JPS58131731A - エネルギ−線照射方法 - Google Patents
エネルギ−線照射方法Info
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- JPS58131731A JPS58131731A JP1300382A JP1300382A JPS58131731A JP S58131731 A JPS58131731 A JP S58131731A JP 1300382 A JP1300382 A JP 1300382A JP 1300382 A JP1300382 A JP 1300382A JP S58131731 A JPS58131731 A JP S58131731A
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- JP
- Japan
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- plasma
- wafer
- irradiation
- electrode
- energy rays
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は絶縁体表面を電子ビームや紫外線等のエネルギ
ー線で照射した場合の帯電防止技術に関するものである
。
ー線で照射した場合の帯電防止技術に関するものである
。
（ｂ）技術の背景及び問題点
半導体装置の製造に於て、イオン注入層のアニール、ア
モルファス層の熱処理などの目的で電子ビームを半導体
基板表面に照射することが行われる。
モルファス層の熱処理などの目的で電子ビームを半導体
基板表面に照射することが行われる。
これは、通常Ｘ−Ｙステージに載せた半導体基板をＸ方
向およびＹ方向に移動させながら、基板全面に電子ビー
ムを照射して行うため、基板表面に絶縁物皮膜が存在す
る領域も同様に電子ビームの照射をうける。
向およびＹ方向に移動させながら、基板全面に電子ビー
ムを照射して行うため、基板表面に絶縁物皮膜が存在す
る領域も同様に電子ビームの照射をうける。
絶縁物皮膜が電子ビームの照射をうけると、その表面に
電荷が蓄積し、それが増加すると、遂には絶縁物皮膜が
絶縁破壊を起すに至る。電子ビームのような荷電粒子線
に限らず、紫外線のような放射線の照射を受けた場合に
も、叩き出された電子が蓄積し、同様の事態が発生する
。特にエキシマレーザのような強力な紫外光源を使用す
る場合、この問題がａＳになる。
電荷が蓄積し、それが増加すると、遂には絶縁物皮膜が
絶縁破壊を起すに至る。電子ビームのような荷電粒子線
に限らず、紫外線のような放射線の照射を受けた場合に
も、叩き出された電子が蓄積し、同様の事態が発生する
。特にエキシマレーザのような強力な紫外光源を使用す
る場合、この問題がａＳになる。
半導体装置の製造工程に於ては、表面の平坦化或いは汚
染防止などの目的で、基板表面には二酸化珪素などの絶
縁皮膜が存在するのが通常であるから、このような半導
体基板に放射線を照射する場合には、絶縁破壊にたいす
る配慮が必要である。
染防止などの目的で、基板表面には二酸化珪素などの絶
縁皮膜が存在するのが通常であるから、このような半導
体基板に放射線を照射する場合には、絶縁破壊にたいす
る配慮が必要である。
イオン注入に於ても類似の問題が生ずるが、イオン注入
の場合は正電荷の蓄積であり、電子シャワーや紫外線照
射による負電荷の発生を併用することにより、蓄積電荷
を中和することが可能であったのに対し、負電荷の蓄積
に対しては、従来適切な対策が知られていなかった。
の場合は正電荷の蓄積であり、電子シャワーや紫外線照
射による負電荷の発生を併用することにより、蓄積電荷
を中和することが可能であったのに対し、負電荷の蓄積
に対しては、従来適切な対策が知られていなかった。
（Ｃ）発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、絶縁皮膜上の負電荷帯電を防
止しながらエネルギー線の照射を行う方法を提供するも
のである。
止しながらエネルギー線の照射を行う方法を提供するも
のである。
（ｄ）発明の構成
上記目的を達成するため本発明は負電荷の生ずるエネル
ギー線照射を、少なくもその一部が絶縁物から成る被照
射体表面をプラズマガスに接触させた状態で行う事を特
徴とする。
ギー線照射を、少なくもその一部が絶縁物から成る被照
射体表面をプラズマガスに接触させた状態で行う事を特
徴とする。
（ｅ）発明の実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。
Ｘ−Ｙステージ１に載せられた半導体基板２（以下ウェ
ファ−と記す）は既述したように、Ｘ方向およびＹ方向
に移動しながら、全面に電子ビームの照射を受ける。３
は電子銃であり、４は電子ビームをウェファ−上にフォ
ーカスさせるための電子レンズである。
ファ−と記す）は既述したように、Ｘ方向およびＹ方向
に移動しながら、全面に電子ビームの照射を受ける。３
は電子銃であり、４は電子ビームをウェファ−上にフォ
ーカスさせるための電子レンズである。
以上は従来技術と同様であるが、本発明に使用される装
置では更に電極５が設けられ、該電極とＸ−Ｙステージ
との間には高周波電界が印加されテ、ウェファ−上方の
空間領域にプラズマが発生するように構成されている。
置では更に電極５が設けられ、該電極とＸ−Ｙステージ
との間には高周波電界が印加されテ、ウェファ−上方の
空間領域にプラズマが発生するように構成されている。
電極５には電子ビームを通過させる為の開口６が設けら
れている。プラズマ発生の為に前記空間は１０Ｔｏ ｒ
ｒ、のＡｒガス雰囲気となっており、印加される１
３．５６ＭＨｚの高周波電力はウェファ−１枚当り１０
０Ｗ程度である。更に、プラズマ中の正イオンが効率よ
くウェファ−表面に到達するように、ウェファ−側の電
極が負電位になるような直流電圧を、電極間に重ねて印
加してもよい。
れている。プラズマ発生の為に前記空間は１０Ｔｏ ｒ
ｒ、のＡｒガス雰囲気となっており、印加される１
３．５６ＭＨｚの高周波電力はウェファ−１枚当り１０
０Ｗ程度である。更に、プラズマ中の正イオンが効率よ
くウェファ−表面に到達するように、ウェファ−側の電
極が負電位になるような直流電圧を、電極間に重ねて印
加してもよい。
このような条件の下にプラズマを発生させながら電子ビ
ームの照射を行うと、ウェファ−表面に生じた電荷はプ
ラズマイオンによって中和される為、絶縁膜上に蓄積さ
れることが無く、従って絶縁破壊の生ずることが無い。
ームの照射を行うと、ウェファ−表面に生じた電荷はプ
