周部のシ
ョット領域を露光するときに、その一部のパターンにの
みその照明光が照射されるように移動可能な可動ブライ
ンドとを備えたものである。
（２１）の形状を変更する可変視野絞り（６Ａ，６Ｂ，
７）を設け、マスクステージ（９）を介して照明領域
（２１）に対してその走査方向にマスク（Ｒ）をその一
部が欠けたショット領域（ＳＡ１）に露光される回路パ
ターンの長さ分だけ移動するのと同期して、基板ステー
ジ（１４）を介して基板（Ｗ）をその一部が欠けたショ
ット領域（ＳＡ１）上に露光される回路パターンに対応
する長さ分だけ走査する際に、その視野絞りを介して照
明領域（２１）の形状を変更することにより、マスク
（Ｒ）中で基板（Ｗ）上のその一部が欠けたショット領
域（ＳＡ１）にはせいぜい一部のパターンのみが露光さ
れる回路パターン（ＰＡ２，ＰＡ３）上を照明領域（２
１）が通過しないようにすることが望ましい。 また、本
発明の別の露光方法は、基板（Ｗ）上の複数のショット
領域の各々を、複数の部分パターン（ＰＡ１〜ＰＡ３）
が形成されたマスク（Ｒ）とその基板とを同期して走査
することによって走査露光する露光方法において、その
基板上の第１ショット領域を露光するときのその基板の
走査距離と、その基板上のその第１ショット領域と異な
る第２ショット領域を露光するときのその基板の走査距
離とを異ならせるものである。また、本発明の更に別の
露光方法は、基板（Ｗ）上の複数のショット領域の各々
を、複数の部分パターン（ＰＡ１〜ＰＡ３）が形成され
たマスク（Ｒ）とその基板とを同期して走査することに
よって走査露光する露光方法において、その基板上の周
辺部のショット領域を露光するときのその基板の走査距
離を、その複数の部分パターンのうちでその基板上に投
影可能な部分パターンの数に応じて決定するものであ
る。次に、本発明の露光装置は、基板（Ｗ）上の複数の
ショット領域の各々を、複数の部分パターン（ＰＡ１〜
ＰＡ３）が形成されたマスク（Ｒ）とその基板とを同期
して走査することによって走査露光する露光装置におい
て、そのマスクに照明光を照射するための照明光学系
と、そのマスクとその基板とを同期して走査するための
走査手段と、この走査手段を制御する制御手段とを備
え、この制御手段は、その基板上の外周部のショット領
域を露光するときに、そのマスク上に形成 された複数の
部分パターンの配列、又は個数を考慮してその走査手段
を制御するものである。また、本発明の別の露光装置
は、基板（Ｗ）上の複数のショット領域の各々を、複数
の部分パターン（ＰＡ１〜ＰＡ３）が形成されたマスク
（Ｒ）とその基板とを同期して走査することによって走
査露光する露光装置において、そのマスクに照明光を照
射するための照明光学系と、その複数の部分パターンの
配列方向にそのマスクを走査するとともに、そのマスク
の走査に同期してその基板を走査する走査手段と、その
複数のショット領域のその基板上での配列に基づいてそ
の走査手段を制御する制御手段とを備えたものである。
また、本発明の更に別の露光装置は、基板（Ｗ）上の複
数のショット領域の各々を、複数の部分パターン（ＰＡ
１〜ＰＡ３）が形成されたマスク（Ｒ）とその基板とを
同期して走査することによって走査露光する露光装置に
おいて、そのマスクに照明光を照射するための照明光学
系と、そのマスクのその基板とを同期して走査する走査
手段と、その基板上にその複数の部分パターンのうちの
一部のパターンの像しか投影する余地がない外周部のシ
ョット領域を露光するときに、その一部のパターンにの
みその照明光が照射されるように移動可能な可動ブライ
ンドとを備えたものである。
【００１１】
【作用】斯かる本発明によれば、例えば図２に示すよう
に、マスク（Ｒ）のパターン領域は走査方向に例えば３
個の部分パターン領域（ＰＡ１〜ＰＡ３）に分割され、
各部分パターン領域にそれぞれチップパターンが描画さ
れている。これに対して、例えば図６に示すように、基
板（Ｗ）の外周部のショット領域（ＳＡ１）では、マス
ク（Ｒ）上の３個のチップパターンの内の１個のチップ
パターンのみが完全に露光でき、それに隣接するショッ
ト領域（ＳＡ２）では２個のチップパターンのみが露光
できる。即ち、ショット領域（ＳＡ１，ＳＡ２）は一部
が欠けたショット領域である。
に、マスク（Ｒ）のパターン領域は走査方向に例えば３
個の部分パターン領域（ＰＡ１〜ＰＡ３）に分割され、
各部分パターン領域にそれぞれチップパターンが描画さ
れている。これに対して、例えば図６に示すように、基
板（Ｗ）の外周部のショット領域（ＳＡ１）では、マス
ク（Ｒ）上の３個のチップパターンの内の１個のチップ
パターンのみが完全に露光でき、それに隣接するショッ
ト領域（ＳＡ２）では２個のチップパターンのみが露光
できる。即ち、ショット領域（ＳＡ１，ＳＡ２）は一部
が欠けたショット領域である。
【００１２】そして、一部が欠けたショット領域（ＳＡ
１）に露光を行うには、マスク（Ｒ）上の部分パターン
領域（ＰＡ３）のパターンのみを露光すればよい。その
ため、図２において、照明領域（２１）に対して部分パ
ターン領域（ＰＡ１〜ＰＡ３の何れか１つ）のみを走査
するのと同期して、その照明領域（２１）に対応する領
域に対して図６に示すように、基板（Ｗ）上のショット
領域（ＳＡ１）の１／３の領域を軌跡（Ｔ１）に対応さ
せて走査する。
１）に露光を行うには、マスク（Ｒ）上の部分パターン
領域（ＰＡ３）のパターンのみを露光すればよい。その
ため、図２において、照明領域（２１）に対して部分パ
ターン領域（ＰＡ１〜ＰＡ３の何れか１つ）のみを走査
するのと同期して、その照明領域（２１）に対応する領
域に対して図６に示すように、基板（Ｗ）上のショット
領域（ＳＡ１）の１／３の領域を軌跡（Ｔ１）に対応さ
せて走査する。
【００１３】その後、基板ステージ（１４）をステッピ
ング駆動して基板（Ｗ）上のショット領域（ＳＡ２）を
加速開始位置に設定した後、図２において、照明領域
（２１）に対して部分パターン領域（ＰＡ３，ＰＡ２又
はＰＡ２，ＰＡ１）のみを走査するのと同期して、ショ
ット領域（ＳＡ２）の２／３の領域を軌跡（Ｔ２）に対
応させて走査する。このようなシーケンスにより、従来
のように常にフルフィールド分走査する方法に比べて露
光時間が短縮され、スループットが向上する。
ング駆動して基板（Ｗ）上のショット領域（ＳＡ２）を
加速開始位置に設定した後、図２において、照明領域
（２１）に対して部分パターン領域（ＰＡ３，ＰＡ２又
はＰＡ２，ＰＡ１）のみを走査するのと同期して、ショ
ット領域（ＳＡ２）の２／３の領域を軌跡（Ｔ２）に対
応させて走査する。このようなシーケンスにより、従来
のように常にフルフィールド分走査する方法に比べて露
光時間が短縮され、スループットが向上する。
【００１４】なお、スキャン露光方式で露光を行う場合
には、マスク（Ｒ）及び基板（Ｗ）をそれぞれ所定速度
で走査するまでに所定の助走区間が必要である。そこ
で、そのような助走区間でマスク（Ｒ）のパターンが基
板（Ｗ）上に露光されないようにするには、照明光学系
中の光源の発光を停止する、その光源からの照明光をシ
ャッタで遮光する、又は照明領域（２１）を可変として
その照明領域（２１）を閉じる等の動作が必要となる。
このように照明領域（２１）を可変とするためには、照
明光学系中に可変視野絞り（６Ａ，６Ｂ，７）を設けれ
ばよい。そして、具体的に図２のマスク（Ｒ）の部分パ
ターン領域（ＰＡ１，ＰＡ２）のパターンのみを基板
（Ｗ）上に露光するには、図４（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに、その可変視野絞りを介して露光対象ではない部分
パターン領域（ＰＡ３）に照明領域（２１）がかからな
いようにすればよい。
には、マスク（Ｒ）及び基板（Ｗ）をそれぞれ所定速度
で走査するまでに所定の助走区間が必要である。そこ
で、そのような助走区間でマスク（Ｒ）のパターンが基
板（Ｗ）上に露光されないようにするには、照明光学系
中の光源の発光を停止する、その光源からの照明光をシ
ャッタで遮光する、又は照明領域（２１）を可変として
その照明領域（２１）を閉じる等の動作が必要となる。
このように照明領域（２１）を可変とするためには、照
明光学系中に可変視野絞り（６Ａ，６Ｂ，７）を設けれ
ばよい。そして、具体的に図２のマスク（Ｒ）の部分パ
ターン領域（ＰＡ１，ＰＡ２）のパターンのみを基板
（Ｗ）上に露光するには、図４（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに、その可変視野絞りを介して露光対象ではない部分
パターン領域（ＰＡ３）に照明領域（２１）がかからな
いようにすればよい。
【００１５】また、そのような可変視野絞りを用いて照
明領域（１２）を可変とした場合には、例えば図６にお
いて、１個の部分パターン領域のパターンのみを露光で
きるショット領域（ＳＡ６）から２個の部分パターン領
域のパターンが露光できるショット領域（ＳＡ７）にス
テッピングする際には、照明領域（２１）を閉じた状態
で、ショット領域（ＳＡ６）上の点線の軌跡（Ｕ６）で
示す量に対応する量だけマスク（Ｒ）側を走査する。そ
して、次のショット領域（ＳＡ７）では、照明領域（２
１）を開いて軌跡（Ｔ７）に対応する量だけ、マスク
（Ｒ）をショット領域（ＳＡ６）の場合とは逆方向に走
査するのと同期して、基板（Ｗ）を軌跡（Ｔ７）に対応
させて走査する。これにより、無駄な動きがなくなり露
