JPH0582257A - 真空アーク装置及び真空アーク点火方法 - Google Patents

真空アーク装置及び真空アーク点火方法

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JPH0582257A
JPH0582257A JP3245752A JP24575291A JPH0582257A JP H0582257 A JPH0582257 A JP H0582257A JP 3245752 A JP3245752 A JP 3245752A JP 24575291 A JP24575291 A JP 24575291A JP H0582257 A JPH0582257 A JP H0582257A
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JP
Japan
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cathode
arc
vacuum
vacuum arc
heating
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JP3245752A
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Inventor
Jun Takeuchi
内 順 竹
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Nippon Steel Corp
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Nippon Steel Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アーク電極間距離,真空度などにかかわらず
真空アークを確実に点火する装置及び方法を安価に提供
する。 【構成】 真空アーク装置において、真空アーク陰極表
面を局所的に加熱する加熱源を備える。加熱としては、
レーザービーム9,イオンビーム13,電子ビーム1
5,直流プラズマジェット17などを利用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極が走行する真空ア
ーク装置及び陰極が走行する真空アーク装置における真
空アークの点火方法に関する。
【0002】
【従来技術】真空アーク技術は、電気回路部品である真
空遮断機に広く用いられている技術である。近年真空ア
ークを材料プロセスに応用する試みが行われている。す
なわち、被処理物を陰極として、蒸着、イオンプレーテ
ィングおよび酸化皮膜の除去などを行うことである。
【0003】真空アークの点火方法として、陽極及び陰
極を接触し電流を通じておいた状態で両極を引き離すこ
とにより点火する方法が一般的である。また陽極及び陰
極間に点火用の高周波電圧を印加する方法もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、両端を引き離
す方法では最初の点火点となる陽極と陰極の接触部分の
表面性状が他の部分の表面性状に比しアークによる損傷
が大きいものになってしまうという欠点がある。また高
周波電圧を印加する方法には陽極と陰極との距離よりも
陽極または陰極と真空容器との距離を大きくしなければ
ならないという欠点がある。このため真空容器の大き
さ,アーク電極間距離,アーク電極形状などに大きな制
約がある。
【0005】本発明者は上記欠点を解決すべく高周波誘
導アークによる真空アーク点火方法を発明した(特願平
03−166008)。この発明ではパッシェンの法則
に基づいて火花放電が点火され、これを真空アークの点
火に利用した、しかし、この発明では真空度が良いとき
にはコイルに供給する高周波電圧を大きくしなければな
らない。このため1/10Torr以下の真空度では1
0kW以上の高周波電源が必要とされる。
【0006】本発明はかかる現状に鑑み、アーク電極間
距離,真空度なでにかかわらず真空アークを確実に点火
する装置及び方法を安価に提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願の第1の発明は、真
空アーク装置において、真空アーク陰極表面を局所的に
加熱する加熱手段(8,12,14,16)を備える。
【0008】また本願の第2の発明は、真空アーク装置
において、真空アーク陰極表面を局所的に加熱すること
により真空アークを点火する真空アーク点火方法であ
る。
【0009】さらに本発明の好ましい実施態様として
は、加熱はレーザービーム(9),イオンビーム(1
3),電子ビーム(15)又は直流プラズマジェット
(17)による。なお、カッコ内の記号は、図面に示し
後述する実施例の対応要素又は対応事項を示す。
【0010】
【作用】真空アーク放電ではアーク柱や陽極は受動的な
