RU2094961C1 - Трансформаторный плазмотрон - Google Patents

Трансформаторный плазмотрон Download PDF

Info

Publication number
RU2094961C1
RU2094961C1 SU4722521A RU2094961C1 RU 2094961 C1 RU2094961 C1 RU 2094961C1 SU 4722521 A SU4722521 A SU 4722521A RU 2094961 C1 RU2094961 C1 RU 2094961C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transformer
chamber
plasma
gas inlet
power
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Г.И. Глухих
В.А. Коган
И.М. Уланов
Original Assignee
Уланов Игорь Максимович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уланов Игорь Максимович filed Critical Уланов Игорь Максимович
Priority to SU4722521 priority Critical patent/RU2094961C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2094961C1 publication Critical patent/RU2094961C1/ru

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

Использование: высокотемпературный нагрев газов в плазмотронах большой мощности. Сущность изобретения: замкнутая водоохлаждаемая камера выполнена из изолированных друг от друга металлических секций, узел ввода газа, расположенный противоположно узлу вывода плазмы, снабжен завихрителем, а охватывающий камеру трансформатор выполнен из нескольких магнитопроводов с индивидуальными обмотками. 1 ил.

Description

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано при создании плазмотронов большой мощности для нагревания до высоких температур самых разнообразных газов и других плазмообразующих веществ, а также в лазерной технике, в которой для возбуждения атомов или ионов и получения инверсной заселенности используется электрический разряд.
В настоящее время основными источниками получения низкотемпературной плазмы являются плазмотроны постоянного тока и плазмотроны ВЧ- и СВЧ-диапазонов тока.
Основным недостатком плазмотронов постоянного тока является сравнительно малый ресурс работы электродов (катод, анод) особенно при повышении мощности плазмотронов. Плазмотроны ВЧ и СВЧ-диапазона токов требуют сложных и дорогостоящих источников питания и у них малы коэффициенты связи для вводимой в плазму электрической мощности.
Из литературных данных [1 и 2] известно, что индукционный электрический разряд замкнутой конфигурации на сравнительно невысоких частотах до 10 кГц может быть осуществлен, когда плазменный виток является вторичной обмоткой трансформатора. Описанные в литературе [1 и 2] экспериментальные устройства для осуществления разрядов трансформаторного типа представляли собой трансформатор с Ш-образным магнитопроводом, на котором имелась первичная обмотка и вторичной обмоткой являлась замкнутая кварцевая разрядная камера, охватывающая центральный магнитопровод, в которой и осуществлялся непосредственно электрический разряд низкого давления 0,1 40 кПа.
Недостатком описанных устройств является то, что применяемые плазменные камеры из кварца не технологичны и не пригодны для создания плазмотронов большой мощности, так как не способны пропустить большие тепловые потоки, идущие в стенку от разряда. Кварцевые камеры, а также камеры из диэлектриков, кроме вышеуказанных недостатков, не выдерживают ударных нагрузок, возникающих при неустойчивом характере разряда.
Неустойчивый характер разрядов трансформаторного типа при давлении в разрядной камере 0,3-0,4 атм не позволил в описанных устройствах [1 и 2] поднять давление в разрядной камере до атмосферного, что снижало диапазон применения плазмотронов трансформаторного типа. В тоже время применение сплошной металлической плазменной камеры практически невозможно, так как она экранирует проникновение электрического поля, необходимого для возникновения и поддержания разряда.
Цель изобретения увеличение мощности в разряде при расширении диапазона давлений до атмосферного и использовании в качестве рабочего газа как инертных (гелий, аргон), так и молекулярных газов (водород, кислород, CO2) или воздуха.
Цель достигается тем, что в известном трансформаторном плазмотроне, содержащем трансформатор, выполненный в виде сердечника и первичной обмотки, и охватывающую сердечник замкнутую водоохлаждаемую разрядную камеру с узлами ввода газа и вывода плазмы, расположенными на противоположных участках камеры, разрядная камера выполнена из электроизолированных друг от друга металлических секций, узел ввода газа снабжен завихрителем, а трансформатор снабжен по меньшей мере еще одним дополнительным магнитопроводом с индивидуальной первичной обмоткой.
Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что предлагаемый плазмотрон отличается выполнением разрядной камеры и трансформатора.
Таким образом, заявляемый плазмотрон соответствует критерию изобретения "новизна".
На чертеже схематически представлено сечение трансформаторного плазмотрона.
Трансформаторный плазмотрон содержит трансформатор, состоящий из нескольких магнитопроводов 1 с индивидуальными первичными обмотками и замкнутую водоохлаждаемую разрядную камеру 2, выполненную из электроизолированных друг от друга металлических секций 3, между которыми помещены изолирующие прокладки 4, с узлом ввода газа, снабженного завихрителем 5 и узлом вывода плазмы 6. Камера снабжена вспомогательными электродами 7 для поджига тлеющего разряда.
Трансформаторный плазмотрон работает следующим образом.
Предварительно осуществляется продувка газа. На вспомогательные электроды 7 подается напряжение порядка 3 кВ от повышающего неонового трансформатора, зажигается тлеющий разряд при давлении 10-2-10-1 мм.рт.ст. Если плазменный трансформатор обеспечивает необходимое напряжение для горения дуги на вторичном витке, то возникает устойчивый разряд. При этом неоновый трансформатор отключается. При подаче газа в завихритель 5 давление газа возрастает до атмосферного и осуществляется стабилизация дуги потоком газа.
В предлагаемом изобретении за счет выбранной конструкции трансформатора и металлической водоохлаждаемой секционной разрядной камеры с вихревой стабилизацией дуги потоком газа может быть достигнуто увеличение мощности в разряде определяемой мощностью источника питания и получение устойчивого разряда при давлениях вплоть до атмосферного в инертных и молекулярных газах.