光時間がより短縮される。
明領域（１２）を可変とした場合には、例えば図６にお
いて、１個の部分パターン領域のパターンのみを露光で
きるショット領域（ＳＡ６）から２個の部分パターン領
域のパターンが露光できるショット領域（ＳＡ７）にス
テッピングする際には、照明領域（２１）を閉じた状態
で、ショット領域（ＳＡ６）上の点線の軌跡（Ｕ６）で
示す量に対応する量だけマスク（Ｒ）側を走査する。そ
して、次のショット領域（ＳＡ７）では、照明領域（２
１）を開いて軌跡（Ｔ７）に対応する量だけ、マスク
（Ｒ）をショット領域（ＳＡ６）の場合とは逆方向に走
査するのと同期して、基板（Ｗ）を軌跡（Ｔ７）に対応
させて走査する。これにより、無駄な動きがなくなり露
光時間がより短縮される。
【００１６】以上をまとめると、露光時間をより短縮す
るには、以下の基準に従って露光シーケンスを設定する
ことが望ましい。 基板（Ｗ）上の一部が欠けたショット領域では、せい
ぜい部分的にしかマスク（Ｒ）上の部分パターン領域
（ＰＡ１〜ＰＡ３）のパターンが露光できない領域に
は、露光を行わない。
るには、以下の基準に従って露光シーケンスを設定する
ことが望ましい。 基板（Ｗ）上の一部が欠けたショット領域では、せい
ぜい部分的にしかマスク（Ｒ）上の部分パターン領域
（ＰＡ１〜ＰＡ３）のパターンが露光できない領域に
は、露光を行わない。
【００１７】基板（Ｗ）上の各ショット領域（ＳＡ１
〜ＳＡ６８）において、マスク（Ｒ）上の各部分パター
ン領域（ＰＡ１〜ＰＡ３）のパターンはそれぞれ対応す
る部分露光領域に露光する。 連続して露光するショット領域での走査方向を互いに
逆にする。これによりマスク（Ｒ）は単に往復運動をす
ればよいことになる。 或るショット領域への露光終了後、基板ステージ（１
４）を介して基板（Ｗ）を次のショット領域の加速開始
位置までステッピング移動させる。この基板（Ｗ）のス
テッピング移動の間にマスク（Ｒ）側も加速開始位置ま
で移動させる。
〜ＳＡ６８）において、マスク（Ｒ）上の各部分パター
ン領域（ＰＡ１〜ＰＡ３）のパターンはそれぞれ対応す
る部分露光領域に露光する。 連続して露光するショット領域での走査方向を互いに
逆にする。これによりマスク（Ｒ）は単に往復運動をす
ればよいことになる。 或るショット領域への露光終了後、基板ステージ（１
４）を介して基板（Ｗ）を次のショット領域の加速開始
位置までステッピング移動させる。この基板（Ｗ）のス
テッピング移動の間にマスク（Ｒ）側も加速開始位置ま
で移動させる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。本実施例はステップ・アンド・スキャン方
式の投影露光装置での露光方法に本発明を適用したもの
である。図１は、本実施例で使用される投影露光装置を
示し、この図１において、レチクルＲは光源１と、照明
光整形光学系２〜リレーレンズ８よりなる照明光学系と
により長方形のスリット状の照明領域２１により均一な
照度で照明され、スリット状の照明領域２１内のレチク
ルＲの回路パターン像が投影光学系１３を介してウエハ
Ｗ上に転写される。光源１としては、ＡｒＦエキシマレ
ーザ若しくはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ
光源、金属蒸気レーザ光源、又はＹＡＧレーザの高調波
発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡
とを組み合わせた構成等の連続光源が使用できる。
て説明する。本実施例はステップ・アンド・スキャン方
式の投影露光装置での露光方法に本発明を適用したもの
である。図１は、本実施例で使用される投影露光装置を
示し、この図１において、レチクルＲは光源１と、照明
光整形光学系２〜リレーレンズ８よりなる照明光学系と
により長方形のスリット状の照明領域２１により均一な
照度で照明され、スリット状の照明領域２１内のレチク
ルＲの回路パターン像が投影光学系１３を介してウエハ
Ｗ上に転写される。光源１としては、ＡｒＦエキシマレ
ーザ若しくはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ
光源、金属蒸気レーザ光源、又はＹＡＧレーザの高調波
発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡
とを組み合わせた構成等の連続光源が使用できる。
【００１９】パルス光源の場合、露光のオン又はオフは
パルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切
り換えられ、連続光源の場合、露光のオン又はオフは照
明光整形光学系２内のシャッタにより切り換えられる。
但し、本実施例では後述のように可動ブラインド（可変
視野絞り）７が設けられているため、可動ブラインド７
の開閉によって露光のオン又はオフを切り換えてもよ
い。
パルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切
り換えられ、連続光源の場合、露光のオン又はオフは照
明光整形光学系２内のシャッタにより切り換えられる。
但し、本実施例では後述のように可動ブラインド（可変
視野絞り）７が設けられているため、可動ブラインド７
の開閉によって露光のオン又はオフを切り換えてもよ
い。
【００２０】図１において、光源１からの照明光は、照
明光整形光学系２により光束径が所定の大きさに設定さ
れてフライアイレンズ３に達する。フライアイレンズ３
の射出面には多数の２次光源が形成され、これら２次光
源からの照明光は、コンデンサーレンズ４によって集光
され、固定の視野絞り５を経て可動ブラインド（可変視
野絞り）７に達する。図１では視野絞り５は可動ブライ
ンド７よりもコンデンサーレンズ５側に配置されている
が、その逆のリレーレンズ系８側へ配置しても構わな
い。
明光整形光学系２により光束径が所定の大きさに設定さ
れてフライアイレンズ３に達する。フライアイレンズ３
の射出面には多数の２次光源が形成され、これら２次光
源からの照明光は、コンデンサーレンズ４によって集光
され、固定の視野絞り５を経て可動ブラインド（可変視
野絞り）７に達する。図１では視野絞り５は可動ブライ
ンド７よりもコンデンサーレンズ５側に配置されている
が、その逆のリレーレンズ系８側へ配置しても構わな
い。
【００２１】視野絞り５には、長方形のスリット状の開
口部が形成され、この視野絞り５を通過した光束は、長
方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレ
ンズ系８に入射する。リレーレンズ系８は可動ブライン
ド７とレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレン
ズ系であり、可動ブラインド７は後述の走査方向（Ｘ方
向）の幅を規定する２枚の羽根（遮光板）７Ａ，７Ｂ及
び走査方向に垂直な方向の幅を規定する２枚の羽根（不
図示）より構成されている。走査方向の幅を規定する羽
根７Ａ及び７Ｂはそれぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより独
立に走査方向に移動できるように支持されている。本実
施例では、固定の視野絞り５により設定されるレチクル
Ｒ上のスリット状の照明領域２１内において、更に可動
ブラインド７により設定される所望の露光領域内にのみ
照明光が照射される。リレーレンズ系８は両側テレセン
トリックな光学系であり、レチクルＲ上のスリット状の
照明領域２１ではテレセントリック性が維持されてい
る。
口部が形成され、この視野絞り５を通過した光束は、長
方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレ
ンズ系８に入射する。リレーレンズ系８は可動ブライン
ド７とレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレン
ズ系であり、可動ブラインド７は後述の走査方向（Ｘ方
向）の幅を規定する２枚の羽根（遮光板）７Ａ，７Ｂ及
び走査方向に垂直な方向の幅を規定する２枚の羽根（不
図示）より構成されている。走査方向の幅を規定する羽
根７Ａ及び７Ｂはそれぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより独
立に走査方向に移動できるように支持されている。本実
施例では、固定の視野絞り５により設定されるレチクル
Ｒ上のスリット状の照明領域２１内において、更に可動
ブラインド７により設定される所望の露光領域内にのみ
照明光が照射される。リレーレンズ系８は両側テレセン
トリックな光学系であり、レチクルＲ上のスリット状の
照明領域２１ではテレセントリック性が維持されてい
る。
【００２２】本例のレチクルＲはレチクルステージ９上
に載置されており、そのレチクルＲ上のスリット状の照
明領域２１内で且つ可動ブラインド７により規定された
回路パターンの像が、投影光学系１３を介してウエハＷ
上に投影露光される。スリット状の照明領域２１と共役
なウエハＷ上の領域をスリット状の露光領域２２とす
る。また、投影光学系１３の光軸に垂直な２次元平面内
で、スリット状の照明領域２１に対するレチクルＲの走
査方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）として、投影光学系
