JP3454388B2 - イオンビーム発生装置のアーク放電方法 - Google Patents
イオンビーム発生装置のアーク放電方法Info
- Publication number
- JP3454388B2 JP3454388B2 JP28058194A JP28058194A JP3454388B2 JP 3454388 B2 JP3454388 B2 JP 3454388B2 JP 28058194 A JP28058194 A JP 28058194A JP 28058194 A JP28058194 A JP 28058194A JP 3454388 B2 JP3454388 B2 JP 3454388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- cathode
- chamber
- ion beam
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 42
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビーム発生装置
のアーク放電方法に係わり、更に詳しくは、多価電離イ
オンの割合が高いイオンビームを連続して発生するイオ
ンビーム発生装置におけるアーク点孤方法に関する。 【0002】 【従来の技術】真空アーク放電によりカソードを構成す
る物質を気化し、かつイオン化して金属プラズマを形成
し、この金属プラズマからイオンビームを抽出する装置
が既に開示されている(例えば特開昭63−27685
8号公報)。このイオンビーム発生装置は、図5に例示
するように、真空室1、カソード2、アノード3、アノ
ード保持部材4、トリガー電極5、コイル6、イオン抽
出電極7、等から構成され、カソード2と同心状に配置
したトリガー電極5の間に微小放電を起こさせ、これに
よってカソード2とアノード3の間にアーク放電を発生
させ、このアーク放電によりカソード2の一部を気化さ
せてプラズマ8を形成し、コイル6により形成された磁
場によりプラズマ8をアノード3の開口部を通過させ、
更にイオン抽出電極7によりアノード3を通過したプラ
ズマ8からイオンビーム9を抽出するようになってい
た。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかし、かかるイオン
ビーム発生装置では、陽極(アノード3)、陰極(カソ
ード2)の他にトリガー電極5を必要とし、このトリガ
ー電極の消耗が激しく数ミリ秒の短時間しかイオンビー
ムを発生できない問題点があった。更に、この装置は、
構造が複雑であり、かつトリガー電極による放電のた
め、電源容量が大型となる問題点があった。 【0004】本発明は、かかる問題点を解決するために
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、寿
命の短いトリガー電極を用いることなく安定してアーク
放電を発生させることができ、これによりイオンビーム
を連続して発生することができ、各電極の寿命が長く、
かつ装置を小型でシンプルにでき、電源容量も小型にで
きるアーク放電方法を提供することにある。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、仕切り
板で第1チャンバーと第2チャンバーに区分された真空
容器と、第1チャンバー内に配置され負に印加されるカ
ソードと、該カソードに対向する位置の前記仕切り板に
設けられ第1貫通孔を有する第1アノードと、カソード
と第1貫通孔を結ぶ軸線上の第2チャンバー壁に設けら
れ第2貫通孔を有する第2アノードと、該第2アノード
に隣接してカソードと反対側に設けられ金属プラズマか
らイオンビームを発生させるイオンビーム抽出電極と、
を備えたイオンビーム発生装置のアーク放電方法におい
て、真空容器内にガスを封入した状態で第1チャンバー
の圧力p1と、カソードと第1アノードの距離L1との積
p1×L1が前記ガスの放電開始電圧Vsの極小値にほぼ
一致するように真空容器内を真空排気し、かつ、第2チ
ャンバーの圧力p 2 が前記圧力p 1 より低く、かつカソー
ドと第2アノードの距離L 2 との積p 2 ×L 2 が前記ガス
の放電開始電圧V s の極小値にほぼ一致するように前記
第1チャンバーと第2チャンバーをそれぞれ独立に差動
排気し、次いで前記極小値以上の高電圧小電流を第1ア
ノード及び第2アノードとカソード間に印加して、第1
アノードとカソードの間にグロー放電を発生させ、次い
で、前記高電圧低電流を低電圧大電流に切り換えて、前
記グロー放電を第2アノードとカソードの間のアーク放
電に転移させる、ことを特徴とするイオンビーム発生装
置のアーク放電方法が提供される。 【0006】 【0007】 【作用】上記本発明の方法によれば、第1アノードとカ