役割しか果しておらず、専ら陰極すなわち陰極点のみが
アークを維持する働きをする。すなわち、陰極点から蒸
発する蒸気が陰極点から放出される電子によりイオン化
される。このイオンが陰極表面に高速で入射することに
より陰極表面を加熱し新たな陰極点を形成する。このプ
ロセスにより個々の陰極点は発生・成長・消滅をする
が、次々と新たな陰極点が形成されるため真空アーク放
電が維持される。
【0011】よって、放電を開始するために陰極点を一
旦形成してしまえば陰極点は自ら新たな陰極点を形成す
るので真空アークが発生・維持できる。
【0012】そこで、本発明によれば、補助的な装置を
用い人為的に陰極点を形成する。すなわち陰極表面を局
所的に加熱するので真空アークが容易に着火できる。
【0013】なお、前述した高周波アークを利用する点
火方法と本発明の点火方法の相違は明確である。すなわ
ち、高周波アーク点火方法では真空アークのアーク柱と
なる位置で高周波アークを発生し高周波アークを延伸す
ることで真空アークを点火する。この場合高周波アーク
中のイオンが陰極表面に高速で入射することで陰極表面
を加熱することにより真空アークが着火されるが、高周
波アークは広範な広がりを持つので陰極表面の広い部分
を加熱するため陰極点を形成するためには高周波アーク
に大電力を供給する必要がある。一方、本発明の方法で
は真空アークのアーク柱となる位置にはエネルギーを投
入せず、陰極表面を局所的に加熱し陰極点を形成するの
でより少ないエネルギーで点火することが可能である。
【0014】本発明の他の目的および特徴は、図面を参
照とした以下の実施例の説明より明らかになろう。
【0015】
【実施例】(第1実施例)図1に、真空アーク装置の構
成概要を示す。これは加熱としてレーザービームを使用
したものである。本装置では上部アーク電極4を陽極と
し、下部アーク電極5を陰極とし、真空容器7、外部に
レーザービーム発生装置8が設置されている。レーザー
ビーム9は窓10を通して真空容器7内に導入され、陰
極表面上に焦点を持つ。このレーザービーム9が加熱源
である。
【0016】上部アーク電極4及び下部アーク電極5は
銅または黄銅などの導電体により構成される必要があ
る。アーク電極は冷却されることが望ましい。
【0017】直流電源6を上部アーク電極4と下部アー
ク電極5に接続する。電極の位置関係は任意である。す
なわち、陰極5が上であり、陽極4が下となっても良
い。さらには陰極5と陽極4が左右に配置されても良
い。
【0018】真空容器7はアーク電極と電気的に絶縁さ
れていることが望ましい。すなわち、真空容器7と一方
のアーク電極が電気的に接続されている場合、真空アー
クはこのアーク電極でなく真空容器7をアーク電極とし
て放電するからである。通常安全のため真空容器7はア
ースされる。
【0019】レーザービーム発生装置8は真空容器7の
外部に設置されることが望ましい。なぜならば真空アー
クが点火されると陰極から陰極蒸気が真空空間に放出さ
れ蒸着するからである。レーザービーム9はレンズ11
により集光され、窓10を通して真空容器7内に導入さ
れる。陰極蒸気により窓10が曇ることを防止するには
シャッターを備えればよい。レーザービーム9の焦点は
陰極表面にあることが極ましい。なぜならば陰極表面の
一部分を効率よく加熱するためである。陰極表面を加熱
するとは陰極表面を局所的に加熱し最低限溶融する必要
があることを言う。局所的とは陰極表面全体を加熱する
のではなく、一部分を加熱し溶融することを言う。加熱
源の出力を小さくするためには加熱される範囲としては
直径10mm以下が望ましい。
【0020】本発明で言う真空アークとは陰極物質が蒸
発し空間を満たしながらアークが維持されるアークを指
す。すなわち、空間中の残留ガス量が陰極蒸気量より圧
倒的に多い通常のアークではない。真空アークと通常の
アークとの明確な圧力範囲の区分はないが、真空アーク
は10Torr以下で維持され通常のアークは10To
rr以上で維持される。なお、陰極物質のみならず陽極
物質も蒸発し空間を満たすアークも真空アークである。
【0021】次に、図1の装置を用いた実験結果を示
す。手順は以下の通りである。すなわち、まず真空容器
7を真空(1/102Torr)にする。次に直流電源
6を動作する。この段階では点火されない。最後にレー
ザービーム発生装置8を動作させレーザービーム9を発
生し陰極表面を局所的に加熱する。この時のレーザービ
ームの焦点の径は10μmである。陰極5表面が溶融す
るとともに陰極点が形成され真空アークが点火された。
レーザービーム発生装置8の動作を停止しても真空アー
クは維持された。
【0022】上部アーク電極と下部アーク電極との距離
を10〜400mmに設定したがいずれの場合にも点火
に成功した。また点火直前の圧力範囲を(1/105
〜10Torrに設定したがいずれの場合にも点火に成
功した。
【0023】下部アーク電極上に被処理物を設置し電気