１３の光軸に平行な方向をＺ方向とする。
に載置されており、そのレチクルＲ上のスリット状の照
明領域２１内で且つ可動ブラインド７により規定された
回路パターンの像が、投影光学系１３を介してウエハＷ
上に投影露光される。スリット状の照明領域２１と共役
なウエハＷ上の領域をスリット状の露光領域２２とす
る。また、投影光学系１３の光軸に垂直な２次元平面内
で、スリット状の照明領域２１に対するレチクルＲの走
査方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）として、投影光学系
１３の光軸に平行な方向をＺ方向とする。
【００２３】この場合、レチクルステージ９はレチクル
ステージ駆動部１０に駆動されてレチクルＲを走査方向
（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に走査し、可動ブラインド７
の駆動部６Ａ，６Ｂの動作は可動ブラインド制御部１１
により制御される。レチクルステージ駆動部１０及び可
動ブラインド制御部１１の動作を制御するのが、装置全
体の動作を制御する主制御系１２である。一方、ウエハ
Ｗはウエハステージ１４に載置され、ウエハステージ１
４は、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウエハＷの
位置決めを行うと共にウエハＷを±Ｘ方向に走査するＸ
Ｙステージ、及びＺ方向にウエハＷの位置決めを行うＺ
ステージ等より構成されている。主制御系１２は、ウエ
ハステージ駆動部１５を介してウエハステージ１４の位
置決め動作及び走査動作を制御する。
ステージ駆動部１０に駆動されてレチクルＲを走査方向
（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に走査し、可動ブラインド７
の駆動部６Ａ，６Ｂの動作は可動ブラインド制御部１１
により制御される。レチクルステージ駆動部１０及び可
動ブラインド制御部１１の動作を制御するのが、装置全
体の動作を制御する主制御系１２である。一方、ウエハ
Ｗはウエハステージ１４に載置され、ウエハステージ１
４は、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウエハＷの
位置決めを行うと共にウエハＷを±Ｘ方向に走査するＸ
Ｙステージ、及びＺ方向にウエハＷの位置決めを行うＺ
ステージ等より構成されている。主制御系１２は、ウエ
ハステージ駆動部１５を介してウエハステージ１４の位
置決め動作及び走査動作を制御する。
【００２４】そして、図２に示すように、レチクルＲ上
のパターン像をスキャン露光方式で投影光学系１３を介
してウエハＷ上の各ショット領域に露光する際には、図
１の視野絞り５により設定されるスリット状の照明領域
２１に対して−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に、レチクルＲ
を速度ＶR で走査する。また、投影光学系１３の投影倍
率をβとして、レチクルＲの走査と同期して、スリット
状の露光領域２２に対して＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）
に、ウエハＷを速度ＶW(＝β・ＶR)で走査する。これに
より、ウエハＷ上のショット領域ＳＡにレチクルＲの回
路パターン像が逐次転写される。
のパターン像をスキャン露光方式で投影光学系１３を介
してウエハＷ上の各ショット領域に露光する際には、図
１の視野絞り５により設定されるスリット状の照明領域
２１に対して−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に、レチクルＲ
を速度ＶR で走査する。また、投影光学系１３の投影倍
率をβとして、レチクルＲの走査と同期して、スリット
状の露光領域２２に対して＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）
に、ウエハＷを速度ＶW(＝β・ＶR)で走査する。これに
より、ウエハＷ上のショット領域ＳＡにレチクルＲの回
路パターン像が逐次転写される。
【００２５】また、本実施例では、図１の可動ブライン
ド７の羽根７Ａ及び７Ｂを駆動することにより、それぞ
れ図２の照明領域２１の走査方向の一方のエッジ部２１
ａ及び他方のエッジ部２１ｂを走査方向に移動できるよ
うになっている。但し、図１には固定の視野絞り５が設
けられているため、可動ブラインド７を全開した場合で
も、照明領域２１の走査方向の幅はＤであり、可動ブラ
インド７は照明領域２１の幅をＤより狭くする場合に使
用される。更に、通常の露光時には照明領域２１の幅は
Ｄに設定され、可動ブラインド７が使用されるのは、露
光の開始時及び終了時である。
ド７の羽根７Ａ及び７Ｂを駆動することにより、それぞ
れ図２の照明領域２１の走査方向の一方のエッジ部２１
ａ及び他方のエッジ部２１ｂを走査方向に移動できるよ
うになっている。但し、図１には固定の視野絞り５が設
けられているため、可動ブラインド７を全開した場合で
も、照明領域２１の走査方向の幅はＤであり、可動ブラ
インド７は照明領域２１の幅をＤより狭くする場合に使
用される。更に、通常の露光時には照明領域２１の幅は
Ｄに設定され、可動ブラインド７が使用されるのは、露
光の開始時及び終了時である。
【００２６】さて、本実施例では図２に示すように、レ
チクルＲの遮光帯ＳＴに囲まれたパターン領域が境界線
２３〜２６により、走査方向であるＸ軸に平行な方向に
３個の部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３に分割され、こ
れら３個の部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３にそれぞれ
同一の回路パターンが描画されている。即ち、レチクル
Ｒは走査方向に所謂３個取りであり、それに対応してウ
エハＷ上のショット領域ＳＡもＸ軸に平行な方向に３個
の部分ショット領域ＳＡａ〜ＳＡｃに分割され、各部分
ショット領域ＳＡａ〜ＳＡｃにはそれまでの露光工程に
より同一のチップパターンが形成されている。そして、
原則として部分ショット領域ＳＡａ，ＳＡｂ及びＳＡｃ
上にそれぞれレチクルＲ上の部分パターン領域ＰＡ１，
ＰＡ２及びＰＡ３の回路パターン像が投影露光される。
この場合、投影光学系１３によりレチクルＲのパターン
は反転してウエハＷ上に投影露光されるため、部分パタ
ーン領域ＰＡ１〜ＰＡ３と、部分ショット領域ＳＡａ〜
ＳＡｃとは配列方向が逆となっている。
チクルＲの遮光帯ＳＴに囲まれたパターン領域が境界線
２３〜２６により、走査方向であるＸ軸に平行な方向に
３個の部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３に分割され、こ
れら３個の部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３にそれぞれ
同一の回路パターンが描画されている。即ち、レチクル
Ｒは走査方向に所謂３個取りであり、それに対応してウ
エハＷ上のショット領域ＳＡもＸ軸に平行な方向に３個
の部分ショット領域ＳＡａ〜ＳＡｃに分割され、各部分
ショット領域ＳＡａ〜ＳＡｃにはそれまでの露光工程に
より同一のチップパターンが形成されている。そして、
原則として部分ショット領域ＳＡａ，ＳＡｂ及びＳＡｃ
上にそれぞれレチクルＲ上の部分パターン領域ＰＡ１，
ＰＡ２及びＰＡ３の回路パターン像が投影露光される。
この場合、投影光学系１３によりレチクルＲのパターン
は反転してウエハＷ上に投影露光されるため、部分パタ
ーン領域ＰＡ１〜ＰＡ３と、部分ショット領域ＳＡａ〜
ＳＡｃとは配列方向が逆となっている。
【００２７】但し、部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３の
パターンは同一であるため、実際には例えばウエハＷ上
の部分ショット領域ＳＡａにレチクルＲ上の部分パター
ン領域ＰＡ２又はＰＡ３のパターン像を露光するシーケ
ンスを採用してもよい。なお、レチクルＲ上の３個の部
分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３に互いに異なる回路パタ
ーンを描画してもよい。この場合、ウエハＷ上のショッ
ト領域ＳＡの各部分ショット領域ＳＡａ〜ＳＡｃには互
いに異なるチップパターンが形成され、部分ショット領
域ＳＡａ〜ＳＡｃと部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３と
は１：１で対応している。
パターンは同一であるため、実際には例えばウエハＷ上
の部分ショット領域ＳＡａにレチクルＲ上の部分パター
ン領域ＰＡ２又はＰＡ３のパターン像を露光するシーケ
ンスを採用してもよい。なお、レチクルＲ上の３個の部
分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３に互いに異なる回路パタ
ーンを描画してもよい。この場合、ウエハＷ上のショッ
ト領域ＳＡの各部分ショット領域ＳＡａ〜ＳＡｃには互
いに異なるチップパターンが形成され、部分ショット領
域ＳＡａ〜ＳＡｃと部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３と
は１：１で対応している。
【００２８】そのようなレチクルＲの部分パターン領域