ソード間にグロー放電を発生させ、これを第2アノード
とカソードの間のアーク放電に転移させるので、複雑で
消耗の激しいトリガー電極を用いることなく、安定して
アーク放電を発生させることができる。また、このアー
ク放電により、真空チャンバー内に金属プラズマが一旦
形成されると、イオンビーム抽出電極によりイオンビー
ムを発生させることができ、このイオンビームは第1ア
ノード及び第2アノードに直接接触することなく、第1
貫通孔及び第2貫通孔を通過するので、第1アノード及
び第2アノードの消耗はほとんどなく、イオンビームを
連続して発生させることができる。 【0008】また、積p1 ×L1 がガスの放電開始電圧
Vs の極小値にほぼ一致するように真空容器内を真空排
気するので、グロー放電を発生させるための電源容量を
小さくすることができる。更に、積p2 ×L2 がガスの
放電開始電圧Vs の極小値にほぼ一致するように第1チ
ャンバーと第2チャンバーをそれぞれ独立に差動排気す
るので、低電圧大電流に切り換えてアーク放電に転移さ
せるための電源容量も小さくすることができる。 【0009】 【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
して説明する。図1は、本発明によるアーク放電方法を
適用するイオンビーム発生装置の全体構成図である。こ
の図において、イオンビーム発生装置20は、仕切り板
21で第1チャンバー22と第2チャンバー23に区分
された真空容器24と、第1チャンバー22内に配置さ
れ負に印加されるカソード27と、カソード27に対向
する位置の仕切り板21に設けられ第1貫通孔25を有
する第1アノード26と、カソード27と第1貫通孔2
5を結ぶ軸線Z上の第2チャンバー壁に設けられ第2貫
通孔24aを有する第2アノード28と、第2アノード
28に隣接してカソードと反対側に設けられ金属プラズ
マからイオンビーム38を発生させるイオンビーム抽出
電極37と、を備えている。 【0010】第1チャンバー22と第2チャンバー23
は、図示しない真空装置によりそれぞれ独立に真空排気
され、これにより、アークプラズマ32の発生時にカソ
ードが蒸発して金属イオンが発生する第1チャンバー2
2よりも第2チャンバー23の圧力圧力が低くなるよう
に差動排気するようになっている。 【0011】また、図1に示すように、このイオンビー
ム発生装置20は、第2チャンバー23内にマイクロ波
を導入するマイクロ波装置(導入部29と図示しないマ
イクロ波発生装置からなる)と、第1チャンバー22及
び第2チャンバー23内に発生するプラズマを少なくと
も一時的に封じ込める磁場を発生させる磁場発生装置3
0とを更に備えている。 【0012】磁場発生装置30は、マルチカスプ磁場を
形成するための複数の永久磁石30aと、その両側に設
けられたミラー磁場を形成するための空心コイル30
b、30cとからなり、これらの2つの磁場により、第
1チャンバー22及び第2チャンバー23内にプラズマ
閉じ込め空間を形成するようになっている。なお、磁場
発生装置30は、かかる構成に限定されず、例えば、特
開平5−101799号に開示したような種々の構成の
ものであってもよい。マイクロ波導入部29から導入す
るマイクロ波と磁場発生装置30による磁場とは、電子
サイクロトロン共鳴(ECR)条件を満たすように設定
する。かかる構成により、マイクロ波によるマイクロ波
プラズマの発生、及び金属プラズマの加熱にECRを利
用することができる。 【0013】上述した装置は以下のように使用される。
すなわち、真空チャンバー22、23内を真空(例えば
10-2〜10-4Torr) に保持し、アノード26とカソー
ド27との間に真空アーク放電31を発生させてカソー
ド物質の金属プラズマを形成し、この状態で真空チャン
バー22、23内の真空度を10-5〜10-6Torrに保
ち、磁場発生装置30による磁場により金属プラズマを
一時的に封じ込め、かつマイクロ波により金属プラズマ
を加熱して多価電離イオンの割合を増加させ、イオンビ
ーム抽出電極37による電界により金属プラズマからイ
オンビーム38を発生させる。このイオンビーム38
は、真空容器に設けられた別の装置に導入し、金属プラ
ズマの分離、金属膜形成、基板内部への異種金属の打ち
込み、X線ソース、レーザ源、等の用途に利用すること
ができる。 【0014】イオンビーム発生装置20は、カソード2
7と第1アノード26及び第2アノード28の間に放電
を起こさせるための電源装置10と、イオンビーム抽出
電極37に電圧を印加するためのイオンビーム抽出電源
39a、39bを備えている。 【0015】図2は、電源装置10の構成図(A)とそ
の回路図(B)である。図2(A)に示すように、電源
装置10は、低電圧大電流電源12、高電圧小電流電源
