JP5452586B2 - 調節可能な開口部を備えたイオン源 - Google Patents
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Description
本願は、2008年4月24日に出願された「調節可能な開口部を備えたイオン源」を名称とする仮出願第61/047,528号の優先権を主張するものである。本願は、当該出願の趣旨を全て含む。
本発明は、イオン発生源を有するイオン注入機に関する。このイオン注入機は、ワークピースをビーム処理するために、イオンを放射して、イオンビームを形成する。
シリコンウェハにイオンビームを照射することによってシリコンウェハを処理するために、イオン注入機が用いられ得る。このようなビーム処理の1つの用例は、集積回路の製造ステップ中に、ウェハを、濃度が制御された不純物で選択的にドープして、半導体材料を得ることである。
イオン流を生成するために用いられるイオン源を備えるイオン注入機システムを開示する。イオン源は、イオン源チャンバハウジングを有している。イオン源チャンバハウジングの内部には、高濃度のイオンが閉じ込められている。適切に構成された開口部が、イオンがイオン源チャンバから出て行くことを可能にしている。一実施形態では、イオンビームプロファイルを変更するために、可動式のアークスリット開口プレートを、ハウジングに対して移動させる。
図1は、回転する支持体上に取り付けられた、シリコンウェハといったワークピースのイオンビーム処理を行うためのイオン注入機を示す、概略的な図である。
ここで図面を参照する。図1は、イオン源12を備えるイオンビーム注入機10を概略的に示すものである。イオン源12は、イオンビーム14を形成するイオンを生成するためのものである。イオンビーム14は、ビーム経路が終点または注入ステーション20まで横断するように、整形されると共に選択的に偏向される。この注入ステーションは、内部の領域を規定する真空チャンバまたは注入チャンバ22を含んでいる。この内部空間の内部には、半導体ウェハなどのワークピース24が、イオンビーム14を形成するイオンによる注入ステップのために、配置されている。ワークピース24が受けるイオンの放射線量を監視および制御するために、コントローラ41として概略的に示される制御電子回路が設けられている。制御電子回路へのオペレータ入力は、終点ステーション20の近傍に位置するユーザ制御コンソール26を介して行われる。ビームが、イオン源と注入チャンバとの間の領域を横断すると、イオンビーム14内のイオンは、分岐する傾向にある。この分岐を低減するために、この領域は、1つまたは複数の真空ポンプ27によって、低圧に維持される。
図2に詳細に示されるイオン発生源12は、イオン源ブロック120を備えている。イオン源ブロック120は、取っ手83を備えるフランジ82によって支えられている。この取っ手83によって、イオン発生源12は、1つのユニットとして把持され、注入機から取り除かれることが可能である。イオン源ブロック120は、イオン源チャンバ76を支えている。イオン源チャンバ76によって、電子放出カソード124が支えられているが、電子放出カソード124は、イオン源チャンバ76から電気的に絶縁されている。連結具が、チャンバ76およびイオン源ブロック120上にある取り付けブロック252,256内の孔255を通って装着されており、アークチャンバ76をイオン源ブロック120に取り付けている。
図3には、イオン源12のアッセンブリ300が示されている。このアッセンブリは、チャンバ76の電離領域を部分的に取り囲むイオン引出し開口プレート310を含む。軸受支え320が、出口開口プレート310をアークチャンバに対して移動可能に支えており、開口プレート310を、異なるイオンビームプロファイルを規定する第1の位置と第2の位置との間において動かすようになっている。回転駆動部またはアクチュエータ(図示されていない)が、開口プレート310に結合されたラック328を駆動する歯車326に連結されており、開口プレートを、第1の位置と第2の位置との間において往復移動させている。
Claims (19)
- イオン流を生成するために用いられるイオン源であって、
イオン源チャンバの内部に高濃度のイオンを生成するための電離領域の境界を、少なくとも部分的に形成するイオン源チャンバと、
異なる形状のイオン引出し開口部を提供するための壁と、
上記壁を、上記イオン源チャンバに対して、作動位置に動かして、上記イオン源チャンバ内のイオンが、所望のイオンビームプロファイルを与える所望の形状を有するイオン引出し開口部を通って出て行くことを可能にする駆動部とを備える、イオン源。 - 上記壁は、異なる幅の複数の細長いイオン引出し開口部を有する、移動可能な壁を含む、請求項1に記載のイオン源。
- 上記壁は、移動可能な第1の壁区域および第2の壁区域を含み、当該複数の壁の間の間隔を調節して、上記イオン引出し開口部の幅を調節する、請求項1に記載のイオン源。