の配列及び個数は、図１のキーボード等の入力部１６を
介してメモリ１７に入力され、主制御系１２は露光シー
ケンスを決定する前にメモリ１７からそのレチクルＲに
関するパターン情報を読みだす。また、ウエハＷ上のシ
ョット領域の配列（ショット配列）については、不図示
のウエハアライメント系によりウエハＷ上の各ショット
領域に付設されたアライメントマークの内の所定のマー
クの位置を検出し、この検出結果から演算により求める
ことができる（例えば特開昭６１−４４４２９号公報参
照）。
の配列及び個数は、図１のキーボード等の入力部１６を
介してメモリ１７に入力され、主制御系１２は露光シー
ケンスを決定する前にメモリ１７からそのレチクルＲに
関するパターン情報を読みだす。また、ウエハＷ上のシ
ョット領域の配列（ショット配列）については、不図示
のウエハアライメント系によりウエハＷ上の各ショット
領域に付設されたアライメントマークの内の所定のマー
クの位置を検出し、この検出結果から演算により求める
ことができる（例えば特開昭６１−４４４２９号公報参
照）。
【００２９】次に、本実施例においてステップ・アンド
・スキャン方式で露光を行う際の動作の一例につき説明
する。この場合、図２のショット領域ＳＡのように完全
にウエハＷの露光面上にあるショット領域については従
来の露光方法が適用できるが、ウエハＷの外周部のショ
ット領域中には、レチクルＲの３個の部分パターン領域
ＰＡ１〜ＰＡ３中の１個又は２個の部分パターン領域の
回路パターン像のみしか露光できないショット領域（欠
けたショット領域）がある。このような欠けたショット
領域には、以下のようにしてレチクルＲ上の部分パター
ン領域ＰＡ１〜ＰＡ３の内の１個又は２個の回路パター
ンのみを露光する。
・スキャン方式で露光を行う際の動作の一例につき説明
する。この場合、図２のショット領域ＳＡのように完全
にウエハＷの露光面上にあるショット領域については従
来の露光方法が適用できるが、ウエハＷの外周部のショ
ット領域中には、レチクルＲの３個の部分パターン領域
ＰＡ１〜ＰＡ３中の１個又は２個の部分パターン領域の
回路パターン像のみしか露光できないショット領域（欠
けたショット領域）がある。このような欠けたショット
領域には、以下のようにしてレチクルＲ上の部分パター
ン領域ＰＡ１〜ＰＡ３の内の１個又は２個の回路パター
ンのみを露光する。
【００３０】先ず、レチクルＲ側の動作につき図３〜図
５を参照して説明する。本実施例では、ウエハＷ上の２
個のショット領域に連続して露光を行う際に、レチクル
Ｒは往復運動を行うように露光シーケンスを設定する。
これによりレチクルＲ側では無駄な動きがなくなる。図
３は、往復運動する際のレチクルＲの走査速度ＶR の変
化を示し、この図３において、先ず期間Ｔ1 でレチクル
Ｒの加速が始まり、所定の整定期間ＴSEの後のレチクル
Ｒの走査速度ＶR が安定している期間Ｔ2 に露光が行わ
れる。その後、期間Ｔ3 内でレチクルＲの減速が行わ
れ、レチクルＲが停止した直後の基板Ｔ 4 にレチクルＲ
の逆方向への加速が始まる。
５を参照して説明する。本実施例では、ウエハＷ上の２
個のショット領域に連続して露光を行う際に、レチクル
Ｒは往復運動を行うように露光シーケンスを設定する。
これによりレチクルＲ側では無駄な動きがなくなる。図
３は、往復運動する際のレチクルＲの走査速度ＶR の変
化を示し、この図３において、先ず期間Ｔ1 でレチクル
Ｒの加速が始まり、所定の整定期間ＴSEの後のレチクル
Ｒの走査速度ＶR が安定している期間Ｔ2 に露光が行わ
れる。その後、期間Ｔ3 内でレチクルＲの減速が行わ
れ、レチクルＲが停止した直後の基板Ｔ 4 にレチクルＲ
の逆方向への加速が始まる。
【００３１】それに続く整定期間ＴSEの後の、レチクル
Ｒの速度ＶR が安定している期間Ｔ 5 に露光が行われ
る。その後、期間Ｔ6 にレチクルＲの減速が行われ、以
後はこの動作が繰り返される。また、レチクルＲの加速
期間Ｔ1 及びＴ4 の後半ではウエハＷ側でも加速が行わ
れ、レチクルＲの減速期間Ｔ3 及びＴ6 の後半からそれ
ぞれ加速期間Ｔ1 及びＴ4 の前半までは、ウエハステー
ジ１４のステッピング移動により、ウエハＷの次のショ
ット領域が走査露光の加速開始位置（走査開始位置）に
設定される。
Ｒの速度ＶR が安定している期間Ｔ 5 に露光が行われ
る。その後、期間Ｔ6 にレチクルＲの減速が行われ、以
後はこの動作が繰り返される。また、レチクルＲの加速
期間Ｔ1 及びＴ4 の後半ではウエハＷ側でも加速が行わ
れ、レチクルＲの減速期間Ｔ3 及びＴ6 の後半からそれ
ぞれ加速期間Ｔ1 及びＴ4 の前半までは、ウエハステー
ジ１４のステッピング移動により、ウエハＷの次のショ
ット領域が走査露光の加速開始位置（走査開始位置）に
設定される。
【００３２】次に、例えばレチクルＲを−Ｘ方向に走査
して、レチクルＲ上の２個の部分パターン領域ＰＡ１及
びＰＡ２の回路パターンのみを露光するものとした場合
の、図１の可動ブラインド７の動作の一例につき図４及
び図５を参照して説明する。図４はスリット状の照明領
域２１の変化を示し、図５は図４に対応する照明領域２
１の２つのエッジ部２１ａ及び２１ｂの移動位置を示
す。図５において、横軸は経過時間ｔであり、縦軸はエ
ッジ部２１ａのＸ座標ＸA 及びエッジ部２１ｂのＸ座標
ＸB であり、直線２８Ａ及び２８Ｂがエッジ部２１ａの
移動位置、直線２７Ａ及び２７Ｂがエッジ部２１ｂの移
動位置を示す。それら２つのエッジ部２１ａ及び２１ｂ
は、それぞれ図１の可動ブラインド７の羽根７Ａ及び７
Ｂのエッジ部又は固定の視野絞り５のエッジ部の内の内
側のエッジ部の投影像である。なお、図５ではＸ座標の
符号が負となっており、ＸA0＜ＸB0が成立している。
して、レチクルＲ上の２個の部分パターン領域ＰＡ１及
びＰＡ２の回路パターンのみを露光するものとした場合
の、図１の可動ブラインド７の動作の一例につき図４及
び図５を参照して説明する。図４はスリット状の照明領
域２１の変化を示し、図５は図４に対応する照明領域２
１の２つのエッジ部２１ａ及び２１ｂの移動位置を示
す。図５において、横軸は経過時間ｔであり、縦軸はエ
ッジ部２１ａのＸ座標ＸA 及びエッジ部２１ｂのＸ座標
ＸB であり、直線２８Ａ及び２８Ｂがエッジ部２１ａの
移動位置、直線２７Ａ及び２７Ｂがエッジ部２１ｂの移
動位置を示す。それら２つのエッジ部２１ａ及び２１ｂ
は、それぞれ図１の可動ブラインド７の羽根７Ａ及び７
Ｂのエッジ部又は固定の視野絞り５のエッジ部の内の内
側のエッジ部の投影像である。なお、図５ではＸ座標の
符号が負となっており、ＸA0＜ＸB0が成立している。
【００３３】この場合、図１の可動ブラインド７の羽根
７Ａ及び７Ｂを駆動することにより、照明領域２１の２
つのエッジ部の移動位置が図５の直線２７Ａ，２８Ｂ及
び２８Ａ，２８Ｂに沿って移動し、照明領域２１は図４
（ａ）〜（ｃ）のように変化する。即ち、先ず図５の走
査開始時点ｔs では、エッジ部２１ａ及び２１ｂが２つ
とも位置ＸB0にあり照明領域２１は完全に閉じている。
その後エッジ部２１ａの位置が直線２８Ａに従って変化
し、時点ｔ1 では図４（ａ）に示すように、照明領域２
１のエッジ部２１ａがレチクルＲの遮光帯ＳＴ（正確に
は遮光帯ＳＴの境界線２３）と共に移動し、エッジ部２
１ｂは停止したままであり、照明領域２１の幅はｄ1 に
広がっている。
７Ａ及び７Ｂを駆動することにより、照明領域２１の２
つのエッジ部の移動位置が図５の直線２７Ａ，２８Ｂ及
び２８Ａ，２８Ｂに沿って移動し、照明領域２１は図４
（ａ）〜（ｃ）のように変化する。即ち、先ず図５の走
査開始時点ｔs では、エッジ部２１ａ及び２１ｂが２つ
とも位置ＸB0にあり照明領域２１は完全に閉じている。
その後エッジ部２１ａの位置が直線２８Ａに従って変化
し、時点ｔ1 では図４（ａ）に示すように、照明領域２
１のエッジ部２１ａがレチクルＲの遮光帯ＳＴ（正確に
は遮光帯ＳＴの境界線２３）と共に移動し、エッジ部２
１ｂは停止したままであり、照明領域２１の幅はｄ1 に
広がっている。
【００３４】その後、照明領域２１の幅がＤになった時
点でエッジ部２１ａは位置ＸA0に停止し、例えば時点ｔ
2 ではエッジ部２１ａ及び２１ｂはそれぞれ位置ＸA0及
びＸ B0に静止したままであり、図４（ｂ）に示すように
レチクルＲの第２の部分パターン領域ＰＡ２が照明領域
２１にかかっている。そして、レチクルＲが更に走査さ
れて、部分パターン領域ＰＡ２とＰＡ３との境界線２５
がエッジ部２１ｂを超えた直後に、図５の直線２７Ｂで
示すようにエッジ部２１ｂは境界線２５に追従して−Ｘ
方向に移動し、時点ｔ3 では図４（ｃ）に示すように照
明領域２１の幅はｄ3 に狭まっている。そして、部分パ
ターン領域ＰＡ２の露光が終了した時点ｔf において、
２つのエッジ部２１ａ及び２１ｂは完全に閉じる。
点でエッジ部２１ａは位置ＸA0に停止し、例えば時点ｔ
2 ではエッジ部２１ａ及び２１ｂはそれぞれ位置ＸA0及
びＸ B0に静止したままであり、図４（ｂ）に示すように
レチクルＲの第２の部分パターン領域ＰＡ２が照明領域
２１にかかっている。そして、レチクルＲが更に走査さ
れて、部分パターン領域ＰＡ２とＰＡ３との境界線２５
がエッジ部２１ｂを超えた直後に、図５の直線２７Ｂで
示すようにエッジ部２１ｂは境界線２５に追従して−Ｘ
方向に移動し、時点ｔ3 では図４（ｃ）に示すように照
明領域２１の幅はｄ3 に狭まっている。そして、部分パ