Claims (1)

  1. Трансформаторный плазмотрон, содержащий трансформатор, выполненный в виде сердечника и первичной обмотки, и охватывающую сердечник замкнутую водоохлаждаемую разрядную камеру с узлами ввода газа и вывода плазмы, расположенными на противоположных участках камеры, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности плазмотрона при расширении диапазона давлений до атмосферного и использования как инертных, так и молекулярных газов, разрядная камера выполнена из электроизолированных одна от другой металлических секций, узел ввода газа снабжен завихрителем, а трансформатор снабжен по меньшей мере одним дополнительным магнитопроводом с индивидуальной первичной обмоткой.
SU4722521 1989-07-20 1989-07-20 Трансформаторный плазмотрон RU2094961C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4722521 RU2094961C1 (ru) 1989-07-20 1989-07-20 Трансформаторный плазмотрон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4722521 RU2094961C1 (ru) 1989-07-20 1989-07-20 Трансформаторный плазмотрон

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2094961C1 true RU2094961C1 (ru) 1997-10-27

Family

ID=21462623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4722521 RU2094961C1 (ru) 1989-07-20 1989-07-20 Трансформаторный плазмотрон

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2094961C1 (ru)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8124906B2 (en) 1997-06-26 2012-02-28 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US8779322B2 (en) 1997-06-26 2014-07-15 Mks Instruments Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US8872525B2 (en) 2011-11-21 2014-10-28 Lam Research Corporation System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber
US8898889B2 (en) 2011-11-22 2014-12-02 Lam Research Corporation Chuck assembly for plasma processing
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
RU2558728C1 (ru) * 2014-05-29 2015-08-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) Комбинированный индукционно-дуговой плазмотрон и способ поджига индукционного разряда
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
US9263240B2 (en) 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US9508530B2 (en) 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР N 1074376, кл.H 05B 7/22, 1983. 2. Гольдфарб В.М. и др. ТВТ. - 1979, т.17, N 4, с.698 - 702. *

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8779322B2 (en) 1997-06-26 2014-07-15 Mks Instruments Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US8124906B2 (en) 1997-06-26 2012-02-28 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9911578B2 (en) 2009-12-03 2018-03-06 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9735020B2 (en) 2010-02-26 2017-08-15 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US8872525B2 (en) 2011-11-21 2014-10-28 Lam Research Corporation System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber
US9508530B2 (en) 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US9263240B2 (en) 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US8898889B2 (en) 2011-11-22 2014-12-02 Lam Research Corporation Chuck assembly for plasma processing
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US10622195B2 (en) 2011-11-22 2020-04-14 Lam Research Corporation Multi zone gas injection upper electrode system
US11127571B2 (en) 2011-11-22 2021-09-21 Lam Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
RU2558728C1 (ru) * 2014-05-29 2015-08-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) Комбинированный индукционно-дуговой плазмотрон и способ поджига индукционного разряда

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2094961C1 (ru) Трансформаторный плазмотрон
US5243169A (en) Multiple torch type plasma generation device and method of generating plasma using the same
US6432260B1 (en) Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof
RU2022917C1 (ru) Способ получения окиси азота
Schoenbach et al. Self-organization in cathode boundary layer microdischarges
US7245084B1 (en) Transformer ignition circuit for a transformer coupled plasma source
US8450945B2 (en) High-frequency lamp and method for the operation thereof
JP2002525798A (ja) 開口部を有する誘電体で覆われた電極を有するグロープラズマ放電装置
US4253047A (en) Starting electrodes for solenoidal electric field discharge lamps
US6541915B2 (en) High pressure arc lamp assisted start up device and method
US5374802A (en) Vortex arc generator and method of controlling the length of the arc
Yu et al. Radio-frequency-driven near atmospheric pressure microplasma in a hollow slot electrode configuration
Steers et al. Observations on the use of the microwave-boosted glow discharge lamp and the relevant excitation processes
US4331937A (en) Stability enhanced halide lasers
JP3237450U (ja) 複合プラズマ源
US3517256A (en) Shock-wave generator
Harry et al. Production of a large volume discharge using a multiple arc system
US5296670A (en) DC plasma arc generator with erosion control and method of operation
JPH05182639A (ja) 無電極高光度放電ランプ用ガスプローブ起動装置
CA1093628A (en) Device and method of starting a long radiation source
JP3454388B2 (ja) イオンビーム発生装置のアーク放電方法
US3320476A (en) Starting circuit for high intensity short arc lamps
RU2407249C2 (ru) Устройство для получения плазмы с разомкнутым магнитопроводом и способ осуществления электрического разряда и получения плазмы в нем
RU2558728C1 (ru) Комбинированный индукционно-дуговой плазмотрон и способ поджига индукционного разряда
CA1144226A (en) Starting electrodes for solenoidal electric field discharge lamps