14、遅延接続回路16、コイルL1 、L2 、抵抗R、
等からなる。また、図2(B)に示すように、低電圧大
電流電源12(以下、低電圧電源)は、変圧器11の二
次側とこれに接続されたブリッジ整流回路からなる。ブ
リッジ整流回路の陽極(+)aは、コイルL1 を介して
図の接点Aに接続され、接点Aは図1の第1アノード2
6と第2アノード28に接続されている。また、ブリッ
ジ整流回路の陰極(−)bは、遅延接続回路16を介し
て図の接点Cに接続され、接点Cは、図1のカソード2
7に接続されている。かかる構成により、遅延接続回路
16がONの状態で低電圧電源12により接点A/C間
に低電圧大電流を印加することができる。この低電圧大
電流は、約200V/250Aから約60V/50A程
度に設定するのがよい。 【0016】高電圧小電流電源14(以下、高電圧電
源)は、変圧器11の二次側とこれに直列に接続された
3つのブリッジ整流回路14aからなり、その陽極cが
低電圧大電流電源12の陰極bに接続され、その陰極d
がコイルL2 及び抵抗Rを介して接点Cに接続されてい
る。かかる構成により、遅延接続回路16がOFFの状
態で高電圧電源14の電圧と低電圧電源12の電圧を加
算した高電圧を接点A/C間に印加することができる。
この高電圧小電流は、約1.2KV/20mA程度であ
るようにトランス及び抵抗Rを設定するのがよい。 【0017】遅延接続回路16は、ダイオードとコンデ
ンサからなり、起動時の短時間、そのラインを遮断(O
FF)し、その後はダイオードにより接点Cから低電圧
大電流電源12の陰極bに電流を流すようになってい
る。 【0018】上述した回路構成により、電源装置10に
よる接点A/C間の電圧及び電流は図3に模式的に示す
ようになる。すなわち、変圧器11の一次側に交流電源
が印加されていないときには、遅延接続回路16のコン
デンサは放電した状態にあり、遅延接続回路16はOF
Fとなっている。変圧器11の一次側に交流電源を印加
すると、高電圧電源14の電圧と低電圧電源12の電圧
が加算されて、電流がc→b→a→L1 →A→C→R→
L2 →dと流れ、接点A/C間に例えば約1.2KV/
20mA程度の高電圧小電流が印加される。この電流
(小電流)は、コイルL1 、L2 と抵抗Rにより設定す
ることができる。 【0019】次いで遅延接続回路16のコンデンサが飽
和すると、遅延接続回路16はONとなり、抵抗Rによ
り高電圧電源14の陰極dへ戻る電流は少ないため、低
電圧電源12により電流がa→L1 →A→C→bと流
れ、接点A/C間に低電圧大電流が印加される。この電
流(大電流)は、定常時にはコイルL1 の抵抗が小さい
ため、トランス11により設定することができる。 【0020】図4は、放電開始電圧Vs とガス圧力pと
放電距離Lとの積p×Lとの関係を示す図である。この
図に示すように、積p×Lのある値で放電開始電圧Vs
が極小値となることは、パッシェン(Paschen) の法則と
して知られている。本発明の方法によれば、真空容器内
にガスを封入した状態で第1チャンバー22の圧力p1
と、カソード27と第1アノード26の距離L1 との積
p1 ×L1がガスの放電開始電圧Vs の極小値にほぼ一
致するように真空容器内を真空排気し、次いで図2に示
した電源装置10により、前記極小値以上の高電圧小電
流を第1アノード26及び第2アノード28とカソード
27間に印加して、第1アノード26とカソード27の
間にグロー放電31を発生させ、次いで、図2の遅延接
続回路16により高電圧低電流を低電圧大電流に切り換
えて、グロー放電31を第2アノード28とカソード2
7の間のアーク放電に転移させる。ガスには、ヘリウム
(He)又はアルゴン(Ar)を用いるのがよい。 【0021】上述した方法により、第1アノード26と
カソード27間にグロー放電31を発生させ、これを第
2アノード28とカソード27の間のアーク放電に転移
させるので、複雑で消耗の激しいトリガー電極を用いる
ことなく、安定してアーク放電を発生させることができ
る。また、このアーク放電により、真空チャンバー内に
金属プラズマが一旦形成されると、金属プラズマ32は
第1アノード26及び第2アノード28に直接接触する
ことなく、第1貫通孔25及び第2貫通孔24aを通過
するので、第1アノード26及び第2アノード28の消
耗はほとんどなく、イオンビームを連続して発生するこ
とができる。 【0022】また、積p1 ×L1 がガスの放電開始電圧
Vs の極小値にほぼ一致するように真空容器内を真空排
気するので、グロー放電26を発生させるための電源容
量を小さくすることができる。更に、第2チャンバー2
3の圧力p2 が前記圧力p1より低く、かつカソード2
7と第2アノード28の距離L2 との積p2 ×L2 がガ
スの放電開始電圧Vs の極小値にほぼ一致するように第
1チャンバー22と第2チャンバー23をそれぞれ独立