ターン領域ＰＡ２の露光が終了した時点ｔf において、
２つのエッジ部２１ａ及び２１ｂは完全に閉じる。
【００３５】この動作により、ウエハＷ上にはレチクル
Ｒ上の２つの部分パターン領域ＰＡ１及びＰＡ２の回路
パターン以外の不要なパターンが露光されない。同様
に、レチクルＲ上の部分パターン領域ＰＡ１、部分パタ
ーン領域ＰＡ３、又は２つの部分パターン領域ＰＡ３及
びＰＡ２の回路パターンのみをウエハＷ上に露光する際
にも、可動ブラインド７を動作させて照明領域２１を走
査方向に開閉することにより、ウエハＷ上には不要なパ
ターンが露光されない。これにより、例えばウエハＷの
走査速度が露光時の一定速度に達するまでの助走期間、
又はウエハＷを次のショット領域の走査開始位置までス
テッピング駆動している期間に、ウエハＷ上に不要なパ
ターンが露光されることがなくなる。
Ｒ上の２つの部分パターン領域ＰＡ１及びＰＡ２の回路
パターン以外の不要なパターンが露光されない。同様
に、レチクルＲ上の部分パターン領域ＰＡ１、部分パタ
ーン領域ＰＡ３、又は２つの部分パターン領域ＰＡ３及
びＰＡ２の回路パターンのみをウエハＷ上に露光する際
にも、可動ブラインド７を動作させて照明領域２１を走
査方向に開閉することにより、ウエハＷ上には不要なパ
ターンが露光されない。これにより、例えばウエハＷの
走査速度が露光時の一定速度に達するまでの助走期間、
又はウエハＷを次のショット領域の走査開始位置までス
テッピング駆動している期間に、ウエハＷ上に不要なパ
ターンが露光されることがなくなる。
【００３６】次に、図６を参照して図２に示す走査方向
に３個取りのレチクルＲのパターンをウエハＷ上の各シ
ョット領域に露光する際の露光シーケンスの一例につき
説明する。図６は本実施例で露光対象とするウエハＷを
示し、この図６において、ウエハＷ上には６８個のショ
ット領域ＳＡ１〜ＳＡ６８がＸ方向（走査方向）及びＹ
方向に所定ピッチで配列されている。それらショット領
域中で、ウエハＷの外周部に配列されているショット領
域ＳＡ１，ＳＡ６，ＳＡ６３及びＳＡ６８は、レチクル
Ｒの３個の部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３の内の１個
の部分パターン領域ＰＡ３又はＰＡ１のパターン像のみ
が全部露光できる欠けたショット領域であり、ショット
領域ＳＡ２〜ＳＡ５，ＳＡ７，ＳＡ１４，ＳＡ５４，Ｓ
Ａ５５，ＳＡ６２，及びＳＡ６４〜ＳＡ６７は、それぞ
れレチクルＲ上の２個の部分パターン領域ＰＡ３，ＰＡ
２又はＰＡ１，ＰＡ２のパターン像のみが全部露光でき
る欠けたショット領域である。これらの欠けたショット
領域には、それぞれレチクルＲ上の全部露光できる部分
パターン領域（ＰＡ１，ＰＡ２又はＰＡ３）のパターン
像のみを露光する。
に３個取りのレチクルＲのパターンをウエハＷ上の各シ
ョット領域に露光する際の露光シーケンスの一例につき
説明する。図６は本実施例で露光対象とするウエハＷを
示し、この図６において、ウエハＷ上には６８個のショ
ット領域ＳＡ１〜ＳＡ６８がＸ方向（走査方向）及びＹ
方向に所定ピッチで配列されている。それらショット領
域中で、ウエハＷの外周部に配列されているショット領
域ＳＡ１，ＳＡ６，ＳＡ６３及びＳＡ６８は、レチクル
Ｒの３個の部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３の内の１個
の部分パターン領域ＰＡ３又はＰＡ１のパターン像のみ
が全部露光できる欠けたショット領域であり、ショット
領域ＳＡ２〜ＳＡ５，ＳＡ７，ＳＡ１４，ＳＡ５４，Ｓ
Ａ５５，ＳＡ６２，及びＳＡ６４〜ＳＡ６７は、それぞ
れレチクルＲ上の２個の部分パターン領域ＰＡ３，ＰＡ
２又はＰＡ１，ＰＡ２のパターン像のみが全部露光でき
る欠けたショット領域である。これらの欠けたショット
領域には、それぞれレチクルＲ上の全部露光できる部分
パターン領域（ＰＡ１，ＰＡ２又はＰＡ３）のパターン
像のみを露光する。
【００３７】スキャン露光方式で露光する際には、ウエ
ハＷの左上の第１のショット領域ＳＡ１から露光を始
め、−Ｙ方向へ配列された第１行目のショット領域ＳＡ
１〜ＳＡ６に順次露光を行う。次いで、＋Ｙ方向へ配列
された第２行目のショット領域ＳＡ７〜ＳＡ１４に順次
露光を行い、以下同様に１行のショット領域ずつ露光を
行い、最後に左下のショット領域ＳＡ６８への露光を行
って、ウエハＷへの露光を終了する。図６において、実
線で示す軌跡Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，…はそれぞれショット
領域ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３，…への露光を行う際のウ
エハＷに対する図２のスリット状の露光領域２２の軌跡
を示し、ウエハＷは実際には軌跡Ｔ１，Ｔ２，…と逆方
向に移動している。但し、軌跡Ｔ１，Ｔ２，…の他に実
際には走査速度を一定にするための助走区間が必要であ
る。また、レチクルＲは軌跡Ｔ１，Ｔ２，…と投影光学
系１３に対して共役な方向に走査される。
ハＷの左上の第１のショット領域ＳＡ１から露光を始
め、−Ｙ方向へ配列された第１行目のショット領域ＳＡ
１〜ＳＡ６に順次露光を行う。次いで、＋Ｙ方向へ配列
された第２行目のショット領域ＳＡ７〜ＳＡ１４に順次
露光を行い、以下同様に１行のショット領域ずつ露光を
行い、最後に左下のショット領域ＳＡ６８への露光を行
って、ウエハＷへの露光を終了する。図６において、実
線で示す軌跡Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，…はそれぞれショット
領域ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３，…への露光を行う際のウ
エハＷに対する図２のスリット状の露光領域２２の軌跡
を示し、ウエハＷは実際には軌跡Ｔ１，Ｔ２，…と逆方
向に移動している。但し、軌跡Ｔ１，Ｔ２，…の他に実
際には走査速度を一定にするための助走区間が必要であ
る。また、レチクルＲは軌跡Ｔ１，Ｔ２，…と投影光学
系１３に対して共役な方向に走査される。
【００３８】先ず、ウエハＷ上の第１のショット領域Ｓ
Ａ１に露光を行うには、図２において照明領域２１に対
してレチクルＲの部分パターン領域ＰＡ３を走査するの
と同期して、図６において、スリット状の露光領域に対
してショット領域ＳＡ１の１／３の領域である第３の部
分ショット領域を軌跡Ｔ１と逆の方向に走査する。その
後、レチクルＲの減速期間にウエハステージ１４のステ
ッピング駆動により、第２のショット領域ＳＡ２の下側
のエッジ部を走査開始位置に設定してから、図２におい
て照明領域２１に対してレチクルＲの部分パターン領域
ＰＡ３及びＰＡ２を走査するのと同期して、図６におい
て、スリット状の露光領域に対してショット領域ＳＡ１
の２／３の領域である第３及び第２の部分ショット領域
を軌跡Ｔ２と逆の方向に走査する。そして、以下は同様
にショット領域ＳＡ３〜ＳＡ５を交互に逆方向にフルフ
ィールドの２／３だけ走査して、それぞれレチクルＲ上
の２個の部分パターン領域のパターン像を露光してい
く。
Ａ１に露光を行うには、図２において照明領域２１に対
してレチクルＲの部分パターン領域ＰＡ３を走査するの
と同期して、図６において、スリット状の露光領域に対
してショット領域ＳＡ１の１／３の領域である第３の部
分ショット領域を軌跡Ｔ１と逆の方向に走査する。その
後、レチクルＲの減速期間にウエハステージ１４のステ
ッピング駆動により、第２のショット領域ＳＡ２の下側
のエッジ部を走査開始位置に設定してから、図２におい
て照明領域２１に対してレチクルＲの部分パターン領域
ＰＡ３及びＰＡ２を走査するのと同期して、図６におい
て、スリット状の露光領域に対してショット領域ＳＡ１
の２／３の領域である第３及び第２の部分ショット領域
を軌跡Ｔ２と逆の方向に走査する。そして、以下は同様
にショット領域ＳＡ３〜ＳＡ５を交互に逆方向にフルフ
ィールドの２／３だけ走査して、それぞれレチクルＲ上
の２個の部分パターン領域のパターン像を露光してい
く。
【００３９】次に、第１行目の最後のショット領域ＳＡ
６では、スリット状の露光領域に対してショット領域Ｓ
Ａ６の１／３の領域を軌跡Ｔ６と逆の方向に走査する。
この際にレチクルＲ側では、軌跡Ｔ６と共役な方向に第
３の部分パターン領域を走査する。但し、次に露光する
ショット領域ＳＡ７では、２個の部分ショット領域にそ
れぞれレチクルＲの部分パターン領域のパターン像を露
光できるため、ショット領域ＳＡ６への露光終了後も、
図２の照明領域２１を閉じた状態で軌跡Ｕ６と共役な方
向にレチクルＲを走査する。これにより照明領域２１の
エッジ部２１ａの外側近傍に部分パターン領域ＰＡ１及
びＰＡ２の境界線２４が設定される。
６では、スリット状の露光領域に対してショット領域Ｓ
Ａ６の１／３の領域を軌跡Ｔ６と逆の方向に走査する。
この際にレチクルＲ側では、軌跡Ｔ６と共役な方向に第
３の部分パターン領域を走査する。但し、次に露光する
ショット領域ＳＡ７では、２個の部分ショット領域にそ
れぞれレチクルＲの部分パターン領域のパターン像を露
光できるため、ショット領域ＳＡ６への露光終了後も、
図２の照明領域２１を閉じた状態で軌跡Ｕ６と共役な方
向にレチクルＲを走査する。これにより照明領域２１の
エッジ部２１ａの外側近傍に部分パターン領域ＰＡ１及
びＰＡ２の境界線２４が設定される。