- 上記第1の壁区域および上記第2の壁区域は、上記ビームが上記イオン源を出て行く時に、ビームの中央線を維持するように、互いに協調して、対向し合って、かつ、離反し合って移動する、請求項3に記載のイオン源。
- 上記移動可能な壁は、イオン注入機の真空領域内において、概して直線状の運動をするように取り付けられている、請求項2に記載のイオン源。
- 上記壁は、上記イオン源チャンバに対して所定の位置に移動すると共に、上記所定の位置から外れるように移動するために取り付けられた、異なるイオン引出し開口部を有する第1のシャッターおよび第2のシャッターを備えている、請求項1に記載のイオン源。
- 上記第1のシャッターおよび上記第2のシャッターは、共通の支持部に取り付けられており、上記共通の支持部は、上記第1のシャッターおよび上記第2のシャッターのうちの選択された1つを、イオンが上記イオン源チャンバの電離領域から出て行くことを可能にする所定の位置まで回転させる、請求項6に記載のイオン源。
- イオン流を生成するために用いられるイオン源であって、
イオン源チャンバハウジングの内部に高濃度のイオンを生成するための電離領域の境界を、少なくとも部分的に形成するイオン源チャンバハウジングと、
アークチャンバの上記電離領域を少なくとも部分的に取り囲むイオン引出し開口プレートと、
上記イオン引出し開口プレートを上記ハウジングに対して移動可能に支えて、上記イオン引出し開口プレートを、異なるイオンビームプロファイルを規定する少なくとも第1の位置と第2の位置との間において動かすための支持構造体と、
上記イオン引出し開口プレートを、上記第1の位置と上記第2の位置との間において動かすための、上記イオン引出し開口プレートに連結された駆動部とを備える、イオン源。 - 上記支持構造体は、上記イオン引出し開口部を規定する調節可能な隙間によって離間された、第1の開口プレートおよび第2の開口プレートを含む、請求項8に記載のイオン源。
- 上記イオン引出し開口プレートは、概して互いに隣り合って並んだ構成に位置決めされた、2つの細長い孔を備える、請求項8に記載のイオン源。
- 上記チャンバの固定された壁が、第3の孔を規定しており、上記第3の孔は、上記2つの細長い孔によって選択的に覆われて、上記チャンバから出てくるビーム幅を狭くする、請求項10に記載のイオン源。
- 上記駆動部は、概して並んで配置された2つの上記細長い孔のいずれかが、ビーム幅を規定するように、上記イオン引出し開口プレートを概して直線状の経路において動かす、請求項10に記載のイオン源。
- 上記イオン引出し開口プレートを通って、第1の引出し開口部が伸びていると共に、上記アークチャンバの電離領域を部分的に取り囲むための、第2の引出し開口部を有する第2のイオン引出し開口プレートをさらに備えており、
上記支持構造体は、上記第1のイオン引出し開口プレートおよび上記第2のイオン引出し開口プレートを、上記ハウジングに対して移動可能に支え、異なるイオンビームプロファイルを規定する、請求項8に記載のイオン源。 - 上記駆動部は、上記第1のイオン引出し開口プレートおよび上記第2のイオン引出し開口プレートを、縦に一列に並んで動かす、請求項13に記載のイオン源。
- イオン注入機と共に用いるためのイオンビームを生成する方法であって、
a)イオン源の領域の圧力を低減すると共にイオン源チャンバ内の原料物質をイオン化して、電離領域内に高濃度のイオンを提供し、上記電離領域から、イオンビームの低圧の移動経路に沿ってイオンのビームを生成するステップと、
b)上記高濃度のイオンに対して構造体を取り付けて、所定の形状の調節可能なイオン引出し開口部を規定し、イオンが上記電離領域から、上記イオン注入機の低圧の領域内のイオンの移動経路に沿って出て行くことを可能にするステップと、
c)上記イオンビームの経路を低圧に維持しながら、上記イオン引出し開口部の形状を変更して、上記イオンビームプロファイルを変更するステップとを含む、方法。 - 上記高濃度のイオンに対して構造体を取り付ける上記ステップは、上記高濃度のイオンに関する2つのイオン引出し孔を有するイオン引出しプレートを移動可能に支えて、イオンが上記2つのイオン引出し孔のいずれかを通って流れることを選択的に可能にすることを含む、請求項15に記載の方法。
- 上記引出し開口部の形状を変更する上記ステップは、1つまたは複数の移動可能な壁区域を移動させて、上記イオン引出し開口部の幅を調節することによって行われる、請求項15に記載の方法。
- 異なるイオン引出し開口部の形状を有する第1のプレートおよび第2のプレートを移動可能に取り付けるステップと、上記第1のプレートおよび第2のプレートのいずれかをイオン源ハウジングに対する所定の位置に回転させるステップとを含む、請求項15に記載の方法。
- 異なる形状のイオン引出し開口部を有する第1のプレートおよび第2のプレートを、共通の支持部に取り付け、イオンビームプロファイルを規定するための動作位置に移動させる、請求項15に記載の方法。
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