に差動排気することが好ましく、これにより、低電圧大
電流に切り換えてアーク放電に転移させるための電源容
量も小さくすることができる。 【0023】なお、本発明は上述した実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できるこ
とは勿論である。 【0024】 【発明の効果】上述したように、本発明のイオンビーム
発生装置のアーク放電方法は、寿命の短いトリガー電極
を用いることなく安定してアーク放電を発生させること
ができ、これによりイオンビームを連続して発生するこ
とができ、各電極の寿命が長く、かつ装置を小型でシン
プルにでき、電源容量も小型にできる等の優れた効果を
有する。
のアーク放電方法に係わり、更に詳しくは、多価電離イ
オンの割合が高いイオンビームを連続して発生するイオ
ンビーム発生装置におけるアーク点孤方法に関する。 【0002】 【従来の技術】真空アーク放電によりカソードを構成す
る物質を気化し、かつイオン化して金属プラズマを形成
し、この金属プラズマからイオンビームを抽出する装置
が既に開示されている(例えば特開昭63−27685
8号公報)。このイオンビーム発生装置は、図5に例示
するように、真空室1、カソード2、アノード3、アノ
ード保持部材4、トリガー電極5、コイル6、イオン抽
出電極7、等から構成され、カソード2と同心状に配置
したトリガー電極5の間に微小放電を起こさせ、これに
よってカソード2とアノード3の間にアーク放電を発生
させ、このアーク放電によりカソード2の一部を気化さ
せてプラズマ8を形成し、コイル6により形成された磁
場によりプラズマ8をアノード3の開口部を通過させ、
更にイオン抽出電極7によりアノード3を通過したプラ
ズマ8からイオンビーム9を抽出するようになってい
た。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかし、かかるイオン
ビーム発生装置では、陽極(アノード3)、陰極(カソ
ード2)の他にトリガー電極5を必要とし、このトリガ
ー電極の消耗が激しく数ミリ秒の短時間しかイオンビー
ムを発生できない問題点があった。更に、この装置は、
構造が複雑であり、かつトリガー電極による放電のた
め、電源容量が大型となる問題点があった。 【0004】本発明は、かかる問題点を解決するために
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、寿
命の短いトリガー電極を用いることなく安定してアーク
放電を発生させることができ、これによりイオンビーム
を連続して発生することができ、各電極の寿命が長く、
かつ装置を小型でシンプルにでき、電源容量も小型にで
きるアーク放電方法を提供することにある。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、仕切り
板で第1チャンバーと第2チャンバーに区分された真空
容器と、第1チャンバー内に配置され負に印加されるカ
ソードと、該カソードに対向する位置の前記仕切り板に
設けられ第1貫通孔を有する第1アノードと、カソード
と第1貫通孔を結ぶ軸線上の第2チャンバー壁に設けら
れ第2貫通孔を有する第2アノードと、該第2アノード
に隣接してカソードと反対側に設けられ金属プラズマか
らイオンビームを発生させるイオンビーム抽出電極と、
を備えたイオンビーム発生装置のアーク放電方法におい
て、真空容器内にガスを封入した状態で第1チャンバー
の圧力p1と、カソードと第1アノードの距離L1との積
p1×L1が前記ガスの放電開始電圧Vsの極小値にほぼ
一致するように真空容器内を真空排気し、かつ、第2チ
ャンバーの圧力p 2 が前記圧力p 1 より低く、かつカソー
ドと第2アノードの距離L 2 との積p 2 ×L 2 が前記ガス
の放電開始電圧V s の極小値にほぼ一致するように前記
第1チャンバーと第2チャンバーをそれぞれ独立に差動
排気し、次いで前記極小値以上の高電圧小電流を第1ア
ノード及び第2アノードとカソード間に印加して、第1
アノードとカソードの間にグロー放電を発生させ、次い
で、前記高電圧低電流を低電圧大電流に切り換えて、前
記グロー放電を第2アノードとカソードの間のアーク放
電に転移させる、ことを特徴とするイオンビーム発生装
置のアーク放電方法が提供される。 【0006】 【0007】 【作用】上記本発明の方法によれば、第1アノードとカ
ソード間にグロー放電を発生させ、これを第2アノード
とカソードの間のアーク放電に転移させるので、複雑で
消耗の激しいトリガー電極を用いることなく、安定して
アーク放電を発生させることができる。また、このアー
ク放電により、真空チャンバー内に金属プラズマが一旦
形成されると、イオンビーム抽出電極によりイオンビー
ムを発生させることができ、このイオンビームは第1ア