【００４０】そして、図６において軌跡Ｕ６に対応した
方向にレチクルＲを移動している際に、ウエハステージ
１４をステッピング駆動して、ウエハＷの第２行目の最
初のショット領域ＳＡ７の下側のエッジ部を加速開始位
置に設定する。その後、図２において照明領域２１に対
してレチクルＲの部分パターン領域ＰＡ２及びＰＡ３を
−Ｘ方向に走査するのと同期して、図６において、スリ
ット状の露光領域に対してショット領域ＳＡ７の２／３
の領域を軌跡Ｔ７と逆の方向に走査する。そして、以下
のショット領域ＳＡ８〜ＳＡ１３については交互に逆方
向にフルフィールド分だけ走査して、それぞれレチクル
Ｒ上の全部の部分パターン領域のパターン像を露光す
る。第２行目の最後のショット領域ＳＡ１４について
は、２個の部分ショット領域への露光を行った後、レチ
クルＲを更に１つの部分ショット領域に相当する量だけ
移動するのと並行して、第３行目の最初のショット領域
ＳＡ１５の下側のエッジ部を加速開始位置に設定する。
以下、第６行目の最後のショット領域ＳＡ５４まではそ
れぞれフルフィールドの露光が行われる。
方向にレチクルＲを移動している際に、ウエハステージ
１４をステッピング駆動して、ウエハＷの第２行目の最
初のショット領域ＳＡ７の下側のエッジ部を加速開始位
置に設定する。その後、図２において照明領域２１に対
してレチクルＲの部分パターン領域ＰＡ２及びＰＡ３を
−Ｘ方向に走査するのと同期して、図６において、スリ
ット状の露光領域に対してショット領域ＳＡ７の２／３
の領域を軌跡Ｔ７と逆の方向に走査する。そして、以下
のショット領域ＳＡ８〜ＳＡ１３については交互に逆方
向にフルフィールド分だけ走査して、それぞれレチクル
Ｒ上の全部の部分パターン領域のパターン像を露光す
る。第２行目の最後のショット領域ＳＡ１４について
は、２個の部分ショット領域への露光を行った後、レチ
クルＲを更に１つの部分ショット領域に相当する量だけ
移動するのと並行して、第３行目の最初のショット領域
ＳＡ１５の下側のエッジ部を加速開始位置に設定する。
以下、第６行目の最後のショット領域ＳＡ５４まではそ
れぞれフルフィールドの露光が行われる。
【００４１】その後、第７行目の最初のショット領域Ｓ
Ａ５５では、レチクルＲを軌跡Ｔ５５と共役な方向に走
査するのと同期してウエハＷを軌跡Ｔ５５と逆方向に走
査した後、照明領域２１を閉じてレチクルＲは更に軌跡
Ｕ５５と共役な方向に走査し、ウエハＷは次のショット
領域ＳＡ５６を加速開始位置に移動する。また、第７行
目の次のショット領域ＳＡ５６から第８行目の最後のシ
ョット領域ＳＡ６８までは、第１行目の最初のショット
領域ＳＡ１〜第２行目のショット領域ＳＡ１３までの露
光シーケンスと対称なシーケンスで露光が行われる。
Ａ５５では、レチクルＲを軌跡Ｔ５５と共役な方向に走
査するのと同期してウエハＷを軌跡Ｔ５５と逆方向に走
査した後、照明領域２１を閉じてレチクルＲは更に軌跡
Ｕ５５と共役な方向に走査し、ウエハＷは次のショット
領域ＳＡ５６を加速開始位置に移動する。また、第７行
目の次のショット領域ＳＡ５６から第８行目の最後のシ
ョット領域ＳＡ６８までは、第１行目の最初のショット
領域ＳＡ１〜第２行目のショット領域ＳＡ１３までの露
光シーケンスと対称なシーケンスで露光が行われる。
【００４２】上述のように本実施例によれば、図６にお
いて、欠けたショット領域（例えばショット領域ＳＡ１
〜ＳＡ７，ＳＡ１４等）においては不要なパターンが露
光されないため、露光時間が短縮され、露光工程のスル
ープットが向上している。また、上述実施例では、図２
に示すように、各ショット領域ＳＡの部分ショット領域
ＳＡａ，ＳＡｂ及びＳＡｃにそれぞれレチクルＲ上の部
分パターン領域ＰＡ１，ＰＡ２及びＰＡ３が１：１で対
応し、例えば部分ショット領域ＳＡａには必ず部分パタ
ーン領域ＰＡ１のパターン像が露光されている。更に、
図６に示すように、ウエハＷ上のショット配列において
走査方向に垂直な非走査方向（Ｙ方向）に配列された一
行のショット領域（例えばショット領域ＳＡ１〜ＳＡ
６）では、隣接するショット領域間での走査方向が互い
に逆になっている。このようなシーケンスは考え方とし
て合理的であり、且つ制御も容易である。
いて、欠けたショット領域（例えばショット領域ＳＡ１
〜ＳＡ７，ＳＡ１４等）においては不要なパターンが露
光されないため、露光時間が短縮され、露光工程のスル
ープットが向上している。また、上述実施例では、図２
に示すように、各ショット領域ＳＡの部分ショット領域
ＳＡａ，ＳＡｂ及びＳＡｃにそれぞれレチクルＲ上の部
分パターン領域ＰＡ１，ＰＡ２及びＰＡ３が１：１で対
応し、例えば部分ショット領域ＳＡａには必ず部分パタ
ーン領域ＰＡ１のパターン像が露光されている。更に、
図６に示すように、ウエハＷ上のショット配列において
走査方向に垂直な非走査方向（Ｙ方向）に配列された一
行のショット領域（例えばショット領域ＳＡ１〜ＳＡ
６）では、隣接するショット領域間での走査方向が互い
に逆になっている。このようなシーケンスは考え方とし
て合理的であり、且つ制御も容易である。
【００４３】次に、図６のウエハＷに対する別の露光シ
ーケンスにつき説明する。先ず図２に示すレチクルＲの
部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３には同一のパターンが
描画されているため、必ずしも例えば図６のショット領
域ＳＡ１の軌跡Ｔ１の部分にはレチクルＲ上の第３の部
分パターン領域ＰＡ３のパターン像を露光する必要はな
い。そこで、例えばショット領域ＳＡ１及びＳＡ６には
レチクルＲ上の第２の部分パターン領域ＰＡ２のパター
ン像を露光し、ショット領域ＳＡ２〜ＳＡ５及びＳＡ７
にはレチクルＲ上の２個の部分パターン領域ＰＡ１及び
ＰＡ２のパターン像を露光するようにしてもよい。但
し、この場合には、ウエハＷをショット領域ＳＡ７から
ショット領域ＳＡ８までステッピング移動する際に、レ
チクルＲの境界線２６を照明領域２１の外側近傍まで移
動する必要がある。
ーケンスにつき説明する。先ず図２に示すレチクルＲの
部分パターン領域ＰＡ１〜ＰＡ３には同一のパターンが
描画されているため、必ずしも例えば図６のショット領
域ＳＡ１の軌跡Ｔ１の部分にはレチクルＲ上の第３の部
分パターン領域ＰＡ３のパターン像を露光する必要はな
い。そこで、例えばショット領域ＳＡ１及びＳＡ６には
レチクルＲ上の第２の部分パターン領域ＰＡ２のパター
ン像を露光し、ショット領域ＳＡ２〜ＳＡ５及びＳＡ７
にはレチクルＲ上の２個の部分パターン領域ＰＡ１及び
ＰＡ２のパターン像を露光するようにしてもよい。但
し、この場合には、ウエハＷをショット領域ＳＡ７から
ショット領域ＳＡ８までステッピング移動する際に、レ
チクルＲの境界線２６を照明領域２１の外側近傍まで移
動する必要がある。
【００４４】次に、非走査方向に隣接するショット領域
間で走査方向を同一にするシーケンスの可否につき検討
する。この場合には、図６においてショット領域ＳＡ１
に対してレチクルＲの第３の部分パターン領域ＰＡ３の
パターン像を露光して、ウエハＷをステッピング駆動し
た後、ショット領域ＳＡ２に対してレチクルＲの第２及
び第１の部分パターン領域ＰＡ２，ＰＡ１のパターン像
を露光するシーケンスが考えられる。これによりショッ
ト領域ＳＡ１及びＳＡ２を同一方向に走査できるが、レ
チクルＲ側の走査には、必ず加減速を行うための助走区
間が必要であり、ショット領域ＳＡ１とＳＡ２との間で
レチクルＲを走査方向に位置決めしなおす必要がある。
従って、このようなシーケンスは不利であることがわか
る。
間で走査方向を同一にするシーケンスの可否につき検討
する。この場合には、図６においてショット領域ＳＡ１
に対してレチクルＲの第３の部分パターン領域ＰＡ３の
パターン像を露光して、ウエハＷをステッピング駆動し
た後、ショット領域ＳＡ２に対してレチクルＲの第２及
び第１の部分パターン領域ＰＡ２，ＰＡ１のパターン像
を露光するシーケンスが考えられる。これによりショッ
ト領域ＳＡ１及びＳＡ２を同一方向に走査できるが、レ
チクルＲ側の走査には、必ず加減速を行うための助走区
間が必要であり、ショット領域ＳＡ１とＳＡ２との間で
レチクルＲを走査方向に位置決めしなおす必要がある。
従って、このようなシーケンスは不利であることがわか
る。
【００４５】なお、上述実施例は、図２に示すようにレ
チクルＲのパターン領域が走査方向に複数に分割されて
いる場合に有効である。しかしながら、図７に示すよう
にレチクルＲのパターン領域が非走査方向であるＹ方向
に２個の部分パターン領域ＰＡ４及びＰＡ５に分割され
ているような場合には、ウエハＷ上の欠けたショット領
域に対しても走査方向に対してフルフィールド分走査し
て露光を行う必要がある。
チクルＲのパターン領域が走査方向に複数に分割されて
いる場合に有効である。しかしながら、図７に示すよう
にレチクルＲのパターン領域が非走査方向であるＹ方向
に２個の部分パターン領域ＰＡ４及びＰＡ５に分割され
ているような場合には、ウエハＷ上の欠けたショット領
域に対しても走査方向に対してフルフィールド分走査し
て露光を行う必要がある。
【００４６】また、図１の実施例では可動ブラインド７
の他に固定の視野絞り５が設けられているため、通常の
露光時でのスリット状の照明領域２１の走査方向の幅Ｄ
を正確に設定できる。しかしながら、例えば特開平４−
１９６５１３号公報に開示されているように、可動ブラ