ラズマイオンによって中和される為、絶縁膜上に蓄積さ
れることが無く、従って絶縁破壊の生ずることが無い。
本発明が実施される対象は主としてシリコンウェファ−
であるが、上記の実施条件では発生したプラズマガスに
よってシリコン或いは二酸化珪素が強くエツチングされ
ることは無く、素子形成上の障害とはならない、なお、
新たに電極５が設けられ、電圧が印加されることから、
電子銃３に印加される電圧或いは電子レンズ４のフォー
カス条件゛には、若干の修正が必要な場合がある。
であるが、上記の実施条件では発生したプラズマガスに
よってシリコン或いは二酸化珪素が強くエツチングされ
ることは無く、素子形成上の障害とはならない、なお、
新たに電極５が設けられ、電圧が印加されることから、
電子銃３に印加される電圧或いは電子レンズ４のフォー
カス条件゛には、若干の修正が必要な場合がある。
本発明は復、第２図に示すように実施することも出来る
。
。
この実施例ではプラズマ発生の為のチェンバー７が、電
子ビーム照射空間から分離されて設けられており、発生
したプラズマガスはウェファ−２の表面に到達して、絶
縁膜上に生じた電荷を中和する。プラズマ発生の条件は
第１図の実施例と同様か、或いは若干強いものとする。
子ビーム照射空間から分離されて設けられており、発生
したプラズマガスはウェファ−２の表面に到達して、絶
縁膜上に生じた電荷を中和する。プラズマ発生の条件は
第１図の実施例と同様か、或いは若干強いものとする。
このように構成した装置を使用すれば、電子ビーム照射
空間に余分の電極（第１図の５に相当）が無いので、照
射条件の設定は従来と同じになるばかりでなく、ウェフ
ァ−に対するエツチングその他の悪影響を小とすること
ができる。
空間に余分の電極（第１図の５に相当）が無いので、照
射条件の設定は従来と同じになるばかりでなく、ウェフ
ァ−に対するエツチングその他の悪影響を小とすること
ができる。
（ｆ）発明の詳細
な説明したような本発明の方法によれば、絶縁皮膜上に
生じる負電荷は逐次中和されるので、電荷の蓄積が起ら
ず、絶縁破壊を防止することが出来る。
生じる負電荷は逐次中和されるので、電荷の蓄積が起ら
ず、絶縁破壊を防止することが出来る。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す図であって、
図に於てｌはＸ−Ｙステージ、２はウェファ−１３は電
子銃、４は電子レンズ、５はプラズマ発生用電極、７は
プラズマ発生の為のチェンバーである。
図に於てｌはＸ−Ｙステージ、２はウェファ−１３は電
子銃、４は電子レンズ、５はプラズマ発生用電極、７は
プラズマ発生の為のチェンバーである。
Claims (2)
- （１）絶縁物表面に負の電荷を生ぜしめる放射線照射に
於て、少なくもその一部が絶縁物から成る被照射体表面
をプラズマガスに接触させた状態で行う事を特徴とする
エネルギー線照射方法。 - （２）前記プラズマガスを発生させるための空間を、前
記被照射体表面をプラズマガスに接触させる空間とは別
に設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
エネルギー線照射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300382A JPS58131731A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | エネルギ−線照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300382A JPS58131731A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | エネルギ−線照射方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58131731A true JPS58131731A (ja) | 1983-08-05 |
| JPS6355775B2 JPS6355775B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=11820998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1300382A Granted JPS58131731A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | エネルギ−線照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58131731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2602051A1 (fr) * | 1986-07-23 | 1988-01-29 | Cameca | Procede et dispositif pour la decharge d'echantillons isolants lors d'une analyse ionique |
| JPH0745227A (ja) * | 1993-06-11 | 1995-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電粒子応用分析装置及び荷電粒子応用描画装置 |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1300382A patent/JPS58131731A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2602051A1 (fr) * | 1986-07-23 | 1988-01-29 | Cameca | Procede et dispositif pour la decharge d'echantillons isolants lors d'une analyse ionique |
| JPH0745227A (ja) * | 1993-06-11 | 1995-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電粒子応用分析装置及び荷電粒子応用描画装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355775B2 (ja) | 1988-11-04 |
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