ノード及び第2アノードに直接接触することなく、第1
貫通孔及び第2貫通孔を通過するので、第1アノード及
び第2アノードの消耗はほとんどなく、イオンビームを
連続して発生させることができる。 【0008】また、積p1 ×L1 がガスの放電開始電圧
Vs の極小値にほぼ一致するように真空容器内を真空排
気するので、グロー放電を発生させるための電源容量を
小さくすることができる。更に、積p2 ×L2 がガスの
放電開始電圧Vs の極小値にほぼ一致するように第1チ
ャンバーと第2チャンバーをそれぞれ独立に差動排気す
るので、低電圧大電流に切り換えてアーク放電に転移さ
せるための電源容量も小さくすることができる。 【0009】 【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
して説明する。図1は、本発明によるアーク放電方法を
適用するイオンビーム発生装置の全体構成図である。こ
の図において、イオンビーム発生装置20は、仕切り板
21で第1チャンバー22と第2チャンバー23に区分
された真空容器24と、第1チャンバー22内に配置さ
れ負に印加されるカソード27と、カソード27に対向
する位置の仕切り板21に設けられ第1貫通孔25を有
する第1アノード26と、カソード27と第1貫通孔2
5を結ぶ軸線Z上の第2チャンバー壁に設けられ第2貫
通孔24aを有する第2アノード28と、第2アノード
28に隣接してカソードと反対側に設けられ金属プラズ
マからイオンビーム38を発生させるイオンビーム抽出
電極37と、を備えている。 【0010】第1チャンバー22と第2チャンバー23
は、図示しない真空装置によりそれぞれ独立に真空排気
され、これにより、アークプラズマ32の発生時にカソ
ードが蒸発して金属イオンが発生する第1チャンバー2
2よりも第2チャンバー23の圧力圧力が低くなるよう
に差動排気するようになっている。 【0011】また、図1に示すように、このイオンビー
ム発生装置20は、第2チャンバー23内にマイクロ波
を導入するマイクロ波装置(導入部29と図示しないマ
イクロ波発生装置からなる)と、第1チャンバー22及
び第2チャンバー23内に発生するプラズマを少なくと
も一時的に封じ込める磁場を発生させる磁場発生装置3
0とを更に備えている。 【0012】磁場発生装置30は、マルチカスプ磁場を
形成するための複数の永久磁石30aと、その両側に設
けられたミラー磁場を形成するための空心コイル30
b、30cとからなり、これらの2つの磁場により、第
1チャンバー22及び第2チャンバー23内にプラズマ
閉じ込め空間を形成するようになっている。なお、磁場
発生装置30は、かかる構成に限定されず、例えば、特
開平5−101799号に開示したような種々の構成の
ものであってもよい。マイクロ波導入部29から導入す
るマイクロ波と磁場発生装置30による磁場とは、電子
サイクロトロン共鳴(ECR)条件を満たすように設定
する。かかる構成により、マイクロ波によるマイクロ波
プラズマの発生、及び金属プラズマの加熱にECRを利
用することができる。 【0013】上述した装置は以下のように使用される。
すなわち、真空チャンバー22、23内を真空(例えば
10-2〜10-4Torr) に保持し、アノード26とカソー
ド27との間に真空アーク放電31を発生させてカソー
ド物質の金属プラズマを形成し、この状態で真空チャン
バー22、23内の真空度を10-5〜10-6Torrに保
ち、磁場発生装置30による磁場により金属プラズマを
一時的に封じ込め、かつマイクロ波により金属プラズマ
を加熱して多価電離イオンの割合を増加させ、イオンビ
ーム抽出電極37による電界により金属プラズマからイ
オンビーム38を発生させる。このイオンビーム38
は、真空容器に設けられた別の装置に導入し、金属プラ
ズマの分離、金属膜形成、基板内部への異種金属の打ち
込み、X線ソース、レーザ源、等の用途に利用すること
ができる。 【0014】イオンビーム発生装置20は、カソード2
7と第1アノード26及び第2アノード28の間に放電
を起こさせるための電源装置10と、イオンビーム抽出
電極37に電圧を印加するためのイオンビーム抽出電源
39a、39bを備えている。 【0015】図2は、電源装置10の構成図(A)とそ
の回路図(B)である。図2(A)に示すように、電源
装置10は、低電圧大電流電源12、高電圧小電流電源
14、遅延接続回路16、コイルL1 、L2 、抵抗R、
等からなる。また、図2(B)に示すように、低電圧大
電流電源12(以下、低電圧電源)は、変圧器11の二
次側とこれに接続されたブリッジ整流回路からなる。ブ
リッジ整流回路の陽極(+)aは、コイルL1 を介して
図の接点Aに接続され、接点Aは図1の第1アノード2
6と第2アノード28に接続されている。また、ブリッ