インド７の位置決め精度を向上させて、固定の視野絞り
５を省く構成としてもよい。また、上述実施例ではスリ
ット状の照明領域２１の形状、即ち視野絞り５の開口の
形状は長方形を例に説明して来たが、本形状は長方形に
限られるわけではない。更に、投影光学系１３は、屈折
系でも、反射系でも、反射屈折系でも良いことも言うま
でもない。更に、本発明は投影露光装置のみに限らず、
コンタクト方式やプロキシミティ方式の露光装置にも適
用できることも言うまでもない。このように本発明は上
述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。また、上述の露光方法によれ
ば、走査方向に対して複数個の回路パターン（チップパ
ターン）が分割して形成されたマスクのパターンをステ
ップ・アンド・スキャン方式で基板上の各ショット領域
に露光する際に、一部が欠けたショット領域に対して
は、露光できる回路パターンの長さ分だけ走査するよう
にしているため、露光時間を短縮して露光工程のスルー
プットを向上できる利点がある。また、可変視野絞りを
用いて照明領域の形状を変更できるようにした場合に
は、その一部が欠けたショット領域にとっては不要なマ
スク上の回路パターン上でその照明領域を閉じることに
より、不要な回路パターンの露光を防止できる利点があ
る。なお、露光を停止するにはシャッタ等により照明光
を遮光するようにしてもよいが、照明領域の形状自体を
変更するようにした場合には、露光すべき回路パターン
と不要な回路パターンとを正確に分離して、露光すべき
回路パターンのみを露光できる利点がある。
の他に固定の視野絞り５が設けられているため、通常の
露光時でのスリット状の照明領域２１の走査方向の幅Ｄ
を正確に設定できる。しかしながら、例えば特開平４−
１９６５１３号公報に開示されているように、可動ブラ
インド７の位置決め精度を向上させて、固定の視野絞り
５を省く構成としてもよい。また、上述実施例ではスリ
ット状の照明領域２１の形状、即ち視野絞り５の開口の
形状は長方形を例に説明して来たが、本形状は長方形に
限られるわけではない。更に、投影光学系１３は、屈折
系でも、反射系でも、反射屈折系でも良いことも言うま
でもない。更に、本発明は投影露光装置のみに限らず、
コンタクト方式やプロキシミティ方式の露光装置にも適
用できることも言うまでもない。このように本発明は上
述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。また、上述の露光方法によれ
ば、走査方向に対して複数個の回路パターン（チップパ
ターン）が分割して形成されたマスクのパターンをステ
ップ・アンド・スキャン方式で基板上の各ショット領域
に露光する際に、一部が欠けたショット領域に対して
は、露光できる回路パターンの長さ分だけ走査するよう
にしているため、露光時間を短縮して露光工程のスルー
プットを向上できる利点がある。また、可変視野絞りを
用いて照明領域の形状を変更できるようにした場合に
は、その一部が欠けたショット領域にとっては不要なマ
スク上の回路パターン上でその照明領域を閉じることに
より、不要な回路パターンの露光を防止できる利点があ
る。なお、露光を停止するにはシャッタ等により照明光
を遮光するようにしてもよいが、照明領域の形状自体を
変更するようにした場合には、露光すべき回路パターン
と不要な回路パターンとを正確に分離して、露光すべき
回路パターンのみを露光できる利点がある。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、走査方向に対して複数
個の回路パターン（チップパターン）が分割して形成さ
れたマスクのパターンをステップ・アンド・スキャン方
式で基板上の各ショット領域に露光する際に、露光時間
を短縮して露光工程のスループットを向上できる利点が
ある。
個の回路パターン（チップパターン）が分割して形成さ
れたマスクのパターンをステップ・アンド・スキャン方
式で基板上の各ショット領域に露光する際に、露光時間
を短縮して露光工程のスループットを向上できる利点が
ある。
【００４８】また、照明領域の形状自体を変更するよう
にした場合には、露光すべき回路パターンと不要な回路
パターンとを正確に分離して、露光すべき回路パターン
のみを露光できる利点がある。
にした場合には、露光すべき回路パターンと不要な回路
パターンとを正確に分離して、露光すべき回路パターン
のみを露光できる利点がある。
【図１】本発明の一実施例のステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置の全体を示す構成図である。
ン方式の投影露光装置の全体を示す構成図である。
【図２】スキャン露光方式で露光する場合の動作の説明
に供給する斜視図である。
に供給する斜視図である。
【図３】スキャン露光方式で露光する際のレチクルの走
査速度ＶR の変化の様子を示す図である。
査速度ＶR の変化の様子を示す図である。
【図４】スキャン露光方式でレチクル上の所定の部分パ
ターン領域のパターンのみを露光する場合のスリット状
の照明領域（１２）の開閉動作の一例を示す図である。
ターン領域のパターンのみを露光する場合のスリット状
の照明領域（１２）の開閉動作の一例を示す図である。
【図５】図４に対応するスリット状の照明領域の走査方
向の２つのエッジ部の動きを示す図である。
向の２つのエッジ部の動きを示す図である。
【図６】実施例で露光対象とするウエハのショット配列
及び露光シーケンスの一例を示す拡大平面図である。
及び露光シーケンスの一例を示す拡大平面図である。
【図７】非走査方向にパターン領域が２つに分割されて
いるレチクルを示す平面図である。
いるレチクルを示す平面図である。
【符号の説明】 １ 光源 ３ フライアイレンズ ５ 固定の視野絞り ７ 可動ブラインド ７Ａ，７Ｂ 羽根 ８ リレーレンズ Ｒ レチクル Ｗ ウエハ ９ レチクルステージ １０ レチクルステージ駆動部 １１ 可動ブラインド制御部 １２ 主制御系 １３ 投影光学系 １４ ウエハステージ １５ ウエハステージ駆動部 ２１ スリット状の照明領域 ２２ スリット状の露光領域 ＰＡ１〜ＰＡ３ 部分パターン領域 ＳＡ，ＳＡ１〜ＳＡ６８ ショット領域 ＳＡａ，ＳＡｂ，ＳＡｃ 部分ショット領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−196513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−212957（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−234850（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217834（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310399（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−307720（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (19)
- 【請求項１】 所定形状の照明領域を照明する照明光学
系と、前記照明領域に対して所定の走査方向に転写用の
パターンが形成されたマスクを走査するマスクステージ
と、感光性の基板を保持して該基板を２次元的に位置決
めすると共に該基板を前記所定の走査方向に対応する方
向に走査する基板ステージとを用い、該基板ステージの
ステッピング動作により前記マスクと前記基板上の複数
のショット領域内の露光対象とするショット領域とを走
査露光の加速開始位置まで位置合わせした後、前記基板
ステージ及び前記マスクステージを介して前記照明領域
に対して前記走査方向に前記マスク及び前記基板を同期
して走査することにより、前記マスクのパターンを逐次
前記基板上の各ショット領域に転写露光する露光方法に
おいて、 前記マスク上に複数の回路パターンが前記走査方向に分
割されて形成されている場合で、且つ前記基板上のショ
ット領域内で前記マスクの複数の回路パターン中の一部
の回路パターンのみが露光できる一部が欠けたショット
領域に前記マスクのパターンを露光する場合に、 前記マスクと前記基板上の一部が欠けたショット領域と
を加速開始位置に位置合わせし、 前記マスクステージを介して前記照明領域に対して前記
走査方向に前記マスクを前記一部が欠けたショット領域
に露光される回路パターンの長さ分だけ移動するのと同
期して、前記基板ステージを介して前記基板を前記一部
が欠けたショット領域上に露光される回路パターンに対
応する長さ分だけ走査した後、 前記マスクステージを介して前記マスクを次の加速開始
位置に設定すると共に、前記基板ステージを介して前記
基板を次に露光するショット領域の加速開始位置に設定
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記照明光学系中に前記照明領域の形状
を変更する可変視野絞りを設け、 前記マスクステージを介して前記照明領域に対して前記
走査方向に前記マスクを前記一部が欠けたショット領域
に露光される回路パターンの長さ分だけ移動するのと同
期して、前記基板ステージを介して前記基板を前記一部
が欠けたショット領域上に露光される回路パターンに対
応する長さ分だけ走査する際に、 前記視野絞りを介して前記照明領域の形状を変更するこ