的に接続し、被処理物を下部アーク電極とした。被処理
物が平面,凸面および凹面状のいずれの場合でも点火さ
れた。
【0024】(第2実施例)図2に、加熱としてイオン
ビームを使用する場合の、真空アーク装置の構成概要を
示す。本装置では上部アーク電極4を陽極とし、下部ア
ーク電極5を陰極とし、真空容器7内部にイオンガン1
2が設置されている。イオンガン12は陰極5に対して
正の電位を有する様に配線されている。イオンガン12
から放出されるイオンビーム13は陰極5表面に収束す
る。このイオンビーム13が加熱源である。
【0025】イオンガン12は真空容器7の内部に設置
される必要がある。しかし、真空アークを点火されると
陰極から陰極蒸気が真空空間に放出され蒸着するためシ
ャッターを備えることが望ましい。イオンビーム13の
焦点は陰極表面にあることが望ましい。なぜならば陰極
表面の一部分を効率よく加熱するためである。陰極表面
を加熱するとは陰極表面を局所的に加熱し最低限溶融す
る必要があることを言う。局所的とは陰極表面全体を加
熱するのではなく、一部分を加熱し溶融することを言
う。加熱源の出力を小さくするためには加熱される範囲
としては直径10mm以下が望ましい。
【0026】次に、図2の装置を用いた実験結果を示
す。手順は以下の通りである。すなわち、まず真空容器
7を真空(1/102Torr)にする。次に直流電源
6を動作する。この段階では点火されない。最後にイオ
ンガン12を動作させイオンビーム13を発生し陰極表
面を局所的に加熱する。この時のイオンビームの焦点の
径は1mmである。陰極5表面が溶融するとともに陰極
点が形成され真空アークが点火された。イオンガン12
の動作を停止しても真空アークは維持された。
【0027】上部アーク電極と下部アーク電極との距離
を10〜400mmに設定したがいずれの場合にも点火
に成功した。また点火直前の圧力範囲を(1/105
〜10Torrに設定したがいずれの場合にも点火に成
功した。
【0028】下部アーク電極上に被処理物を設置し電気
的に接続し、被処理物を下部アーク電極とした。被処理
物が平面,凸面および凹面状のいずれの場合でも点火さ
れた。
【0029】(第3実施例)図3に、加熱として電子ビ
ームを使用する場合の、真空アーク装置の構成概要を示
す。本装置では上部アーク電極4を陽極として下部アー
ク電極5を陰極とし真空容器7内部に電子ガン14が設
置されている。電子ガン14は陰極5に対して負の電位
を有する様に配線されている。電子ガン14から放出さ
れる電子ビーム15は陰極5表面に収束する。この電子
ビーム15が加熱源である。
【0030】電子ガン14は真空容器7の内部に設置さ
れる必要がある。しかし、真空アークが点火されると陰
極から陰極蒸気が真空空間に放出され蒸着するためシャ
ッターを備えることが望ましい。電子ビーム15の焦点
は陰極表面にあることが望ましい。なぜならば陰極表面
の一部分を効率よく加熱するためである。陰極表面を加
熱するとは陰極表面を局所的に加熱し最低限溶融する必
要があることを言う。局所的とは陰極表面全体を加熱す
るのではなく、一部分を加熱し溶融することを言う。加
熱源の出力を小さくするためには加熱される範囲として
は直径10mm以下が望ましい。
【0031】次に、図3の装置を用いた実験結果を示
す。手順は以下に通りである。すなわち、まず真空容器
7を真空(1/102Torr)にする。次に直流電源
6を動作する。この段階では点火されない。最後に電子
ガン14を動作させ電子ビーム15を発生し陰極表面を
局所的に加熱する。この時のイオンビームの焦点の径は
1μmである。陰極5表面が溶融するとともに陰極点が
形成され真空アークが点火された。電子ガン14の動作
を停止しても真空アークは維持された。
【0032】上部アーク電極と下部アーク電極との距離
を10〜400mmに設定したがいずれの場合にも点火
に成功した。また点火直前の圧力範囲を(1/105
〜10Torrに設定したがいずれの場合にも点火に成
功した。
【0033】下部アーク電極上に被処理物を設置し電気
的に接続し、被処理物を下部アーク電極とした。被処理
物が平面,凸面および凹面状のいずれの場合でも点火さ
れた。
【0034】(第4実施例)図4に、直流プラズマジェ
ットを使用する場合の、真空アーク装置の構成概要を示
す。本装置では上部アーク電極4を陽極とし、下部アー
ク電極5を陰極とし、真空容器7内部に直流プラズマガ
ン16が設置されている。直流プラズマガン16は陰極
5に対して負の電位を有する様に配線されている。直流
プラズマガン16から放出される直流プラズマジェット
17は陰極5表面に収束する。この直流プラズマジェッ
ト17が加熱源である。
【0035】直流プラズマガン16は真空容器7の内部
に設置される必要がある。しかし、真空アークが点火さ
れると陰極から陰極蒸気が真空空間に放出され蒸着する
ためシャッターを備えることが望ましい。直流プラズマ
ジェット17の焦点は陰極表面にあることが望ましい。