ジ整流回路の陰極(−)bは、遅延接続回路16を介し
て図の接点Cに接続され、接点Cは、図1のカソード2
7に接続されている。かかる構成により、遅延接続回路
16がONの状態で低電圧電源12により接点A/C間
に低電圧大電流を印加することができる。この低電圧大
電流は、約200V/250Aから約60V/50A程
度に設定するのがよい。 【0016】高電圧小電流電源14(以下、高電圧電
源)は、変圧器11の二次側とこれに直列に接続された
3つのブリッジ整流回路14aからなり、その陽極cが
低電圧大電流電源12の陰極bに接続され、その陰極d
がコイルL2 及び抵抗Rを介して接点Cに接続されてい
る。かかる構成により、遅延接続回路16がOFFの状
態で高電圧電源14の電圧と低電圧電源12の電圧を加
算した高電圧を接点A/C間に印加することができる。
この高電圧小電流は、約1.2KV/20mA程度であ
るようにトランス及び抵抗Rを設定するのがよい。 【0017】遅延接続回路16は、ダイオードとコンデ
ンサからなり、起動時の短時間、そのラインを遮断(O
FF)し、その後はダイオードにより接点Cから低電圧
大電流電源12の陰極bに電流を流すようになってい
る。 【0018】上述した回路構成により、電源装置10に
よる接点A/C間の電圧及び電流は図3に模式的に示す
ようになる。すなわち、変圧器11の一次側に交流電源
が印加されていないときには、遅延接続回路16のコン
デンサは放電した状態にあり、遅延接続回路16はOF
Fとなっている。変圧器11の一次側に交流電源を印加
すると、高電圧電源14の電圧と低電圧電源12の電圧
が加算されて、電流がc→b→a→L1 →A→C→R→
L2 →dと流れ、接点A/C間に例えば約1.2KV/
20mA程度の高電圧小電流が印加される。この電流
(小電流)は、コイルL1 、L2 と抵抗Rにより設定す
ることができる。 【0019】次いで遅延接続回路16のコンデンサが飽
和すると、遅延接続回路16はONとなり、抵抗Rによ
り高電圧電源14の陰極dへ戻る電流は少ないため、低
電圧電源12により電流がa→L1 →A→C→bと流
れ、接点A/C間に低電圧大電流が印加される。この電
流(大電流)は、定常時にはコイルL1 の抵抗が小さい
ため、トランス11により設定することができる。 【0020】図4は、放電開始電圧Vs とガス圧力pと
放電距離Lとの積p×Lとの関係を示す図である。この
図に示すように、積p×Lのある値で放電開始電圧Vs
が極小値となることは、パッシェン(Paschen) の法則と
して知られている。本発明の方法によれば、真空容器内
にガスを封入した状態で第1チャンバー22の圧力p1
と、カソード27と第1アノード26の距離L1 との積
p1 ×L1がガスの放電開始電圧Vs の極小値にほぼ一
致するように真空容器内を真空排気し、次いで図2に示
した電源装置10により、前記極小値以上の高電圧小電
流を第1アノード26及び第2アノード28とカソード
27間に印加して、第1アノード26とカソード27の
間にグロー放電31を発生させ、次いで、図2の遅延接
続回路16により高電圧低電流を低電圧大電流に切り換
えて、グロー放電31を第2アノード28とカソード2
7の間のアーク放電に転移させる。ガスには、ヘリウム
(He)又はアルゴン(Ar)を用いるのがよい。 【0021】上述した方法により、第1アノード26と
カソード27間にグロー放電31を発生させ、これを第
2アノード28とカソード27の間のアーク放電に転移
させるので、複雑で消耗の激しいトリガー電極を用いる
ことなく、安定してアーク放電を発生させることができ
る。また、このアーク放電により、真空チャンバー内に
金属プラズマが一旦形成されると、金属プラズマ32は
第1アノード26及び第2アノード28に直接接触する
ことなく、第1貫通孔25及び第2貫通孔24aを通過
するので、第1アノード26及び第2アノード28の消
耗はほとんどなく、イオンビームを連続して発生するこ
とができる。 【0022】また、積p1 ×L1 がガスの放電開始電圧
Vs の極小値にほぼ一致するように真空容器内を真空排
気するので、グロー放電26を発生させるための電源容
量を小さくすることができる。更に、第2チャンバー2
3の圧力p2 が前記圧力p1より低く、かつカソード2
7と第2アノード28の距離L2 との積p2 ×L2 がガ
スの放電開始電圧Vs の極小値にほぼ一致するように第
1チャンバー22と第2チャンバー23をそれぞれ独立
に差動排気することが好ましく、これにより、低電圧大
電流に切り換えてアーク放電に転移させるための電源容
量も小さくすることができる。 【0023】なお、本発明は上述した実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できるこ
とは勿論である。 【0024】 【発明の効果】上述したように、本発明のイオンビーム