とにより、前記マスク中で前記基板上の前記一部が欠け
たショット領域にはせいぜい一部のみが露光される回路
パターン上を前記照明領域が通過しないようにしたこと
を特徴とする請求項１に記載の露光方法。 - 【請求項３】 基板上の複数のショット領域の各々を、
複数の部分パターンが形成されたマスクと前記基板とを
同期して走査することによって走査露光する露光方法に
おいて、 前記基板上の第１ショット領域を露光するときの前記基
板の走査距離と、前記基板上の前記第１ショット領域と
異なる第２ショット領域を露光するときの前記基板の走
査距離とを異ならせることを特徴とする露光方法。 - 【請求項４】 前記複数の部分パターンは、前記マスク
の走査方向に沿って形成されていることを特徴とする請
求項３に記載の露光方法。 - 【請求項５】 前記第１ショット領域及び前記第２ショ
ット領域の一方のショット領域は前記基板の外周部に形
成され、 該一方のショット領域は、前記基板上に前記複数の部分
パターンのうちの一部の像しか投影する余地がないこと
を特徴とする請求項３又は４に記載の露光方法。 - 【請求項６】 前記第１ショット領域には、前記複数の
部分パターンのうちの少なくとも一つのパターンの像が
投影され、 前記第２ショット領域には、前記複数の部分パターンの
うち、前記第１ショット領域とは異なる数のパターンの
像が投影されることを特徴とする請求項３、４、又は５
に記載の露光方法。 - 【請求項７】 基板上の複数のショット領域の各々を、
複数の部分パターンが形成されたマスクと前記基板とを
同期して走査することによって走査露光する露光方法に
おいて、 前記基板上の周辺部のショット領域を露光するときの前
記基板の走査距離を、前記複数の部分パターンのうちで
前記基板上に投影可能な部分パターンの数に応じて決定
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項８】 前記基板上の複数のショット領域のうち
の連続して露光するショット領域では、前記基板の走査
方向を互いに逆にすることを特徴とする請求項３〜７の
何れか一項に記載の露光方法。 - 【請求項９】 前記マスクに形成された複数の部分パタ
ーンは同一であることを特徴とする請求項３〜８の何れ
か一項に記載の露光方法。 - 【請求項１０】 前記基板上の一つのショット領域の走
査露光終了後の前記マスクの減速及び次のショット領域
の走査露光を開始するための前記マスクの加速中に、前
記基板が加速開始位置に設定されるように前記基板のス
テッピング移動を行うことを特徴とする請求項３〜９の
何れか一項に記載の露光方法。 - 【請求項１１】 基板上の複数のショット領域の各々
を、複数の部分パターンが形成されたマスクと前記基板
とを同期して走査することによって走査露光する露光装
置において、 前記マスクに照明光を照射するための照明光学系と、 前記マスクと前記基板とを同期して走査するための走査
手段と、 前記基板上の外周部のショット領域を露光するときに、
前記マスク上に形成された複数の部分パターンの配列を
考慮して前記走査手段を制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１２】 基板上の複数のショット領域の各々
を、複数の部分パターンが形成されたマスクと前記基板
とを同期して走査することによって走査露光する露光装
置において、 前記マスクに照明光を照射するための照明光学系と、 前記マスクと前記基板とを同期して走査するための走査
手段と、 前記基板上の外周部のショット領域を露光するときに、
前記マスク上に形成された複数の部分パターンの個数を
考慮して前記走査手段を制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１３】 前記複数の部分パターンは、前記マス
クの走査方向に沿って形成されていることを特徴とする
請求項１１又は１２に記載の露光装置。 - 【請求項１４】 基板上の複数のショット領域の各々
を、複数の部分パターンが形成されたマスクと前記基板
とを同期して走査することによって走査露光する露光装
置において、 前記マスクに照明光を照射するための照明光学系と、 前記複数の部分パターンの配列方向に前記マスクを走査
するとともに、前記マスクの走査に同期して前記基板を
走査する走査手段と、 前記複数のショット領域の前記基板上での配列に基づい
て前記走査手段を制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１５】 前記複数のパターンのうち露光対象で
ないパターンに前記照明光が照射されないように移動可
能な可動ブラインドを更に備えたことを特徴とする請求
項１１〜１４の何れか一項に記載の露光装置。 - 【請求項１６】 前記制御手段は、前記複数の部分パタ
ーンのうち前記基板上に投影可能な部分パターンの数に
応じて前記走査手段を制御することを特徴とする請求項
１１〜１５の何れか一項に記載の露光装置。 - 【請求項１７】 基板上の複数のショット領域の各々
を、複数の部分パターンが形成されたマスクと前記基板
とを同期して走査することによって走査露光する露光装
置において、 前記マスクに照明光を照射するための照明光学系と、 前記マスクの前記基板とを同期して走査する走査手段
と、 前記基板上に前記複数の部分パターンのうちの一部のパ
ターンの像しか投影する余地がない外周部のショット領
域を露光するときに、前記一部のパターンにのみ前記照
明光が照射されるように移動可能な可動ブラインドと、 を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１８】 前記基板上の複数のショット領域のう
ち連続して露光するショット領域では、前記基板の走査
方向を互いに逆にすることを特徴とする請求項１１〜１
７の何れか一項に記載の露光装置。 - 【請求項１９】 前記基板上の一つのショット領域の走
査露光終了後の前記マスクの減速及び次のショット領域
の走査露光を開始するための前記マスクの加速中に、前
記基板が加速開始位置に設定されるように前記基板のス
テッピング移動を行うことを特徴とする請求項１１〜１
８の何れか一項に記載の露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29183893A JP3336389B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 露光方法及び装置 |
| US08/345,424 US5617182A (en) | 1993-11-22 | 1994-11-21 | Scanning exposure method |
| US09/286,001 USRE38176E1 (en) | 1993-11-22 | 1999-03-31 | Scanning exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29183893A JP3336389B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142362A JPH07142362A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3336389B2 true JP3336389B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=17774078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29183893A Expired - Fee Related JP3336389B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 露光方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336389B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012208128A (ja) * | 2012-07-10 | 2012-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3320262B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
| JP4773158B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2011-09-14 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
-
1993
- 1993-11-22 JP JP29183893A patent/JP3336389B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012208128A (ja) * | 2012-07-10 | 2012-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07142362A (ja) | 1995-06-02 |
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