なぜならば陰極表面の一部分を効率よく加熱するためで
ある。陰極表面を加熱するとは陰極表面を局所的に加熱
し最低限溶融する必要があることを言う。局所的とは陰
極表面全体を加熱するのではなく、一部分を加熱し溶融
することを言う。加熱源の出力を小さくするためには加
熱される範囲としては直径10mm以下が望ましい。
【0036】次に、図4の装置を用いた実験結果を示
す。手順は以下の通りである。すなわち、まず真空容器
7を真空(1/102Torr)にする。次に直流電源
6を動作する。この段階では点火されない。最後に直流
プラズマガン16を動作させ直流プラズマジェット17
を発生し陰極表面を局所的に加熱する。この時のイオン
ビームの焦点の径は5mmである。陰極5表面が溶融す
るとともに陰極点が形成され真空アークが点火された。
直流プラズマガン16の動作を停止しても真空アークは
維持された。
【0037】上部アーク電極と下部アーク電極との距離
を10〜400mmに設定したが、いずれの場合にも点
火に成功した。また点火直前の圧力範囲を(1/1
5)〜10Torrに設定したがいずれの場合にも点
火に成功した。
【0038】下部アーク電極上に被処理物を設置し電気
的に接続し、被処理物を下部アーク電極とした。被処理
物が平面,凸面および凹面状のいずれの場合でも点火さ
れた。
【0039】
【発明の効果】本発明により、アーク電極間距離,真空
度などにかかわらず真空アークを確実に点火する装置及
び方法を安価に提供された。すなわち、アーク電極間距
離を10〜400mm,真空度を(1/105)〜10
Torrの範囲で真空アークを確実に点火しうる。よっ
て、真空アークを工業的に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の、真空アーク装置の構成
概要を示す側断面図である。
【図2】本発明の第2実施例の、真空アーク装置の構成
概要を示す側断面図である。
【図3】本発明の第3実施例の、真空アーク装置の構成
概要を示す側断面図である
【図4】本発明の第4実施例の、真空アーク装置の構成
概要を示す側断面図である。
【符号の説明】
4:上部アーク電極(陽極) 5:下部ア
ーク電極(陰極) 6:直流電極 7:真空容
器 8:レーザービーム発生装置(加熱手段) 9:レーザービーム 10:窓 11:レンズ 12:イオ
ンガン(加熱手段) 13:イオンビーム 14:電子
ガン(加熱手段) 15:電子ビーム 16:直流
プラズマガン(加熱手段) 17:直流プラズマジェット

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空アーク装置において、真空アーク陰極
    表面を局所的に加熱する加熱手段を備える真空アーク装
    置。
  2. 【請求項2】真空アーク装置において、真空アーク陰極
    表面を局所的に加熱することにより真空アークを点火す
    る真空アーク点火方法。
  3. 【請求項3】前記加熱は、レーザービームによる請求項
    1記載の真空アーク装置。
  4. 【請求項4】前記加熱は、イオンビームによる請求項1
    記載の真空アーク装置。
  5. 【請求項5】前記加熱は、電子ビームによる請求項1記
    載の真空アーク装置。
  6. 【請求項6】前記加熱は、直流プラズマジェットによる
    請求項1記載の真空アーク装置。
JP3245752A 1991-09-25 1991-09-25 真空アーク装置及び真空アーク点火方法 Withdrawn JPH0582257A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06295644A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Nippon Steel Corp 真空アーク処理方法及び前処理方法
US6495002B1 (en) * 2000-04-07 2002-12-17 Hy-Tech Research Corporation Method and apparatus for depositing ceramic films by vacuum arc deposition
US6847164B2 (en) 2002-12-10 2005-01-25 Applied Matrials, Inc. Current-stabilizing illumination of photocathode electron beam source
JP2021150115A (ja) * 2020-03-18 2021-09-27 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン生成装置およびイオン生成方法

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Effective date: 19981203