発生装置のアーク放電方法は、寿命の短いトリガー電極
を用いることなく安定してアーク放電を発生させること
ができ、これによりイオンビームを連続して発生するこ
とができ、各電極の寿命が長く、かつ装置を小型でシン
プルにでき、電源容量も小型にできる等の優れた効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるアーク放電方法を適用するイオン
ビーム発生装置の全体構成図である。 【図2】電源装置の構成図(A)とその回路図(B)で
ある。 【図3】電源装置によるアノード/カソード間の電圧及
び電流を模式的に示す図である。 【図4】放電開始電圧Vs とガス圧力pと放電距離Lと
の積p×Lとの関係を示す図である。 【図5】従来のイオンビーム発生装置の部分構成図であ
る。 【符号の説明】 1、 真空チャンバー 2 カソード 3 アノード 4 アノード保持部材 5 トリガー電極 6 コイル(磁石) 7 イオン抽出電極 8 プラズマ 9 イオンビーム 10 電源装置 11 変圧器 12 低電圧大電流電源(低電圧電源) 14 高電圧小電流電源(高電圧電源) 16 遅延接続回路 20 イオンビーム発生装置 21 仕切り板 22 第1チャンバー 23 第2チャンバー 24 真空容器 25 開口孔 26 第1アノード 27 カソード 28 第2アノード 29 マイクロ波導入部 30 磁場発生装置 31 グロー放電 32 アークプラズマ 37 イオンビーム抽出電極系 38 イオンビーム 39 イオンビーム抽出電源
ビーム発生装置の全体構成図である。 【図2】電源装置の構成図(A)とその回路図(B)で
ある。 【図3】電源装置によるアノード/カソード間の電圧及
び電流を模式的に示す図である。 【図4】放電開始電圧Vs とガス圧力pと放電距離Lと
の積p×Lとの関係を示す図である。 【図5】従来のイオンビーム発生装置の部分構成図であ
る。 【符号の説明】 1、 真空チャンバー 2 カソード 3 アノード 4 アノード保持部材 5 トリガー電極 6 コイル(磁石) 7 イオン抽出電極 8 プラズマ 9 イオンビーム 10 電源装置 11 変圧器 12 低電圧大電流電源(低電圧電源) 14 高電圧小電流電源(高電圧電源) 16 遅延接続回路 20 イオンビーム発生装置 21 仕切り板 22 第1チャンバー 23 第2チャンバー 24 真空容器 25 開口孔 26 第1アノード 27 カソード 28 第2アノード 29 マイクロ波導入部 30 磁場発生装置 31 グロー放電 32 アークプラズマ 37 イオンビーム抽出電極系 38 イオンビーム 39 イオンビーム抽出電源
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 仕切り板で第1チャンバーと第2チャン
バーに区分された真空容器と、第1チャンバー内に配置
され負に印加されるカソードと、該カソードに対向する
位置の前記仕切り板に設けられ第1貫通孔を有する第1
アノードと、カソードと第1貫通孔を結ぶ軸線上の第2
チャンバー壁に設けられ第2貫通孔を有する第2アノー
ドと、該第2アノードに隣接してカソードと反対側に設
けられ金属プラズマからイオンビームを発生させるイオ
ンビーム抽出電極と、を備えたイオンビーム発生装置の
アーク放電方法において、 真空容器内にガスを封入した状態で第1チャンバーの圧
力p1と、カソードと第1アノードの距離L1との積p1
×L1が前記ガスの放電開始電圧の極小値にほぼ一致す
るように真空容器内を真空排気し、かつ、第2チャンバーの圧力p 2 が前記圧力p 1 より低
く、かつカソードと第2アノードの距離L 2 との積p 2 ×
L 2 が前記ガスの放電開始電圧V s の極小値にほぼ一致す
るように前記第1チャンバーと第2チャンバーをそれぞ
れ独立に差動排気し、 次いで前記極小値以上の高電圧小電流を第1アノード及
び第2アノードとカソード間に印加して、第1アノード
とカソードの間にグロー放電を発生させ、 次いで、前記高電圧低電流を低電圧大電流に切り換え
て、前記グロー放電を第2アノードとカソードの間のア
ーク放電に転移させる、ことを特徴とするイオンビーム
発生装置のアーク放電方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28058194A JP3454388B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | イオンビーム発生装置のアーク放電方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28058194A JP3454388B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | イオンビーム発生装置のアーク放電方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08138597A JPH08138597A (ja) | 1996-05-31 |
JP3454388B2 true JP3454388B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=17627038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28058194A Expired - Fee Related JP3454388B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | イオンビーム発生装置のアーク放電方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3454388B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2426693A3 (en) * | 1999-12-13 | 2013-01-16 | Semequip, Inc. | Ion source |
KR100746261B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2007-08-06 | (주) 브이에스아이 | 하전입자 발생장치의 고압전원 인가장치 |
CN103915305B (zh) * | 2014-04-18 | 2016-02-10 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 电阻触发式真空弧离子源装置 |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP28058194A patent/JP3454388B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08138597A (ja) | 1996-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4782235A (en) | Source of ions with at least two ionization chambers, in particular for forming chemically reactive ion beams | |
US4713585A (en) | Ion source | |
JPH0770532B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
RU2094961C1 (ru) | Трансформаторный плазмотрон | |
US4331937A (en) | Stability enhanced halide lasers | |
JP3454388B2 (ja) | イオンビーム発生装置のアーク放電方法 | |
JP2564390B2 (ja) | 真空スイツチ | |
EP0639939B1 (en) | Fast atom beam source | |
US6870164B1 (en) | Pulsed operation of hall-current ion sources | |
US4291255A (en) | Plasma switch | |
JPH06215700A (ja) | コンパクトな高電流交差電界プラズマスイッチ | |
JP3454389B2 (ja) | イオンビーム発生装置のプラズマ加熱方法 | |
JPH08102278A (ja) | イオンビーム発生装置及び方法 | |
JPS6293834A (ja) | イオン源 | |
JP4029495B2 (ja) | イオン源 | |
JPS6298542A (ja) | イオン源 | |
JPH0222500B2 (ja) | ||
JPH0650110B2 (ja) | Rf型イオン源 | |
JPH0582257A (ja) | 真空アーク装置及び真空アーク点火方法 | |
JP3766571B2 (ja) | 薄膜形成装置及びシャンティングアーク放電電極装置 | |
JP2876280B2 (ja) | ビーム発生方法及び装置 | |
JP2834147B2 (ja) | 荷電粒子ビームの形成方法 | |
JPH05211052A (ja) | パルス電子銃 | |
JPH07169428A (ja) | イオン源装置 | |
SU1118222A1 (ru) | Источник электронов |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |